高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦11dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦11dB衰減片，其包括一寬度為5.7mm、長(zhǎng)度為8.9mm、厚度為1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成TT型衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻上均一一對(duì)應(yīng)印刷有5個(gè)玻璃保護(hù)膜，所述5個(gè)玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有兩層保護(hù)膜。所述銀漿背導(dǎo)層、銀漿導(dǎo)線、5個(gè)黑色電阻、玻璃保護(hù)膜、兩層保護(hù)膜全部采用高精度厚膜印刷技術(shù)。該衰減片在設(shè)計(jì)思路上優(yōu)化了輸入端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸入端的駐波，同時(shí)通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。該高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦11dB衰減片，各項(xiàng)指標(biāo)優(yōu)良，滿足了目前4G網(wǎng)絡(luò)的使用要求。
【專利說明】局功率氣化紹陶瓷基板100瓦11dB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IldB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無法及時(shí)地做出判斷，對(duì)設(shè)備沒有保護(hù)作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而對(duì)設(shè)備形成有效保護(hù)。
[0003]衰減片作為一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國(guó)內(nèi)10W-1ldB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足58.6±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為11±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足
1.20:1!^1，能夠滿足目前46網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦功率的高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IIdB裳減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
其包括一寬度為5.7mm、長(zhǎng)度為8.9mm、厚度為Imm的氮化招陶瓷基板,所述氮化招陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成TT型衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻上均一一對(duì)應(yīng)印刷有5個(gè)玻璃保護(hù)膜，所述5個(gè)玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有兩層保護(hù)膜。所述銀漿背導(dǎo)層、銀漿導(dǎo)線、5個(gè)黑色電阻、玻璃保護(hù)膜、兩層保護(hù)膜全部采用高精度厚膜印刷技術(shù)。
[0006]優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層和銀漿導(dǎo)線采用雙邊端涂銀漿接通。
[0007]優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線和電阻采用低溫共燒技術(shù)，一次燒結(jié)而成。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以寬度為5.7mm、長(zhǎng)度為8.9mm、厚度為Imm的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上優(yōu)化了輸入端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸入端的駐波，同時(shí)通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。同時(shí)得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值58.6±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為ll±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0009]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。
本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0012]如圖1所示，該高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IldB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有導(dǎo)體層，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，黑色保護(hù)膜4上再印刷有一層黑色保護(hù)膜5，這樣可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括，黑色保護(hù)膜5上還可印刷品牌和型號(hào)。
[0013]該衰減片輸入端和接地的阻值為58.6±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為58.6±3% Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過1?1、1?2、1?5、1?3、1?4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0014]該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上優(yōu)化了輸出端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸出端的駐波，同時(shí)通過電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。同時(shí)得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值58.6 ± 3 % Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為ll±0.5dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得裳減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0015]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IldB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IldB衰減片，其特征在于:其包括一寬度為5.7mm、長(zhǎng)度為8.9mm、厚度為Imm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成TT型衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻上均一一對(duì)應(yīng)印刷有5個(gè)玻璃保護(hù)膜，所述5個(gè)玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有兩層保護(hù)膜；所述銀漿背導(dǎo)層、銀漿導(dǎo)線、5個(gè)黑色電阻、玻璃保護(hù)膜、兩層保護(hù)膜全部采用高精度厚膜印刷技術(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IIdB衰減片，其特征在于:所述背導(dǎo)層和銀漿導(dǎo)線采用雙邊端涂銀漿接通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率氮化鋁陶瓷基板100瓦IIdB衰減片，其特征在于:所述銀漿導(dǎo)線和電阻采用低溫共燒技術(shù)，一次燒結(jié)而成。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241771SQ201410234685
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司