有機電致發(fā)光裝置和制造方法以及有機電致光源裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光裝置和該有機電致發(fā)光裝置的制造方法、以及有機電致光源裝置，其目的在于，在有機電致發(fā)光裝置制造過程中對有機電致元件進行密封時，避免用玻璃板作為密封有機電致元件的密封層。對此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置具備有機電致基板（1）和密封層（21），有機電致基板（1）上設有頂部發(fā)光型有機電致元件（13），密封層（21）覆蓋有機電致元件（13），并與有機電致基板（1）結(jié)合在一起，該密封層（21）用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法，或者同時利用該兩種方法形成。
【專利說明】有機電致發(fā)光裝置和制造方法以及有機電致光源裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光裝置和該有機電致發(fā)光裝置的制造方法以及有機電致光源裝置。
【背景技術】
[0002]有機電致元件具有耗能低、亮度大的優(yōu)點，并且為自我發(fā)光元件。關于有機電致元件的應用，目前廣泛受到關注的是將具備有機電致元件的發(fā)光裝置用以作為薄型電視機等設備的顯示裝置，除此之外還有將有機電致發(fā)光裝置用于作為照明或打印用發(fā)光頭。
[0003]頂部發(fā)光型有機電致元件是指有機電致元件發(fā)出的光向基板反面一側(cè)照射的元件。具備頂部發(fā)光型有機電致元件的有機電致發(fā)光裝置使用允許光透過的玻璃基板來密封有機電致元件(例如參見專利文獻I至4 (JP特開2008 - 181828號公報、JP特開2005 —178363號公報、JP特開2004 — 342515號公報、JP特開2007 — 287660號公報)。該玻璃板同時兼?zhèn)淠退疂B透性以及耐氧氣滲透性。
[0004]但是，玻璃基板價格昂貴，不僅如此，玻璃基板的加工精度也不夠理想，需要較大的粘接部位，因而還存在不適于精加工的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，在有機電致發(fā)光裝置制造過程中對有機電致元件進行密封時，避免用玻璃板作為密封有機電致元件的密封層。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，具備以下各步驟:密封層形成步驟，利用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法或同時利用該兩種方法，在密封層基材上形成密封層；密封層結(jié)合步驟，將所述密封層結(jié)合到搭載有機電子元件的有機電致基板上，該密封層覆蓋該有機電致元件；密封層基材去除步驟，去除所述密封層基材并保留所述密封層。
[0007]本發(fā)明涉及的有機電致發(fā)光元件制造方法的效果在于，不需要用玻璃蓋作為密封有機電致元件的密封層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是有機電致發(fā)光裝置的一實施例的截面圖。
[0009]圖2是用于說明該實施例的有機電致基板上有機電致元件形成區(qū)域的截面圖。
[0010]圖3是有機電致發(fā)光裝置制造方法的一實施例的截面圖。
[0011]圖4是有機電致發(fā)光裝置另一實施例的截面圖。
[0012]圖5是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0013]圖6是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。
[0014]圖7是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0015]圖8是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。[0016]圖9是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0017]圖10是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。
[0018]圖11是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0019]圖12是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。
[0020]圖13是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0021]圖14是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0022]圖15是有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。
[0023]圖16是有機電致光源裝置的實施例的俯視圖。
