發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件。該發(fā)光器件包括：襯底；在襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的反射電極；在反射電極上的第一凸塊；以及在反射電極與第一凸塊之間的第一防剝離層。
【專利說明】發(fā)光器件
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求韓國專利申請第10-2013-0064394號（2013年6月5日提交的）的優(yōu) 先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本實施方案涉及一種發(fā)光器件。
[0004] 本實施方案涉及一種發(fā)光器件封裝件。

【背景技術(shù)】
[0005] 已經(jīng)積極展開對于具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的研究。
[0006] 由例如半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光器件是用于將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體發(fā)光器件 或半導(dǎo)體發(fā)光二極管。
[0007] 當(dāng)與常規(guī)光源例如熒光燈和白熾燈相比時，半導(dǎo)體發(fā)光器件具有低能耗、半永久 壽命、快速響應(yīng)速度、安全和環(huán)境友好性能的優(yōu)點。在這點上，已經(jīng)進(jìn)行各種研究以利用LED 取代常規(guī)光源。
[0008] 發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件越來越多地用作用于照明裝置的光源，所述照明裝置 例如在室內(nèi)和室外使用的各種燈、液晶顯示器、電子標(biāo)識牌以及街燈。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本實施方案提供了一種能夠提高器件的可靠性的發(fā)光器件。
[0010] 本實施方案提供了一種能夠防止電極剝離的發(fā)光器件。
[0011] 本實施方案提供了 一種能夠提高光效率的發(fā)光器件。
[0012] 根據(jù)實施方案，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括：襯底；在襯底上的發(fā)光結(jié) 構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 上的反射電極；在反射電極上的第一凸塊；以及在反射電極與第一凸塊之間的第一防剝離 層。
[0013] 根據(jù)實施方案，提供了一種發(fā)光器件封裝件，該發(fā)光器件封裝件包括：具有腔的本 體；在腔中的第一電極層和第二電極層；在第一電極層和第二電極層上的發(fā)光器件；以及 包圍發(fā)光器件的模制構(gòu)件。
[0014] 根據(jù)實施方案，由于在反射電極與電極焊盤之間形成防剝離層，使得通過防剝離 層防止了反射電極剝離，所以可以提高可靠性。
[0015] 根據(jù)實施方案，由于電極焊盤與防剝離層的外側(cè)電連接或者通過穿過防剝離層與 反射電極電連接，所以即使形成有防剝離層也可以容易地供應(yīng)功率。
[0016] 根據(jù)實施方案，由于凸塊與多個電極焊盤電連接，所以可以向發(fā)光器件的整個區(qū) 域快速的供應(yīng)電流，使得可以提高光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1是示出了根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的平面圖。
[0018] 圖2是示出了沿著圖1的線H-H'截取的發(fā)光器件的截面圖。
[0019] 圖3是示出了沿著圖1的線Ι-Γ截取的發(fā)光器件的截面圖。
[0020]圖4是示出了圖1中示出的防剝離層的寬度與防剝離層的周邊的寬度之間的關(guān)系 的圖。
[0021] 圖5是示出了根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0022] 圖6是示出了圖5的防剝離層的平面圖。
[0023] 圖7是示出了根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0024]圖8是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖。

【具體實施方式】
[0025] 在實施方案的描述中，應(yīng)該理解，當(dāng)元件被稱為在另一元件"上（下）或下（上）" 時，該元件它可以直接在另一元件上或者存在至少一個中間元件。此外，當(dāng)表達(dá)為"向上 (向下）或向下（向上）"時，其可以包括基于該一個元件的向上方向以及向下方向。
