一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供了一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，可避免柔性基底與承載基板剝離時，光能對薄膜晶體管性能的影響。所述柔性顯示基板的制備方法包括：在承載基板上形成柔性基底；在所述柔性基底上形成第一緩沖層；在所述第一緩沖層上形成多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層；將所述柔性基底和所述承載基板剝離，得到柔性顯示基板；其中，在形成所述顯示元件之前，所述方法還包括形成吸光層。用于在柔性基底與承載基板剝離時，需要避免光能對薄膜晶體管性能影響的柔性顯示基板的制造。
【專利說明】一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置。
【背景技術】
[0002]柔性顯示技術在近幾年有了飛速的發(fā)展，由此帶動柔性顯示器從屏幕的尺寸到顯示的質量都取得了很大進步。無論是瀕臨消失的陰極射線管(Cathode Ray Tube，簡稱CRT)，還是現(xiàn)今主流的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱IXD),本質上都屬于傳統(tǒng)的剛性顯示器。與傳統(tǒng)的剛性顯示器相比，柔性顯示器具有諸多優(yōu)點，例如耐沖擊，抗震能力強，重量輕，體積小，攜帶更加方便等。
[0003]其中，柔性顯示器的制造方法一般包括:在承載基板上形成柔性基底，然后在柔性基底上再形成構成顯示元件的各膜層等，最后通過例如激光照射法將柔性基底與硬質的承載基板剝離。
[0004]然而，若構成顯示元件的薄膜晶體管中的有源層采用金屬氧化物半導體有源層時，通過激光照射方法使柔性基底與硬質的承載基板剝離時，會使薄膜晶體管的關態(tài)電流提高一個數(shù)量級，從而對該薄膜晶體管的性能產生影響，進而使產品良率下降。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置，可避免柔性基底與承載基板剝離時，光能對薄膜晶體管性能的影響。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0007]—方面，提供一種柔性顯示基板，包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上方的第一緩沖層、設置在所述第一緩沖層遠離所述柔性基底一側的多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構；其中，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層；
[0008]所述柔性顯示基板還包括:設置在所述柔性基底下表面或設置在所述柔性基底和所述顯示元件之間的吸光層。
[0009]可選的，所述吸光層包括非晶硅層。
[0010]可選的，所述吸光層設置在所述柔性基底和所述第一緩沖層之間，且所述吸光層與所述柔性基底和所述第一緩沖層均接觸。
[0011]可選的，所述吸光層設置在所述第一緩沖層和所述顯示元件之間；
[0012]所述柔性顯示基板還包括設置在所述吸光層和所述顯示元件之間的第二緩沖層，且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
[0013]基于上述，可選的，所述電極結構包括陰極和陽極；其中，所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；
[0014]所述顯示元件還包括設置在所述陰極和所述陽極之間的有機材料功能層。
[0015]進一步的，在所述吸光層包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積；其中，所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
[0016]可選的，所述電極結構包括像素電極；其中，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0017]另一方面，提供一種柔性顯示裝置，包括:如上任一所述的柔性顯示基板。
[0018]可選的，在所述柔性顯示基板包括陰極、陽極、薄膜晶體管和有機材料功能層的情況下，所述柔性顯示裝置還包括封裝層。
