嵌入式管芯在下的封裝上封裝器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及嵌入式管芯在下的封裝上封裝器件。一種裝置，包括管芯；和內(nèi)建載體，所述內(nèi)建載體包括在所述管芯的器件側(cè)上設(shè)置的交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層和嵌入有所述管芯的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料；和多個載體觸點，所述多個載體觸點被設(shè)置在管芯的器件面與所述管芯的被嵌入的厚度尺寸之間的漸變部處并且被配置用于將所述載體連接至襯底。一種方法，包括：在犧牲襯底上設(shè)置管芯，所述管芯的器件側(cè)與所述犧牲襯底相對；鄰近所述管芯的器件側(cè)形成內(nèi)建載體，其中所述內(nèi)建載體包括在所述管芯的器件側(cè)和所述管芯的背側(cè)之間限定漸變部的電介質(zhì)材料，所述漸變部包括多個載體觸點；以及將所述管芯和所述內(nèi)建載體與所述犧牲襯底分開。
【專利說明】嵌入式管芯在下的封裝上封裝器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及微電子器件的封裝。

【背景技術(shù)】
[0002]包括使硅管芯(例如，微處理器)機(jī)械地并且電氣地附著到襯底或者其它載體的方法在內(nèi)的微電子封裝技術(shù)持續(xù)改進(jìn)和改善。無凸塊內(nèi)建層(BBUL)封裝技術(shù)是封裝架構(gòu)的一種方法。在其優(yōu)點當(dāng)中，BBUL封裝技術(shù)消除了對組裝的需要、消除了現(xiàn)有的焊球互連(例如，倒裝芯片互連)、減小了由管芯-襯底的熱膨脹系數(shù)(CTE失配)而造成的對管芯的低k層間電介質(zhì)的應(yīng)力、并且通過消除內(nèi)核和倒裝芯片互連來減小封裝電感，以用于改善的輸入/輸出(I/O)和功率傳輸性能。
[0003]隨著電子器件尺寸的縮小和功能性的增加，期望集成電路封裝占用較小的空間。節(jié)約空間的一種方式是在封裝的頂部將器件或者封裝進(jìn)行組合。將第二器件(例如次級(secondary)管芯)垂直地集成到例如片上系統(tǒng)(SOC)封裝的一種方式是通過封裝上封裝(POP)。為了獲得減小厚度的器件(例如手持裝置)，對POP器件厚度或者z高度的約束受到持續(xù)關(guān)注。另外，對例如一個封裝的中央處理單元(CPU)與另一封裝的存儲器器件或外部輸入/輸出器件之間的布線距離的約束也與例如器件之間的通信延遲有關(guān)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]圖1示出了封裝上封裝(POP)器件集成組件的橫截面圖。
[0005]圖2示出了經(jīng)過線2-2'的圖1的組件的橫截面圖。
[0006]圖3示出了經(jīng)過線3-3'的圖1的組件的橫截面圖。
[0007]圖4示出了根據(jù)另一實施例的經(jīng)過線3-3'的圖1的組件的橫截面圖。
[0008]圖5示出了犧牲襯底和銅箔層的一部分的分解橫截面?zhèn)纫晥D。
[0009]圖6示出了具有犧牲襯底上的銅箔層的圖5的結(jié)構(gòu)。
[0010]圖7示出了引入電介質(zhì)層和引入并且圖案化間隔層并且在間隔層上引入接觸焊盤之后的圖6的結(jié)構(gòu)。
[0011]圖8示出了在圖案化的間隔層之間的結(jié)構(gòu)上引入管芯之后的圖7的結(jié)構(gòu)。
[0012]圖9示出了在圖8的結(jié)構(gòu)上引入電介質(zhì)材料之后的圖8的結(jié)構(gòu)。
[0013]圖10示出了形成到間隔層上的接觸焊盤的開口和形成到管芯的開口之后的圖9的結(jié)構(gòu)。
[0014]圖11示出了圖案化到間隔層和管芯上的觸點的導(dǎo)電過孔并且圖案化電介質(zhì)層上的第一導(dǎo)電層或線之后的圖10的結(jié)構(gòu)。
[0015]圖12示出了在第一導(dǎo)電層上引入第二電介質(zhì)層和到第一導(dǎo)電層的導(dǎo)電過孔并且圖案化在第二電介質(zhì)層上的第二導(dǎo)電層或線之后的圖11的結(jié)構(gòu)。
[0016]圖13示出了在第二導(dǎo)電層上引入第三電介質(zhì)層和到第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電過孔并且圖案化第三電介質(zhì)層上的導(dǎo)電焊盤以及引入第四電介質(zhì)層之后的圖12的結(jié)構(gòu)。
[0017]圖14示出了在導(dǎo)電層上引入第二間隔層之后的圖13的結(jié)構(gòu)。
[0018]圖15示出了在圖14的結(jié)構(gòu)上引入光敏材料并且利用紫外光圖案化該光敏材料之后的圖14的結(jié)構(gòu)。
[0019]圖16示出了使用相應(yīng)的圖案化的光敏材料從間隔層和相對應(yīng)的導(dǎo)電層的區(qū)域中移除材料以暴露包括了第三導(dǎo)電層的區(qū)域并且移除光敏材料之后的圖15的結(jié)構(gòu)。
[0020]圖17示出了在包括了暴露的第三導(dǎo)電層的區(qū)域中引入并且圖案化第五電介質(zhì)層之后的圖16的結(jié)構(gòu)。
[0021]圖18示出了圖案化第五電介質(zhì)層上的第四導(dǎo)電層和穿過第五電介質(zhì)層到達(dá)第三導(dǎo)電層的導(dǎo)電過孔之后的圖17的結(jié)構(gòu)。
[0022]圖19示出了移除第二間隔層和下面的導(dǎo)電層之后的圖18的結(jié)構(gòu)。
[0023]圖20示出了圖19的結(jié)構(gòu)并且指示了切單區(qū)域，該切單區(qū)域?qū)⒂善渌庋b描述的兩個封裝分開或者并且限定兩個封裝的xy尺寸。
[0024]圖21示出了通過移除犧牲襯底、第一間隔層和銅箔來使圖20的結(jié)構(gòu)分隔成兩個單獨封裝部分之后的圖20的結(jié)構(gòu)的一部分。
[0025]圖22示出了在與第一導(dǎo)電層相關(guān)聯(lián)的觸點處連接到襯底的圖21的封裝以及連接與第三導(dǎo)電層相關(guān)聯(lián)的觸點的次級封裝。
[0026]圖23示出了計算設(shè)備的示意圖。

【具體實施方式】
