電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能容易彎曲、且能抑制信號線的特性阻抗從規(guī)定特性阻抗偏離的高頻信號線路及電子設(shè)備。電介質(zhì)單元體(12)通過層疊保護(hù)層(14)及電介質(zhì)片材(18a～18c)來構(gòu)成且具有表面及背面。信號線(20)是設(shè)置在電介質(zhì)單元體(12)上的線狀導(dǎo)體。接地導(dǎo)體(22)設(shè)置在電介質(zhì)單元體(12)上，且經(jīng)由電介質(zhì)片材(18a)與信號線(20)相對，并沿信號線(20)連續(xù)延伸。接地導(dǎo)體(24)設(shè)置在電介質(zhì)單元體(12)上，且隔著信號線(20)與接地導(dǎo)體(22)相對，并沿信號線(20)排列設(shè)置有多個(gè)開口(30)。相對于信號線(20)位于接地導(dǎo)體(22)一側(cè)的電介質(zhì)單元體12的表面與電池組(206)接觸。
【專利說明】電子設(shè)備
[0001]本發(fā)明申請是國際申請?zhí)枮镻CT/JP2011/077931，國際申請日為2011年12月2日，進(jìn)入中國國家階段的申請?zhí)枮?01180038249.6，名稱為“高頻信號線路及電子設(shè)備”的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及高頻信號線路及電子設(shè)備，更具體而言，涉及具備信號線及與該信號線相對的接地導(dǎo)體的高頻信號線路及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]作為用于在高頻電路之間進(jìn)行連接的高頻信號線路，一般使用同軸電纜。同軸電纜容易進(jìn)行彎曲等變形且廉價(jià)，因此廣泛得以使用。
[0004]另外，近年來，正在推進(jìn)移動(dòng)體通信終端等高頻設(shè)備的小型化。因此，難以在高頻設(shè)備中確保用來配置具有圓形截面形狀的同軸電纜的空間。因此，有時(shí)使用在撓性層疊體內(nèi)形成帶狀線的高頻信號線路。
[0005]三板帶狀線具有用接地導(dǎo)體夾著信號線的結(jié)構(gòu)。該高頻信號線路的層疊方向厚度小于同軸電纜的直徑，因此，能在無法收納同軸電纜的較小空間內(nèi)收納高頻信號線路。
[0006]此外，作為有關(guān)上述高頻信號線路的發(fā)明，已知的有專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板。在專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板中，對接地導(dǎo)體設(shè)有開口部，與用形成于整個(gè)表面的接地導(dǎo)體來夾著帶狀線的情況相比，其具有容易彎曲的結(jié)構(gòu)。
[0007]然而，在專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板中，存在電磁場從開口泄漏到柔性基板外部的可能性。因此，若在柔性基板周圍設(shè)置電介質(zhì)、金屬體等物品，則有可能在柔性基板的信號線與物品之間產(chǎn)生電磁場耦合。其結(jié)果是，柔性基板的信號線的特性阻抗有可能從規(guī)定特性阻抗偏離。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2007 - 123740號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明所要解決的問題
[0012]因此，本發(fā)明的目的在于提供能容易彎曲、且能抑制信號線的特性阻抗從規(guī)定特性阻抗偏離的高頻信號線路及電子設(shè)備。
[0013]為解決問題所采用的技術(shù)方案
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路的特征在于，包括:層疊體，該層疊體由絕緣體層層疊而成，且具有第一主面及第二主面；信號線，該信號線設(shè)置在所述層疊體上且呈線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體是設(shè)置在所述層疊體上、且經(jīng)由所述絕緣體層而與所述信號線相對的接地導(dǎo)體，并沿所述信號線連續(xù)延伸；以及第二接地導(dǎo)體，該第二接地導(dǎo)體是設(shè)置在所述層疊體上、且隔著所述信號線而與所述第一接地導(dǎo)體相對的接地導(dǎo)體，并沿所述信號線排列設(shè)置有多個(gè)開口，相對于所述信號線位于所述第一接地導(dǎo)體一側(cè)的所述第一主面成為與物品相接觸的接觸面。
[0015]本發(fā)明的其它實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路的特征在于，包括:單元體，該單元體具有第一主面及第二主面；信號線，該信號線設(shè)置在所述單元體上且呈線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體在所述單元體中設(shè)置得比所述信號線要靠近所述第一主面一側(cè)，且與所述信號線相對；第二接地導(dǎo)體，該第二接地導(dǎo)體在所述單元體中隔著所述信號線與所述第一接地導(dǎo)體相對，且沿該信號線設(shè)有開口 ；粘接層，該粘接層設(shè)置在所述第一主面上；以及覆蓋層，該覆蓋層以可剝離的方式粘貼于所述粘接層，
[0016]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的特征在于，包括:高頻信號線路；以及物品，所述高頻信號線路經(jīng)由剝離所述覆蓋層后所露出的所述粘接劑，而固定于所述物品O
[0017]發(fā)明效果
[0018]根據(jù)本發(fā)明，能容易地進(jìn)行彎曲，并且能抑制信號線的特性阻抗從規(guī)定特性阻抗偏離。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0020]圖2是圖1的高頻信號線路的電介質(zhì)單元體的分解圖。
[0021]圖3是圖1的高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0022]圖4是高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0023]圖5是高頻信號線路的連接器的外觀立體圖及截面結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖6是從y軸方向和z軸方向俯視使用了高頻信號線路的電子設(shè)備的圖。
[0025]圖7是圖6(a)的C處的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0026]圖8是利用實(shí)施方式I的變形例I所涉及的安裝方法將高頻信號線路固定于電池組時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0027]圖9是利用實(shí)施方式I的變形例2所涉及的安裝方法將高頻信號線路固定于電池組時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0028]圖10是采用了實(shí)施方式I的變形例3所涉及的安裝方法的電子設(shè)備內(nèi)部的外觀立體圖。
[0029]圖11是實(shí)施方式I的變形例I所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0030]圖12是從z軸方向透視圖11的高頻信號線路的圖。
[0031]圖13是提取出實(shí)施方式I的變形例I所涉及的高頻信號線路的一部分時(shí)的等效電路圖。
[0032]圖14是實(shí)施方式I的變形例2所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0033]圖15是實(shí)施方式I的變形例3所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0034]圖16是實(shí)施方式I的變形例4所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0035]圖17是實(shí)施方式I的變形例5所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0036]圖18是從z軸方向透視圖17的高頻信號線路的圖。[0037]圖19是實(shí)施方式I的變形例6所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0038]圖20是從z軸方向透視圖19的高頻信號線路的圖。
[0039]圖21是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0040]圖22是圖21的高頻信號線路的電介質(zhì)單元體的分解圖。
[0041]圖23是圖21的高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0042]圖24是高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0043]圖25是電子設(shè)備200的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0044]圖26是將高頻信號線路粘貼到電池組時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0045]圖27是實(shí)施方式2的變形例I所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0046]圖28是實(shí)施方式2的變形例2所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0047]圖29是實(shí)施方式2的變形例3所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0048]圖30是實(shí)施方式2的變形例4所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0049]圖31是實(shí)施方式2的變形例5所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0050]圖32是實(shí)施方式2的變形例6所涉及的高頻信號線路層疊體的分解圖。
[0051]圖33是實(shí)施方式2的變形例7所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0052]圖34是圖33的高頻信號線路的電介質(zhì)單元體的分解圖。
[0053]圖35是圖33的高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0054]圖36是實(shí)施方式2的變形例8所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0055]圖37是圖36的高頻信號線路的電介質(zhì)單元體的分解圖。
[0056]圖38是圖36的高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0057]圖39是實(shí)施方式2的變形例9所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
[0058]圖40是圖39的高頻信號線路的電介質(zhì)單元體的分解圖。
[0059]圖41是圖39的高頻信號線路的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0060]圖42是實(shí)施方式2的變形例10所涉及的高頻信號線路電介質(zhì)單元體的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0061](實(shí)施方式I)
[0062]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路及電子設(shè)備進(jìn)行說明。
[0063](高頻信號線路的結(jié)構(gòu))
[0064]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路10的外觀立體圖。圖2是圖1的高頻信號線路10的電介質(zhì)單元體12的分解圖。圖3是圖1的高頻信號線路10的截面結(jié)構(gòu)圖。圖4是高頻信號線路10的截面結(jié)構(gòu)圖。圖5是高頻信號線路10的連接器IOOb的外觀立體圖及截面結(jié)構(gòu)圖。在圖1至圖5中，將高頻信號線路10的層疊方向定義為z軸方向。此夕卜，將高頻信號線路10的長邊方向定義為X軸方向、將正交于X軸方向及Z軸方向的方向定義為I軸方向。