[0026]圖1是示出了根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的平面圖，圖2是示出了沿著圖1的 線H-H'截取的發(fā)光器件的截面圖，以及圖3是示出了沿著圖1的線Ι-Γ截取的發(fā)光器件 的截面圖。
[0027] 參照圖1至圖3,根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1可以包括生長襯底2、發(fā)光結(jié)構(gòu) 12、反射電極14以及第一凸塊和第二凸塊。
[0028] 根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1可以是倒裝芯片型發(fā)光器件，但是第一實施方案 不限于此。
[0029] 根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1還可以包括多個第一電極焊盤18和多個第二電 極焊盤20,但是第一實施方案不限于此。
[0030] 根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1還可以包括第一凸塊焊盤28和第二凸塊焊盤30， 但是第一實施方案不限于此。
[0031] 根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1還可以包括緩沖層4,但是第一實施方案不限于 此。
[0032] 根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1還可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)12上和/或下的至 少一個化合物半導(dǎo)體層，但是第一實施方案不限于此。
[0033] 緩沖層4和發(fā)光結(jié)構(gòu)12可以由第II-VI族化合物半導(dǎo)體材料或第III-V族化合物 半導(dǎo)體材料形成。例如，緩沖層4和發(fā)光結(jié)構(gòu)I2可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、 AIN、InN和AlInN中的至少一種，但是實施方案不限于此。
[0034] 將生長襯底2用于在生長發(fā)光結(jié)構(gòu)12的同時支承發(fā)光結(jié)構(gòu)12。生長襯底2可以 包括適合于生長半導(dǎo)體材料的材料。生長襯底2可以包括具有熱穩(wěn)定性和晶格常數(shù)與發(fā)光 結(jié)構(gòu)12的晶格常數(shù)近似的材料。生長襯底2可以是導(dǎo)電襯底、化合物半導(dǎo)體襯底和絕緣襯 底之一，但是實施方案不限于此。
[0035] 生長襯底2可以包括選自藍(lán)寶石 中的至少一種。
[0036]生長襯底2可以包括使得生長襯底2具有導(dǎo)電性的摻雜劑，但是實施方案不限于 此。包括摻雜劑的生長襯底2可以用作電極層，但是實施方案不限于此。
[0037]緩沖層4可以置于生長襯底2與發(fā)光結(jié)構(gòu)12之間，但是實施方案不限于此。
[0038]緩沖層4可以減少生長襯底2與發(fā)光結(jié)構(gòu)I2的晶格常數(shù)之差。此外，緩沖層4可 以防止生長襯底2的材料被擴散到發(fā)光結(jié)構(gòu)12中，防止回熔現(xiàn)象（如在生長襯底2的頂表 面上形成凹部），或者通過控制應(yīng)變來防止生長襯底2破裂，但是實施方案不限于此。
[0039]可以在生長襯底2上形成緩沖層4,并且可以在緩沖層4上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)12。艮p, 可以在生長襯底2與發(fā)光結(jié)構(gòu)12之間形成緩沖層4。
[0040]發(fā)光結(jié)構(gòu)12可以形成在緩沖層4上。由于發(fā)光結(jié)構(gòu)12生長在具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)12 的晶格常數(shù)類似的晶格常數(shù)的緩沖層4上，所以可以減少缺陷，例如位錯。
[0041] 發(fā)光結(jié)構(gòu)12可以包括多個化合物半導(dǎo)體層。
[0042]例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)12可以包括至少第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6、有源層8和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層10,但是實施方案不限于此。
[0043]有源層8可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6上，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10可以設(shè)置 在有源層8上。