[0027]圖1示出了根據(jù)一個實施例的封裝上封裝(POP)器件集成裝置或者組件的橫截面圖。如圖1所示，組件100包括使用無凸塊內(nèi)建層(BBUL)封裝技術(shù)的微電子封裝110。微電子封裝110包括載體120。載體120包括管芯130，例如微處理器管芯或者片上系統(tǒng)(SOC)管芯，管芯130嵌入在所述載體中,器件側(cè)朝上(如所觀察的)。在一個實施例中，管芯130是具有近似為150微米(μπι)的厚度的硅管芯等。在另一示例中，管芯130可以是具有小于150μπι(例如，50μπι到150μπι)的厚度的硅管芯等。在該圖中，管芯130被布置在載體120的底部(“管芯在下”配置)。
[0028]圖1示出了包括多個內(nèi)建層的載體120,所述多個內(nèi)建層包括:例如由Ajinomoto內(nèi)建膜(ABF)(例如，電介質(zhì)層140AU40B和140C)或者玻璃膜(例如，電介質(zhì)層140D和140E)構(gòu)成的電介質(zhì)層140A、140B、140C、140D和140E ;以及例如由銅或者銅合金構(gòu)成的導(dǎo)電層或線150A、150B、150C和150D (示出四個)(與導(dǎo)電過孔等相連接)，該導(dǎo)電層或線150A、150B、150C和150D通過諸如適合于表面安裝型封裝實施方案(例如，球柵陣列)的觸點之類的觸點155提供與管芯130的連接(電源、接地、輸入/輸出等)。電介質(zhì)層140A、140B、140C、140D分別設(shè)置在導(dǎo)電層150A、150B、150C和150D之間，以使導(dǎo)電層絕緣(即，如所觀察的那樣，在層疊體中從底部到頂部交替排列導(dǎo)電材料層或者線和電介質(zhì)材料層)。管芯130和載體120彼此直接物理接觸(例如，沒有將管芯130連接到載體120的焊料凸塊)。管芯130通過導(dǎo)電柱160直接電連接到載體120的導(dǎo)電過孔165。如所觀察的，圖1中管芯130背側(cè)的下面是粘合層135，粘合層135例如由具有或不具有填充物的基于環(huán)氧樹脂的電介質(zhì)粘合劑、管芯背側(cè)膜(DBF)聚合物構(gòu)成。
[0029]關(guān)于載體120的電介質(zhì)層,如圖1所不，電介質(zhì)層140A包圍著管芯130的橫向側(cè)壁。以這種方式，電介質(zhì)層140A嵌入有管芯130的厚度尺寸的至少一部分。在圖1所示的實施例中，電介質(zhì)層140A嵌入有管芯130的橫向側(cè)壁的一部分。在該實施例中，電介質(zhì)層140A還嵌入有粘合層135的厚度尺寸的整個部分。
[0030]在圖1所示的實施例中，微電子封裝110被配置為在封裝的底部或者管芯側(cè)連接印刷電路板。因此，載體120包括用于連接印刷電路板的在其底部的觸點或者接觸焊盤155。觸點或者接觸焊盤155通過穿過電介質(zhì)層140A的導(dǎo)電過孔157連接至導(dǎo)電層或線150A(第一級)。典型地，圖1示出了將微電子封裝安裝到例如印刷電路板或者其它板的表面安裝封裝，例如球柵陣列(BGA)。圖1示出了在觸點或者接觸焊盤155處連接至微電子封裝110的焊接材料148 (例如，焊球)。
[0031]關(guān)于將微電子封裝110連接到基板(例如印刷電路板)的載體120的觸點或者接觸焊盤155，在電介質(zhì)層140A的與包括管芯130的封裝的一部分不同的平面中，該觸點或者接觸焊盤凹入或者凸出(set-off)。在一個實施例中，觸點或者接觸焊盤155被設(shè)置在管芯的器件側(cè)與管芯的嵌入的厚度尺寸之間的平面或者漸變部(gradat1n)處。圖1示出了在微電子封裝110的底部限定出漸變部1400A的電介質(zhì)層140A，其中微電子封裝110由嵌入有粘合層135的厚度尺寸的電介質(zhì)層或者電介質(zhì)材料進(jìn)行限定。嵌入有粘合層135和管芯130的橫向側(cè)壁的一部分的電介質(zhì)層140A的部分沒有延伸載體120的寬度尺寸I。相反地，電介質(zhì)層140A的這部分延伸了寬度尺寸W2,寬度尺寸W2至少足以包圍管芯130的橫向側(cè)壁但不足以覆蓋觸點或者接觸焊盤155。電介質(zhì)層140A還限定出距漸變部1400A—定距離的漸變部1400B。在漸變部1400B處暴露出觸點或者接觸焊盤155。漸變部1400A和漸變部1400B的平面之間差異在封裝的載體部分和基板(例如，印刷電路板)之間、組件100的底部產(chǎn)生了腔145。在一個實施例中，腔145包圍管芯130。腔145內(nèi)設(shè)置的是被配置為連接基板(例如印刷電路板)的焊接材料(例如焊球148)。腔145的存在減小了微電子封裝110的z維度長度(即，z高度)，并且相對應(yīng)地減小了組件100的z維度長度(即，z高度)。在圖1中，漸變部1400A到1400B的過渡被示例為垂直線。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，該過渡可以不是垂直的(例如，從1400A到1400B具有45°與90°之間的坡度)并且可以是工具加工的結(jié)果。
[0032]圖2示出了經(jīng)過線2-2'的圖1的封裝的橫截面圖。圖2示出了電介質(zhì)層140A中的漸變部1400A和漸變部1400B。在該實施例中，通過電介質(zhì)層140A的漸變部的差異產(chǎn)生的并且包括焊接材料148 (例如，焊球)的腔145在管芯130的每個側(cè)邊周圍延伸。在另一實施例中，腔145可以是兩個單獨的腔，在管芯130相對的橫向側(cè)壁的每側(cè)上各有一個腔，使得電介質(zhì)層140A上的漸變部1400A延伸了微電子封裝110的整個寬度尺寸(x方向)或者長度尺寸(y方向)。圖2還示出了微電子封裝110中的單個管芯，即管芯130。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在另一實施例中，在微電子封裝110中可以包括例如沿著微電子封裝110的寬度或長度維度布置的另一個管芯或者另外的多個管芯。
