散熱連接體及其制造方法、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、半導(dǎo)體制造裝置制造方法
【專利摘要】根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種散熱連接體，搭載于半導(dǎo)體芯片上并且與所述半導(dǎo)體芯片以及引線框一起被模樹脂密封，具有：散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及連接部，從所述散熱部的第1側(cè)面延伸，并且將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框電連接。進(jìn)而，所述散熱部以及所述連接部通過同一金屬板一體地構(gòu)成。
【專利說明】散熱連接體及其制造方法、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、半導(dǎo)體制造裝置
[0001]關(guān)聯(lián)申請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)享受以日本專利申請(qǐng)2013-185635號(hào)(申請(qǐng)日:2013年9月6日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開的實(shí)施方式涉及散熱連接體、散熱連接體的制造方法、半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及半導(dǎo)體制造裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]將發(fā)熱量大的半導(dǎo)體芯片與用于排出來自半導(dǎo)體芯片的熱的散熱用盤一起用模樹脂密封。在半導(dǎo)體芯片上隔著連接器部件層疊散熱用盤，其上表面從模樹脂露出。
[0005]如果為了使半導(dǎo)體裝置小型化而減小半導(dǎo)體芯片，則還需要減小連接器部件以及散熱用盤以對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片。但是，如果連接器部件變小，則難以在其上正確地層疊散熱用盤，所以存在半導(dǎo)體裝置的制造成品率惡化的危險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠改善半導(dǎo)體裝置的制造成品率的散熱連接體、散熱連接體的制造方法、半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及半導(dǎo)體制造裝置。
[0007]實(shí)施方式提供一種散熱連接體，搭載于半導(dǎo)體芯片上、并且與所述半導(dǎo)體芯片以及引線框一起被模樹脂密封，其特征在于，具有:散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及連接部，從所述散熱部的第I側(cè)面延伸，并且對(duì)在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框進(jìn)行電連接。進(jìn)而，所述散熱部以及所述連接部通過同一金屬板一體地構(gòu)成。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的圖。
[0009]圖2是第I實(shí)施方式所涉及的散熱連接體的圖。
[0010]圖3是用于說明第I實(shí)施方式所涉及的散熱連接體的制造方法的圖。
[0011]圖4是第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。
[0012]圖5是第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體制造裝置的示意圖。
[0013]圖6是第I實(shí)施方式的變形例所涉及的散熱連接體的圖。
[0014]圖7是第2實(shí)施方式所涉及的散熱連接體的圖。
[0015]圖8是用于說明第2實(shí)施方式所涉及的散熱連接體的制造方法的圖。