[0044]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6、有源層8和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1〇可以通過利用具有 AlxInyGa"-x_y>N(0彡X彡1，〇彡y彡1，〇彡 x+y彡D的組成式的第η，族或第m_v族 化合物半導(dǎo)體材料實現(xiàn)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6、有源層8和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1〇可以 包括選自11^16&163?'^163111!631''^1]''1、1_和411議中的至少一種，但是實施方案不限 于此。
[0045]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6可以是包括N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層10可以是包括P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層，但是實施方案不限于此。N型摻雜劑包括 Si、Ge和Sn，P型摻雜劑包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba，但是實施方案不限于此。
[0046] 有源層8通過第一載流子（例如，通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6注入的電子）與第二 載流子（例如，通過弟_導(dǎo)電半導(dǎo)體層10注入的空穴）的復(fù)合而發(fā)射具有與構(gòu)成有源層8 的材料之間的能帶隙對應(yīng)的波長的光。
[0047]有源層8可以包括MQW(多量子阱）結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點結(jié)構(gòu)之一。有源層 8可以具有以講層和勢壘層為一個周期重復(fù)形成的講層和勢壘層。隴層和勢魚層的重復(fù)周 期可以根據(jù)發(fā)光器件的特性而改變，但是本實施方案不限于此。
[0048] 例如，有源層8可以以InGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN的堆疊結(jié)構(gòu)形成。 勢壘層的能帶隙可以大于阱層的能帶隙。
[0049] 盡管未示出，但是可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6下和/或第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上設(shè) 置第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。例如，設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6下的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括 與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10的導(dǎo)電摻雜劑相同的導(dǎo)電摻雜劑，但是本實施方案不限于此。例 如，設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6的 導(dǎo)電摻雜劑相同的導(dǎo)電摻雜劑，但是實施方案不限于此。
[0050] 在發(fā)光結(jié)構(gòu)I2上可以形成有反射電極14。詳細(xì)地，反射電極14可以形成在第二 導(dǎo)電半導(dǎo)體層10上。
[0051] 從頂部看反射電極14可以具有"T"形狀，但是實施方案不限于此。
[0052] 反射電極14可以包括具有反射特性和優(yōu)越導(dǎo)電性的材料。例如，反射電極14可 以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf之一或其多層結(jié)構(gòu)。
[0053] 反射層14可以包括Ag/Ni/Ti/TiW/Ti或其疊層，但是實施方案不限于此。Ag的具 有反射功能，Ni具有連接功能或防止擴散功能，Ti具有連接功能，以及TiW具有防止擴散功 能，但是實施方案不限于此。
[0054] 反射電極14可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10的頂表面接觸，但是實施方案不限于此。
[0055] 在反射電極14不與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10歐姆接觸時，表現(xiàn)出與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層10的優(yōu)越歐姆接觸特性的透明電極層可以置于反射電極14與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10之 間，但是實施方案不限于此。