[0033]返回到圖1，圖1示出了交替的導(dǎo)電材料和電介質(zhì)材料層。在該實施例中，組件100包括四個導(dǎo)電材料層或線(例如，導(dǎo)電層150A、150B、150C和150D)。導(dǎo)電層150D是排列得距離管芯130最遠(yuǎn)的層，從這個意義上說，導(dǎo)電層或線150D是最后層。導(dǎo)電層150C是倒數(shù)第二層。如圖1所示，導(dǎo)電層或線150C被圖案化以包括用于連接次級器件(例如，封裝、管芯)的觸點158。電介質(zhì)層140D的平面在觸點158處限定出漸變部1410A。在倒數(shù)第二導(dǎo)電層150C和最后導(dǎo)電層150D之間的是電介質(zhì)層140E。在最后導(dǎo)電層150D上的是電介質(zhì)層140F。電介質(zhì)層140F的平面將漸變部1410B限定為與漸變部1410A的平面間隔一定距離。以這種方式，將觸點158設(shè)置在最后導(dǎo)電層(導(dǎo)電層150D)和管芯之間的漸變部1410A處，更具體地，在一個實施例中，將觸點158設(shè)置在倒數(shù)第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層150C)或者電介質(zhì)層140D處。與從漸變部1400A到1400B的過渡一樣，從漸變部1410A到1410B的過渡也被示出為垂直線，但是在其它實施例中可以不是垂直的(例如，具有45°和90°之間的坡度)。
[0034]如圖1所示，載體120的電介質(zhì)層140A、140B、140C和導(dǎo)電層150A、150B、150C、150D的寬度尺寸(X方向)統(tǒng)一用寬度W1表示。W1大于電介質(zhì)層140EU40F和圖案化的導(dǎo)電層150D的寬度尺寸，電介質(zhì)層140E和140F的寬度尺寸被表示為寬度W3。寬度尺寸之差(W1-W3)在微電子封裝110與次級器件(例如在圖1中示出的連接到微電子封裝110的封裝180)之間產(chǎn)生了腔170。在該實施例中，封裝180通過焊接材料連接178 (例如，焊球)在觸點158處連接到微電子封裝110。到觸點158和到封裝180的焊接材料連接178出現(xiàn)在腔170中。由于焊接材料連接178被設(shè)置在腔170內(nèi)，因此會使組件100的高度或者z尺寸相對于沒有腔170的z尺寸減小。
[0035]圖3示出了經(jīng)過線3-3'的微電子封裝110的橫截面圖。該橫截面圖示出了漸變部1410A和漸變部1410B。在該實施例中，微電子封裝110包括漸變部1410B，漸變部1410B橫跨微電子封裝110、延伸了長度尺寸L1并且延伸了小于封裝的整個寬度尺寸W1的寬度尺寸W3。漸變部1410A和相關(guān)聯(lián)的腔170被設(shè)置在與漸變部1410B相關(guān)聯(lián)的橫截面區(qū)域的相對的橫向側(cè)(即，電介質(zhì)層140E和電介質(zhì)層140F的橫向側(cè))上。圖3還示出了在封裝110的漸變部1410A的區(qū)域中的觸點或者接觸焊盤158上設(shè)置的焊接材料連接178。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識至IJ，觸點或者接觸焊盤158的數(shù)量可以根據(jù)待附著到封裝110的一個或多個器件的需要量而變化。
[0036]圖4示出了經(jīng)過線3-3'的封裝110的備選實施例。在該實施例中，漸變部1410B延伸長度尺寸L2，長度尺寸L2比封裝的整個長度尺寸L1小。以這種方式，漸變部1410A所覆蓋的區(qū)域較大，這是因為可以鄰近漸變部1410B的四個橫向側(cè)中的每一個來設(shè)置這個區(qū)域。漸變部1410A的較大區(qū)域允許放置附加的觸點或者接觸焊盤以及相關(guān)聯(lián)的增加的焊接材料連接178，取決于例如連接到封裝110的一個或多個次級器件的需求，這一點會是必須的。
[0037]圖5-圖22描述了用于形成諸如微電子封裝110 (圖1)之類的微電子封裝的一個實施例。參考圖5，圖5示出了例如由預(yù)浸材料構(gòu)成的犧牲襯底210的一部分的分解橫截面?zhèn)纫晥D，其包括分別用較短的銅箔層220A和220B將其與犧牲襯底210進(jìn)行分隔的銅箔215A和215B的相對層。銅箔215A和215B基于真空而易于粘貼到較短的箔。圖6示出了圖5的組裝結(jié)構(gòu)。形成內(nèi)建封裝的一種技術(shù)將形成兩個單獨的封裝或者犧牲襯底，一個在犧牲襯底210的頂表面上，而一個在底表面上(如所觀察的)。在形成過程期間的某個時間點，將兩個封裝與犧牲襯底210分開。下面的形成過程遵循這個技術(shù)。
[0038]圖7示出了分別在箔層215A和箔層215B上引入電介質(zhì)材料層225A和電介質(zhì)材料層225B以后的圖6的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，電介質(zhì)材料層225A/225B是ABF材料，其被引入作為在襯底的相應(yīng)的表面上方的膜。在一個實施例中，電介質(zhì)材料層225A/225B的合適的厚度約為20微米。
[0039]位于電介質(zhì)材料層225A和電介質(zhì)材料層225B上面的分別是間隔層230A和間隔層230B。在一個實施例中，間隔層230A/230B是銅材料(例如，銅或者銅合金)，其厚度被選擇為封裝的基板連接側(cè)上的腔(例如，圖1中的腔145)的厚度或者深度。代表性的厚度尺寸約為50微米到65微米。在一個實施例中，橫跨該結(jié)構(gòu)的表面引入間隔層230A/230B(例如，作為膜(層合膜))并且然后間隔層230A/230B被圖案化為期望的一個或多個腔的長度和寬度尺寸。一種代表性的圖案化工藝是引入光敏材料，如干膜抗蝕劑(DFR)材料；通過掩膜將光敏材料暴露于光源，以使光敏材料的一部分在顯影劑中是可溶解的；利用顯影劑移除光敏材料的可溶解部分以留下圖案化的光敏材料層；通過圖案化的光敏材料層來蝕刻間隔層230A/230B ;并且移除光敏材料層。圖7示出了圖案化的間隔層。
[0040]位于間隔層230A和間隔層230B上面或者在間隔層230A和間隔層230B上的是接觸焊盤235A和接觸焊盤235B。在一個實施例中，接觸焊盤235A和接觸焊盤235B是例如使用無電鍍籽晶層及隨后的干膜抗蝕劑(DFR)圖案化和鍍覆來沉積的金材料(例如，金、金合金)。接觸焊盤235A/235B被配置用于使封裝連接到諸如印刷電路板之類的基板(例如，圖1中的接觸焊盤155)。因此焊盤的數(shù)量和位置至少部分地由封裝到基板的連接的需求所支配。
[0041]在每個接觸焊盤235A/235B上的是諸如銅(例如，銅、銅合金)之類的次級焊盤材料236A和次級焊盤材料236B，其也是使用鍍覆技術(shù)進(jìn)行沉積的。在另一實施例中，可以將可選的諸如鎳和/或鈀之類的表面終飾層添加在例如接觸焊盤235A/235B與次級焊盤材料236A/236B之間，以例如提高焊點可靠性。