[0016]圖9是第2實(shí)施方式的變形例所涉及的散熱連接體的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。另外，對(duì)在所有附圖中共同的部分，附加共同的符號(hào)，省略重復(fù)的說明。另外，附圖是用于促進(jìn)對(duì)發(fā)明的說明和其理解的示意圖，其形狀、尺寸、比例等也有與實(shí)際的裝置不同的地方，但它們能夠參考以下的說明和公知的技術(shù)而適宜地變更設(shè)計(jì)。在以下的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片的上下方向表示以設(shè)置半導(dǎo)體元件的面為上的情況下的相對(duì)方向，有時(shí)與依照重力加速度的上下方向不同。
[0018](第I實(shí)施方式)
[0019]圖1是第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置10的圖。
[0020]圖1 (a)示出第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置10的剖面，圖1 (b)示出半導(dǎo)體裝置10的上表面。其中，在圖1 (b)中，為了易于理解，省略模樹脂19的圖示。
[0021]半導(dǎo)體裝置10具備引線框11、半導(dǎo)體芯片13、連接器16、散熱連接體18以及模樹脂19。
[0022]模樹脂19密封了引線框11、半導(dǎo)體芯片13、連接器16以及散熱連接體18。散熱連接體18的上表面681從模樹脂19露出。
[0023]引線框11具備島部12、和從島部12隔開的第I端子部111以及第2端子部112。引線框11由導(dǎo)電體構(gòu)成，例如，使用低電阻的金屬來形成。島部12是搭載半導(dǎo)體芯片13的搭載部。第I端子部111以及第2端子部112是與半導(dǎo)體芯片13的第I電極131以及第2電極132電連接的部分。
[0024]半導(dǎo)體芯片13搭載于島部12、并且具備第I電極131以及第2電極132。半導(dǎo)體芯片13的種類可以是任意的，沒有特別限定。
[0025]連接器16設(shè)置于第2電極132和第2端子部112上，與第2電極132和第2端子部112電連接。連接器16也由導(dǎo)電體構(gòu)成，例如，使用低電阻的金屬來形成。
[0026]散熱連接體18設(shè)置于半導(dǎo)體芯片13的第I電極131和第I端子部111上，與第I電極131和第I端子部111電連接。散熱連接體18是使用電氣傳導(dǎo)性以及熱傳導(dǎo)性良好的金屬(例如，銅等)而形成的。因此，該散熱連接體18不僅具有向半導(dǎo)體裝置10的外部排出來自半導(dǎo)體芯片13的熱的功能，而且還一并具有將第I電極131和第I端子部111電連接的功能。
[0027]圖2是第I實(shí)施方式所涉及的散熱連接體18的圖。
[0028]圖2Ca)示出散熱連接體18的剖面，圖2 (b)示出散熱連接體18的上表面。
[0029]散熱連接體18包括排出熱的散熱部181、以及將第I電極131和第I端子部111電連接的連接部182。散熱部181以及連接部182由I個(gè)金屬板構(gòu)成并一體地形成。即，在第I實(shí)施方式中，散熱部181以及連接部182沒有個(gè)別地形成為獨(dú)立的2個(gè)部件，而是一體化地形成為I個(gè)散熱連接體18。
[0030]另外，散熱部181具有塊形狀。在半導(dǎo)體裝置10中，散熱部181的上表面681從模樹脂19露出，從此將半導(dǎo)體芯片13的熱向半導(dǎo)體裝置10的外部排出(參照?qǐng)D1 (a))。
[0031]連接部182是從散熱部181的側(cè)面481延伸的板狀的部分，連接部182的一部分彎曲。在半導(dǎo)體裝置10中，連接部182延伸至第I端子部111，將第I電極131和第I端子部111電連接(參照?qǐng)D1 (a))。
[0032]散熱部181具有位于側(cè)面481的相反側(cè)的側(cè)面482。側(cè)面482具有階差ST，側(cè)面482的下側(cè)(半導(dǎo)體芯片13偵D的區(qū)域相比于側(cè)面482的上側(cè)的區(qū)域向內(nèi)側(cè)凹陷(參照?qǐng)D1
(a))。即，在側(cè)面482的半導(dǎo)體芯片13側(cè)的下端部中設(shè)置了階差ST。另外，關(guān)于散熱部181的除了側(cè)面481以外的其他2個(gè)側(cè)面，也與側(cè)面482同樣地具有階差ST。因此，散熱部181的下表面682 (與半導(dǎo)體芯片13相接的面)窄于散熱部181的上表面681,進(jìn)而，也窄于半導(dǎo)體芯片13。