[0056] 透明電極層可以包括具有優(yōu)越透光率的導(dǎo)電材料。例如，透明電極可以包括選自 ITO、IZ0(In-ZnO)、GZ0(Ga-Zn0)、AZ0(A1-Zn0)、AGZ0(A1-Ga ZnO)、IGZ0(In-Ga ZnO)、IrOx、 RuOx、Ru0x/IT0、Ni/IrOx/Au和Ni/Ir0 x/Au/IT0中的至少一種或其多層結(jié)構(gòu)，但是實施方案 不限于此。 t〇〇57] 在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6上可以形成有第一電極焊盤18,在反射電極14上可以形成 第二電極焊盤20,但是實施方案不限于此。
[0058] 第一電極焊盤18和第二電極焊盤20均可以包括圓形圖案，但是實施方案不限于 此。
[0059] 第一電極焊盤18和第二電極焊盤20可包括具有優(yōu)越導(dǎo)電性的材料。第一電極焊 盤18和第二電極焊盤20可包括選自41、1^、〇、咐、？1:、八11、1、〇1和此中的一種或其多層 結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。
[0060]例如，第一電極焊盤18和第二電極焊盤20可以包括Cr/Ni/Ti/TiW/Ti或其疊層， 但是實施方案不限于此。Cr具有電極功能，Ni具有連接功能或防止擴散功能，Ti具有連接 功能，TiW具有防止擴散功能，但是實施方案不限于此。
[0061]在第一電極焊盤18上可以有第一凸塊焊盤22,在第二電極焊盤20上可以形成有 第二凸塊焊盤24,但是實施方案不限于此。
[0062]第一凸塊焊盤22和第二凸塊焊盤24可以使得第一凸塊28和第二凸塊30能夠容 易地接合，并且可以穩(wěn)定地支承第一凸塊28和第二凸塊30,但是實施方案不限于此。
[0063]當(dāng)從頂部觀察時，第一凸塊焊盤22可以具有形狀，第二凸塊焊盤24可以具 有"T"形狀，但是實施方案不限于此。第二凸塊焊盤24可以與反射電極Μ的整個區(qū)域垂 直地交疊，但是實施方案不限于此。當(dāng)從頂部觀察時,第一凸塊焊盤22可以包圍第二凸塊 焊盤24的一側(cè)區(qū)域，但是實施方案不限于此。
[0064]類似于第一電極焊盤18和第二電極焊盤2〇,第一凸塊焊盤22和第二凸塊焊盤24 可以包括具有優(yōu)越導(dǎo)電性的材料。第一凸塊焊盤22和第二凸塊焊盤24可以包括選自Α1、 Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的一種或其多層結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。
[0065]第一凸塊焊盤22可以與第一電極焊盤18垂直地交疊，第二凸塊焊盤24可以與第 二電極焊盤20垂直地交疊。
[0066]第一電極焊盤I8和第二電極焊盤2〇和/或第一凸塊焊盤22和第二凸塊焊盤24 不是必需元件。當(dāng)省略第一電極焊盤18和第二電極焊盤20和/或第一凸塊焊盤22和第 二凸塊焊盤24時，第一凸塊28和第二凸塊 3〇可以分別直接形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6和 反射電極14上。即，第一凸塊28可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6的頂表面接觸，第二凸塊30 可以直接與反射電極14的頂表面接觸，但是實施方案不限于此。
[0067] 使用第一凸塊28和第二凸塊30來將根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1電連接到設(shè) 置在發(fā)光器件封裝件處的第一電極層和第二電極層，同時支承根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器 件1，但是實施方案不限于此。
[0068] 類似于第一電極焊盤18和第二電極焊盤20和/或第一凸塊焊盤22和第二凸塊 焊盤24,第一凸塊28和第二凸塊30可以包括具有優(yōu)越導(dǎo)電性的材料。第一凸塊焊盤22和 第二凸塊焊盤24可以包括選自八1、11、0、咐、？1:、八11、￥、(：11和此中的一種或其多層結(jié)構(gòu)， 但是實施方案不限于此。
[0069] 第一凸塊28和第二凸塊30均可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。也 就是說，第一凸塊28和第二凸塊30可以具有球形截面結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。
[0070] 發(fā)光器件1還可以包括保護(hù)層26。保護(hù)層26可以沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)12的周邊形成， 但是實施方案不限于此。
[0071] 保護(hù)層26可以形成在第一電極焊盤18的部分區(qū)域上和第二電極焊盤20的部分 區(qū)域上以及發(fā)光結(jié)構(gòu)12的周邊上。
[0072] 保護(hù)層26可以包括在第二電極焊盤20上的開口 27,但是實施方案不限于此。即， 可以在第二電極焊盤20的除了開口 27之外的整個區(qū)域上形成保護(hù)層26。