[0042]圖8示出了在圖7的結(jié)構(gòu)的相對側(cè)上安裝管芯240A和管芯240B之后的圖7的結(jié)構(gòu)。如圖8所示，管芯240A被附著到粘合劑250A并且管芯240B被附著到粘合劑250B。用于粘合劑250A和250B的合適的粘合材料是DBF。將管芯240A和管芯240B設(shè)置為器件側(cè)朝上(器件側(cè)背朝每個銅箔)。在每個管芯的器件側(cè)上，圖8示出了分別連接到管芯240A和管芯240B的觸點的導(dǎo)電柱245A和245B?？梢栽诠苄局圃祀A段制造柱245A和柱245B。
[0043]圖9示出了在圖8的結(jié)構(gòu)的每側(cè)上引入電介質(zhì)層之后的圖8的結(jié)構(gòu)。圖9示出了電介質(zhì)層260A和電介質(zhì)層260B。在一個實施例中，電介質(zhì)層260A和電介質(zhì)層260B中的每個都是ABF電介質(zhì)材料，該ABF電介質(zhì)材料可能包括已描述的在形成BBUL封裝過程中所使用的填充物。引入ABF材料的一種方法是將其作為鋪在相應(yīng)的管芯、觸點和銅箔上的膜。
[0044]圖10示出了在電介質(zhì)層260A和電介質(zhì)層260B中打開到觸點236A、觸點236B、柱245A和柱245B的過孔262A和262B之后的圖9的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，這種開口或者過孔可以通過激光工藝來實現(xiàn)。
[0045]圖11示出了圖案化分別在電介質(zhì)層260A和電介質(zhì)層260B上的導(dǎo)電線或?qū)?75A和導(dǎo)電線或?qū)?75B，并且圖案化分別穿過相應(yīng)的電介質(zhì)層到觸點236A和觸點236B所形成的導(dǎo)電過孔265A和265B之后的圖10的結(jié)構(gòu)。還可以形成到柱245A和柱245B的導(dǎo)電過孔，其中柱245A和柱245B通往管芯240A和管芯240B的器件側(cè)上的觸點。用于圖案化的導(dǎo)電線或?qū)?75A/275B和用于導(dǎo)電過孔265A/265B的合適的材料是例如通過電鍍工藝來沉積的銅。
[0046]圖12示出了圖案化載體的導(dǎo)電線或?qū)拥母郊訉蛹壷蟮膱D11的結(jié)構(gòu)。圖12示出了分別通過電介質(zhì)層278A和278B(例如，ABF膜)而分別與導(dǎo)電線或?qū)?75A和275B分開的導(dǎo)電線或?qū)?80A和導(dǎo)電線或?qū)?80B。典型的BBUL封裝可以具有四到六級導(dǎo)電線或跡線，它們類似于通過電介質(zhì)材料(例如，ABF膜)與相鄰線分開的導(dǎo)電線或?qū)?75A、275B、280A和280B。在一個實施例中，通過導(dǎo)電過孔(例如，銅填充的過孔)來實現(xiàn)層間連接，其中通過激光鉆通過孔并且以電鍍工藝的方式在過孔中沉積導(dǎo)電材料來形成所述導(dǎo)電過孔。
[0047]圖13示出了引入并且圖案化導(dǎo)電線或?qū)?85A和285B(第三級)之后的圖12的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，將導(dǎo)電線或?qū)拥闹辽僖徊糠謭D案化為用于封裝實施方案的連接盤或者焊盤(例如，用于連接至諸如封裝或者管芯之類的外部部件)，同時將線或者層290A和290B的另一部分圖案化為用于發(fā)送信號。圖13還示出了在該結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的側(cè)上引入電介質(zhì)層282A和電介質(zhì)層282B之后的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，電介質(zhì)層282A/282B是作為橫跨該結(jié)構(gòu)表面的膜或者薄片而被引入或者層合的玻璃布(ABF玻璃布)。玻璃布具有使電介質(zhì)層比常規(guī)ABF層堅硬的特性。在另一實施例中，電介質(zhì)層282A/282B是常規(guī)的ABF層。在一個實施例中，電介質(zhì)層282A和電介質(zhì)層282B分別被層合在導(dǎo)電線或?qū)?85A和導(dǎo)電線或?qū)?85B上。
[0048]圖14示出了在導(dǎo)電線285A、導(dǎo)電線285B、電介質(zhì)層282A、電介質(zhì)層282B上引入間隔層290A和間隔層290B之后的圖13的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，間隔層290A和間隔層290B是通過層合和/或熱壓工藝所引入的銅材料(例如，銅或者銅合金)。針對在正在形成的微電子封裝與諸如次級封裝或者襯底之類的次級器件之間的待形成的腔(例如，圖1中的封裝110與次級器件180之間的腔170)來選擇引入的銅材料的厚度。代表性的厚度約為70微米。
[0049]圖15示出了在圖14的結(jié)構(gòu)上引入諸如干膜抗蝕劑(DFR)之類的光敏材料之后的圖14的結(jié)構(gòu)。圖15示出了間隔層290A上的DFR層292A和間隔層290B上的DFR層292B。在一個實施例中，在引入之后，通過掩膜(分別為掩膜294A和掩膜294B)使每個DFR層暴露于紫外光，以使一部分DFR層可溶于顯影劑。在這一實施例中，部分293A和部分293B暴露于紫外光。在一個實施例中，基于在其中不形成腔的微電子封裝的區(qū)域(例如，圖1中用寬度W3表示的區(qū)域)來選擇DFR層292A的部分293A和DFR層292B的部分293B的尺寸。在紫外光曝光之后，利用顯影劑來移除部分293A和部分293B，以產(chǎn)生能夠轉(zhuǎn)移到間隔層290A和間隔層290B的圖案。
[0050]圖16示出了使用相應(yīng)的圖案化的DFR層來從間隔層290A(區(qū)域291A)和間隔層290B(區(qū)域291B)的區(qū)域中移除材料之后的圖15的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，可以通過蝕刻工藝來完成該移除。圖16還示出了移除DFR層之后的結(jié)構(gòu)。
[0051]圖17示出了在區(qū)域291A和區(qū)域291B中分別引入并且圖案化電介質(zhì)材料之后的圖16的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，電介質(zhì)材料是作為膜被引入的玻璃布。圖17示出了例如由玻璃布構(gòu)成的電介質(zhì)層296A和電介質(zhì)層296B，其中玻璃布被使用例如激光工藝圖案化為具有到圖案化的導(dǎo)電層或線285A和導(dǎo)電層或線285B的過孔。在另一實施例中，例如通過層合工藝的方式所引入的電介質(zhì)層296A/296B可以覆蓋在間隔層290A和290B上。