[0033]這樣，在第I實(shí)施方式中，使散熱部181和連接部182 —體化，而形成了 I個(gè)散熱連接體18。因此，如果能夠以將第I電極131和第I端子部111電連接的方式，將散熱連接體18配置于半導(dǎo)體芯片13以及第I端子部111上，則散熱部181的位置也自然而然地被決定，散熱部181不會(huì)從連接部182偏移。因此，能夠防止散熱部181與其他連接器(例如，連接器16)的短路，能夠改善半導(dǎo)體裝置10的制造成品率。
[0034]在假設(shè)為散熱部181和連接部182是獨(dú)立的2個(gè)部件的情況下，在半導(dǎo)體裝置10的制造過程中，不僅將連接部182配置于半導(dǎo)體芯片13以及第I端子部111上，而且還需要在連接部182上層疊散熱部181。另外，如果連接部182變小，則更難以在連接部182上正確地配置散熱部181。在散熱部181從正確的位置偏移而層疊于連接部182上的情況下，有散熱部181與其他連接器接觸而短路的危險(xiǎn)。因此，考慮以即使在散熱部181的位置偏移了的情況下也能夠避免與其他連接器的接觸的方式，減小散熱部181。但是，如果減小散熱部181，則散熱部181所致的排熱的效率惡化。
[0035]相對(duì)于此，根據(jù)第I實(shí)施方式，因?yàn)槭股岵?81和連接部182 —體化，所以無需使散熱部181與連接部182對(duì)位、并且也無需減小散熱部181。因此，能夠改善半導(dǎo)體裝置10的制造成品率、并且能夠改善散熱部181的排熱的效率。
[0036]另外，第I實(shí)施方式的散熱連接體18在側(cè)面482中具備階差ST。由此，在半導(dǎo)體芯片13上層疊了散熱連接體18時(shí)，通過側(cè)面482的階差ST以及半導(dǎo)體芯片13的表面，在散熱連接體18的下表面682的外緣的一部分中，形成空間(間隙、槽)。散熱連接體18使用焊錫等導(dǎo)電性粘接劑而與半導(dǎo)體芯片13接合，但此時(shí)，多余的導(dǎo)電性粘接材料由于例如毛細(xì)管力等的影響而滯留于該空間中。因此，能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑向半導(dǎo)體芯片13的外側(cè)擴(kuò)展。
[0037]假設(shè)在多余的導(dǎo)電性粘接材料向半導(dǎo)體芯片13的外側(cè)溢出，進(jìn)而擴(kuò)展至引線框11的情況下，有經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑在半導(dǎo)體芯片13與引線框11之間產(chǎn)生短路的危險(xiǎn)。
[0038]但是，在第I實(shí)施方式中，通過在散熱部181的側(cè)面482中設(shè)置階差ST，能夠抑制這樣的不良狀況。另外，關(guān)于設(shè)置于其他側(cè)面中的階差ST，也可以說與側(cè)面482的階差ST相同。
[0039]( I)散熱連接體的制造方法
[0040]圖3是用于說明第I實(shí)施方式所涉及的散熱連接體18的制造方法的圖。
[0041]圖3 (a)至圖3 (C)是散熱連接體18的制造方法的各工序中的剖面圖。
[0042]如圖3 (a)所示，準(zhǔn)備金屬板40。
[0043]接下來，通過使模具抵接到金屬板40，形成圖3 (b)所示那樣的連續(xù)的多個(gè)散熱連接體18。
[0044]進(jìn)而，如圖3 (C)所示，切離多個(gè)散熱連接體18。這樣，能夠得到散熱連接體18。
[0045]另外，也可以通過代替使模具抵接到金屬板40，而在表面挖開了槽的2個(gè)輥之間壓入金屬板40，形成連續(xù)的多個(gè)散熱連接體18。
[0046](2)半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0047]圖4是第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置10的制造方法的流程圖。
[0048]在步驟SI中，使用焊錫等導(dǎo)電性粘接劑，將半導(dǎo)體芯片13搭載到引線框11的島部12中。
