技術(shù)特征：
1.一種天線，包括：基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；在所述基板的所述第一面上形成的導(dǎo)電層；以及在所述導(dǎo)電層上建立的多頻帶天線結(jié)構(gòu)，包括：形成在所述導(dǎo)電層上的第一導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第一導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在第一頻帶間操作；形成在所述導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)包括L形單極天線并延伸至饋電點(diǎn)，其中所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在第二頻帶間操作；和形成在所述導(dǎo)電層上的第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)，其中所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第二導(dǎo)電跡線，其中所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在第三頻帶間操作；其中槽被定義在所述基板的所述第一面上且位于所述第一導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)之間，其中所述槽提供在第四頻帶的共振；和其中間隙被定義在所述基板的所述第一面上且位于所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)的至少一部分與所述第二導(dǎo)電跡線的至少一部分之間，其中所述間隙提供所述第一頻帶與所述第三頻帶間的共振。2.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述基板包括任一印刷電路板(PCB)，玻璃增強(qiáng)環(huán)氧分層片，陶瓷層板，熱固陶瓷負(fù)荷塑料，或液晶電路材料。3.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第一頻帶包括800MHz頻帶。4.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第二頻帶包括2.5GHz至2.7GHz間的頻帶。5.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第三頻帶包括700MHz頻帶。6.如權(quán)利要求1所述的天線，其中設(shè)置的所述間隙為0.5毫米寬。7.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第四頻帶包括1.7GHz至2.2GHz間的頻帶。8.如權(quán)利要求1所述的天線，進(jìn)一步包括：位于所述基板的導(dǎo)電區(qū)域，其中所述導(dǎo)電區(qū)域接近且對(duì)應(yīng)所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)，以及其中所述導(dǎo)電區(qū)域可任意保留，修改，或移動(dòng)以調(diào)諧所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)的性能。9.如權(quán)利要求1所述的天線，進(jìn)一步包括：位于所述基板的所述第一面上的導(dǎo)電區(qū)域，所述導(dǎo)電區(qū)域接近且對(duì)應(yīng)所述第二導(dǎo)電跡線，以及其中所述導(dǎo)電區(qū)域可任意保留，修改，或移動(dòng)以調(diào)諧所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)的性能。10.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括折測(cè)線，所述折測(cè)線包括至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分間的所述間隙，其中設(shè)置的所述間隙被設(shè)置以可任意感應(yīng)調(diào)諧或電容調(diào)諧第一導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)。11.如權(quán)利要求10所述的天線，其中所述至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分的所述間隙寬度為0.5毫米。12.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述第二導(dǎo)電跡線包括折測(cè)線，所述折測(cè)線包括至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分間的所述間隙，其中設(shè)置的所述間隙被設(shè)置以可任意感應(yīng)調(diào)諧或電容調(diào)諧第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)。13.如權(quán)利要求12所述的天線，其中所述至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分的所述間隙寬度為0.5毫米。14.如權(quán)利要求1所述的天線，其中天線被設(shè)置以覆蓋740MHz至960MHz間的所述第一頻帶，和1700MHz至2700MHz間的所述第二頻帶。15.如權(quán)利要求1所述的天線，其中所述天線被設(shè)置以提供1000MHz頻率以下的比例小于3∶1的電壓駐波比(VSWR)，和1000MHz頻率以上比例小于2.5∶1的電壓駐波比(VSWR)。16.一種建立在基板上的多頻帶天線，所述基板具有第一面和與所述第一面相反的第二面；其中所述第一面包括導(dǎo)電層；以及所述多頻帶天線結(jié)構(gòu)包括：形成在所述導(dǎo)電層上的第一導(dǎo)電天線，其中所述第一導(dǎo)電天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第一導(dǎo)電跡線，其中所述第一導(dǎo)電天線被設(shè)置為在800MHz頻帶操作；形成在所述導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)包括L形單極天線并延伸至饋電點(diǎn)，其中所述第二導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在2.5GHz至2.7GHz頻帶間操作，其中槽被定義在所述第一導(dǎo)電天線與所述第二導(dǎo)電天線之間，其中所述槽提供1.7GHz至2.2GHz頻帶間的共振；知形成在所述導(dǎo)電層上的第三導(dǎo)電天線，其中所述第三導(dǎo)電天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第二導(dǎo)電跡線，其中所述第三導(dǎo)電天線被設(shè)置為在700MHz頻帶操作；其中間隙被定義在所述基板的所述第一面上且位于所述第二導(dǎo)電天線的至少一部分與所述第二導(dǎo)電跡線的至少一部分之間，其中所述間隙提供700MHz至800MHz間的附加共振。