[0052]圖18示出了圖案化附加的導(dǎo)電層或線(第四線)之后的圖17的結(jié)構(gòu)，附加的導(dǎo)電層或線(第四線)具有導(dǎo)電層或線298A、導(dǎo)電層或線298B以及分別穿過相應(yīng)的電介質(zhì)層到圖案化的導(dǎo)電層或線285A、導(dǎo)電層或線285B的導(dǎo)電過孔297A和導(dǎo)電過孔297B。用于圖案化的導(dǎo)電層或線298A/298B和用于導(dǎo)電過孔297A/297B的合適的材料是例如通過電鍍工藝沉積的銅。圖18還示出了在圖案化的導(dǎo)電層/線298A/298B的上方的電介質(zhì)材料的引入。圖18示出了分別在導(dǎo)電層298A和導(dǎo)電層298B上的電介質(zhì)層299A和電介質(zhì)層299B。在一個實施例中，其中電介質(zhì)層296A/296B覆蓋在間隔層290A/290B上，電介質(zhì)層299A/299B可以覆蓋在電介質(zhì)層296A/296B和間隔層290A/290B上。在這種情況下，執(zhí)行平面化工藝以對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光，從而暴露間隔層290A/290B。
[0053]圖19示出了移除間隔層290A和間隔層290B之后的圖18的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，可以通過濕式噴砂工藝來移除間隔層和導(dǎo)電層。進(jìn)行間隔層的移除以分別暴露先前由該間隔層所覆蓋的圖案化的導(dǎo)電層或線285A和圖案化的導(dǎo)電層或線285B的一部分。圖案化的導(dǎo)電層或線285A/285B的暴露部分將用于連接到次級器件(例如，封裝或者管芯)。因此，在一個實施例中，在暴露的圖案化的導(dǎo)電層或線上可以沉積諸如金之類的導(dǎo)電材料，以改善與次級器件的電連接。
[0054]在形成諸如封裝110 (圖1)之類的微電子封裝的過程的描述中，為了方便，至此針對在犧牲襯底上形成兩個封裝——代表性地一個在另一個上方——對該過程進(jìn)行了描述。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在一個實施例中，典型地，附加的封裝可以同時、相互并排地形成在同一犧牲襯底上。因此，圖20示出了經(jīng)過切單工藝的圖19的結(jié)構(gòu)，所述切單工藝將已描述的兩個封裝與其它封裝分開或者并且限定兩個封裝的xy尺寸。一種切單工藝是通過機(jī)械鋸切進(jìn)行的。另一選擇是激光切割。圖20示出了分別在左側(cè)和右側(cè)上的區(qū)域300和區(qū)域305，它們指明了用于切單的區(qū)域。
[0055]圖21示出了通過移除犧牲襯底210和銅箔215A、215B來使圖20的結(jié)構(gòu)分離成兩個單獨的封裝部分之后的圖20的結(jié)構(gòu)的一部分。通過從犧牲襯底210中移除個體封裝部分，圖21示出了獨立的微電子封裝的一部分，獨立的微電子封裝具有在器件側(cè)連接至包括導(dǎo)電材料(四級導(dǎo)電跡線)和多個交替的電介質(zhì)層或者絕緣材料層的內(nèi)建載體的管芯(管芯240B)。圖21還示出了移除間隔層230B和電介質(zhì)層225B之后的結(jié)構(gòu)的一部分(參見例如圖7以及相關(guān)聯(lián)的正文)。移除由銅構(gòu)成的間隔層230B和由ABF構(gòu)成的電介質(zhì)層225B的一種方法是通過濕式噴砂工藝。進(jìn)行間隔層和電介質(zhì)層的移除以暴露接觸焊盤235B/236B。接觸焊盤235B/236B會用于將封裝連接到諸如印刷電路板之類的基板。
[0056]圖22示出了翻轉(zhuǎn)的圖21的封裝。該封裝連接到基板325，即例如印刷電路板。如圖所示，封裝的管芯240B被設(shè)置在封裝的底部。腔345形成在管芯的橫向側(cè)、位于封裝和襯底325之間，該腔中具有接觸焊盤235B。在這一實施例中，該封裝通過設(shè)置在腔345中的焊接材料連接(例如，焊球)在接觸焊盤235B處連接到襯底325。
[0057]在封裝的頂部部分(如所觀察的)，該封裝包括:包含圖案化的導(dǎo)電層或線298B的凸起部分；和橫向鄰近凸起部分的圖案化的導(dǎo)電層或線285B的暴露的接觸焊盤。在這一實施例中，該封裝被連接到次級器件。例如，次級器件350是包括一個或多個諸如存儲器管芯或者其它管芯(例如，處理器、片上系統(tǒng))的管芯的封裝。由于次級器件350被設(shè)置在封裝上，因此創(chuàng)建了腔中具有圖案化的導(dǎo)電層或線285B的接觸焊盤的腔370。該封裝通過設(shè)置在腔370中的焊接材料連接320(例如，焊球)在圖案化的導(dǎo)電層或者線285B的接觸焊盤處連接到次級器件350。
[0058]圖22示出了 POP器件集成組件或者裝置，其中嵌入式管芯240B (例如，微處理器)通過底部或者第一導(dǎo)電層或線275B (LI)連接到底部封裝(BBUL封裝)。嵌入式管芯240B通過底部封裝的導(dǎo)電層(例如，275B(L1)、280B(L2))和導(dǎo)電層285B(L3)處的POP焊盤來電連接到封裝350 (例如，包括一個或者多個存儲器器件的封裝)。管芯240B還通過過孔265B電連接到基板325上的輸入/輸出(I/O)器件。所描述的配置在管芯240B、封裝350、襯底325的I/O器件之間提供了與先前的POP組件配置相比減少的互連布線。利用所描述的配置可以實現(xiàn)器件之間的減少的通信延遲時間和較低的功耗。更進(jìn)一步地，該配置通過在該級中并入布線和觸點或者接觸焊盤來有效地利用導(dǎo)電層298B(L4)。
[0059]底部封裝的雙面腔設(shè)計(腔345、腔370)減小了整體POP組件的厚度(z高度)，與例如僅在底部封裝和次級封裝之間包括單個腔的POP組件(例如，僅包括單個腔370的POP組件)相比，該雙面腔的設(shè)計有可能實現(xiàn)百分之二十五以上的底部封裝Z高度的減少。有代表性地，圖22中示出的尺寸包括:
[0060]A =底部 BGA 高度，100 μ m
[0061]B = BBUL管芯厚度+C0-L1過孔深度，159 μ m