[0065]例如在移動(dòng)電話等電子設(shè)備內(nèi)，聞?lì)l/[目號線路10用于將兩個(gè)聞?lì)l電路相連接。如圖1至圖3所示，高頻信號線路10包括電介質(zhì)單元體12、外部端子16(16a、16b)、信號線20、接地導(dǎo)體22、24、通孔導(dǎo)體13142、81、82及連接器100a、100b。
[0066]從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)單元體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)單元體12是將圖2所示保護(hù)層14及電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18c)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。下面，將電介質(zhì)單元體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面(第一主面)，將電介質(zhì)單元體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面(第二主面)。
[0067]線路部12a沿X軸方向延伸。連接部12b、12c分別連接至線路部12a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾缺染€路部12a的y軸方向?qū)挾纫獙挕?br> [0068]從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)片材18沿X軸方向延伸，且其形狀與電介質(zhì)單元體12相同。電介質(zhì)片材18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有撓性的熱可塑性樹脂來構(gòu)成。如圖4所示，電介質(zhì)片材18a的厚度Tl比電介質(zhì)片材18b的厚度T2要厚。例如，將電介質(zhì)片材18a?18c進(jìn)行層疊后，厚度Tl為50?300 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度Tl為150 μ m。此夕卜，厚度T2為10?100 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度T2為50 μ m。下面，將電介質(zhì)片材18的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面，將電介質(zhì)片材18的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面。
[0069]此夕卜，電介質(zhì)片材18a包括線路部18a — a及連接部18a — b、18a — C。電介質(zhì)片材18b包括線路部18b — a及連接部18b — b、18b — C。電介質(zhì)片材18c包括線路部18c —a及連接部18c — b、18c — C。由線路部18a — a、18b — a、18c — a來構(gòu)成線路部12a。由連接部18a - b、18b - b、18c — b來構(gòu)成連接部12b。由連接部18a — c、18b — c、18c —c來構(gòu)成連接部12c。
[0070]如圖1及圖2所示，外部端子16a是設(shè)置在連接部18a — b的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。如圖1及圖2所示，外部端子16b是設(shè)置在連接部18a — c的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。此外，在外部端子16a、16b的表面上實(shí)施鍍金。
[0071 ] 如圖2所示，信號線20是設(shè)置在電介質(zhì)單元體12內(nèi)的線狀導(dǎo)體，且在電介質(zhì)片材18b的表面上沿X軸方向延伸。從z軸方向俯視時(shí)，信號線20的兩端分別與外部端子16a、16b重疊。信號線20的線寬為例如100?500 μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20的線寬是240 μ m0信號線20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0072]如圖2所示，接地導(dǎo)體22(第一接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)單元體12內(nèi)比信號線20要靠近ζ軸方向正方向一側(cè)，更詳細(xì)而言，將接地導(dǎo)體22設(shè)置在最靠近電介質(zhì)單元體12的表面的電介質(zhì)片材18a的表面上。接地導(dǎo)體22在電介質(zhì)片材18a的表面上沿x軸方向延伸，且隔著電介質(zhì)片材18a與信號線20相對。實(shí)質(zhì)上，接地導(dǎo)體22上不設(shè)有開口。換言之，接地導(dǎo)體22是沿線路部12a中的信號線20在x軸方向上連續(xù)延伸的電極、即所謂的實(shí)心狀電極。但是，接地導(dǎo)體22無需完全覆蓋線路部12a，例如，為了使對電介質(zhì)片材18的熱可塑性樹脂進(jìn)行熱壓接時(shí)所產(chǎn)生的氣體排出，也可在接地導(dǎo)體22的規(guī)定位置上設(shè)置微小的孔。接地導(dǎo)體22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0073]此外，接地導(dǎo)體22包括線路部22a、端子部22b、22c。線路部22a設(shè)置在線路部18a - a的表面上，且沿X軸方向延伸。端子部22b設(shè)置在線路部18a — b的表面上，且呈包圍外部端子16a的周圍的矩形環(huán)。端子部22b連接至線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部22c設(shè)置在線路部18a - c的表面上，且呈包圍外部端子16b的周圍的環(huán)狀矩形。端子部22c連接至線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0074]如圖2所示，接地導(dǎo)體24(第二接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)單元體12內(nèi)比信號線20要靠近z軸方向負(fù)方向一側(cè),更詳細(xì)而言,將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18c的表面上。由此,將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18b、18c之間。接地導(dǎo)體24在電介質(zhì)片材18c的表面上沿X軸方向延伸，且隔著電介質(zhì)片材18b與信號線20相對。S卩，接地導(dǎo)體24隔著信號線20與接地導(dǎo)體22相對。接地導(dǎo)體24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0075]此外，接地導(dǎo)體24包括線路部24a、端子部24b、24c。線路部24a設(shè)置在線路部18c - a的表面上，且沿X軸方向延伸。而且，對于線路部24a，沿信號線20交替設(shè)置未形成有導(dǎo)體層的多個(gè)開口 30和形成有導(dǎo)體層的部分即多個(gè)橋接部60，從而線路部24a呈梯子狀。如圖2及圖4所示，從z軸方向俯視時(shí)，開口 30呈長方形且與信號線20重疊。由此，從z軸方向俯視時(shí)，信號線20與開口 30及橋接部60交替重疊。此外，開口 30等間隔地進(jìn)行排列。
[0076]端子部24b設(shè)置在線路部18c — b的表面上，且呈矩形環(huán)。端子部24b連接至線路部24a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部24c設(shè)置在線路部18c — c的表面上，且呈矩形環(huán)。端子部24c連接至線路部24a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0077]如上所述，利用接地導(dǎo)體22、24從z軸方向兩側(cè)隔著電介質(zhì)層18a、18b而夾著信號線20。即，信號線20及接地導(dǎo)體22、24形成三板帶狀線結(jié)構(gòu)。此外，如圖4所示，信號線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18a的厚度Tl，例如為50 μ m?300 μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔為150 μ m。另一方面，如圖4所示，信號線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18b的厚度T2，例如為10 μ m?100 μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔為50 μ m。即，設(shè)計(jì)成厚度Tl大于厚度T2。
[0078]如上所述，通過使厚度Tl大于厚度T2，使得在接地導(dǎo)體22與信號線20之間產(chǎn)生的靜電電容減小，且能增大信號線20的線寬以使其具有規(guī)定阻抗(例如50Ω)。能由此來降低傳輸損失，因此，能力圖提高高頻信號線路的電特性。在本實(shí)施方式中，主要考慮在接地導(dǎo)體22與信號線20之間所產(chǎn)生的靜電電容來設(shè)計(jì)阻抗，作為用于降低信號輻射的接地導(dǎo)體來設(shè)計(jì)接地導(dǎo)體24的阻抗。S卩，在接地導(dǎo)體22和信號線20中將特性阻抗設(shè)定得較高(例如70 Ω )，且通過附加接地導(dǎo)體24來在高頻信號線路的一部分上設(shè)置低阻抗較低的區(qū)域(例如30 Ω )，從而將高頻信號線路整體的阻抗設(shè)計(jì)成規(guī)定阻抗(例如50 Ω )。
[0079]通孔導(dǎo)體bl沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b,將外部端子16a和信號線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連接。通孔導(dǎo)體b2沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — C，將外部端子16b和信號線20的x軸方向的正方向側(cè)端部相連接。由此，信號線20連接在外部端子16a、16b之間。通孔導(dǎo)體bl、b2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0080]通孔導(dǎo)體B1、B2分別沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a、18b的線路部18a — a、18b - a，在線路部18a — a、18b — a上分別設(shè)有多個(gè)通孔導(dǎo)體B1、B2。而且，通孔導(dǎo)體B1、B2彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，并將接地導(dǎo)體22和接地導(dǎo)體24相連接。通孔導(dǎo)體BUB2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0081]保護(hù)層14覆蓋電介質(zhì)片材18a大致整個(gè)表面。由此，保護(hù)層14覆蓋接地導(dǎo)體22。保護(hù)層14由例如抗蝕材料等撓性樹脂所形成。
[0082]此外，如圖2所示，保護(hù)層14包括線路部14a及連接部14b、14c。線路部14a覆蓋線路部18a — a的整個(gè)表面，從而覆蓋線路部22a。
[0083]連接部14b連接至線路部14a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部，且覆蓋連接部18a —b的表面。其中，在連接部14b中設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14b的中央的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。此外，開口 Hb是設(shè)在開口 Ha的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)在開口 Ha的X軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)在開口 Ha的y軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22b經(jīng)由開口 Hb?Hd露出至外部，從而發(fā)揮外部端子的功能。