[0019]本發(fā)明還提供一種柔性顯示基板的制備方法，包括:在承載基板上形成柔性基底；在所述柔性基底上形成第一緩沖層；在所述第一緩沖層上形成多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層；將所述柔性基底和所述承載基板剝離，得到柔性顯示基板；
[0020]其中，在形成所述顯示元件之前，所述方法還包括形成吸光層。
[0021]可選的，所述吸光層包括非晶硅層。
[0022]可選的，在形成所述顯示元件之前，形成吸光層，包括:
[0023]在形成所述柔性基底之前，形成所述吸光層，且所述吸光層與所述柔性基底接觸。
[0024]或者，在形成所述柔性基底之后，形成所述第一緩沖層之前，形成所述吸光層，且所述吸光層與所述柔性基底 和所述第一緩沖層均接觸。
[0025]或者，在形成所述第一緩沖層之后，形成所述顯示元件之前，形成所述吸光層；
[0026]所述方法還包括:在形成所述吸光層之后，形成所述顯示元件之前，形成第二緩沖層，且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
[0027]基于上述，可選的，形成電極結構包括:形成陰極和陽極；其中，所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；
[0028]所述方法還包括:在所述陰極和所述陽極之間形成有機材料功能層。
[0029]進一步的，在所述吸光層包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積；其中，所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
[0030]可選的，形成電極結構包括:形成像素電極；其中，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0031]本發(fā)明實施例提供了一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置，該柔性顯示基板包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上方的第一緩沖層、設置在所述第一緩沖層遠離所述柔性基底一側的多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構；其中，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層；所述柔性顯示基板還包括:設置在所述柔性基底下表面或設置在所述柔性基底和所述顯示元件之間的吸光層。
[0032]一方面，采用金屬氧化物作為有源層的材料，具有更高的電子遷移率和均一性，可以適用于大尺寸柔性顯示基板。另一方面，通過設置吸光層，在保證承載基板和柔性基底剝離的情況下，可以吸收例如激光的光能，從而盡可能的減弱到達薄膜晶體管的光能，避免對所述薄膜晶體管性能的影響，從而提高產品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種柔性顯示基板的結構示意圖一；
[0035]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種柔性顯示基板的結構示意圖二 ； [0036]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種柔性顯示基板的結構示意圖三；
[0037]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種包括像素電極的柔性顯示基板的結構示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種包括像素電極和公共電極的柔性顯示基板的結構示意圖一；
[0039]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種包括像素電極和公共電極的柔性顯示基板的結構示意圖二；
[0040]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種包括陽極、陰極、有機材料功能層的柔性顯示裝置的結構示意圖；
[0041]圖8為本發(fā)明實施例提供的一種制備柔性顯示基板的過程示意圖一；
[0042]圖9為本發(fā)明實施例提供的一種制備柔性顯示基板的過程示意圖二 ；
[0043]圖10為本發(fā)明實施例提供的一種制備柔性顯示基板的過程示意圖三；
[0044]圖11為本發(fā)明具體實施例提供的一種制備柔性顯示裝置的過程示意圖；