[0062]C = BGA支撐體到管芯背側(cè)膜，30 μ m
[0063]D = Ll到接觸焊盤,89 μ m
[0064]E =從LI到L3的襯底厚度,85 μ m
[0065]Z =底部封裝厚度，A+D+E, 100+89+85 = 274 μ m。
[0066]圖23示出了根據(jù)一個實施方式的計算設(shè)備400。計算設(shè)備400容納板402。板402可以包括多個部件，包括但不限于處理器404和至少一個通信芯片406。處理器404物理地并且電氣地連接至板402。在一些實施方式中，至少一個通信芯片406也被物理地并且電氣地連接至板402。在進(jìn)一步的實施方式中，通信芯片406是處理器404的一部分。
[0067]基于其應(yīng)用，計算設(shè)備400可以包括可以或者不可以被物理地并且電氣地連接至板402的其它部件。這些其它部件包括但不限于，易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，ROM)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、加密處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)器件、羅盤、加速計、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)以及大容量存儲器件(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字多功能盤(DVD)等等)。
[0068]通信芯片406實現(xiàn)無線通信以向/從計算設(shè)備400傳送數(shù)據(jù)。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述通過使用調(diào)制的電磁輻射而經(jīng)由非固體介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娐?、器件、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語不是暗示相關(guān)聯(lián)的器件不包含任何線路，但在一些實施例中它們可以不包含任何線。通信芯片406可以實現(xiàn)多個無線標(biāo)準(zhǔn)或者協(xié)議中的任何一種，所述多個無線標(biāo)準(zhǔn)或者協(xié)議包括但不限于W1-Fi (IEEE 802.11族)、WiMAX (IEEE802.16 族)、IEEE 802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其衍生物，以及被標(biāo)示為3G、4G、5G及其以后的任何其它無線協(xié)議。計算設(shè)備400可以包括多個通信芯片406。例如，第一通信芯片406可以專用于較短距離無線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，并且第二通信芯片406可以專用于較長距離無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 以及其它。
[0069]計算設(shè)備400的處理器404包括封裝在處理器404內(nèi)的集成電路管芯。在一些實施方式中，根據(jù)上述實施例形成的封裝利用BBUL技術(shù)，其中所描述的載體包括在載體主體的底部中嵌入的管芯以及在載體和板402之間形成的腔，在所述腔處(例如，通過焊接材料接觸部)形成與板的電連接。術(shù)語“處理器”可以指處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)的任何器件或者器件的一部分，以將所述電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成可以存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)。
[0070]通信芯片406還包括封裝在通信芯片406內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)另一實施方式，封裝是基于例如上述的BBUL技術(shù)的，其能夠?qū)崿F(xiàn)以減小的z高度來堆疊各種器件，這些器件包括但不限制于具有存儲器管芯和/或圖形管芯和/或芯片組和/或GPS的微處理器芯片(管芯)。這種封裝包括上述確認(rèn)的雙面腔。
[0071]在進(jìn)一步的實施方式中，計算設(shè)備400內(nèi)容納的另一部件可以包含結(jié)合了例如上述的主BBUL載體實施方式的微電子封裝。
[0072]在各種實施方式中，計算設(shè)備400可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本、筆記本、超極本、智能手機(jī)、平板電腦、個人數(shù)字處理(PDA)、超級移動PC、移動電話、臺式計算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器或者數(shù)字錄相機(jī)。在進(jìn)一步的實施方式中，計算設(shè)備400可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。
[0073]示例
[0074]下面的示例屬于實施例。
[0075]示例I是一種裝置，其包括:具有厚度尺寸和由長度尺寸和寬度尺寸限定的管芯區(qū)域的管芯；和內(nèi)建載體，其具有的載體區(qū)域大于管芯區(qū)域，所述內(nèi)建載體包括在管芯的器件側(cè)上設(shè)置的多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層以及嵌入有管芯的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料；和被配置用于將內(nèi)建載體安裝到基板的多個載體觸點，多個該載體觸點被設(shè)置在管芯的器件側(cè)和管芯的嵌入的厚度尺寸之間的漸變部處，其中多個載體觸點中的至少一個載體觸點耦合到交替的導(dǎo)電材料層中的至少一個導(dǎo)電材料層。
[0076]在示例2中，示例I的裝置的多個載體觸點包括多個第一載體觸點，并且漸變部包括第一漸變部，并且多個導(dǎo)電材料層包括在距管芯最遠(yuǎn)處設(shè)置的最終層，該載體還包括在導(dǎo)電材料的最終層與管芯之間的第二漸變部處設(shè)置的多個第二載體觸點。