[0073] 保護(hù)層26可以包括優(yōu)越絕緣特性的材料。保護(hù)層26可以包括選自Si02、SiO x、 SiO具、Si3N4和A1203中的一種或其多層結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。
[0074] 保護(hù)層26可以防止設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6上的第一電極焊盤18和設(shè)置在第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層6上的反射電極14和/或第二電極焊盤20之間形成短路，并且可以防止 第一電極焊盤18或反射電極14和/或第二電極焊盤20與有源層8之間形成短路。
[0075]同時，當(dāng)在倒裝芯片型發(fā)光器件中生長襯底2朝向上方，反射電極14將從有源層 中廣生的并且向下傳播的光沿著向上的方向反射。因此，提局了光提取效率，使得可以提尚 光學(xué)特性。
[0076] 然而，反射電極14表現(xiàn)出相對于其他相鄰層（例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10和/或 第二電極焊盤20)的差的接合特性。也就是說，當(dāng)向反射電極14施加外部沖擊或應(yīng)力時， 反射電極14可能與相鄰層剝離。
[0077] 在根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件1安裝在發(fā)光器件封裝件的本體上時，發(fā)光器件 1的第一凸塊28和第二凸塊30可以通過高溫加熱而熔化然后冷卻，使得發(fā)光器件1可以附 接到設(shè)置在本體上的第一電極層和第二電極層。當(dāng)?shù)谝煌箟K28和第二凸塊30在熔化之后 冷卻時，在第一凸塊28和第二凸塊30處產(chǎn)生應(yīng)力例如壓縮力。應(yīng)力通過第二凸塊焊盤24 和第二電極焊盤20對反射電極14施加影響。因此，反射電極14由于通過第二凸塊30引 起的應(yīng)力與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10或第二電極焊盤20剝離。
[0078] 根據(jù)第一實施方案，在反射電極14與第二電極焊盤20之間可以形成有防剝離層 16。S卩，防剝離層I6可以與反射電極14的頂表面接觸并且可以與第二電極焊盤20的底表 面接觸。
[0079] 在沒有形成第二電極焊盤20的情況下，防剝離層16可以與第二凸塊焊盤24的底 面接觸，但是實施方案不限于此。
[0080]在第二電極焊盤2〇和第二凸塊焊盤24都沒有形成的情況下，防剝離層16可以與 第二凸塊30的底表面接觸，但是實施方案不限于此。
[0081]防剝離層I6可以吸收由第二凸塊30引起的應(yīng)力，使得應(yīng)力不再被進(jìn)一步施加到 反射電極14。
[0082]此外，防剝離層16可以表現(xiàn)出與反射電極14的優(yōu)越粘合力，從而防剝離層16從 反射電極14剝離。
[0083]雖然在第一實施方案中已經(jīng)描述了在反射電極14上形成防剝離層16,但是可以 在反射電極14下形成另一防剝離層I6。即，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層10與反射電極14之 間形成另一防剝離層I 6,但是實施方案不限于此。在這種情況下，即使當(dāng)來自第二凸塊30 的應(yīng)力被施加到反射電極14時，也可以通過另一防剝離層 16防止反射電極14剝離。
[0084]防剝離層I6可以包括無機絕緣材料，但是實施方案不限于此。與保護(hù)層26相似， 防剝離層16可以包括優(yōu)越絕緣特性的材料。防剝離層16可以包括選自Si02、Si0x、Si0 xNy、 Si3N4和A1203中的一種或其多層結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。 t〇〇85] 雖然形成有防剝離層16,但是由于反射電極14與第二電極焊盤20電連接，第二電 極焊盤20也可以在插入防剝離層16的同時與反射電極Η的頂表面接觸，但是實施方案不 限于此。
[0086]例如，第二電極焊盤20可以包圍防剝離層16。即，第二電極焊盤20可以包括形成 在防剝離層16上的第一區(qū)域以及從防剝離層16的側(cè)面上的第一區(qū)域的邊緣向下延伸的第 二區(qū)域。第二電極焊盤20的第二區(qū)域可以與反射電極 14的頂表面接觸。
[0087]如圖4所示，防剝離層16的寬度為X，第二電極焊盤20的寬度為Y，以及保護(hù)層26 的開口 27的直徑為Z。在這種情況下，防剝離層16的寬度X、第二電極焊盤20的寬度Y和 保護(hù)層26的開口 27的直徑Z之間的關(guān)系可以由下面的公式1來表示。
[0088] [公式 1]
[0089] Z<X<Y
[0090] X ：1
[0091] Υ:2或更大
[0092] Ζ :0· 5 至 1. 0