[0049]在步驟S2中，使用導(dǎo)電性粘接劑，在半導(dǎo)體芯片13的第I電極131以及引線框11的第I端子部111上，搭載散熱連接體18。如上所述，在第I實(shí)施方式中，使散熱部181和連接部182 —體化，而形成了 I個(gè)散熱連接體18。因此，如果能夠以將第I電極131和第I端子部111電連接的方式將散熱連接體18配置于半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上，則散熱部181不會(huì)從連接部182偏移。進(jìn)而，如上所述，在散熱連接體18的側(cè)面482中設(shè)置了階差ST，所以在半導(dǎo)體芯片13上使用導(dǎo)電性粘接劑層疊了散熱連接體18時(shí)，能夠使多余的導(dǎo)電性粘接材料駐留于由階差ST形成的空間中。
[0050]在步驟S3中，使用導(dǎo)電性粘接劑，在第2電極132以及第2端子部112上，搭載連接器16。
[0051]在步驟S4中，用模樹脂19密封引線框11、半導(dǎo)體芯片13、連接器16以及散熱連接體18。此時(shí)，能夠以使散熱部181的上表面681從模樹脂19露出的方式進(jìn)行密封，從上表面681將來自半導(dǎo)體芯片13的熱排出到半導(dǎo)體裝置10的外部。進(jìn)而，去除多余的模樹脂19。
[0052]在步驟S5中，針對(duì)從模樹脂19露出的島部12、第I以及第2端子部111、112的部分，進(jìn)行金屬鍍覆。
[0053]在步驟S6中，切離通過引線框11連接的多個(gè)半導(dǎo)體裝置10 (單個(gè)片化)。
[0054]由此，半導(dǎo)體裝置10完成。
[0055]根據(jù)第I實(shí)施方式，使散熱部181和連接部182 —體化而構(gòu)成I個(gè)散熱連接體18。因此，在半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上搭載散熱連接體18時(shí)，以連接部182將第I電極131和第I端子部111電連接的方式配置散熱連接體18即可，而無需使散熱部181與連接部182對(duì)位。因此，能夠改善半導(dǎo)體裝置10的制造成品率。
[0056]另外，根據(jù)第I實(shí)施方式，在散熱連接體18的側(cè)面482中設(shè)置了階差ST。因此，在半導(dǎo)體芯片13上層疊散熱連接體18時(shí)，能夠使多余的導(dǎo)電性粘接材料滯留于由階差ST形成的空間中。因此，即使導(dǎo)電性粘接劑的供給量過剩，也能夠抑制不良狀況。
[0057](3)半導(dǎo)體制造裝置
[0058]圖5是第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置80的示意圖。半導(dǎo)體制造裝置80是用于在上述步驟S2中，在半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上搭載散熱連接體18的裝置。
[0059]半導(dǎo)體制造裝置80具備:載置臺(tái)81，保持搭載了半導(dǎo)體芯片13的引線框11 ;以及移送部82，吸附散熱連接體18，向半導(dǎo)體芯片13上移送散熱連接體18。
[0060]移送部82具備吸附散熱連接體18的吸附面821。在吸附面821中，設(shè)置有用于將散熱連接體18引導(dǎo)到吸附面821的規(guī)定位置的多個(gè)導(dǎo)軌84。多個(gè)導(dǎo)軌84將散熱連接體18的散熱部181引導(dǎo)到吸附面821，吸附面821吸附被多個(gè)導(dǎo)軌84引導(dǎo)的散熱部181。這樣，移送部82能夠?qū)⑸徇B接體18保持于吸附面821的規(guī)定位置。
[0061]進(jìn)而，能夠?qū)⑸徇B接體18保持于規(guī)定位置，所以移送部82能夠在載置臺(tái)81上的半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上高精度地搭載散熱連接體18。S卩，移送部82能夠以連接部182將第I電極131和第I端子部111電連接的方式將散熱連接體18配置于半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上。
[0062]這樣，通過使用半導(dǎo)體裝置80，能夠?qū)⑸徇B接體18高精度地搭載于半導(dǎo)體芯片13以及引線框11上，所以能夠?qū)⑸岵?81配置于期望的位置。因此，能夠改善半導(dǎo)體裝直10的制造成品率。
[0063](4)變形例
[0064]圖6是第I實(shí)施方式的變形例所涉及的散熱連接體48的圖。
[0065]圖6 (a)示出作為第I實(shí)施方式的變形例的散熱連接體48的剖面，圖6 (b)示出散熱連接體48的上表面。