[0024]圖17是采用該實施例的有機電致光源裝置的曝光裝置的斜視圖。
[0025]圖18是一例用于說明有機電致發(fā)光裝置精度的示意圖。
【具體實施方式】
[0026]本發(fā)明 的有機電致發(fā)光裝置的制造方法具有如下實施方式，即用硅形成密封層基材，并在該密封層基材的去除處理中，用蝕刻技術去除該密封層基材。這樣，與使用其他材料作為封閉層基材相比，封閉層的去除處理相對容易。對于接觸密封層基材的密封層表面，優(yōu)選使用其蝕刻性能有別于硅材料蝕刻性能的選擇性蝕刻材料來形成。關于蝕刻技術，既可用干法蝕刻技術，也可以采用濕法蝕刻技術。
[0027]本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法具有如下實施方式，即在密封層基材上形成設有凹部的密封層，該凹部位置對應有機電致元件在有機電致基板上的形成位置，將密封層結(jié)合到有機電致基板上與有機電致元件形成位置不同的位置上，有機電致基板與密封層之間形成由所述凹部構成的空隙。據(jù)此，能夠減小有機電致基板與密封層的結(jié)合部面積。但是，密封層中也可以不設與有機電致元件形成位置對應的凹部，而使用例如平坦材料。此外，有機電致基板和密封層之間也可以沒有空隙。
[0028]可以用直接結(jié)合的方式結(jié)合有機電致基板和密封層。在這種情況下，有機電致基板和密封層之間不存在以粘結(jié)劑等形成的粘結(jié)層，因而也就不存在經(jīng)由粘結(jié)層的水分滲透，此外還能夠減小減小結(jié)合面積。當然，允許利用間接結(jié)合方式，以粘結(jié)劑等形成的粘結(jié)
層來結(jié)合。
[0029]可以在有機電致基板與密封層結(jié)合之前設置干燥部件，用以吸收該密封層凹部內(nèi)的水分。據(jù)此，能夠在有機電致基板與密封層之間的空隙中設置干燥部鍵，防止水分造成的有機電致元件性能下降，提高有機電致發(fā)光裝置的耐濕性能。
[0030]本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法具有如下實施方式，即密封層具有氮化硅(SiN) /氧化硅(Si2)雙層結(jié)構。由于密封層具備優(yōu)異的耐水滲透性的氮化硅膜，因而提高了有機電致發(fā)光裝置的耐濕性。
[0031]本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法具有如下實施方式，即密封層具有氧化硅(S12)薄膜/氮化硅(SiN)薄膜/氧化硅(S12)薄膜的三層結(jié)構。不僅通過設置耐水滲透性能優(yōu)異的氮化硅薄膜以提高有機電致發(fā)光裝置的耐濕性，而且用氧化硅薄膜形成有機電致基板中與密封層的結(jié)合面，使得有機電致基板和密封層雙方均以氧化硅來構成結(jié)合部。由此能夠提高以直接結(jié)合方式結(jié)合的有機電致基板與密封層之間的結(jié)合強度，降低有機電致基板與密封層結(jié)合處理的成本，有利于有機電致發(fā)光裝置的廉價提供。[0032]本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法具有如下實施方式，即用設有多個所述有機電致基板的區(qū)域的有機電致基板基材、以及與該有機電致基板基材大小相同的所述密封層基材，對各個所述有機電致發(fā)光裝置的區(qū)域同時實施密封層結(jié)合處理以及基材去除處理。通過對各個有機電致基板的區(qū)域同時實行密封層的形成，有利于提高有機電致發(fā)光裝置的制造效率。
[0033]在對多個有機電致基板的區(qū)域同時實施密封層的結(jié)合處理后，利用干法蝕刻技術，對所述密封層基材以及所述有機電致基板基材實施蝕刻處理，并在密封層基材去除處理實施之后，繼續(xù)實施單片化處理，將設有多個所述有機電致基板的區(qū)域分割成單個區(qū)域的單片。據(jù)此，能夠提供以高精度、高效率制造的有機電致發(fā)光裝置。
[0034]本發(fā)明涉及的有機電致發(fā)光裝置具備有機電致基板和密封層，該有機電致基板上設有有機電致元件，該密封層覆蓋有機電致元件，并被結(jié)合到有機電致基板上，其中，用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法，或者同時利用該兩種方法形成所述密封層。這樣，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置便不再需要用玻璃基板作為密封層，密封有機電致元件。
[0035]本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置在有機電致基板和密封層之間形成空隙，并且在所述有機電致基板上，所述密封層的結(jié)合部位置與所述有機電致元件的形成位置不同。據(jù)此，能夠減小有機電致基板與密封層之間的結(jié)合部的結(jié)合面積。
[0036]進而，在所述空隙內(nèi)設置用于吸收水分的干燥部件，防止水分引起的有機電致元件性能下降，提高有機電致發(fā)光裝置的耐濕性。