[0084]連接部14c連接至線路部14a的x軸方向的正方向側(cè)端部,且覆蓋連接部18a —c的表面。其中，在連接部14c中設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在連接部14c的中央的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。此外，開口 Hf是設(shè)在開口 He的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)在開口 He的X軸方向正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)在開口 He的y軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22c經(jīng)由開口 Hf?Hh露出至外部，從而發(fā)揮外部端子的功能。
[0085]連接器100a、IOOb分別安裝在連接部12b、12c的表面上。連接器100a、IOOb的結(jié)構(gòu)相同，因此，下面舉出連接器IOOb的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。
[0086]如圖1及圖5所示，連接器IOOb包括連接器主體102、外部端子104、106、中心導(dǎo)體108及外部導(dǎo)體110。連接器主體102呈矩形板上連結(jié)有圓筒的形狀，且由樹脂等絕緣材料來制作。
[0087]在連接器主體102的板的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面上，將外部端子104設(shè)置在與外部端子16b相對的位置處。在連接器主體102的板的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面上，將外部端子106設(shè)置在與經(jīng)由開口 Hf?Hh而露出的端子部22c相對應(yīng)的位置處。
[0088]中心導(dǎo)體108設(shè)置在連接器主體102的圓筒中心，且與外部端子104相連接。中心導(dǎo)體108是輸入或輸出高頻信號的信號端子。外部導(dǎo)體110設(shè)置在連接器主體102的圓筒內(nèi)周面上，且與外部端子106相連接。外部導(dǎo)體110是維持接地電位的接地端子。
[0089]具有如上結(jié)構(gòu)的連接器IOOb按外部端子104與外部端子16b相連接、外部端子106與端子部22c相連接的方式來安裝在連接部12c的表面上。由此，信號線20與中心導(dǎo)體108進(jìn)行電連接。此外，接地導(dǎo)體22、24與外部導(dǎo)體110進(jìn)行電連接。
[0090]如下所說明那樣來使用高頻信號線路10。圖6是從y軸方向和z軸方向俯視使用了高頻信號線路10的電子設(shè)備200的圖。圖7是圖6(a)的C處的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0091]電子設(shè)備200包括高頻信號線路10、電路基板202a、202b、插座204a、204b、電池組(金屬體)206及殼體210。
[0092]在電路基板202a上設(shè)直有例如包含天線的發(fā)送電路或接收電路。電路基板202b上設(shè)置有例如供電電路。電池組206例如為鋰離子充電電池，具有其表面被金屬覆層所覆蓋的結(jié)構(gòu)。從X軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)依次排列有電路基板202a、電池組206及電路基板202b。
[0093]插座204a、204b分別設(shè)置在電路基板202a、202b的z軸方向負(fù)方向側(cè)的主面上。插座204a、204b上分別連接有連接器100a、100b。由此，經(jīng)由插座204a、204b，向連接器100a、IOOb的中心導(dǎo)體108施加在電路基板202a、202b之間進(jìn)行傳輸?shù)睦缇哂?GHz頻率的高頻信號。此外，經(jīng)由電路基板202a、202b及插座204a、204b，將連接器100a、IOOb的外部導(dǎo)體110維持在接地電位。由此，高頻信號線路10在電路基板202a、202b之間進(jìn)行物理電連接。
[0094]此處，如圖7所示，電介質(zhì)單元體12的表面(更確切而言，保護(hù)層14的表面)與電池組206相接觸。而且，電介質(zhì)單元體12的表面與電池組206通過粘接劑等進(jìn)行固定。電介質(zhì)單元體12的表面是相對于信號線20位于接地導(dǎo)體22 —側(cè)的主面。由此，實(shí)心狀(沿X軸方向連續(xù)延伸)的接地導(dǎo)體22位于信號線20與電池組206之間。
[0095](高頻信號線路的制造方法)
[0096]下面，參照圖2，對高頻信號線路10的制造方法進(jìn)行說明。下面，以制作一個(gè)高頻信號線路10的情形為例進(jìn)行說明，但實(shí)際上，通過層疊和切割大型電介質(zhì)片材，從而同時(shí)制作多個(gè)高頻信號線路10。
[0097]首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)片材18，該電介質(zhì)片材18由在其整個(gè)表面上形成有銅箔的熱可塑性樹脂形成。例如，通過對電介質(zhì)片材18的銅箔表面實(shí)施防銹鍍鋅，來進(jìn)行平滑化。電介質(zhì)片材18是厚 度為20 μ m?80 μ m的液晶聚合物。此外，銅箔厚度為10 μ m?20 μ m。
[0098]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18a的表面上形成圖2所示外部端子16和接地導(dǎo)體22。具體而言，在電介質(zhì)片材18a的銅箔上印刷其形狀與圖2所示外部端子16(16a、lb)及接地導(dǎo)體22相同的抗蝕劑。然后，對銅箔實(shí)施蝕刻處理，從而將抗蝕劑未覆蓋部分的銅箔去除。此后,去除抗蝕劑。從而,在電介質(zhì)片材18a的表面上形成如圖2所示的外部端子16及接地導(dǎo)體22。
[0099]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18b的表面上形成圖2所示信號線20。此外，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18c的表面上形成圖2所示接地導(dǎo)體24。另外，這些光刻工序與形成外部端子16及接地導(dǎo)體22時(shí)的光刻工序相同，因此省略其說明。
[0100]接著，從背面?zhèn)葘﹄娊橘|(zhì)片材18a、18b中要形成通孔導(dǎo)體bl、b2、Bl、B2的位置照射激光束，從而形成貫穿孔。此后，將導(dǎo)電性糊料填充到在電介質(zhì)片材18a、18b中所形成的貫穿孔中。
[0101]接著，從z軸方向正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)依次層疊電介質(zhì)片材18a?18c，以使接地導(dǎo)體22、信號線20及接地導(dǎo)體24形成帶狀線結(jié)構(gòu)。然后，從z軸方向的正方向側(cè)及負(fù)方向側(cè)對電介質(zhì)片材18a?18c施加熱及壓力，從而將電介質(zhì)片材18a?18c軟化并進(jìn)行壓接/ 一體化，并且，將填充至貫穿孔中的導(dǎo)電性糊料進(jìn)行固化，以形成圖2所示的通孔導(dǎo)體bl、b2、Bl、B2。另外，也可利用環(huán)氧類樹脂等粘接劑代替熱壓接來將各電介質(zhì)片材18進(jìn)行一體化。此外，可在使電介質(zhì)片材18 —體化后形成貫穿孔、并將導(dǎo)電性糊料填充至貫穿孔中或?qū)ω灤┛仔纬慑兡?，從而形成通孔?dǎo)體bl、b2、B1、B2。
[0102]最后，通過涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質(zhì)片材18a上形成保護(hù)層14。由此，得到圖1所示的高頻信號線路10。
[0103](效果)[0104]根據(jù)具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10，在接地導(dǎo)體24上設(shè)置有多個(gè)開口 30，因此，能容易彎曲高頻信號線路10。
[0105]此外，根據(jù)高頻信號線路10，能抑制信號線20的特性阻抗從規(guī)定特性阻抗(例如50Ω)偏離。更詳細(xì)而言，在專利文獻(xiàn)I所記載的柔性基板中，存在電磁場從開口泄漏到柔性基板外部的可能性。因此，若在柔性基板周圍設(shè)置電介質(zhì)、金屬體等，則有可能在柔性基板的信號線與電介質(zhì)、金屬體等之間產(chǎn)生電磁場耦合。其結(jié)果是，柔性基板的信號線的特性阻抗有可能從規(guī)定特性阻抗偏離。
[0106]另一方面，在高頻信號線路10中，相對于信號線20位于接地導(dǎo)體22 —側(cè)的電介質(zhì)單元體12的表面接觸到電池組206，位于接地導(dǎo)體24 —側(cè)的電介質(zhì)單元體12的表面成為與電池組等物品(金屬體)分離開的非接觸面。即，在信號線20與電池組206之間實(shí)質(zhì)上設(shè)有接地導(dǎo)體22，而非設(shè)有接地導(dǎo)體24，在所述接地導(dǎo)體22上不設(shè)有開口，而在所述接地導(dǎo)體24上設(shè)有開口 30。由此，能抑制在信號線20與電池組206之間產(chǎn)生電磁場耦合。其結(jié)果是，在高頻信號線路10中，能抑制信號線20的特性阻抗從規(guī)定特性阻抗偏離。即，在如通信終端等電子設(shè)備中，即便在設(shè)置于其殼體內(nèi)的裝載元器件與電子元器件之間、或殼體與這些元器件之間只存在狹窄間隙(空間)的情況下，也能將接地導(dǎo)體22—側(cè)作為接觸物品(金屬體)的接觸面，并將高頻信號線路10配置在該間隙中，因此，能獲得抑制高頻信號線路的位置變動(dòng)所導(dǎo)致的特性變動(dòng)，且不易受到電子元器件、殼體的影響的高頻信號線路。尤其，如高頻信號線路10那樣利用粘接劑等來固定物品(金屬體)，則能進(jìn)一步可靠地抑制位置變動(dòng)所導(dǎo)致的特性變動(dòng)。
[0107]此外，根據(jù)高頻信號線路10，還由于以下理由，從而能容易彎曲高頻信號線路10。高頻信號線路10的特性阻抗Z以V (L/C)來表示。L是與高頻信號線路10的單位長度對應(yīng)的電感值。C是與高頻信號線路的單位長度對應(yīng)的電容值。將高頻信號線路10設(shè)計(jì)成使得Z成為規(guī)定特性阻抗(例如50 Ω )。
[0108]此處，為了使高頻信號線路10能容易彎曲，考慮將高頻信號線路10的z軸方向厚度(以下僅稱作厚度)變薄。然而，若將高頻信號線路10的厚度變薄，則信號線20與接地導(dǎo)體22、24之間的距離減小，電容值C增大。其結(jié)果是，特性阻抗Z變得比規(guī)定特性阻抗要小。
[0109]因此，考慮以下方案:S卩，使信號線20的y軸方向線寬(以下僅稱作線寬)變細(xì)，使信號線20的電感值L增大，并且使信號線20與接地導(dǎo)體22、24之間的相對面積減小，從而使電容值C減小。
[0110]然而，難以高精度地形成較細(xì)線寬的信號線20。此外，若使信號線20的線寬變細(xì)，則傳輸損失增大，電特性劣化。
[0111]因此，在高頻信號線路10中，將開口 30設(shè)置在接地導(dǎo)體24上。由此，來減小信號線20與接地導(dǎo)體24之間的相 對面積，從而減小電容值C。其結(jié)果是，在高頻信號線路10中，能將特性阻抗Z維持成規(guī)定特性阻抗且能使其容易彎曲。
[0112]此外，根據(jù)高頻信號線路10，將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18b、18c之間。由此，接地導(dǎo)體24不露在電介質(zhì)單元體12的背面。因此，即使在電介質(zhì)單元體12的背面上配置有其它物品，但由于接地導(dǎo)體24與其它物品不直接相對，因此，也能抑制信號線20的特性阻抗的變動(dòng)。[0113](變形例所涉及的安裝方法)
[0114]下面，對變形例I所涉及的安裝方法進(jìn)行說明。圖8是利用變形例I所涉及的安裝方法將高頻信號線路10固定于電池組206時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0115]變形例I所涉及的安裝方法中，接地導(dǎo)體22與電池組206進(jìn)行電連接。更詳細(xì)而言，在保護(hù)層14上設(shè)有開口 Op。由此，接地導(dǎo)體22的一部分經(jīng)由保護(hù)層14的開口 Op而露出。而且，在開口 Op上配置焊料、導(dǎo)電性粘接劑以形成連接導(dǎo)體212，從而將接地導(dǎo)體24與電池組206進(jìn)行電連接并進(jìn)行固定。