[0045]圖12為本發(fā)明具體實施例制備得到的柔性顯示裝置的結構示意圖。
[0046]附圖標記:
[0047]01-柔性顯不基板；10-柔性基底；20_第一緩沖層；30_顯不兀件；301_薄膜晶體管；302_像素電極；303_公共電極；304_陽極；305_陰極；306_有機材料功能層；40_吸光層；50_第二緩沖層；60_封裝層；70_承載基板；3011_柵極；3012_柵絕緣層；3013_金屬氧化物半導體有源層；3014_源極；3015_漏極。
【具體實施方式】
[0048]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0049]本發(fā)明實施例提供了一種柔性顯示基板01，如圖1至圖7所示，該柔性顯示基板01包括:柔性基底10、設置在所述柔性基底10上方的第一緩沖層20、設置在所述第一緩沖層20遠離所述柔性基底10 —側的多個顯示元件30，所述顯示元件30包括薄膜晶體管301和電極結構；進一步的，所述柔性顯示基板01還包括:設置在所述柔性基底10下表面或設置在所述柔性基底10和所述顯示元件30之間的吸光層40。
[0050]其中，所述薄膜晶體管301包括柵極3011、柵絕緣層3012、金屬氧化物半導體有源層3013、源極3014和漏極3015 ;當然，在此基礎上，所述柔性顯示基板01還包括與所述柵極3011電連接的柵線、柵線引線(圖中未標識出)，與所述源極3014電連接的數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線(圖中未標識出)等。[0051]所述金屬氧化物半導體有源層3013的材料可以為:氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鋅氧化物(InZnO)、或鋅錫氧化物(ZnSnO)等。
[0052]所述柔性基底10的材料可以為聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等。
[0053]所述第一緩沖層20可以是單層或多層結構，其材料例如可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、三氧化二鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)等。
[0054]需要說明的是，第一，在本發(fā)明實施例中，所述顯示元件30可以理解為，對應所述柔性顯示基板01的一個最小的顯示單元來說，設置在柔性基底10上的必不可少的、且由各層圖案組成的結構，且所述柔性顯示基板01包括若干個所述顯示元件。
[0055]例如當所述柔性顯示基板01為液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)的陣列基板時，則對于該陣列基板的一個最小顯示單元來說，該顯示元件至少包括薄膜晶體管301、像素電極302等；當所述柔性顯示基板01為有機電致發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡稱0LED)時,則對于一個最小顯示單元來說,該顯示元件30至少包括陽極304、陰極305和有機材料功能層306。
[0056]當然除此之外，還可以包括一些必要的圖案層例如保護層等或為改善顯示效果或某些缺陷增加的一些圖案層。
[0057]第二，所述薄膜晶體管301是一種具有開關特性的半導體單元，其可以是頂柵型，也可以是底柵型，在此不作限定。其中，頂柵、底柵是相對所述柵極3011和柵絕緣層3012的位置而定的，即:相對所述柔性基底10，當柵極3011靠近所述柔性基底10，柵絕緣層3012遠離所述柔性基底10時，為底柵型薄膜晶體管301 ;當柵極3011遠離所述柔性基底10，柵絕緣層3012靠近所述柔性基底10時，為頂柵型薄膜晶體管301。
[0058]第三，本發(fā)明實施例中，由于柔性基底10材料的限制，在制備柔性顯示基板01的過程中需以硬質的例如玻璃基板為承載基板，在其上形成構成上述柔性顯示基板01的各膜層，然后通過例如激光照射將承載基板剝離。
[0059]基于此，本發(fā)明實施例中可以通過設定吸光層40的厚度、材料的透光率等，以在柔性基底10與承載基板剝離的情況下，盡可能小的避免激光的光能對薄膜晶體管301的性能產生影響。
[0060]這里，所述吸光層40的材料可以是任意可以吸收光能且具有相應透光率的材料。
[0061]第四，本發(fā)明所有實施例的附圖均示意性的繪示出與發(fā)明點有關的圖案層，對于與發(fā)明點無關的圖案層不進行繪示或僅繪示出部分。