[0093] 保護(hù)層26的開口 27的直徑Ζ可以為基于防剝離層16的寬度X的至少50%。當(dāng) 保護(hù)層26的開口 27的直徑Ζ小于防剝離層16的寬度X的50%時，由于保護(hù)層26的開口 27的直徑Ζ非常小，所以第二電極焊盤20與第二凸塊焊盤24之間的接觸面積減小，使得可 能不容易供應(yīng)功率。
[0094] 第二電極焊盤20的寬度Υ是防剝離層16的寬度X的至少兩倍大。當(dāng)?shù)诙姌O焊 盤20的寬度Υ不足防剝離層16的寬度X的兩倍時，第二電極焊盤20的第二區(qū)域的寬度減 小。如果第二電極焊盤2〇的第二區(qū)域的寬度減小，則第二電極焊盤20與反射電極14之間 的接觸面積減小，使得可能不容易供應(yīng)功率。
[0095]圖5是示出根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0096] 除了防剝離層16在其中形成有多個孔32之外，第二實施方案基本上與第一實施 方案類似。在下面描述的第二實施方案中，利用相同的附圖標(biāo)記指代具有與第一實施方案 的功能和結(jié)構(gòu)相同的功能和結(jié)構(gòu)的組成元件，并將省略對其的詳細(xì)描述。
[0097]參照圖5,根據(jù)第二實施方案的發(fā)光裝置1A可以包括生長襯底2、發(fā)光結(jié)構(gòu)12、反 射電極14、以及第一凸塊28和第二凸塊30。
[0098] 根據(jù)第二實施方案的發(fā)光裝置1Α還可以包括多個第一電極焊盤18和多個第二電 極焊盤20、以及第一凸塊焊盤22和第二凸塊焊盤24中的至少之一，但第二實施方案不限于 此。
[0099]根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件1Α還可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)12上和/或下的至 少一個化合物半導(dǎo)體層，但是第二實施方案不限于此。
[0100]根據(jù)第二實施方案，在反射電極14與第二電極焊盤20之間可以形成有防剝離層 16。即，防剝離層ie可以與反射電極14的頂表面接觸并且可以與第二電極焊盤20的底表 面接觸。
[0101] 如圖6所示，防剝離層16可以包括多個孔32?？?2可以是隨機地或不斷地形成。 [0102] 第二電極焊盤2〇可以通過防剝離層I6的孔32與反射電極14接觸。
[0103] 此外，第二電極焊盤20可以包圍防剝離層I6的外側(cè)以與反射電極14的頂表面接 觸，但是實施方案不限于此。
[0104] 第二電極焊盤2〇也可以通過防剝離層16的周圍與反射電極14接觸。
[0105] 盡管未示出，但是在防剝離層16處形成有多個孔32,使得第二電極焊盤2〇與反射 電極14之間的接觸面積通過孔3 2確保，以容易地供給功率，防剝離層16的直徑可以與反 射電極14的寬度和/或第二電極2〇的寬度相同。在這種情況下，防剝離層16的側(cè)面可以 與保護(hù)層26內(nèi)側(cè)接觸，但是實施方案不限于此。
[0106] 圖7是示出根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0107] 除了在第二凸塊30下之外的其他區(qū)域處形成防剝離層16之外，第三實施方案與 第一實施方案基本類似。
[0108] 在第三實施方案的下面的描述中，利用相同的附圖標(biāo)記指代具有與第一實施方案 的功能和結(jié)構(gòu)相同的功能和結(jié)構(gòu)的組成元件，并將省略對其的詳細(xì)描述。
[0109] 參照圖7,根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件1B可以包括生長襯底2、發(fā)光結(jié)構(gòu)12、反 射電極14、以及第一凸塊28和第二凸塊30。
[0110] 根據(jù)第三實施方案的發(fā)光裝置1B還可以包括多個第一電極焊盤18和多個第二電 極焊盤20、以及第一凸塊28和第二凸塊30中的至少之一，但是第三實施方案是不限于此。
[0111] 根據(jù)第三實施方案的發(fā)光器件1A還可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)12上和/或下的至 少一個化合物半導(dǎo)體層，但是第三實施方案不限于此。
[0112] 根據(jù)第三實施方案，在反射電極14與第二電極焊盤20之間可以形成有防剝離層 I6。即，防剝離層16可以與反射電極14的頂表面接觸，并且可以與第二電極焊盤20的底 表面接觸。
[0113] 此外，防剝離層16不僅可以形成在第二凸塊30下，而且也可以形成在除了第二凸 塊30之外的各個區(qū)域上。
[0114] 防剝離層16可以沿著具有"T"形的反射電極14形成，但是實施方案不限于此。在 防剝離層16上可以形成有第二電極20。
[0115] 第二凸塊焊盤24可以覆蓋防剝離層16。凸塊焊盤24可以形成在防剝離層16的 頂表面和側(cè)面上，并且可以與反射電極14的頂表面接觸。