[0116]采用了以上安裝方法的高頻信號線路10中，不僅經(jīng)由端子部22b、22c將接地導(dǎo)體22、24維持在接地電位，還經(jīng)由金屬物品即電池組206將接地導(dǎo)體22、24維持在接地電位。由此，能將接地導(dǎo)體22、24更穩(wěn)定地維持在接地電位。作為這種金屬物品，不限于電池組，還可以是印刷布線基板(例如接地端子)、金屬外殼等。
[0117]接著，對變形例2所涉及的安裝方法進(jìn)行說明。圖9是利用變形例2所涉及的安裝方法將 高頻信號線路10固定于電池組206時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0118]在變形例2所涉及的安裝方法中，以將高頻信號線路10沿電池組206表面進(jìn)行彎曲的狀態(tài)來安裝所述高頻信號線路10。高頻信號線路10能容易變形，因此，能使其沿電池組206彎曲。
[0119]下面，對變形例3所涉及的安裝方法進(jìn)行說明。圖10是采用了變形例3所涉及的安裝方法的電子設(shè)備200內(nèi)部的外觀立體圖。
[0120]圖6所示高頻信號線路10在電池組206的z軸方向負(fù)方向側(cè)的表面上沿x軸方向延伸而不進(jìn)行彎曲。
[0121]另一方面，在圖10所示高頻信號線路10中，連接部12b、12c向線路部12a彎曲。由此，高頻信號線路10在電池組206的y軸方向正方向側(cè)的側(cè)面上沿X軸方向延伸。由于高頻信號線路10能容易彎曲，因此，能容易實(shí)現(xiàn)這種配置。
[0122](實(shí)施方式I的變形例I所涉及的高頻信號線路)
[0123]下面，參照附圖，對變形例I所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖11是變形例I所涉及的高頻信號線路IOa的層疊體12的分解圖。圖12是從z軸方向透視圖11的高頻信號線路IOa的圖。圖13是提取出變形例I所涉及的高頻信號線路IOa的一部分時(shí)的等效電路圖。
[0124]高頻信號線路10與高頻信號線路IOa之間的不同之處在于開口 30的形狀。下面，以所涉及的不同之處為中心，對高頻信號線路IOa的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0125]沿信號線20交替設(shè)置多個(gè)開口 30和多個(gè)橋接部60，從而接地導(dǎo)體24呈梯子狀。如圖12所示，從z軸方向俯視時(shí)，開口 30與信號線20重疊，開口 30相對于信號線20呈線對稱形狀。S卩，信號線20在開口 30的y軸方向中央進(jìn)行橫切。
[0126]進(jìn)一步地，直線A通過信號線20進(jìn)行延伸的方向(X軸方向)上的開口 30的中央，且正交于信號線20 (即，沿y軸方向延伸)，開口 30相對于該直線A呈線對稱形狀。下面，進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
[0127]將包含X軸方向上的開口 30的中央的區(qū)域定義為區(qū)域Al。此外，將對應(yīng)于橋接部60的區(qū)域定義為區(qū)域A2。此外，將位于區(qū)域Al與區(qū)域A2之間的區(qū)域稱作區(qū)域A3。區(qū)域A3位于區(qū)域Al的X軸方向的相鄰兩側(cè)，分別與區(qū)域A1、A2相鄰接。區(qū)域A2的x軸方向的長度(即，橋接部60的長度)例如為25?200 μ m。在本實(shí)施方式中，區(qū)域A2的x軸方向的長度為100 μ m。
[0128]如圖12所示，直線A通過X軸方向上的區(qū)域Al的中央。而且，區(qū)域Al中的開口 30在正交于信號線20的方向(y軸方向)上的寬度Wl比區(qū)域A3中的開口 30在y軸方向上的寬度W2要寬。S卩，開口 30的形狀為X軸方向上的開口 30的中央附近寬度比開口 30其它部分的寬度要寬，且相對于直線A呈線對稱的形狀。此外，在開口 30中，y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的區(qū)域就是區(qū)域Al，y軸方向的寬度為寬度W2的區(qū)域就是區(qū)域A3。由此，開口 30的區(qū)域A1、A3的邊界上存在高低差。寬度Wl例如為500?1500 μ m。在本實(shí)施方式中，寬度Wl為900 μ m。此外，寬度W2例如為250?750 μ m。在本實(shí)施方式中，寬度W2為480 μ m。
[0129]此外，開口 30的X軸方向長度Gl例如為I?5mm。在本實(shí)施方式中，長度Gl為3mm。此處，長度Gl比開口 30的最大寬度即寬度Wl要長。而且，優(yōu)選長度Gl為寬度Wl的2倍以上。
[0130]此外，在接地導(dǎo)體24中，在相鄰開口 30之間不設(shè)有開口。更詳細(xì)而言，由相鄰開口 30夾著的區(qū)域A2內(nèi)，導(dǎo)體層(橋接部60)均勻擴(kuò)展，不存在開口。
[0131]在具有以上結(jié)構(gòu)的聞?lì)l/[目號線路IOa中，在相鄰兩個(gè)橋接部60之間，隨著從一個(gè)橋接部60接近另一個(gè)橋接部60，信號線20的特性阻抗發(fā)生如下變動(dòng):即，按最小值Z2、中間值Z3、最大值Zl的順序增加之后，按最大值Z1、中間值Z3、最小值Z2的順序減小。更詳細(xì)而言，開口 30在區(qū)域Al中具有寬度W1、在區(qū)域A3中具有寬度W2，該寬度W2小于寬度W1。因此，區(qū)域Al中的信號線20與接地導(dǎo)體24之間的距離比區(qū)域A3中的信號線20與接地導(dǎo)體24之間的距離要大。由此，在區(qū)域Al中由信號線20所產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度比區(qū)域A3中由信號線20所產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度要大，區(qū)域Al中的電感分量增大。即，在區(qū)域Al中，L(電感)性處于支配低位。
[0132]而且，在區(qū)域A2中設(shè)有橋接部60。因此，區(qū)域A3中的信號線20與接地導(dǎo)體24之間的距離比區(qū)域A2中的信號線20與接地導(dǎo)體24之間的距離要大。由此，由區(qū)域A2中的信號線20所產(chǎn)生的靜電電容比由區(qū)域A3中的信號線20所產(chǎn)生的靜電電容要大，此外，區(qū)域A2中的磁場強(qiáng)度比區(qū)域A3中的磁場強(qiáng)度要小。即，在區(qū)域A2中，C(電容)性處于支配低位。
[0133]如上所述，信號線20的特性阻抗在區(qū)域Al中成為最大值Zl。S卩，開口 30在信號線20的特性阻抗成為最大值Zl的位置處具有寬度W1。此外，信號線20的特性阻抗在區(qū)域A3中成為中間值Z3。S卩，開口 30在信號線20的特性阻抗成為中間值Z3的位置處具有寬度W2。此外，信號線20的特性阻抗在區(qū)域A2中成為最小值Z2。
[0134]由此，高頻信號線路10具有圖13所示電路結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)而言，在區(qū)域Al中，在信號線20與接地導(dǎo)體24之間幾乎不產(chǎn)生靜電電容，因此，主要由信號線20的電感LI來產(chǎn)生特性阻抗Z1。此外，在區(qū)域A2中，在信號線20與接地導(dǎo)體24之間產(chǎn)生較大靜電電容C3，因此，主要由靜電電容C3來產(chǎn)生特性阻抗Z2。此外，在區(qū)域A3中，在信號線20與接地導(dǎo)體24之間產(chǎn)生比靜電電容C3要小的靜電電容C2，因此，由信號線20的電感L2及靜電電容C2來產(chǎn)生特性阻抗Z3。此外，特性阻抗Z3例如為55 Ω。特性阻抗Zl比特性阻抗Z3要高，例如為70 Ω。特性阻抗Z2比特性阻抗Z3要低，例如為30 Ω。此外，高頻信號線路10整體特性阻抗為50 Ω。[0135]根據(jù)高頻信號線路10a，在相鄰兩個(gè)橋接部60之間，隨著從一個(gè)橋接部60接近另一個(gè)橋接部60，信號線20的特性阻抗發(fā)生如下變動(dòng):即，按最小值Z2、中間值Z3、最大值Zl的順序增加之后，按最大值Z1、中間值Z3、最小值Z2的順序減小。由此，能實(shí)現(xiàn)高頻信號線路IOa的薄型化，且無論是否薄型化，信號線20的電極寬度都被加寬，因此，能在信號線20及接地導(dǎo)體22、24中擴(kuò)大有高頻電流流過的電極部分的表面積，能減小高頻信號的傳輸損失。此外，如圖12所示，一個(gè)周期(區(qū)域Al、兩個(gè)區(qū)域A2及區(qū)域A3)的長度AL短至I~5_左右，因此，到更高頻域?yàn)橹鼓芤种撇恍枰妮椛鋸亩芨纳苽鬏敁p失。此外，通過將區(qū)域A3設(shè)置在區(qū)域Al的兩端，從而使得流過信號線20的電流所產(chǎn)生的較強(qiáng)磁場不直接傳遞到區(qū)域A2，因此，區(qū)域A2的接地電位穩(wěn)定，能確保接地導(dǎo)體24的屏蔽效果。由此能抑制不需要的輻射的產(chǎn)生。其結(jié)果是，在高頻信號線路IOa中，即使減小了信號線20與接地導(dǎo)體22、24之間的距離，也能加寬信號線20的寬度，從而能力圖保持特性阻抗不變而減小傳輸損失，以實(shí)現(xiàn)不需要的輻射較小的高頻信號線路IOa的薄型化。由此，能容易彎曲高頻信號線路10a，從而能將高頻信號線路IOa彎曲來使用。
[0136]此外，根據(jù)高頻信號線路10a，隨著接地導(dǎo)體24的接地電位得以穩(wěn)定，能降低傳輸損失而進(jìn)一步提高屏蔽特性。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路IOa中，區(qū)域Al中的開口 30的寬度Wl比區(qū)域A3中的開口 30的寬度W2要寬。由此，在高頻信號線路IOa中，位于區(qū)域Al內(nèi)的信號線20的磁場能量比位于區(qū)域A3內(nèi)的信號線20的磁場能量要高。此外，位于區(qū)域A2內(nèi)的信號線20的磁場能量比位于區(qū)域A3內(nèi)的信號線20的磁場能量要低。由此，信號線20的特性阻抗按Z2、Z3、Zl、Z3、Z2……的順序重復(fù)變動(dòng)。由此，在信號線20中，x軸方向上的相鄰部分中的磁場能量的變動(dòng)平緩。其結(jié)果是，單位結(jié)構(gòu)(區(qū)域Al~A3)邊界處的磁場能量減小，接地導(dǎo)體的接地電位的變動(dòng)得以抑制，且能抑制不需要的輻射的產(chǎn)生以及高頻信號的傳輸損失。換言之，在區(qū)域A3中，能抑制在橋接部60中產(chǎn)生不需要的電感分量，其結(jié)果是，能使橋接部60與信號線20之間的互感分量減小，還能使接地電位穩(wěn)定。因此，形狀較薄，無論接地導(dǎo)體是否具有較大開口 30，都能降低不需要的輻射，并能減小高頻信號的傳輸損失。
[0137]此外，通過在橋接部60的延伸方向上配置通孔導(dǎo)體BI，從而能抑制在橋接部60中產(chǎn)生不需要的電感分量。尤其，通過使開口 30的X軸方向的長度Gl (即橋接部60之間的長度)比區(qū)域Al中的開口部的寬度Wl要長，從而既能盡量增大開口 30的面積來實(shí)現(xiàn)規(guī)定特性阻抗的同時(shí)，又能抑制不需要的輻射產(chǎn)生。
[0138]此外，開口 30是具有在信號線20延伸的方向(X軸方向)上周期性配置的結(jié)構(gòu)的單位結(jié)構(gòu)。由此，能根據(jù)開口 30的X軸方向的長度來決定開口 30內(nèi)的信號線20的特性阻抗的頻率特性。即，開口 30的長度Gl越短，信號線20的特性阻抗的頻率特性越能擴(kuò)大至更高的頻域。開口 30的長度Gl越長，越能使區(qū)域Al的寬度Wl變窄從而使開口 30變細(xì)。因此，能減小不需要的輻射而減小傳輸損失，因此，能將高頻信號線路IOa的阻抗特性進(jìn)行寬頻帶化，能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定。
[0139]此外，還由于以下理由 ，能容易彎曲高頻信號線路IOa來使用。在高頻信號線路10中，在區(qū)域Al中開口 30的y軸方向?qū)挾茸畲?，因此最容易彎曲。另一方面，在區(qū)域A2中不設(shè)有開口 30，因此最難以彎曲。因此，彎曲高頻信號線路IOa來使用的情況下，區(qū)域Al被彎曲，而區(qū)域A2則幾乎不彎曲。因此，在高頻信號線路IOa中，在區(qū)域A2中設(shè)有比電介質(zhì)片材18要不易變形的通孔導(dǎo)體B1、B2。由此，能使區(qū)域Al變得容易彎曲。
[0140]另外，在高頻信號線路IOa中，通過調(diào)整信號線20與接地導(dǎo)體22之間的距離Tl的大小及信號線20與接地導(dǎo)體24之間的距離T2的大小，從而能獲得規(guī)定特性阻抗。
[0141]此外，在高頻信號線路IOa中，由于下面所說明的理由，信號線20延伸的方向上的開口 30的長度Gl比寬度Wl要長。更詳細(xì)而言，高頻信號線路10中的高頻信號的傳輸模式是TEM模式。在TEM模式中，電場及磁場形成為與高頻信號線路的傳輸方向(X軸方向)正交。即，按以信號線20為中心畫圓的方式來產(chǎn)生磁場，按從信號線20朝接地導(dǎo)體22、24呈放射狀的方式來產(chǎn)生電場。此處，若接地導(dǎo)體22上設(shè)有開口 30，則由于磁場形成圓形，因此，磁場在開口 30處以半徑略微增大的方式膨脹，不會(huì)有大量磁場向高頻信號線路IOa的外部泄漏。另一方面，一部分電場向高頻信號線路IOa外部輻射。因而，高頻信號線路IOa的不需要的輻射中，電場輻射占據(jù)較大比例。