[0062]本發(fā)明實施例提供了一種柔性顯示基板01，包括:柔性基底10、設置在所述柔性基底10上方的第一緩沖層20、設置在所述第一緩沖層20遠離所述柔性基底10 —側的多個顯示元件30,所述顯示元件30包括薄膜晶體管301和電極結構；其中，所述薄膜晶體管301包括金屬氧化物半導體有源層3013 ;進一步的，所述柔性顯示基板01還包括:設置在所述柔性基底10下表面或設置在所述柔性基底10和所述顯示元件30之間的吸光層40。
[0063]一方面，采用金屬氧化物作為有源層的材料，具有更高的電子遷移率和均一性，可以適用于大尺寸柔性顯示基板。另一方面，通過設置吸光層40，在保證承載基板和柔性基底10剝離的情況下，可以吸收例如激光的光能，從而盡可能的減弱到達薄膜晶體管301的光能，避免對所述薄膜晶體管301性能的影響，從而提高產品良率。[0064]可選的，所述吸光層40可以為非晶硅層；或者也可以是氧化銦錫層(ITO)。
[0065]進一步的，考慮到若所述吸光層40的厚度過小，則其對光能的吸收不明顯，若所述吸光層40的厚度過大，則其會造成所述柔性顯示基板01的整體厚度過大，不利于顯示裝置輕薄化發(fā)展的需要，因此，本發(fā)明實施例優(yōu)選為，所述非晶硅層的厚度在40~70nm之間。
[0066]可選的，對于所述吸光層40的設置位置，可以為如下幾種情況:
[0067]第一種，參考圖1所示，所述吸光層40設置在所述柔性基底10的下表面。即在進行例如激光照射將承載基板和柔性基底10剝離之前，所述吸光層40設置在承載基板和所述柔性基底10之間，這樣在激光照射時，一方面，可以將柔性基底10和承載基板剝離，其中部分吸光層40或全部會留在所述柔性基底10的下表面，另一方面，由于所述吸光層40可以吸收光能，起到保護位于上方的薄膜晶體管301的作用。
[0068]第二種，參考圖2所示，所述吸光層40設置在柔性基底10和第一緩沖層20之間，且所述吸光層40與所述柔性基底10和所述第一緩沖層20均接觸。即在進行例如激光照射將承載基板和柔性基底10剝離之前，所述柔性基底10的遠離所述吸光層40的一側直接與承載基板接觸，這樣在激光照射時，一方面，激光的光能將柔性基底10和承載基板剝離，另一方面，傳遞到柔性基底10上方的光能可以通過所述吸光層40吸收，從而起到保護位于上方的薄膜晶體管301的作用。
[0069]其中，所述第一緩沖層20可以起到阻隔水氧、平坦化的作用，并且還可以防止半導體或導體材料的吸光層40與薄膜晶體管301的靠近所述吸光層40的電極形成電容。
[0070]第三種，參考圖3所示，所述吸光層40設置在所述第一緩沖層20和所述顯示元件30之間。即在進行例如激光照射將承載基板和柔性基底10剝離之前，所述柔性基底10的遠離所述第一緩沖層20的一側直接與承載基板接觸，這樣在激光照射時，一方面，激光的光能將柔性基底10和承載基板剝離，另一方面，傳遞到柔性基底10上方的光能可以通過所述吸光層40吸收，從而起到保護位于上方的薄膜晶體管301的作用。
[0071]在此情況下，優(yōu)選為在所述吸光層40遠離所述第一緩沖層20的一側設置第二緩沖層50，且所述吸光層40與所述第一緩沖層20和所述第二緩沖層50均接觸。其中，所述第一緩沖層20可以起到阻隔水氧、平坦化的作用；第二緩沖層50可以防止半導體或導體材料的吸光層40與薄膜晶體管301的靠近所述吸光層40的電極形成電容。
[0072]基于上述三種情況，需要說明的是，第一，由于所述吸光層40的設置是為保護例如激光照射時對薄膜晶體管301的破壞，因此所述吸光層40需與像素區(qū)的所有薄膜晶體管301對應。
[0073]第二，上述的顯示元件可以是例如如圖4所示的包括薄膜晶體管301和像素電極302的顯示元件30,也可以是例如如圖5和圖6所示的包括薄膜晶體管301、像素電極302和公共電極303的顯示元件30，當然也可以是例如如圖7所示的包括薄膜晶體管301、陽極304、陰極305和有機材料功能層306的顯示元件30。
[0074]第三，在所述吸光層40包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層20的面積；其中，所述吸光層40的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件30的所述有機材料功能層306對齊。
[0075]這是由于當所述顯示元件30為包括薄膜晶體管301、陽極304、陰極305和有機材料功能層306的顯示元件時，其中的有機材料功能層306的制備一般是通過掩膜板來控制其在基板上的鍍膜位置，而所述非晶硅不是完全透明的，這樣的話可能使得有機材料功能層306蒸鍍時不能準確的對位，因此本發(fā)明實施例中將吸光層40的周邊刻蝕掉，這樣在有機材料功能層306蒸鍍時，便可以通過吸光層40的邊緣來與掩膜板進行對位，從而使得能準確的對位。