[0066]散熱連接體48的連接部882是從散熱部881的側(cè)面781延伸的板狀的部分。但是，與第I實(shí)施方式不同，成為不具有彎曲的部分的、平坦的帶狀的板。變形例的連接部882能夠通過將金屬板從其上表面以及下表面同時(shí)按壓而使金屬板的一部分變薄來形成。
[0067]第I實(shí)施方式的連接部182是通過使金屬板40的一部分彎曲而形成的(參照?qǐng)D2以及圖3)。難以以形成具有小的高低差的階差的方式，使金屬板40高精度地彎曲，所以在第I實(shí)施方式的連接部182中，形成具有大的高低差的階差。因此，相對(duì)散熱連接體18的下表面，連接部182的上表面變高。即，在第I實(shí)施方式中，難以將連接部182的上表面的高度抑制得較低。
[0068]相對(duì)于此，在變形例中，通過不彎曲而變薄來形成了連接部882。因此，相比于第I實(shí)施方式，連接部882的上表面981不會(huì)相對(duì)散熱連接體48的下表面大幅變高。因此，能夠?qū)⑦B接部882的上表面981的高度抑制得較低。如果連接部882的上表面981的高度變低，則連接部882的上表面981的高度的偏差的范圍也變小，能夠高精度地形成具有期望的形狀的連接部882的散熱連接體48。
[0069](第2實(shí)施方式)
[0070]圖7是第2實(shí)施方式所涉及的散熱連接體28的圖。
[0071]圖7 (a)示出第2實(shí)施方式的散熱連接體28的剖面，圖7 (b)示出第2實(shí)施方式的散熱連接體28的上表面。
[0072]第2實(shí)施方式的散熱連接體28與第I實(shí)施方式不同。散熱連接體28由金屬板50和金屬鍍覆層51這2個(gè)不同的構(gòu)成要素構(gòu)成。在第2實(shí)施方式中，金屬鍍覆層51通過金屬鍍覆而形成。根據(jù)金屬鍍覆，能夠容易地變更金屬鍍覆層51的厚度。因此，能夠針對(duì)每個(gè)產(chǎn)品形成具有適合的厚度的金屬鍍覆層51。另外，第2實(shí)施方式的其他結(jié)構(gòu)與第I實(shí)施方式的對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)相同即可。
[0073]另夕卜，金屬板50以及金屬鍍覆層51由同一金屬(例如銅)構(gòu)成。這樣,通過使金屬板50和金屬鍍覆層51成為相同的金屬，提高金屬板50與金屬鍍覆層51之間的接合性。因此，能夠從金屬板50向金屬鍍覆層51高效地傳遞熱。因此，即使是由2個(gè)構(gòu)成要素構(gòu)成的散熱連接體28，也良好地維持散熱連接體28的排熱效率。
[0074]( I)散熱連接體的制造方法
[0075]圖8是用于說明第2實(shí)施方式所涉及的散熱連接體28的制造方法的圖。
[0076]圖8 (a)至圖8 (c)是散熱連接體28的制造方法的各工序中的剖面圖。
[0077]首先，在金屬板50上形成覆蓋成為連接部282的區(qū)域、并且使成為散熱部281的區(qū)域露出的掩模。接下來，使用掩模，在成為金屬板50的散熱部281的區(qū)域上選擇性地進(jìn)行金屬鍍覆，形成金屬鍍覆層51。進(jìn)而，通過去除掩模，能夠得到圖8 (a)所示的構(gòu)造。
[0078]接下來，按壓金屬板50的一部分，形成圖8 (b)所示那樣的連續(xù)的多個(gè)散熱連接體28。
[0079]然后，如圖8 (C)所示，切離多個(gè)散熱連接體28。這樣，能夠得到第2實(shí)施方式的散熱連接體28。
[0080]根據(jù)第2實(shí)施方式，通過金屬鍍覆形成了散熱連接體28的金屬鍍覆層51。由此，能夠針對(duì)每個(gè)產(chǎn)品容易地形成具有適合的厚度的金屬鍍覆層51。進(jìn)而，根據(jù)第2實(shí)施方式，使用相同的金屬形成金屬板50和金屬鍍覆層51。由此,提高金屬板50與金屬鍍覆層51之間的接合性，維持從金屬板50向金屬鍍覆層51的良好的熱傳導(dǎo)。
[0081]另外，根據(jù)第2實(shí)施方式，與第I實(shí)施方式同樣地，使散熱部281和連接部282—體化，而構(gòu)成I個(gè)散熱連接體28。因此，能夠得到與第I實(shí)施方式同樣的效果。
[0082](2)變形例
[0083]圖9是第2實(shí)施方式的變形例所涉及的散熱連接體38的圖。
[0084]圖9 (a)示出作為第2實(shí)施方式的變形例的散熱連接體38的剖面，圖9 (b)示出散熱連接體38的上表面。