[0142]此處，電場與高頻信號線路的傳輸方向(X軸方向)正交，因此，若開口 30的y軸方向?qū)挾萕l增大，則從開口 30輻射出的電場量增多(不需要的輻射增加)。另一方面，寬度Wl越大，越能使高頻傳輸線路IOa的特性阻抗變高，但高頻傳輸線路IOa中，在正交于高頻信號的傳輸方向(X軸方向)的方向上離開信號線20其線寬大致3倍距離處幾乎沒有電場，從而即使繼續(xù)增大線寬W1，也無法進(jìn)一步提高特性阻抗。因而，若考慮不需要的輻射會(huì)隨著寬度Wl增大而增加，則不推薦將寬度Wl擴(kuò)大為需要以上。而且，若寬度Wl達(dá)到高頻信號波長的1/2附近，則作為縫隙天線(slot antena)將輻射出電磁波，進(jìn)一步地，不需要的輻射增加。
[0143]另一方面,對于開口 30的X軸方向的長度Gl,該長度越長,越能減小信號線20與接地導(dǎo)體22之間的相對面積，從而能擴(kuò)大信號線20的線寬。由此，具有能減小信號線20的高頻電阻值的優(yōu)點(diǎn)。
[0144]此外，在長度Gl比寬度Wl要大的情況下，接地導(dǎo)體22中的反向電流(渦電流)的高頻電阻值較小。
[0145]如上所述，優(yōu)選為長度Gl大于寬度W1，更優(yōu)選為長度Gl為寬度Wl的2倍以上。但是，若開口 30的X軸方向的長度Gl接近高頻信號波長的1/2，則作為縫隙天線，會(huì)從開口30輻射出電磁波，因此,應(yīng)考慮長度Gl相對于波長必須足夠短。
[0146](實(shí)施方式I的變形例2所涉及的高頻信號線路)
[0147]下面，參照附圖，對變形例2所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖14是變形例2所涉及的高頻信號線路IOb的層疊體12的分解圖。
[0148]聞?lì)l/[目號線路IOb與聞?lì)l/[目號線路IOa之間的不同之處在于開口 30的形狀。更詳細(xì)而言，高頻信號線路IOa的開口 30的y軸方向?qū)挾热鐖D11所示那樣呈階梯狀、不連續(xù)地變化。與此相反，高頻信號線路IOb的開口 30的y軸方向?qū)挾冗B續(xù)發(fā)生變化。更詳細(xì)而言，開口 30的y軸方向?qū)挾仍赬軸方向上隨著遠(yuǎn)離開口 30的中央而連續(xù)減小。由此，信號線20的磁場能量及特性阻抗連續(xù)發(fā)生變化。
[0149]另外，在高頻信號線路IOb中，如圖14所示，以直線A為中心設(shè)置區(qū)域Al，且區(qū)域Al是包含開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的部分的區(qū)域。因而，信號線20的特性阻抗在區(qū)域Al內(nèi)成為最大值Z1。此外，將區(qū)域A2設(shè)置在開口 30之間，區(qū)域A2是設(shè)有橋接部60的區(qū)域。因而，信號線20的特性阻抗在區(qū)域A2內(nèi)成為最小值Z2。此外，區(qū)域A3被夾在區(qū)域Al與區(qū)域A2之間，且區(qū)域A3是包含開口 30的y軸方向?qū)挾瘸蔀閷挾萕2的部分的區(qū)域。因而，信號線20的特性阻抗在區(qū)域A3內(nèi)成為中間值Z3。
[0150]此處，區(qū)域Al包含開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的部分即可，區(qū)域A3包含開口 30的y軸方向?qū)挾葹閃2的部分即可。由此，在本實(shí)施方式中，區(qū)域Al與區(qū)域A3之間的邊界并不特別明確地劃定。因此，作為區(qū)域Al和區(qū)域A3之間的邊界，例如可舉出開口 30的y軸方向?qū)挾葹?Wl+W2)/2的位置。
[0151]在具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOb中，與高頻信號線路10同樣地，也能彎曲來使用，能降低不需要的輻射，進(jìn)而，能抑制信號線20內(nèi)的傳輸損失。
[0152](實(shí)施方式I的變形例3所涉及的高頻信號線路)
[0153]下面，參照附圖，對變形例3所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖15是變形例3所涉及的高頻信號線路IOc的層疊體12的分解圖。
[0154]高頻信號線路IOc與高頻信號線路IOa之間的不同之處在于是否有接地導(dǎo)體40、42。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路IOc中，在電介質(zhì)片材18b的表面上設(shè)有接地導(dǎo)體40、42。接地導(dǎo)體40是在比信號線20要靠近y軸方向正方向一側(cè)沿X軸方向延伸的長方形導(dǎo)體。接地導(dǎo)體40經(jīng)由通孔導(dǎo)體B1、B2連接至接地導(dǎo)體22、24。此外，接地導(dǎo)體42是在比信號線20要靠近y軸方向負(fù)方向一側(cè)沿X軸方向延伸的長方形導(dǎo)體。接地導(dǎo)體42經(jīng)由通孔導(dǎo)體B1、B2連接至接地導(dǎo)體22、24。
[0155]在上述高頻信號線路IOc中，在信號線20的j軸方向兩側(cè)上也設(shè)有接地導(dǎo)體42、42，因此，能抑制不需要的輻射從信號線20泄漏到y(tǒng)軸方向兩側(cè)。
[0156](實(shí)施方式I的變形例4所涉及的高頻信號線路)
[0157]下面，參照附圖，對變形例4所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖16是變形例4所涉及的高頻信號線路IOd的層疊體12的分解圖。
[0158]高頻信號線路IOd與高頻信號線路IOa之間的不同之處在于開口 30的形狀及開口 44a、44b的形狀不相同。更詳細(xì)而言，開口 44a、44b是將開口 30分割成y軸方向正方向側(cè)和負(fù)方向側(cè)的兩個(gè)開口后所形成的形狀。在高頻信號線路IOd中，在開口 44a、44b之間設(shè)有沿X軸方向延伸的線狀導(dǎo)體46。線狀導(dǎo)體46構(gòu)成接地導(dǎo)體24的一部分，從z軸方向俯視時(shí)，與信號線20重疊。
[0159]在上述高頻信號線路1Od中，沿著信號線20排列設(shè)置有多個(gè)開口 44a，并且，沿著信號線20排列設(shè)置有多個(gè)開口 44b。由此，區(qū)域Al中的信號線20的特性阻抗成為最大值Zl0此外，區(qū)域A3中的信號線20的特性阻抗成為中間值Z3。此外，區(qū)域A2中的信號線20的特性阻抗成為最小值Z2。
[0160]另外，在高頻信號線路IOd中，如圖16所示，線狀導(dǎo)體46的線寬比信號線20的線寬要細(xì)。因此，從z軸方向俯視時(shí)，信號線20從線狀導(dǎo)體46露出。然而，線狀導(dǎo)體46的線寬也可以比信號線20更寬。從而，也可使信號線20不從線狀導(dǎo)體46露出。S卩，開口 44a、44b不一定要與信號線20重疊。同樣，開口 30也可不與信號線20重疊。在高頻信號線路IOd中，流過線狀導(dǎo)體46及接地導(dǎo)體22、24的高頻電流的方向與流過信號線20的高頻電流的方向相反，因此，即使信號線20從線狀導(dǎo)體46露出，對不需要的輻射的抑制效果也比高頻信號線路10要大。
[0161](實(shí)施方式I的變形例5所涉及的高頻信號線路)[0162]下面，參照附圖，對變形例6所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖17是變形例5所涉及的聞?lì)l/[目號線路IOe的層置體12的分解圖。圖18是從z軸方向透視圖17的聞?lì)l信號線路IOe的圖。
[0163]高頻信號線路IOe與高頻信號線路IOa之間的第一個(gè)不同之處在于橋接部60中的信號線20的線寬比信號線20的特性阻抗成為最大值Zl的位置處的信號線20的線寬要細(xì)。高頻信號線路IOe與高頻信號線路IOa之間的第二個(gè)不同之處在于，在信號線20的特性阻抗成為中間值Z3的位置(即，開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕2的位置)與信號線20的特性阻抗成為最大值Zl的位置(S卩，開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的位置)之間，開口 30呈錐形。高頻信號線路IOe與高頻信號線路IOa之間的第三個(gè)不同之處在于，在信號線20的特性阻抗成為中間值Z3的位置(S卩，開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕2的位置)與橋接部60之間，開口 30呈錐形。
[0164]首先，關(guān)于高頻信號線路IOe中的區(qū)域Al?A3的定義，參照圖18來進(jìn)行說明。區(qū)域Al是在開口 30處y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的區(qū)域。區(qū)域A2是對應(yīng)于橋接部60的區(qū)域。區(qū)域A3被夾在區(qū)域Al和區(qū)域A2之間，且區(qū)域A3是包含在開口 30處y軸方向?qū)挾瘸蔀閷挾萕2的區(qū)域的區(qū)域。
[0165]對第一個(gè)不同之處進(jìn)行說明。如圖17及圖18所示，信號線20的區(qū)域A2中的線寬為線寬Wb。另一方面，信號線20的區(qū)域Al中的信號線20的線寬為比線寬Wb要粗的線寬Wa。線寬Wa為例如100?500 μ m。在本實(shí)施方式中，線寬Wa為350 μ m。線寬Wb為例如25?250 μ m。在本實(shí)施方式中，線寬Wb為100 μ m。由此，使得區(qū)域A2中的信號線20的線寬比區(qū)域Al中的信號線20的線寬要細(xì)，從而減小信號線20與橋接部60相重疊的面積。其結(jié)果是，在信號線20與橋接部60之間所產(chǎn)生的浮動(dòng)電容降低。而且，與開口 30重疊的部分的信號線20的線寬為線寬Wa，因此，能抑制該部分的信號線20的電感值增加。而且，并非信號線20的整體線寬都細(xì)，而是信號線20的線寬在局部較細(xì)，因此，能抑制信號線20的電阻值增加。
[0166]此外，在線寬發(fā)生變化的部分，信號線20呈錐形。由此，信號線20的線寬發(fā)生變化的部分中的電阻值變動(dòng)減緩，能抑制在信號線20的線寬發(fā)生變化的部分中產(chǎn)生高頻信號的反射。
[0167]對第二個(gè)不同之處進(jìn)行說明。在開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕2的位置與開口30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕l的位置之間，開口 30呈錐形。S卩，區(qū)域A3的x軸方向的端部呈錐形。由此，能降低流過接地導(dǎo)體24的電流損失。
[0168]對第三個(gè)不 同之處進(jìn)行說明。在開口 30的y軸方向?qū)挾葹閷挾萕2的位置與橋接部60之間，開口 30呈錐形。由此，橋接部60的y軸方向兩端呈錐形。由此，在與信號線20重疊的部分中，橋接部60的X軸方向的線寬比其它部分要細(xì)。其結(jié)果是，在橋接部60與信號線20之間所產(chǎn)生的浮動(dòng)電容降低。此外，并非橋接部60的整體線寬都較細(xì)，而是橋接部60的線寬在局部較細(xì)，因此，能抑制橋接部60的電阻值及電感值的增加。
[0169](實(shí)施方式I的變形例6所涉及的高頻信號線路)
[0170]下面，參照附圖，對變形例6所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖19是變形例6所涉及的聞?lì)l/[目號線路IOf的層置體12的分解圖。圖20是從z軸方向透視圖19的聞?lì)l信號線路IOf的圖。[0171]高頻信號線路IOf與高頻信號線路IOa之間的不同之處在于設(shè)有浮動(dòng)導(dǎo)體50。更詳細(xì)而言，高頻信號線路IOf還包括電介質(zhì)片材18d及浮動(dòng)導(dǎo)體50。將電介質(zhì)片材18d層疊在電介質(zhì)片材18c的z軸方向負(fù)方向側(cè)。
[0172]如圖19及圖20所示，浮動(dòng)導(dǎo)體50是呈長方形的導(dǎo)體層，且設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的表面上。由此，將浮動(dòng)導(dǎo)體50相對于接地導(dǎo)體24設(shè)置在信號線20的相反側(cè)。