17.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述基板包括任一印刷電路板(PCB)，玻璃增強(qiáng)環(huán)氧分層片，陶瓷層板，熱固陶瓷負(fù)荷塑料，或液晶電路材料。18.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述第一導(dǎo)電天線，第二導(dǎo)電天線和第三導(dǎo)電天線包括形成在所述基板上的部分單層。19.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述第一導(dǎo)電天線，第二導(dǎo)電天線和第三導(dǎo)電天線包括銅，鋁，銀，金，錫或上述的合金。20.如權(quán)利要求16所述的天線，進(jìn)一步包括：位于所述基板的所述第一面上的導(dǎo)電區(qū)域，其中所述導(dǎo)電區(qū)域接近且對(duì)應(yīng)所述第三導(dǎo)電天線，其中所述導(dǎo)電區(qū)域可任意保留，修改，或移動(dòng)以調(diào)諧所述第三導(dǎo)電天線的性能。21.如權(quán)利要求16所述的天線，進(jìn)一步包括：位于所述基板的所述第一面上的導(dǎo)電區(qū)域，其中所述導(dǎo)電區(qū)域接近并對(duì)應(yīng)所述第二導(dǎo)電天線，其中所述導(dǎo)電區(qū)域可任意保留，修改，或移動(dòng)以調(diào)諧所述第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)的性能。22.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述第一導(dǎo)電跡線包括折測(cè)線，所述折測(cè)線包括至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分間的所述間隙，其中設(shè)置的所述間隙被設(shè)置以可任意感應(yīng)調(diào)諧或電容調(diào)諧第一導(dǎo)電天線。23.如權(quán)利要求22所述的天線，其中所述至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分的所述間隙寬度為0.5毫米。24.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述第二導(dǎo)電跡線包括折測(cè)線，所述折測(cè)線包括至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分間的所述間隙，其中設(shè)置的所述間隙被設(shè)置以可任意感應(yīng)調(diào)諧或電容調(diào)諧第三導(dǎo)電天線結(jié)構(gòu)。25.如權(quán)利要求24所述的天線，其中所述至少一個(gè)設(shè)置在所述折測(cè)線相鄰部分的所述間隙寬度為0.5毫米。26.如權(quán)利要求16所述的天線，其中天線被設(shè)置以覆蓋740MHz至960MHz間，和1700MHz至2700MHz間。27.如權(quán)利要求16所述的天線，其中所述天線被設(shè)置以提供1000MHz以下的比例小于3∶1的電壓駐波比(VSWR)，和1000MHz以上比例小于2.5∶1的電壓駐波比(VSWR)。28.一種設(shè)備，包括：處理器；連接至所述處理器的信號(hào)處理電路；和連接至所述信號(hào)處理電路的天線；其中天線包括：包含第一面和與所述第一面相反的第二面的基板，形成于所述基板的所述第一面上的導(dǎo)電層，和形成在所述導(dǎo)電層上的第一天線，其中所述第一天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第一跡線，其中所述第一天線被設(shè)置為在800MHz頻帶操作；形成在所述基板上的第二天線，其中所述第二天線包括L形單極天線并延伸在饋電點(diǎn)，其中所述第二天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在2.5GHz至2.7GHz頻帶間操作，其中槽被定義在所述第二天線與所述第一天線之間，其中所述槽提供1.7GHz至2.2GHz頻帶間的共振；和形成在所述基板上的第三天線，其中所述第三天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第二導(dǎo)電跡線，其中所述第三天線被設(shè)置為在700MHz頻帶操作；其中間隙被定義在所述基板的所述第一面上且位于至少所述第二天線的部分與至少所述第二導(dǎo)電跡線的部分之間，其中所述間隙提供700MHz至800MHz間的附加共振。29.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備包括任意路由器，手機(jī)，智能手機(jī)，游戲設(shè)備，便攜式計(jì)算機(jī)或任何上述的組合。30.一種制造天線的方法，包括：提供包含第一面和與所述第一面相反的第二面的基板；在所述基板的所述第一面上建立導(dǎo)電層；和在所述導(dǎo)電層上形成的多頻帶天線，其中所述多頻帶天線包括第一天線，第二天線和第三天線，其中所述第一天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第一跡線，其中所述第一天線被設(shè)置為在800MHz頻帶操作，其中所述第二天線包括L形單極天線并延伸至饋電點(diǎn)，其中所述第二天線結(jié)構(gòu)被設(shè)置為在2.5GHz至2.7GHz頻帶間操作，和其中所述第三天線包括單極天線，所述單極天線包含能夠延伸至相應(yīng)接地點(diǎn)的第二跡線，其中所述第三天線被設(shè)置為在700MHz頻帶操作；其中槽被設(shè)置在所述第一面上且位于所述第二天線與所述第一天線之間，其中所述槽提供1.7GHz至2.2GHz頻帶間的共振，和其中間隙被定義在所述第一面上且位于所述第二天線的至少一部分與所述第二跡線的至少一部分之間，其中所述間隙提供在700MHz至800MHz間的附加共振。