[0037]本發(fā)明的有機電致光源裝置具有如下實施方式，即采用直接結(jié)合方式結(jié)合有機電致基板和密封層。在這種情況下，由于有機電致基板和密封層之間不存在粘結(jié)劑等形成的結(jié)合層，因而不僅能夠避免水分通過結(jié)合層滲入，而且能夠減小結(jié)合面積。但是，有機電致基板與密封層之間也可以采用間接結(jié)合的方式，如用粘結(jié)劑等形成的粘結(jié)層。
[0038]本發(fā)明的有機電致光源裝置具有如下實施方式，即密封層為氮化硅(SiN)薄膜/氧化硅薄膜的雙層結(jié)構。據(jù)此密封層具備耐水滲透特性優(yōu)異的氮化硅薄膜，提高了有機電致發(fā)光裝置的耐濕性。
[0039]本發(fā)明的有機電致光源裝置具有如下實施方式，即密封層具有氧化硅(S12)薄膜/氮化硅(SiN)薄膜/氧化硅(S12)薄膜的三層結(jié)構。據(jù)此，通過用氧化硅薄膜形成有機電致基板中與密封層的結(jié)合面，使得有機電致基板和密封層雙方均以氧化硅來構成結(jié)合部，能夠提高以直接結(jié)合方式結(jié)合的有機電致基板與密封層之間的結(jié)合強度，降低有機電致基板與密封層結(jié)合處理的成本，有利于有機電致發(fā)光裝置的廉價提供。
[0040]本發(fā)明涉及的有機電致光源裝置是用多個本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置排列設置的光源裝置。但是本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置并不僅適用于有機電致光源裝置。本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置能夠提供不需要用玻璃基板作為密封層、而且成本低加工精度高且制造效率高的有機電致發(fā)光裝置，為此，采用多個本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的本發(fā)明有機電致光源裝置也具有工精度高且制造效率高的優(yōu)點。
[0041]以下參考【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實施例。
[0042]圖1是有機電致發(fā)光裝置的一實施例的截面圖。圖2是該實施例的有機電致基板上有機電致元件形成區(qū)域的截面圖。
[0043]有機電致基板I用例如半導體基板形成有機電致基板基材3,該有機電致基板基材3上形成半導體元件5。半導體元件5為例如晶體管。該半導體元件5構成有機電致元件的驅(qū)動電路。有機電致基板基材4上還形成絕緣膜7，該絕緣膜7覆蓋半導體元件5。
[0044]絕緣膜7上形成電極導線9。電極導線9通過絕緣膜7中的連接孔與半導體元件5電連接。絕緣膜7上形成絕緣膜11，覆蓋電極導線9。
[0045]絕緣膜11上形成有機電致元件13。有機電致元件13構成為例如從絕緣膜11起，依次層疊陽極13a、空穴輸送層13b、發(fā)光層13c、電子輸送層13d、陰極13e。該有機電致元件13為頂部發(fā)光型，光從有機電致元件13的與有機電致基板基材3 (絕緣膜11)相反一側(cè)射出。
[0046]以下說明一例有機電致元件13的制造工程。
[0047]首先在絕緣膜11上形成陽極13a的圖案。陽極13a的材料例如用ITO/AgPdCu的雙層結(jié)構。例如用感光聚酰亞胺薄膜形成用于劃定空穴輸送層13b、發(fā)光層13c、電子輸送層13d的形成位置的絕緣層15。
[0048]例如采用蒸鍍方法，用同一個掩模依次形成空穴輸送層13b、發(fā)光層13c、電子輸送層13d。而后更換掩模,例如用蒸鍍形成陰極13e。陰極13e的材料例如有MgAg合金。
[0049]關于本發(fā)明的有機電致元件，例如既可采用向有機電致基板基材的相反一側(cè)發(fā)射光的頂部發(fā)光型，也可米用向有機電致基板基材一側(cè)發(fā)射光的底部發(fā)光型。關于有機電致元件的結(jié)構，本發(fā)明只要是設于陰極與陽極之間的發(fā)光層發(fā)光的結(jié)構便可，沒有其他限制。
[0050]返回圖1和圖2繼續(xù)描述有機電致基板I。
[0051]絕緣膜11中設有連接孔，該連接孔用于有機電致元件13的陽極13a與電極導線之間的電連接。陽極13通過電極導線9與半導體元件5電連接。
[0052]絕緣膜11上形成金屬導線，其中一部分構成電極墊17。絕緣膜11上還形成保護膜19，該保護膜19覆蓋金屬導線、有機電致元件13、以及絕緣層15。保護膜19具有光透射性，例如為利用低溫掩模CVD法(化學氣相沉積法)形成的氮化硅薄膜，或者用掩模蒸鍍法形成的有機密封層材料。
[0053]有機電致基板I具有上述部件。
[0054]如果保護膜19質(zhì)量良好，其本身應該能夠滿足耐水滲透性和耐氧滲透性。但是在有機電致元件13上制膜時存在有機電致元件特有的無法提升溫度的問題。為此僅靠保護膜19無法滿足要求達到的耐水滲透和耐氧滲透的性能。
[0055]對此，在有機電致發(fā)光裝置中，設置粘接在有機電致基板I上的密封層21，該密封層21覆蓋有機電致元件13。利用CVD法或濺射法形成氧化硅薄膜，用該氧化硅薄膜形成密封層21。而后，借助于粘結(jié)劑將密封層21粘接到有機電致基板I上。有機電致基板I與密封層21之間具有空隙24。