[0173]此外，從z軸方向俯視時(shí)，浮動(dòng)導(dǎo)體50與信號線20、及接地導(dǎo)體24相對。浮動(dòng)導(dǎo)體50的y軸方向的寬度W3比區(qū)域Al中的開口 30的寬度Wl要細(xì)，且比區(qū)域A3中的開口30的寬度W2要粗。由此，橋接部60被浮動(dòng)導(dǎo)體50所覆蓋。
[0174]此外，浮動(dòng)導(dǎo)體50不與信號線20、接地導(dǎo)體24等導(dǎo)體層進(jìn)行電連接，成為浮動(dòng)電位。浮動(dòng)電位是信號線20與接地導(dǎo)體24之間的電位。
[0175]而且，在高頻信號線路IOf中，浮動(dòng)導(dǎo)體50與信號線20相對，從而即使在信號線20與浮動(dòng)導(dǎo)體50之間產(chǎn)生浮動(dòng)電容，也不易使信號線20的特性阻抗發(fā)生變動(dòng)。更詳細(xì)而言，由于浮動(dòng)導(dǎo)體50不與信號線20、接地導(dǎo)體22、24進(jìn)行電連接，因此，成為浮動(dòng)電位。因此，信號線20與浮動(dòng)導(dǎo)體50之間的浮動(dòng)電容、及浮動(dòng)導(dǎo)體50與接地導(dǎo)體24之間的浮動(dòng)電容形成串聯(lián)連接。
[0176]此處，浮動(dòng)導(dǎo)體50的寬度W3比區(qū)域Al中的開口 30的寬度Wl要細(xì)，且比區(qū)域A3中的開口 30的寬度W2要粗。因此，接地導(dǎo)體24與浮動(dòng)導(dǎo)體50相對著的面積較小，接地導(dǎo)體24與浮動(dòng)導(dǎo)體50之間的浮動(dòng)電容也較小。因而，將串聯(lián)連接的、信號線20與浮動(dòng)導(dǎo)體50之間的浮動(dòng)電容、及浮動(dòng)導(dǎo)體50與接地導(dǎo)體24之間的浮動(dòng)電容的合成電容變得較小。因而，通過設(shè)置浮動(dòng)導(dǎo)體50，使得信號線20的特性阻抗中所產(chǎn)生的變動(dòng)也較小。
[0177](第二實(shí)施方式)
[0178]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路及電子設(shè)備進(jìn)行說明。
[0179](高頻信號線路的結(jié)構(gòu))
[0180]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖21是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路IOg的外觀立體圖。圖22是圖21的高頻信號線路IOg的電介質(zhì)單元體12的分解圖。圖23是圖21的高頻信號線路IOg的截面結(jié)構(gòu)圖。圖24是高頻信號線路IOg的截面結(jié)構(gòu)圖。在圖21至圖24中，將高頻信號線路IOg的層疊方向定義為Z軸方向。此外，將高頻信號線路IOg的長邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及z軸方向的方向定義為I軸方向。
[0181]例如在移動(dòng)電話等電子設(shè)備內(nèi)，聞?lì)l/[目號線路IOg用于將兩個(gè)聞?lì)l電路相連接。如圖21至圖23所示，高頻信號線路IOg包括電介質(zhì)單元體12、外部端子16 (16a、16b)、信號線20、接地導(dǎo)體22、24、粘接層70、覆蓋片材72、通孔導(dǎo)體bl、b2、B1、B2及連接器100a、IOOb0
[0182]如圖21所示，從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)單元體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)單元體12是將圖22所示保護(hù)層14及電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18c)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。此外，電介質(zhì)單元體12具有撓性，且具有兩個(gè)主面。下面，將電介質(zhì)單元體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面(第一主面)，將電介質(zhì)單元體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面(第二主面)。
[0183]線路部12a沿X軸方向延伸。連接部12b、12c分別連接至線路部12a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾缺染€路部12a的y軸方向?qū)挾纫獙挕?br> [0184]從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)片材18沿X軸方向延伸，所述電介質(zhì)片材18是形狀與電介質(zhì)單元體12相同的絕緣體層。電介質(zhì)片材18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有撓性的熱可塑性樹脂來構(gòu)成。如圖24所示，電介質(zhì)片材18a的厚度Tl比電介質(zhì)片材18b的厚度T2要厚。例如，將電介質(zhì)片材18a?18c進(jìn)行層疊后，厚度Tl為50μπι?300μπι。在本實(shí)施方式中，厚度Tl為150 μ m。此外，厚度T2為10 μ m?100 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度T2為50μηι。下面,將電介質(zhì)片材18的ζ軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面,將電介質(zhì)片材18的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面。
[0185]此夕卜，電介質(zhì)片材18a包括線路部18a — a及連接部18a — b、18a — C。電介質(zhì)片材18b包括線路部18b — a及連接部18b — b、18b — C。電介質(zhì)片材18c包括線路部18c —a及連接部18c — b、18c — C。由線路部18a — a、18b — a、18c — a來構(gòu)成線路部12a。由連接部18a - b、18b - b、18c — b來構(gòu)成連接部12b。由連接部18a — c、18b — c、18c —c來構(gòu)成連接部12c。
[0186]如圖21及圖22所不，夕卜部端子16a是設(shè)置在連接部18a — b的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。如圖21及圖22所示，外部端子16b是設(shè)置在連接部18a — c的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。此夕卜，在外部端子16a、16b的表面上實(shí)施鍍金。
[0187]如圖22所示，信號線20是設(shè)置在電介質(zhì)單元體12內(nèi)的線狀導(dǎo)體，且在電介質(zhì)片材18b的表面上沿X軸方向延伸。從ζ軸方向俯視時(shí)，信號線20的兩端分別與外部端子16a、16b重疊。信號線20的線寬為例如ΙΟΟμπι?500μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20的線寬是240μπι。信號線20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0188]如圖22所示，接地導(dǎo)體22 (第一接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)單元體12內(nèi)比信號線20要靠近第一主面一側(cè)(即，ζ軸方向正方向側(cè))，更詳細(xì)而言，將接地導(dǎo)體22設(shè)置在最靠近電介質(zhì)單元體12的表面的電介質(zhì)片材18a的表面上。接地導(dǎo)體22在電介質(zhì)片材18a的表面上沿X軸方向延伸，且隔著電介質(zhì)片材18a與信號線20相對。接地導(dǎo)體22中，與信號線20相對的部分不設(shè)有開口。換言之，接地導(dǎo)體22是沿線路部12a中的信號線20在x軸方向上連續(xù)延伸的電極、即所謂的實(shí)心電極。但是，接地導(dǎo)體22無需完全覆蓋線路部12a，例如，為了使對電介質(zhì)片材18的熱可塑性樹脂進(jìn)行熱壓接時(shí)所產(chǎn)生的氣體排出，可在接地導(dǎo)體22的規(guī)定位置上設(shè)置微小的孔。接地導(dǎo)體22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0189]此外，接地導(dǎo)體22包括線路部22a、端子部22b、22c。線路部22a設(shè)置在線路部18a - a的表面上，且沿X軸方向延伸。端子部22b設(shè)置在線路部18a — b的表面上，且呈包圍外部端子16a的周圍的矩形環(huán)。連接部22b連接至線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部22c設(shè)置在線路部18a - c的表面上，且呈包圍外部端子16b的周圍的環(huán)狀矩形。端子部22c連接至線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0190]如圖22所示，接地導(dǎo)體24 (第二接地導(dǎo)體)設(shè)置成在電介質(zhì)單元體12內(nèi)比信號線20要靠近第二主面一側(cè)(即，ζ軸方向負(fù)方向側(cè))，更詳細(xì)而言，將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18c的表面上。由此，將接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18b、18c之間。接地導(dǎo)體24在電介質(zhì)片材18c的表面上沿X軸方向延伸，且隔著電介質(zhì)片材18b與信號線20相對。即，接地導(dǎo)體24隔著信號線20與接地導(dǎo)體22相對。接地導(dǎo)體24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0191]此外，接地導(dǎo)體24包括線路部24a、端子部24b、24c。線路部24a設(shè)置在線路部18c - a的表面上，且沿X軸方向延伸。而且，對于線路部24a，沿信號線20交替設(shè)置未形成有導(dǎo)體層的多個(gè)開口 30和形成有導(dǎo)體層的部分即多個(gè)橋接部60，從而線路部24a呈梯子狀。如圖22及圖24所示，從ζ軸方向俯視時(shí)，開口 30呈長方形且與信號線20重疊。由此，從ζ軸方向俯視時(shí)，信號線20與開口 30及橋接部60交替重疊。此外，開口 30等間隔地進(jìn)行排列。
[0192]端子部24b設(shè)置在線路部18c — b的表面上，且不形成矩形環(huán)。端子部24b連接至線路部24a的X軸方 向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部24c設(shè)置在線路部18c — c的表面上，且呈矩形環(huán)。端子部24c連接至線路部24a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0193]如上所述，利用接地導(dǎo)體22、24從ζ軸方向兩側(cè)隔著電介質(zhì)層18a、18b而夾住信號線20。即，信號線20及接地導(dǎo)體22、24形成三板帶狀線結(jié)構(gòu)。此外，如圖24所示，信號線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18a的厚度Tl，例如為50 μ m?300 μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20與接地導(dǎo)體22之間的間隔為150 μ m。另一方面，如圖24所示，信號線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔大致等于電介質(zhì)片材18b的厚度T2，例如為10 μ m?IOOym0在本實(shí)施方式中，信號線20與接地導(dǎo)體24之間的間隔為50 μ m。即，設(shè)計(jì)成厚度Tl大于厚度T2。