[0077]在示例3中，示例2的裝置中的第二漸變部在由多個導(dǎo)電材料層的倒數(shù)第二層所限定的平面中。
[0078]在示例4中，示例I的裝置的管芯包括在器件側(cè)上的觸點，而且多個導(dǎo)電材料層中的至少一層耦合到管芯的觸點中的至少一個觸點。
[0079]在示例5中，示例I的裝置的載體觸點被配置為用于將內(nèi)建載體安裝到印刷電路板。
[0080]在示例6中，示例2的裝置的第二載體觸點被配置為用于將內(nèi)建載體連接至次級器件或者封裝。
[0081]在示例7中，示例I的裝置的管芯包括與器件側(cè)相對的側(cè)上的電介質(zhì)層。
[0082]示例8是一種方法，其包括:將管芯設(shè)置在犧牲襯底上，其中管芯的管芯器件側(cè)與犧牲襯底相對；鄰近管芯的器件側(cè)形成內(nèi)建載體,其中該內(nèi)建載體包括多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層，以及嵌入有管芯的厚度尺寸的一部分并且在管芯的器件側(cè)與管芯背側(cè)之間限定出漸變部的電介質(zhì)材料，該漸變部包括被配置用于將內(nèi)建載體安裝到襯底的多個載體觸點；以及將管芯和內(nèi)建載體與犧牲襯底分開。
[0083]在示例9中，在示例8的方法中形成內(nèi)建載體之前，該方法包括在犧牲襯底上設(shè)置間隔層，該間隔層包括用于容納犧牲襯底上的管芯的開口和用于嵌入有管芯的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料，該間隔層的厚度等于第一漸變部的厚度，并且在形成內(nèi)建載體之后，將管芯和內(nèi)建載體與犧牲襯底分開，包括將管芯和內(nèi)建載體與該間隔層分開。
[0084]在示例10中，示例9的方法中形成內(nèi)建載體包括在該間隔層上形成多個載體觸點。
[0085]在示例11中，示例10的方法中的多個載體觸點被配置為用于將內(nèi)建載體連接至印刷電路板。
[0086]在示例12中，示例8的方法中的漸變部包括第一漸變部，并且形成內(nèi)建載體包括圖案化多個導(dǎo)電層中的倒數(shù)第二層和在圖案化的倒數(shù)第二層上形成間隔層，該間隔層包括用于容納多個導(dǎo)電層中的最終層的開口，該間隔層的厚度等于第二漸變部的厚度；以及圖案化多個導(dǎo)電層中的最終層，在形成內(nèi)建載體之后，移除該間隔層。
[0087]在示例13中，示例11的方法中形成內(nèi)建載體包括在多個導(dǎo)電層中的圖案化的最終層上設(shè)置電介質(zhì)材料。
[0088]在示例14中，示例12的方法中圖案化多個導(dǎo)電層中的倒數(shù)第二層包括將倒數(shù)第二層圖案化為多個第二載體觸點，所述多個第二載體觸點被配置用于將內(nèi)建載體連接至次級器件或者封裝。
[0089]在示例15中，示例8-示例14的方法中的任一方法都用于形成包括至少一個管芯(例如，集成電路襯底)的封裝。
[0090]示例16包括一種封裝，該封裝包括設(shè)置在載體中的微處理器，該微處理器包括第一側(cè)和包括具有觸點的器件側(cè)的相對的第二側(cè)，以及由長度尺寸和寬度尺寸限定的微處理器區(qū)域；該載體包括大于微處理器區(qū)域的載體區(qū)域；在微處理器的第二側(cè)上設(shè)置的多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層，其具有多個導(dǎo)電材料層中的在距離該微處理器最遠(yuǎn)處設(shè)置的導(dǎo)電材料的最終層以及嵌入有該微處理器的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料；在該微處理器的第二側(cè)和嵌入有該微處理器的厚度尺寸的電介質(zhì)材料之間的第一漸變部處設(shè)置的多個第一載體觸點；和在導(dǎo)電材料的最終層和該微處理器之間的第二漸變部處設(shè)置的多個第二載體觸點；以及耦合到第一載體觸點的印刷電路板。
[0091]在示例17中，示例16的裝置還包括耦合到第二載體觸點的次級器件或者封裝。
[0092]在示例18中，示例16的裝置的第二漸變部包括等于在導(dǎo)電材料的最終層和多個導(dǎo)電材料層中的倒數(shù)第二層之間的間隔的厚度尺寸。
[0093]在上面的說明書中，出于說明的目的，已經(jīng)闡述了許多具體細(xì)節(jié)以提供對實施例的透徹理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些具體細(xì)節(jié)的情況下實施一個或者多個其它實施例。所描述的特定實施例不是被提供用于限制權(quán)利要求，而是為了對其進(jìn)行舉例說明。權(quán)利要求的范圍不由以上提供的具體示例來確定。在其它示例中，為了避免對本說明書的理解模糊不清，以框圖的形式或者沒有細(xì)節(jié)地示出了公知的結(jié)構(gòu)、器件和操作。在被認(rèn)為適當(dāng)?shù)牡胤?，在多幅圖當(dāng)中，附圖標(biāo)記或者附圖標(biāo)記的末端部分是重復(fù)的，用以表示相應(yīng)的元件或者相類似的元件，它們可選擇地具有類似的特征。
[0094]應(yīng)該意識到，貫穿本說明書對“一個實施例”、“實施例”、“一個或者多個實施例”或者“不同實施例”的提及例如表示:在本發(fā)明的實踐中可以包括特定的特征。類似地，應(yīng)該意識到，在本說明書中，為了使本公開內(nèi)容流暢并且有助于理解發(fā)明的各個方面，在單個實施例、圖或者其描述中，各個特征有時被組合在一起。然而，這種公開方法不應(yīng)被解釋成反映了以下意圖，即本發(fā)明需要的特征比每項權(quán)利要求中明確記載的特征多。相反地，正如下面的權(quán)利要求所反映的那樣，本發(fā)明的方案可以少于公開的單個實施例的所有特征。因此，【具體實施方式】后面的權(quán)利要求書在此被明確地并入本【具體實施方式】中，其中每個權(quán)利要求自身代表本發(fā)明的一個單獨實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，包括: 具有厚度尺寸和由長度尺寸和寬度尺寸限定的管芯區(qū)域的管芯；以及 內(nèi)建載體，其具有大于所述管芯區(qū)域的載體區(qū)域，所述內(nèi)建載體包括: 在所述管芯的器件側(cè)上設(shè)置的多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層，以及嵌入有所述管芯的所述厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料；以及 被配置為用于將所述內(nèi)建載體安裝到襯底的多個載體觸點，所述多個載體觸點被設(shè)置在所述管芯的器件側(cè)和所述管芯的被嵌入的厚度尺寸之間的漸變部處，其中所述多個載體觸點中的至少一個載體觸點被耦合到交替的所述導(dǎo)電材料層中的至少一層。