[0085]散熱連接體38在相當(dāng)于連接部382的部分中也形成有金屬鍍覆層61，連接部382比第2實(shí)施方式的連接部282更厚地形成。變形例的連接部382相比于第2實(shí)施方式的連接部282其剖面積更寬，導(dǎo)電性良好。因此，根據(jù)變形例，能夠通過連接部382，對(duì)第I電極131和第I端子111低電阻地進(jìn)行電連接。
[0086]另外，在第2實(shí)施方式的制造方法中，通過最初對(duì)金屬板50的表面整體進(jìn)行一次金屬鍍覆，并在其上形成掩模而再次進(jìn)行金屬鍍覆，能夠形成變形例的散熱連接體38。
[0087]雖然說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式僅為例示，而不限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠通過其他各種方式實(shí)施，能夠在不脫離發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式、其變形包含于發(fā)明的范圍、要旨中，并且包含于權(quán)利要求書記載的發(fā)明和其均等范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種散熱連接體，搭載于半導(dǎo)體芯片上、并且與所述半導(dǎo)體芯片以及引線框一起被模樹脂密封，其特征在于包括: 散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及 連接部，從所述散熱部的第I側(cè)面延伸，并且將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框電連接， 所述散熱部以及所述連接部通過同一金屬板一體地構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱連接體，其特征在于: 所述散熱部具有位于與所述第I側(cè)面相反一側(cè)的第2側(cè)面， 在所述第2側(cè)面中，設(shè)置有階差， 成為所述半導(dǎo)體芯片側(cè)的所述第2側(cè)面的下側(cè)的區(qū)域相比于所述第2側(cè)面的上側(cè)的區(qū)域向內(nèi)側(cè)凹陷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱連接體，其特征在于:所述連接部從所述第I側(cè)面包含彎曲的部分而延伸。
4.一種散熱連接體，搭載于半導(dǎo)體芯片上、并且與所述半導(dǎo)體芯片以及引線框一起被模樹脂密封，其特征在于包括: 散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及 連接部，從所述散熱部的第I側(cè)面延伸，并且將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框電連接， 該散熱連接體由帶狀的金屬板、和在所述金屬板上形成的金屬鍍覆層構(gòu)成， 所述金屬板以及所述金屬鍍覆層包含相同的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱連接體，其特征在于:所述散熱部由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱連接體，其特征在于:所述連接部?jī)H由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層中的所述金屬板形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱連接體，其特征在于:所述連接部由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的散熱連接體，其特征在于:所述連接部?jī)?nèi)的所述金屬鍍覆層的厚度薄于所述散熱部?jī)?nèi)的所述金屬鍍覆層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱連接體，其特征在于:所述連接部從所述第I側(cè)面包含彎曲的部分而延伸。