[0194]通孔導(dǎo)體bl沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b,將外部端子16a和信號線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連接。通孔導(dǎo)體b2沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — C，將外部端子16b和信號線20的x軸方向的正方向側(cè)端部相連接。由此，信號線20連接在外部端子16a、16b之間。通孔導(dǎo)體bl、b2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0195]通孔導(dǎo)體B1、B2分別沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a、18b的線路部18a — a、18b - a，在線路部18a — a、18b — a上分別設(shè)有多個(gè)通孔導(dǎo)體B1、B2。而且，通孔導(dǎo)體B1、B2彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，并將接地導(dǎo)體22和接地導(dǎo)體24相連接。通孔導(dǎo)體BUB2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0196]保護(hù)層14覆蓋電介質(zhì)片材18a大致整個(gè)表面。由此，保護(hù)層14覆蓋接地導(dǎo)體22。保護(hù)層14由例如抗蝕材料等撓性樹脂所形成。
[0197]此外,如圖22所示,保護(hù)層14包括線路部14a及連接部14b、14c。線路部14a覆蓋線路部18a — a的整個(gè)表面，從而覆蓋線路部22a。
[0198]連接部14b連接至線路部14a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部,且覆蓋連接部18a —b的表面。其中，在連接部14b中設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14b的中央的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。此外，開口 Hb是設(shè)在開口 Ha的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)在開口 Ha的X軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)在開口 Ha的y軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22b經(jīng)由開口 Hb?Hd露出至外部，從而發(fā)揮外部端子的功能。
[0199]連接部14c連接至線路部14a的X軸方向的正方向側(cè)端部，且覆蓋連接部18a —c的表面。其中，在連接部14c中設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在連接部14c的中央的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。此外，開口 Hf是設(shè)在開口 He的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)在開口 He的X軸方向正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)在開口 He的y軸方向負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22c經(jīng)由開口 Hf?Hh露出至外部，從而發(fā)揮外部端子的功能。
[0200]粘接層70是由絕緣性粘接劑構(gòu)成的層，且粘接層70設(shè)置在電介質(zhì)單元體12的第一主面上。更詳細(xì)而言，在電介質(zhì)單元體12的保護(hù)層14的線路部14a上沿X軸方向延伸來設(shè)置粘接層70。覆蓋片材72是以可剝離方式粘貼于粘接層70的撓性片材。上述粘接層70及覆蓋片材72例如由帶覆蓋片材的粘接帶所構(gòu)成。
[0201]連接器100a、1OOb分別安裝在連接部12b、12c的表面上。對于連接器100a、IOOb
的結(jié)構(gòu)已進(jìn)行了說明，因此省略其說明。
[0202]如下面參照 5、圖6及圖25所說明那樣來使用高頻信號線路10g。圖25是電子設(shè)備200的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0203]電子設(shè)備200包括高頻信號線路10g、電路基板202a、202b、插座204a、204b、電池組(物品)206及殼體210。
[0204]在電路基板202a上設(shè)直有例如包含天線的發(fā)送電路或接收電路。電路基板202b上設(shè)置有例如供電電路。電池組206例如為鋰離子充電電池，具有其表面被絕緣體所覆蓋的結(jié)構(gòu)。從X軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)依次排列有電路基板202a、電池組206及電路基板202b。
[0205]插座204a、204b分別設(shè)置在電路基板202a、202b的ζ軸方向負(fù)方向側(cè)的主面上。插座204a、204b上分別連接有連接器100a、100b。由此，經(jīng)由插座204a、204b，向連接器IOOaUOOb的中心導(dǎo)體108施加在電路基板202a、202b之間進(jìn)行傳輸?shù)?、例如具?GHz頻率的高頻信號。此外，經(jīng)由電路基板202a、202b及插座204a、204b，對連接器100a、IOOb的外部導(dǎo)體110維持接地電位。由此，高頻信號線路IOg在電路基板202a、202b之間進(jìn)行物理電連接。
[0206]如圖25所示，高頻信號線路IOg經(jīng)由剝離覆蓋片材72后所露出的粘接層70而固定于電池組206。電介質(zhì)單元體12的表面是相對于信號線20位于接地導(dǎo)體22 —側(cè)的主面。由此，實(shí)心狀(沿X軸方向連續(xù)延伸)的接地導(dǎo)體22位于信號線20與電池組206之間。
[0207]另外，盡管高頻信號線路IOg粘貼于電池組206，但還可將其粘貼于印刷布線基板、電子設(shè)備的殼體等。此外，盡管電池組IOg的表面被絕緣體所覆蓋，但還可被金屬等導(dǎo)電體所覆蓋。
[0208]下面，參照附圖，對高頻信號線路IOg的粘貼于電池組206的形式的一個(gè)示例進(jìn)行說明。圖26是將高頻信號線路IOg粘貼到電池組206時(shí)的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0209]首先，如圖21所示，從粘接層70剝離覆蓋片材72的一部分。然后，將露出的粘接層70粘貼到電池組206。
[0210]接著，如圖26所示，一邊將覆蓋片材72拉伸來將其從粘接層70剝離，一邊將粘接層70粘貼到電池組206。由此，利用粘貼密封條的訣鸞，將高頻信號線路IOg粘貼到電池組206。另外，在圖26中，以省略接地導(dǎo)體22、24及信號線20的一部分結(jié)構(gòu)的方式進(jìn)行圖示。
[0211](效果)
[0212]根據(jù)具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10g，能將物品固定于狹窄的空間內(nèi)。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路IOg中，不需要用于固定高頻信號線路IOg的固定金屬零件及螺釘?shù)攘悴考?。其結(jié)果是，能在電子設(shè)備的狹窄空間內(nèi)固定高頻信號線路10g。而且，由于高頻信號線路IOg的固定不使用螺釘，因此，不必在電池組206上形成孔。
[0213]此外，如圖26所示，在高頻信號線路IOg中，一邊將覆蓋片材72拉伸來將其從粘接層70剝離，一邊將粘接層70粘貼到電池組206。即，利用粘貼密封條的訣竅，將高頻信號線路IOg粘貼到電池組206。由此，在高頻信號線路IOg中，不需要如專利文獻(xiàn)I所記載的同軸電纜的固定結(jié)構(gòu)那樣的螺釘止動(dòng)工序。由此，能容易將高頻信號線路IOg固定于電池組 206。
[0214]此外，在高頻信號線路IOg中，由于不需要固定金屬零件及螺釘?shù)攘悴考?，因此，不?huì)在信號線路20與固定金屬零件及螺釘?shù)戎g產(chǎn)生浮動(dòng)電容。因此，能抑制高頻信號線路IOg的特征阻抗從規(guī)定特性阻抗偏離。
[0215](實(shí)施方式2的變形例I所涉及的高頻信號線路)
[0216]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例I所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖27是變形例I所涉及的高頻信號線路IOh的層疊體12的分解圖。
[0217]也可以如圖27所示的高頻信號線路IOh那樣，在高頻信號線路IOa中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0218](實(shí)施方式2的變形例2所涉及的高頻信號線路)
[0219]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例2所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖28是變形例2所涉及的高頻信號線路IOi的層疊體12的分解圖。
[0220]也可以如圖28所示的高頻信號線路IOi那樣，在高頻信號線路IOb中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0221](實(shí)施方式2的變形例3所涉及的高頻信號線路)
[0222]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例3所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖29是變形例3所涉及的高頻信號線路IOj的層疊體12的分解圖。
[0223]也可以如圖29所示的高頻信號線路IOj那樣，在高頻信號線路IOc中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0224](實(shí)施方式2的變形例4所涉及的高頻信號線路)
[0225]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例4所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖30是變形例4所涉及的高頻信號線路IOk的層疊體12的分解圖。
[0226]也可以如圖30所示的高頻信號線路IOk那樣，在高頻信號線路IOd中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0227](實(shí)施方式2的變形例5所涉及的高頻信號線路)
[0228]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例5所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖31是變形例5所涉及的高頻信號線路101的層疊體12的分解圖。
[0229]也可以如圖31所示的高頻信號線路101那樣，在高頻信號線路IOe中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0230](實(shí)施方式2的變形例6所涉及的高頻信號線路)
[0231]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例6所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖32是變形例6所涉及的高頻信號線路IOm的層疊體12的分解圖。
[0232]也可以如圖32所示的高頻信號線路IOm那樣，在高頻信號線路IOf中設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0233](實(shí)施方式2的變形例7所涉及的高頻信號線路)
[0234]下面，參照附圖，對實(shí)施方式2的變形例7所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖33是變形例7所涉及的高頻信號線路IOn的外觀立體圖。圖34是圖33的高頻信號線路IOn的電介質(zhì)單元體12的分解圖。圖35是圖33的高頻信號線路IOn的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0235]高頻信號線路IOn與高頻信號線路IOg之間的不同之處在于，在其局部不設(shè)有粘接層70而設(shè)有焊盤(pad) 74。更詳細(xì)而言，如圖33及圖34所示，保護(hù)層14的線路部14a及粘接層70的一部分不存在。而且，在不存在保護(hù)層14的線路部14a及粘接層70的部分上，設(shè)有由焊料等所構(gòu)成的焊盤74。焊盤74設(shè)置在接地導(dǎo)體22之上，且與接地導(dǎo)體22相連接。