[0076]在此情況下，對于上述第三種情況，可以將第二緩沖層50與位于其下方的非晶硅層同時進行刻蝕，從而使對位更為準確。
[0077]基于上述的描述，如圖4所示，當所述柔性顯示基板01為LCD的陣列基板時，所述電極結構包括像素電極302，所述像素電極302與所述薄膜晶體管301的漏極3015電連接。
[0078]如圖5和圖6所示，所述電極結構還可以同時包括像素電極302和公共電極303。在此情況下，所述顯示元件30還可以包括層間絕緣層。其中，對于共平面切換型(In-PlaneSwitch，簡稱IPS)陣列基板而言，如圖6所示，所述像素電極302和所述公共電極303同層間隔設置，且均為條狀電極；對于高級超維場轉換型(Advanced-super DimensionalSwitching，簡稱ADS)陣列基板而言，如圖5所示，所述像素電極302和所述公共電極303不同層設置，其中在上的電極為條狀電極，在下的電極為板狀電極或條狀電極。
[0079]如圖7所示，當所述柔性顯示基板01為OLED的背板時，所述電極結構包括陽極304和陰極305，所述陽極304和陰極305中的一個電極與所述薄膜晶體管301的漏極3015電連接。在此情況下，所述顯示元件30還包括設置在所述陽極304和陰極305之間的有機材料功能層306 ;所述有機材料功能層306可以包括電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層；為了能夠提高所述電子和所述空穴注入發(fā)光層的效率，所述有機材料功能層306還可以包括設置在所述陰極305與所述電子傳輸層之間的電子注入層，以及在所述陽極304與所述空穴傳輸層之間的空穴注入層。
[0080]本發(fā)明實施例還提供了一種柔性顯示裝置，其包括上述任意一種柔性顯示基板。所述柔性顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0081]在此基礎上，對于柔性顯示基板01為OLED的背板時，柔性顯示基板01包括陽極304、陰極305、薄膜晶體管301和有機材料功能層306。由于有機材料功能層306材料的特殊性，在制作完上述顯示結構后，如圖7所示，還必須形成用于封裝有機材料的封裝層60以阻隔水氧，從而形成柔性顯示裝置。
[0082]這里，根據(jù)所述陽極304和所述陰極305的材料的不同，可以分為單面發(fā)光型柔性顯示裝置和雙面發(fā)光型柔性顯示裝置。即:當所述陽極304和所述陰極305中其中一個電極的材料為不透明材料時，所述柔性顯示裝置為單面發(fā)光型；當所述陽極304和所述陰極305的材料均為透明材料時，所述柔性顯示裝置為雙面發(fā)光型。
[0083]對于單面發(fā)光型柔性顯示裝置，根據(jù)所述陽極304和所述陰極305的材料的不同，又可以分為上發(fā)光型和下發(fā)光型。具體的，當所述陽極304靠近所述柔性基底10設置，所述陰極305遠離所述柔性基底10設置，且所述陽極304的材料為透明導電材料，所述陰極305的材料為不透明導電材料時，由于光從陽極304、再經柔性基底10—側出射，因此，可以稱為下發(fā)光型；當所述陽極304的材料為不透明導電材料，所述陰極305的材料為透明或半透明導電材料時，由于光從陰極305、再經與柔性基底10相對設置的封裝層60出射，因此，可以稱為上發(fā)光型。當然，也可以將上述兩種陽極304和陰極305的相對位置進行替換，在此再贅述。
[0084]其中，所述封裝層60可以是柔性封裝基板，也可以是一層薄膜，在此不作限定。
[0085]對于雙面發(fā)光型柔性顯示裝置，當所述陽極304靠近所述柔性基底10設置，所述陰極305遠離所述柔性基底10設置，或當所述陽極304遠離所述柔性基底10設置，所述陰極305靠近所述柔性基底10設置，且所述陽極304和所述陰極305的材料為透明或半透明導電材料例如ITO(Indium Tin Oxides,氧化銦錫)或厚度較薄的金屬材料時，由于光一方面從陽極304、再經柔性基底10 —側出射，另一方面從陰極305、再經與柔性基底10相對設置的封裝層60出射，因此可以稱為雙面發(fā)光型。