[0116]雖然在第一實施方案至第三實施方案中沒有描述，但是可以在未形成第二電極焊 盤20的區(qū)域處形成第二凸塊30。即，可以在第二電極焊盤20之間的反射電極40上形成第 二凸塊3〇。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，根據(jù)第一實施方案至第三實施方案的防剝離層16可以不 形成在第二凸塊30的下。
[0117]雖然未示出，但是第一電極焊盤18和/或第二電極焊盤可以通過保護(hù)層26彼此 電絕緣，以及第一電極焊盤18和第二電極焊盤20的頂表面可以與第一凸塊焊盤22和第二 凸塊焊盤24電連接，但是實施方案不限于此。
[0118]圖8是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0119]參照圖8,發(fā)光器件封裝件可以包括用于產(chǎn)生光的發(fā)光器件1和在其上安裝發(fā)光 器件1本體105。
[0120]發(fā)光器件1可以包括根據(jù)第一實施方案至第三實施方案的倒裝芯片型發(fā)光器件， 但是實施方案不限于此。
[0121] 本體105在其上部區(qū)域中可以形成有具有傾斜表面并且向下凹陷的腔m，但是 實施方案不限于此。換句話說，腔111可以包括傾斜表面和平坦底部表面，但是實施方案不 限于此。腔111的內(nèi)側(cè)面可以具有垂直于底表面的豎直表面，但是實施方案不限于此。
[0122] 第一電極層107和第二電極層109可以形成為穿過本體105。第一電極層107可 以電絕緣于并分離于第二電極層。
[0123] 第一電極層107和第二電極層109可以在穿過本體105水平地形成的同時形成在 本體1〇5的側(cè)面上。雖然未示出，但是第一電極層107和第二電極層109可以在穿過本體 1〇5堅直地形成的同時形成在本體105的底表面上。
[0124]第一電極層107和第二電極層109可以形成在腔111的底表面上。
[0125]第一電極層1〇7和第二電極層109可以包括表現(xiàn)出優(yōu)越導(dǎo)電性和優(yōu)越耐腐蝕性的 金屬材料，例如銅（Cu)、鋁（A1)、鉻（Cr)、鉑（Pt)、鎳（Ni)、鈦（Ti)、金（Au)或W(鎢），但是 實施方案不限于此。
[0126]在提供第一電極層1〇7和第二電極層109的狀況下通過注入模制工藝注入構(gòu)成本 體105的材料，并且使其硬化以形成本體105,使得第一電極層107和第二電極層109可以 固定本體105,但是實施方案不限于此。
[0127]第一電極層107和第二電極層109可以包括單層或多層，但是實施方案不限于此。 第一電極層107和第二電極層109的最上層中可以包括保護(hù)層（例如Ag)，但是實施方案不 限于此。
[0128] 發(fā)光器件1的第一凸塊28和第二凸塊30可以通過釬料膏101物理地固定到第一 電極107和第二電極109并且與第一電極107和第二電極109電連接。
[0129]為此，第一凸塊28和第二凸塊3〇通過高溫加熱而熔化然后冷卻。由于第一凸塊 28和第二凸塊3〇的冷卻而導(dǎo)致的壓縮力引起應(yīng)力，該應(yīng)力可以使發(fā)光器件的反射電極14 剝離。
[0130]為了防止這樣的剝離，在反射電極14與第二電極焊盤20之間可以形成有防剝離 ^ 16。由于從第二凸塊30產(chǎn)生的應(yīng)力被防剝離層16吸收，所以可以防止反射電極14剝 離。
[0131] 模制構(gòu)件113可以包圍發(fā)光器件1。模制構(gòu)件113可以形成在腔111中。即，在腔 Ill中可以填充模制構(gòu)件113。
[0132] 模制構(gòu)件II3可以包括對光的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換的磷光體，但是實施方案不限于此。
[0133] 模制構(gòu)件3〇的頂表面可以與本體105的頂表面線對齊，或者可以高于或低于本體 105的頂表面，但是實施方案不限于此。
[0134]模制構(gòu)件II3可以包括表現(xiàn)出傳輸特性、熱輻射特性和/或絕緣特性的材料。例 如，模制構(gòu)件II3可以包括硅材料或環(huán)氧樹脂材料，但是實施方案不限于此。
[0135]雖然未示出，但是根據(jù)第一實施方案至第三實施方案的發(fā)光器件可適用于 C0B (板上芯片）發(fā)光器件封裝件，但是實施方案不限于此。在⑶0發(fā)光器件封裝件中的副 安裝座上可以安裝多個發(fā)光器件，但是實施方案不限于此。
[0136]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件可適用于光單元。光單元可適用于顯 示裝置和照明裝置，例如，照明燈、信號燈、車輛的頭燈、電子標(biāo)識牌以及指示燈。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光器件，包括： 襯底； 在所述襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層； 在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的反射電極； 在所述反射電極上的第一凸塊；以及 在所述反射電極與所述第一凸塊之間的第一防剝離層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一防剝離層與所述第一凸塊之間 的第一電極焊盤和第一凸塊焊盤中的至少之一。