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個載體觸點包括多個第一載體觸點，并且所述漸變部包括第一漸變部，并且多個所述導(dǎo)電材料層包括在距所述管芯最遠(yuǎn)處設(shè)置的最終層，所述載體還包括: 在導(dǎo)電材料的所述最終層與所述管芯之間的第二漸變部處設(shè)置的多個第二載體觸點。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第二漸變部處于由多個所述導(dǎo)電材料層中的倒數(shù)第二層限定的平面內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述管芯包括在器件側(cè)上的觸點，并且多個所述導(dǎo)電材料層中的至少一層被耦合到所述管芯的所述觸點中的至少一個觸點。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述載體觸點被配置為用于將所述內(nèi)建載體安裝到印刷電路板。
6.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第二載體觸點被配置為用于將所述內(nèi)建載體連接至次級器件或者封裝。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述管芯包括在與所述器件側(cè)相對的側(cè)上的電介質(zhì)層。
8.一種方法，包括: 在犧牲襯底上設(shè)置管芯，其中所述管芯的器件側(cè)與所述犧牲襯底相對； 鄰近所述管芯的器件側(cè)形成內(nèi)建載體，其中所述內(nèi)建載體包括: 多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層，以及 嵌入有所述管芯的厚度尺寸的一部分并且在所述管芯的器件側(cè)和所述管芯的背側(cè)之間限定漸變部的電介質(zhì)材料，所述漸變部包括被配置為用于將所述內(nèi)建載體安裝到所述襯底的多個載體觸點；以及 將所述管芯和所述內(nèi)建載體與所述犧牲襯底分開。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在形成所述內(nèi)建載體之前，所述方法包括: 在所述犧牲襯底上設(shè)置間隔層，所述間隔層包括:用于容納所述犧牲襯底上的所述管芯的開口，以及嵌入有所述管芯的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料，其中所述間隔層的厚度等于所述第一漸變部的厚度，以及 在形成所述內(nèi)建載體之后，將所述管芯和所述內(nèi)建載體與所述犧牲襯底分開包括與所述間隔層分開。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述內(nèi)建載體包括在所述間隔層上形成所述多個載體觸點。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述多個載體觸點被配置為用于將所述內(nèi)建載體連接至印刷電路板。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述漸變部包括第一漸變部，并且形成所述內(nèi)建載體包括: 圖案化多個所述導(dǎo)電 層中的倒數(shù)第二層，并且在圖案化的倒數(shù)第二層上形成間隔層，所述間隔層包括用于容納多個所述導(dǎo)電層中的最終層的開口，所述間隔層的厚度等于第二漸變部的厚度；以及 圖案化所述多個導(dǎo)電層中的最終層，以及 在形成所述內(nèi)建載體之后，移除所述間隔層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述內(nèi)建載體包括在多個所述導(dǎo)電層中的圖案化的最終層上設(shè)置電介質(zhì)材料。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，圖案化多個所述導(dǎo)電層中的倒數(shù)第二層包括將所述倒數(shù)第二層圖案化為多個第二載體觸點，所述多個第二載體觸點被配置為用于將所述內(nèi)建載體連接至次級器件或者封裝。
15.一種裝置,包括: 封裝，包括設(shè)置在載體中的微處理器， 所述微處理器包括第一側(cè)和相對的第二側(cè)，所述第二側(cè)包括具有觸點的器件側(cè)和由長度尺寸和寬度尺寸限定的微處理器區(qū)域； 所述載體包括: 大于所述微處理器區(qū)域的載體區(qū)域； 在所述微處理器的第二側(cè)上設(shè)置的多個交替的導(dǎo)電材料層和電介質(zhì)材料層，具有多個所述導(dǎo)電材料層中的在距所述微處理器最遠(yuǎn)處設(shè)置的最終導(dǎo)電材料層以及嵌入有所述微處理器的厚度尺寸的一部分的電介質(zhì)材料； 多個第一載體觸點，所述多個第一載體觸點設(shè)置在所述微處理器的第二側(cè)與嵌入有所述微處理器的厚度尺寸的電介質(zhì)材料之間的第一漸變部處；以及 多個第二載體觸點，所述多個第二載體觸點設(shè)置在所述最終導(dǎo)電材料層與所述微處理器之間的第二漸變部處；以及 印刷電路板，其耦合至所述第一載體觸點。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，還包括耦合到所述第二載體觸點的次級器件或者封裝。
17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述第二漸變部包括等于所述最終導(dǎo)電材料層與所述多個導(dǎo)電材料層中的倒數(shù)第二層之間的間隔的厚度尺寸。
【文檔編號】H01L25/065GK104078453SQ201410267110
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月28日
【發(fā)明者】T·E·黃, B·E·謝阿赫, N·尼姆卡爾 申請人:英特爾公司