[0086]本發(fā)明實施例還提供了一種柔性顯示基板的制備方法，如圖8至圖10所示，該方法包括:在承載基板70上形成柔性基 底10 ;在所述柔性基底10上形成第一緩沖層20 ;在所述第一緩沖層20上形成多個顯示元件30，所述顯示元件30包括薄膜晶體管301和電極結構，所述薄膜晶體管301包括金屬氧化物半導體有源層3013 ;將所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到柔性顯示基板01 ;其中，在形成所述顯示元件30之前，所述方法還包括形成吸光層40。
[0087]需要說明的是，第一，所述薄膜晶體管301可以是頂柵型，也可以是底柵型，在此不作限定。
[0088]第二，所述吸光層40的材料可以是任意可以吸收光能且具有相應透光率的材料。
[0089]第三，不對所述吸光層40的形成位置進行限定，其可以形成在承載基板70和顯示元件30之間的任何位置，以能在柔性基底10與承載基板70剝離時，避免例如激光光能對薄膜晶體管301的破壞為準。
[0090]本發(fā)明實施例提供了一種柔性顯示基板的制備方法，包括:在承載基板70上形成柔性基底10 ;在所述柔性基底10上形成第一緩沖層20 ;在所述第一緩沖層20上形成多個顯示元件30,所述顯示元件30包括薄膜晶體管301和電極結構,所述薄膜晶體管301包括金屬氧化物半導體有源層3013 ;將所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到柔性顯示基板01 ;其中，在形成所述顯示元件30之前，所述方法還包括形成吸光層40。
[0091]一方面，采用金屬氧化物作為有源層的材料，具有更高的電子遷移率和均一性，可以適用于大尺寸柔性顯示基板。另一方面，通過設置吸光層40，在保證承載基板70和柔性基底10剝離的情況下，可以吸收例如激光的光能，從而盡可能的減弱到達薄膜晶體管301的光能，避免對所述薄膜晶體管301性能的影響，從而提高產品良率。
[0092]可選的，所述吸光層40可以為非晶硅層；或者也可以是ΙΤ0。
[0093]進一步的，考慮到若所述吸光層40的厚度過小，則其對光能的吸收不明顯，若所述吸光層40的厚度過大，則其會造成所述柔性顯示基板01的整體厚度過大，不利于顯示裝置輕薄化發(fā)展的需要，因此，本發(fā)明實施例優(yōu)選為，所述非晶硅層的厚度在40~70nm之間。
[0094]可選的，所述柔性顯示基板01的制備方法具體可以通過以下幾種方式實現(xiàn):
[0095]第一種:如圖8所不,在承載基板70上形成吸光層40,在所述吸光層40上形成柔性基底10，在柔性基底10上形成第一緩沖層20，在所述第一緩沖層20上形成多個顯示元件30，通過激光照射方法將所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到參考圖1所述的柔性顯示基板01。其中，需要說明的是，所述吸光層40與所述柔性基底10接觸；所述吸光層40與所述承載基板70可以接觸，也可以不接觸，例如可以在所述承載基板70和所述吸光層40之間形成犧牲層等其他膜層，用于輔助實現(xiàn)將柔性顯示基板01和承載基板70剝離。
[0096]第二種，如圖9所示，在承載基板70上形成所述柔性基底10，在所述柔性基底10上形成所述吸光層40，在所述吸光層40上形成所述第一緩沖層20，在所述第一緩沖層上形成多個顯示元件30，通過激光照射方法將所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到參考圖2所述的柔性顯示基板01。其中，所述吸光層40與所述柔性基底10和所述第一緩沖層20均接觸。
[0097]第三種，如圖10所示，在承載基板70上形成所述柔性基底10，在所述柔性基底10上形成第一緩沖層20，在第一緩沖層20上形成吸光層40，在吸光層40上形成第二緩沖層50，在所述第二緩沖層50上形成多個顯示元件30，通過激光照射方法將所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到參考圖3所述的柔性顯示基板01。其中，所述吸光層40與所述第一緩沖層20和所述第二緩沖層50均接觸。
[0098]基于上述的描述，參考圖4所示，當所述柔性顯示基板01為LCD的陣列基板時，形成所述顯示元件30具體可以為:形成所述薄膜晶體管301、與所述薄膜晶體管301的漏極3015電連接的像素電極302。
[0099]當然，參考圖5和圖6所示，進一步的還形成公共電極303。
[0100]參考圖7所示，當所述柔性顯示基板01為OLED的背板時，形成所述顯示元件30具體可以為:形成所述薄膜晶體管301、陽極304、陰極305、在所述陰極305和所述陽極304之間的有機材料功能層306，所述陰極305和所述陽極304中的其中一個電極與所述薄膜晶體管301的漏極3015電連接。至此，柔性顯示基板01的制備完成。