[0236]如圖35所示，具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號IOn經(jīng)由粘接層70固定于表面被金屬覆層所覆蓋的電池組206。此時(shí)，焊盤74與電池組206的金屬覆層相接觸。由此，接地導(dǎo)體22經(jīng)由焊盤74與電池組206的金屬覆層進(jìn)行電連接。此外，若金屬覆層維持接地電位，則接地導(dǎo)體22除了經(jīng)由連接器100a、IOOb來維持接地電位以外，還經(jīng)由金屬覆層來維持接地電位。即，接地導(dǎo)體22的電位更穩(wěn)定地接近接地電位。
[0237]另外，焊盤74可與電子設(shè)備的金屬殼體、印刷布線基板的連接盤相接觸，以代替與電池組206的金屬覆層相接觸。
[0238](實(shí)施方式2的變形例8所涉及的高頻信號線路)
[0239]下面，參照附圖，對變形例8所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖36是變形例8所涉及的高頻信號線路IOo的外觀立體圖。圖37是圖36的高頻信號線路IOo的電介質(zhì)單元體12的分解圖。圖38是圖36的高頻信號線路IOo的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0240]高頻信號線路IOo與高頻信號線路IOg之間的不同之處在于，粘接層70為導(dǎo)電性粘接劑。更詳細(xì)而言，如圖36及圖37所示，保護(hù)層14的線路部14a的一部分未設(shè)置。由此，將接地導(dǎo)體22設(shè)置在電介質(zhì)單元體12的第一主面上。而且，在未設(shè)有線路部14a的部分上設(shè)有粘接層70及覆蓋片材72。由此，粘接層70設(shè)置在接地導(dǎo)體22之上，且與接地導(dǎo)體22相連接。
[0241]如圖38所示，具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOo經(jīng)由粘接層70固定于表面設(shè)有金屬覆層(導(dǎo)電部)的電池組206。此時(shí)，粘接層70與電池組206的金屬覆層相接觸。由此，接地導(dǎo)體22經(jīng)由粘接層70與電池組206的金屬覆層進(jìn)行電連接。此外，若金屬覆層維持接地電位，則接地導(dǎo)體22除了經(jīng)由連接器IOOaUOOb維持接地電位以外，還經(jīng)由金屬覆層來維持接地電位。即，接地導(dǎo)體22的電位更穩(wěn)定地接近接地電位。
[0242](實(shí)施方式2的變形例9所涉及的高頻信號線路)
[0243]下面，參照附圖，對變形例9所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖39是變形例9所涉及的高頻信號線路IOp的外觀立體圖。圖40是圖39的高頻信號線路IOp的電介質(zhì)單元體12的分解圖。圖41是圖39的高頻信號線路IOp的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0244]如圖39及圖40所示，高頻信號線路IOp與高頻信號線路IOo之間的不同之處在于，粘接層70及覆蓋片材72分離成兩個(gè)。
[0245]如圖41所示，具有以上結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOp經(jīng)由粘接層70固定于具有連接盤(導(dǎo)電部)307的印刷布線基板306。連接盤307通過對Cu等基底電極308實(shí)施鍍層309來構(gòu)成。粘接層70與連接盤307相接觸。由此，接地導(dǎo)體22經(jīng)由粘接層70與連接盤307進(jìn)行電連接。此外，若連接盤307維持接地電位，則接地導(dǎo)體22除了經(jīng)由連接器IOOaUOOb維持接地電位以外，還經(jīng)由連接盤307維持接地電位。即，接地導(dǎo)體22的電位更穩(wěn)定地接近接地電位。
[0246]此外，由于將粘接層70分離成多個(gè)，因此，在粘貼高頻信號線路IOp時(shí)，能抑制高頻信號線路IOp產(chǎn)生褶皺和松弛。另外，優(yōu)選將兩個(gè)粘接層兩者均與連接盤等物品相接觸以便維持接地電位，但也可以僅使任意一個(gè)粘接層維持接地電位，或均不接地也無妨。
[0247](實(shí)施方式2的變形例10所涉及的高頻信號線路)
[0248]下面，參照附圖，對變形例10所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖42是變形例10所涉及的高頻信號線路IOq的層疊體12的分解圖。
[0249]高頻信號線路IOq與高頻信號線路IOo之間的不同之處在于，接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的背面上。具體而言，在電介質(zhì)片材18b的表面上設(shè)有信號線20,在電介質(zhì)片材18b的背面上設(shè)有接地導(dǎo)體24。而且，高頻信號線路IOq上未設(shè)有電介質(zhì)片材18c，而設(shè)有保護(hù)層15。
[0250]在具有以上結(jié)構(gòu)的聞?lì)l/[目號線路IOq中，僅使用兩片電介質(zhì)片材18,因此,容易制作高頻信號線路10q。
[0251](其它實(shí)施方式)
[0252]本發(fā)明所涉及的高頻信號線路不限于上述實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路10、IOa?10q，在其宗旨范圍內(nèi)能進(jìn)行變更。
[0253]另外，在高頻信號線路10、10a?IOq中，多個(gè)開口 30具有相同形狀。但多個(gè)開口30的一部分的形狀也可不同于其它多個(gè)開口 30的形狀。例如，多個(gè)開口 30內(nèi)的規(guī)定開口30以外的開口 30的X軸方向上的長度也可比該規(guī)定開口 30的X軸方向上的長度要長。由此，在設(shè)有規(guī)定開口 30的區(qū)域中，能容易彎曲高頻信號線路10、10a?10q。
[0254]另外，也可將高頻信號線路10、IOa?IOq所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合。
[0255]此外,在高頻信號線路IOa?IOq中,在相鄰兩個(gè)橋接部60之間，隨著從一個(gè)橋接部60接近另一個(gè)橋接部60，信號線20的特性阻抗如下變動(dòng):即，按最小值Z2、中間值Z3、最大值Zl的順序增加之后，按最大值Z1、中間值Z3、最小值Z2的順序減小。但是，在相鄰兩個(gè)橋接部60之間，隨著從一個(gè)橋接部60接近另一個(gè)橋接部60，信號線20的特性阻抗還可如下變動(dòng):即，按最小值Z2、中間值Z3、最大值Zl的順序增加之后，按最大值Z1、中間值Z4、最小值Z2的順序減小。即，中間值Z3也可不同于中間值Z4。例如，開口 30、31、44a、44也可形成相對于直線A非線對稱的形狀。但是，中間值TA需要大于最小值Z2且小于最大值Z1。
[0256]此外，在相鄰兩個(gè)橋接部60之間，最小值Z2的值也可不相同。即，只要高頻信號線路IOa?IOq作為整體滿足規(guī)定特性阻抗，則所有最小值Z2的值不必都相同。但是，一個(gè)橋接部60 —側(cè)的最小值Z2需要低于中間值Z3，另一個(gè)橋接部60 —側(cè)的最小值Z2需要低于中間值Z4。
[0257]此外，也可進(jìn)一步在電介質(zhì)單元體12的第二主面上設(shè)置粘接層70及覆蓋片材72。
[0258]工業(yè)上的實(shí)用性
[0259]如上所述，本發(fā)明對于高頻信號線路及電子設(shè)備有用，特別地，在狹窄空間內(nèi)固定物品的方面有優(yōu)勢。
[0260]標(biāo)號說明
[0261]10、10a?IOq高頻信號線路
[0262]12電介質(zhì)單元體
[0263]14、15 保護(hù)層
[0264]16a、16b 外部端子
[0265]18a?18d 電介質(zhì)片材
[0266]20信號線
[0267]22、24、40、42 接地導(dǎo)體
[0268]30 開口
[0269]70粘接層
[0270]72覆蓋片材
[0271]IOOaUOOb 連接器
[0272]102連接器主體
[0273]104、106 外部端子
[0274]108 中心導(dǎo)體
[0275]110外部導(dǎo)體
[0276]200 電子設(shè)備
[0277]202a、202b 電路基板
[0278]204a、204b 插座
[0279]206 電池組
[0280]210 殼體
[0281]212連接導(dǎo)體
[0282]306印刷布線基板
[0283]307連接盤
【權(quán)利要求】
1.一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括物品、金屬物品及高頻信號線路，其特征在于，所述高頻信號線路包括: 單元體，該單元體由絕緣體層構(gòu)成，且具有第一主面及第二主面； 信號線，該信號線設(shè)置在所述單元體上且呈線狀； 第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體是設(shè)置在所述單元體上、且隔著第一間隔與所述信號線相對的接地導(dǎo)體，并且沿所述信號線延伸，從該信號線來看所述第一接地導(dǎo)體設(shè)置在所述第一主面一側(cè)；以及 第二接地導(dǎo)體，該第二接地導(dǎo)體是設(shè)置在所述單元體上、且隔著小于所述第一間隔的第二間隔與所述信號線相對的接地導(dǎo)體，并且沿所述信號線排列設(shè)置有多個(gè)開口，從該信號線來看所述第二接地導(dǎo)體設(shè)置在所述第二主面一側(cè)， 從所述信號線來看，所述第一接地導(dǎo)體側(cè)的所述高頻信號線路的主面與所述金屬物品相接觸， 從所述信號線來看，所述第二接地導(dǎo)體側(cè)的所述高頻信號線路的主面隔著規(guī)定間隔與物品相對， 所述物品是殼體、或者設(shè)置在該殼體內(nèi)的裝載元器件或電子元器件。
2.如權(quán)利要求1 所述的電子設(shè)備，其特征在于， 從所述信號線來看，所述第一接地導(dǎo)體側(cè)的所述高頻信號線路的主面固定于所述金屬物品。
3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述第一接地導(dǎo)體與所述金屬物品進(jìn)行電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述單元體具有撓性。
5.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 通過沿所述信號線交替設(shè)置所述多個(gè)開口和橋接部，從而所述第二接地導(dǎo)體呈梯子狀， 在相鄰兩個(gè)所述橋接部之間隨著從一個(gè)所述橋接部向另一個(gè)所述橋接部靠近，所述信號線的特性阻抗發(fā)生如下變動(dòng):即，按最小值、第一中間值、最大值的順序增加之后，按最大值、第二中間值、最小值的順序減小。
6.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述單元體具有:用于外部連接的連接部；以及線路部，該線路部是所述第一接地導(dǎo)體沿著所述信號線延伸的部分， 所述第一接地導(dǎo)體在所述線路部，經(jīng)由焊料或?qū)щ娦哉辰觿┡c所述金屬物品電連接。
7.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述單元體還具有覆蓋所述第一接地導(dǎo)體的保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 還包括連接器，該連接器安裝在所述單元體上，且具有與所述信號線進(jìn)行電連接的信號端子、以及與所述第一接地導(dǎo)體和所述第二接地導(dǎo)體進(jìn)行電連接的接地端子。
9.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述多個(gè)開口等間隔地進(jìn)行排列。
10.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，還包括:粘接層，該粘接層設(shè)置在所述第一主面上；以及覆蓋層，該覆蓋層以可剝離的方式粘貼于所述粘接層，所述電子設(shè)備經(jīng)由剝離所述覆蓋層后所露出的所述粘接層，而固定于所述金屬物品。
11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述金屬物品設(shè)置有導(dǎo)電部，所述第一接地導(dǎo)體經(jīng)由所述焊料或?qū)щ娦哉辰訉优c所述導(dǎo)電部進(jìn)行電連接。
12.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述金屬物品維持在接地電位。
【文檔編號】H01P3/08GK103906348SQ201410121164
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月3日
【發(fā)明者】加藤登, 多胡茂, 佐佐木純, 栗田淳一, 佐佐木憐 申請人:株式會(huì)社村田制作所