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，還包括： 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二凸塊；和 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二凸塊之間的第二電極焊盤和第二凸塊焊盤中的 至少之一。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述第一電極焊盤與所述第一凸塊 焊盤之間的邊緣區(qū)域上的保護(hù)層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述保護(hù)層沿著所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的周邊設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述保護(hù)層包括在所述第一電極焊盤上的開 □。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述保護(hù)層的所述開口的直徑為基于所述第 一防剝離層的寬度的至少50%。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤的寬度是所述第一防剝離 層的寬度的至少兩倍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤包圍所述第一防剝離層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤通過所述第一防剝離層 的側(cè)面接觸所述反射電極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述第一防剝離層包括多個孔。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤通過所述孔接觸所述反 射電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤通過所述防剝離層的周 邊接觸所述反射電極。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述第一防剝離層沿著所述反射電極上的 所述第一凸塊焊盤的形狀形成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述第一凸塊焊盤形成在所述防剝離層的 頂表面和側(cè)面上，所述第一凸塊焊盤接觸所述第一防剝離層的上部。
16. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第二凸塊焊盤包圍所述第一凸塊焊盤 的側(cè)面區(qū)域。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一防剝離層接觸所述反射電極的頂 表面。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一防剝離層包括絕緣材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極包括選自Ag、Ni、Al、Rh、PcU Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的一種。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極包括Ag/Ni/Ti/TiW/Ti的堆 疊結(jié)構(gòu)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一凸塊焊盤具有"形狀，所述第二 凸塊焊盤具有"T"形狀。
22. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一凸塊焊盤與所述第一電極焊盤垂 直交疊，以及所述第二凸塊焊盤與所述第二電極焊盤垂直交疊。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤包 括選自八1、!1、0、附、？1411、1、(：11和此中的一種或其多層結(jié)構(gòu)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤包 括Cr/Ni/Ti/TiW/Ti的堆疊結(jié)構(gòu)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述反射電極焊盤 下的第二防剝離層。
【文檔編號】H01L33/62GK104241483SQ201410246630
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月5日
【發(fā)明者】崔錫范 申請人:Lg伊諾特有限公司