[0101]在此基礎上，在形成所述顯示元件30后，所述柔性基底10和所述承載基板70剝離之前，還可以后續(xù)形成用于封裝有機材料的封裝層60，以阻隔水氧，從而制得柔性顯示裝置。
[0102]其中，在所述吸光層40包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層20的面積；其中，所述吸光層40的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件30的所述有機材料功能層306對齊。
[0103]這是由于當所述顯示元件30為包括薄膜晶體管301、陽極304、陰極305和有機材料功能層306的顯示元件時，其中的有機材料功能層306的制備一般是通過掩膜板來控制其在基板上的鍍膜位置，而所述非晶硅不是完全透明的，這樣的話可能使得有機材料功能層306蒸鍍時不能準確的對位，因此本發(fā)明實施例中將吸光層40的周邊刻蝕掉，這樣在有機材料功能層306蒸鍍時，便可以通過吸光層40的邊緣來與掩膜板進行對位，從而使得能準確的對位。
[0104]在此情況下，也可以將第二緩沖層50與位于其下方的非晶硅層同時進行刻蝕，從而使對位更為準確。
[0105]下面提供一具體實施例以詳細描述上述的一種柔性顯示裝置的制備方法。該方法包括如下步驟:
[0106]S101、如圖11所示，在承載基板70上沉積一層聚酰亞胺膜，形成柔性基底10。
[0107]所述柔性基底10的厚度可以為10 μ m。
[0108] S102、如圖11所不,在完成SlOl的基板上,沉積一層氮化娃(SiNx)膜,形成第一緩沖層20。
[0109]所述第一緩沖層20的厚度可以為200nm。
[0110]本步驟中，除沉積SiNx外，還可以沉積三氧化二鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiNx)、氧化娃(SiOx)等。
[0111]S103、如圖11所示，在完成S102的基板上，沉積一層非晶硅(a_si)膜，在所述非晶硅膜上沉積一層SiNx膜，并通過一次構圖工藝，將a-si膜和SiNx膜的周邊刻蝕掉，形成吸光層40和位于所述吸光層40上的第二緩沖層50。
[0112]所述吸光層40的厚度可以為45nm，第二緩沖層50的厚度可以為200nm。
[0113]S104、如圖11所示，在完成S103的基板上，依次形成柵極3011、柵絕緣層3012、金屬氧化物半導體有源層3013、源極3014和漏極3015。
[0114]S105、如圖11所示，在完成S104的基板上，依次形成陽極304、有機材料功能層306、陰極305，所述陽極304與所述漏極3015電連接。
[0115]其中，在蒸鍍形成有機材料功能層306時，可以通過所述吸光層40和第二緩沖層50的邊緣來與掩膜板進行對位，從而使每個子像素的有機材料功能層306形成在合適的位置。
[0116]S106、如圖11所示，在完成S105的基板上，采用封裝層60進行封裝。
[0117]S107、在完成S106的基板上，采用激光照射方法使所述柔性基底10和所述承載基板70剝離，得到如圖12所示的柔性顯示裝置。
[0118]本發(fā)明實施例中，通過吸光層40，在承載基板70和柔性基底10剝離的情況下，可以吸收激光的光能，從而盡可能的減弱到達薄膜晶體管301的光能，避免對所述薄膜晶體管301性能的影響，從而提高產品良率。此外通過將吸光層40和第二緩沖層50的周邊刻蝕掉，可以提高有機材料蒸鍍時的對位精度。
[0119]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種柔性顯示基板，其特征在于，包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上方的第一緩沖層、設置在所述第一緩沖層遠離所述柔性基底一側的多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構；其中，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層； 所述柔性顯示基板還包括:設置在所述柔性基底下表面或設置在所述柔性基底和所述顯示元件之間的吸光層。
2.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述吸光層包括非晶硅層。
3.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述吸光層設置在所述柔性基底和所述第一緩沖層之間，且所述吸光層與所述柔性基底和所述第一緩沖層均接觸。