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 引線框； 半導(dǎo)體芯片，搭載于所述引線框中； 散熱連接體，搭載于所述半導(dǎo)體芯片上；以及 模樹脂，對(duì)所述引線框、所述半導(dǎo)體芯片、以及所述散熱連接體進(jìn)行密封， 所述半導(dǎo)體裝置的特征在于: 所述散熱連接體具有: 散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及 連接部，從所述散熱部的第I側(cè)面延伸，并且將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框電連接， 所述散熱部以及所述連接部通過同一金屬板一體地構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述散熱部具有位于與所述第I側(cè)面相反一側(cè)的第2側(cè)面， 在所述第2側(cè)面中，設(shè)置有階差， 成為所述半導(dǎo)體芯片側(cè)的所述第2側(cè)面的下側(cè)的區(qū)域相比于所述第2側(cè)面的上側(cè)的區(qū)域向內(nèi)側(cè)凹陷。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接部從所述第I側(cè)面包含彎曲的部分而延伸。
13.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 引線框； 半導(dǎo)體芯片，搭載于所述引線框中； 散熱連接體，搭載于所述半導(dǎo)體芯片上； 模樹脂，對(duì)所述引線框、所述半導(dǎo)體芯片、以及所述散熱連接體進(jìn)行密封， 所述半導(dǎo)體裝置的特征在于: 所述散熱連接體具有: 散熱部，具有塊形狀，并且從所述模樹脂露出其上表面；以及 連接部，從所述散熱部的第I側(cè)面延伸，并且將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述引線框電連接， 該散熱連接體由帶狀的金屬板、和在所述金屬板上形成的金屬鍍覆層構(gòu)成， 所述金屬板以及所述金屬鍍覆層包含相同的金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述散熱部由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接部?jī)H由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層中的所述金屬板形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接部由所述金屬板以及所述金屬鍍覆層形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接部?jī)?nèi)的所述金屬鍍覆層的厚度薄于所述散熱部?jī)?nèi)的所述金屬鍍覆層的厚度。
18.一種散熱連接體的制造方法，該散熱連接體搭載于半導(dǎo)體芯片上、并且與所述半導(dǎo)體芯片以及引線框一起被模樹脂密封，該制造方法的特征在于包括: 通過針對(duì)I個(gè)金屬板進(jìn)行按壓以及切斷， 形成具有具備塊形狀的散熱部、和從所述散熱部的第I側(cè)面延伸的連接部，并且所述散熱部以及所述連接部一體地構(gòu)成的散熱連接體。
19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括: 在引線框的島部中搭載半導(dǎo)體芯片， 在所述半導(dǎo)體芯片的表面上以及所述引線框的端子部上搭載散熱連接體，將在所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的電極和所述端子部經(jīng)由所述散熱連接體的連接部電連接， 以使所述散熱連接體的散熱部的上表面從模樹脂露出的方式，用所述模樹脂對(duì)所述引線框、所述半導(dǎo)體芯片以及所述散熱連接體進(jìn)行密封。
20.一種半導(dǎo)體制造裝置，用于在半導(dǎo)體芯片中搭載散熱連接體，其特征在于包括: 載置臺(tái)，保持搭載了所述半導(dǎo)體芯片的引線框；以及 移送部，吸附所述散熱連接體，向所述半導(dǎo)體芯片上移送所述散熱連接體， 在所述移送部的吸附表面中，設(shè)置有用于將所述散熱連接體引導(dǎo)到所述吸附表面的期望的位置的導(dǎo)軌。
【文檔編號(hào)】H01L23/367GK104425405SQ201410069639
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】田村幸治, 佐藤信幸, 新谷修央, 小澤慎也, 松岡長(zhǎng), 奧村秀樹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