4.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述吸光層設置在所述第一緩沖層和所述顯示元件之間； 所述柔性顯示基板還包括設置在所述吸光層和所述顯示元件之間的第二緩沖層，且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述電極結構包括陰極和陽極；其中，所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接; 所述顯示元件還包括設置在所述陰極和所述陽極之間的有機材料功能層。
6.根據(jù)權利要求5所述的柔性顯示基板，其特征在于，在所述吸光層包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積； 其中，所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
7.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述電極結構包括像素電極；其中，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
8.一種柔性顯示裝置，其特征在于，包括: 權利要求1至7任一項所述的柔性顯示基板。
9.根據(jù)權利要求8所述的柔性顯示裝置，其特征在于，在所述柔性顯示基板包括陰極、陽極、薄膜晶體管和有機材料功能層的情況下，所述柔性顯示裝置還包括封裝層。
10.一種柔性顯示基板的制備方法，其特征在于，包括: 在承載基板上形成柔性基底； 在所述柔性基底上形成第一緩沖層； 在所述第一緩沖層上形成多個顯示元件，所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構，所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層； 將所述柔性基底和所述承載基板剝離，得到柔性顯示基板； 其中，在形成所述顯示元件之前，所述方法還包括形成吸光層。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，所述吸光層包括非晶硅層。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述顯示元件之前，形成吸光層，包括: 在形成所述柔性基底之前，形成所述吸光層，且所述吸光層與所述柔性基底接觸。
13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述顯示元件之前，形成吸光層，包括: 在形成所述柔性基底之后，形成所述第一緩沖層之前，形成所述吸光層，且所述吸光層與所述柔性基底和所述第一緩沖層均接觸。
14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述顯示元件之前，形成吸光層，包括: 在形成所述第一緩沖層之后，形成所述顯示元件之前，形成所述吸光層； 所述方法還包括:在形成所述吸光層之后，形成所述顯示元件之前，形成第二緩沖層，且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
15.根據(jù)權利要求10至14任一項所述的方法，其特征在于，形成電極結構包括:形成陰極和陽極；其中，所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接; 所述方法還包括:在所述陰極和所述陽極之間形成有機材料功能層。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，在所述吸光層包括非晶硅層的情況下，所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積； 其中，所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
17.根據(jù)權利要求10至14任一項所述的方法，其特征在于，形成電極結構包括:形成像素電極；其中，所 述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
【文檔編號】H01L21/683GK104022123SQ201410207010
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月16日 優(yōu)先權日:2014年5月16日
【發(fā)明者】楊靜 申請人:京東方科技集團股份有限公司