[0056]在本實施例的有機電致發(fā)光裝置中，用CVD法或濺射法形成的硅氧化膜作為密封層21，因而不需要用玻璃基板作為密封層來密封有機電致元件。與用玻璃基板作為密封層相比，本實施例提供的有機電致發(fā)光裝置成本低廉但加工精度高且具有良好的制造性能。
[0057]圖3是用于說明有機電致發(fā)光裝置制造方法的實施例的截面圖。本實施例是一例用于制造圖3所示有機電致發(fā)光裝置的制造方法的實施例。以下參考圖3說明該制造方法的實施例。圖3中括號內(nèi)數(shù)字與以下描述的各項工序的數(shù)字編號對應。
[0058](I)在密封層基材25上形成密封層21。密封層基材25為例如硅基板。用CVD法或濺射法形成密封層21。密封層基材25耐高溫，因而能夠形成高質(zhì)量(高密度)硅氧化膜構成的密封層21。
[0059]利用照相制版技術或蝕刻技術保留密封層21上的必要部分。利用照相制版技術或蝕刻技術對密封層21進行圖形化處理，能夠形成高精度密封層21圖案。
[0060](2)在密封層21上涂敷粘結(jié)劑23，粘結(jié)劑23的涂敷部分對應有機電致基板I上的有機電致元件13周圍的部分。以密封層21面對有機電致基板13的狀態(tài)將密封層基材25放置到有機電致基板I上。
[0061](3)粘接有機電致基板I和密封層21。用粘結(jié)劑23將密封層21粘接到有機電致基板I的保護膜19上。
[0062](4)去除密封層基材25，同時保留密封層21。關于密封層基板25的去除，例如材質(zhì)為硅時適于用利用氟系氣體的干法蝕刻處理。在干法蝕刻處理中硅氧化膜形成的密封層21不會受到侵蝕，因而被保留下來。
[0063]遮擋光的密封層基材25被去除后，有機電致元件13上僅剩下以光透射性保護膜19和光透射性氧化硅薄膜構成的密封層21。據(jù)此，頂部發(fā)光型的有機電致元件13發(fā)光的光可以射到密封層21外部。
[0064]如上所述，用高質(zhì)量的氧化硅薄膜形成的密封層21來保護有機電致元件13，可獲得不使用玻璃基板作為密封層、卻具有高度可靠性的有機電致發(fā)光裝置。
[0065]圖4是另一例有機電致發(fā)光裝置的截面圖。圖4中與圖1功能相同的部分使用與圖1同樣的標記。
[0066]本實施例中的有機電致基板I和密封層21之間的粘接為面接觸。在有機電致元件13的上方，有機電致基板I與密封層21之間存在粘結(jié)劑23。本實施例中的有機電致基板I與密封層21之間沒有間隙，因而與圖1所示的實施例相比，本實施例的機械強度較高。
[0067]關于本實施例的制造方法，例如只要將在圖3所示的工序(2)中用粘結(jié)劑23涂敷的區(qū)域改為如圖5所示的區(qū)域，便可用上述圖3所示的工序(I)至(4)制造本實施例的有機電致發(fā)光裝置。
[0068]圖6是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。圖6中與圖1功能相同的部分使用與圖1同樣的標記。
[0069]本實施例在結(jié)合有機電致基板I和密封層21時不使用粘結(jié)劑。密封層21被形成為凸形，有機電致基板I和密封層21之間存在空隙。
[0070]有機電致基板I和密封層21之間的結(jié)合部位置與有機電致元件13的形成位置不同。密封層21與有機電致基板I的保護膜19結(jié)合。利用直接結(jié)合的方式，如常溫結(jié)合將密封層21直接與保護膜19結(jié)合。
[0071]關于直接結(jié)合，例如在高真空中，將離子束入射需要結(jié)合的基板表面，形成懸空鍵(dangling bond)，活化基板表面。而后將經(jīng)過活化的基板表面相對設置，便可使得基板結(jié)合到一起。該基板雙方之間的結(jié)合達到了原子間程度的結(jié)合，不需要使用粘結(jié)劑，也不需要加熱便能夠使得基板牢固地結(jié)合在一起。由于不需要施加擴散結(jié)合那樣的高溫加熱，這種結(jié)合被稱為常溫結(jié)合。而且不需要加熱，因而結(jié)合處理可以在集成電路制作工序結(jié)束后進行。適用于直接結(jié)合方式的基板雙方既可以時相同材料形成的基板，也可以是不同材料形成的基板。[0072]本實施例中，有機電致基板I和密封層21之間的結(jié)合不使用粘結(jié)劑，而是利用直接結(jié)合直接將兩者結(jié)合到一起。因而與圖1所示的實施例相比，本實施例能夠防止水份通過粘結(jié)劑滲入有機電致元件13。
[0073]圖7是用于說明有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。本實施例是一例用于制造圖6所示有機電致發(fā)光裝置的制造方法的實施例。以下參考圖7說明該制造方法的實施例。圖7中括號內(nèi)數(shù)字與以下描述的各項工序的數(shù)字編號對應。
[0074](I)例如，利用照相制版技術以及蝕刻技術，在以硅形成的密封層基材25上形成凹部，該凹部的位置與有機電致基板I上的有機電致元件13形成位置相對應。關于形成凹部的蝕刻方法，例如可以采用干法蝕刻技術或使用KOH的濕法蝕刻技術。但是蝕刻技術并不受此限制。
[0075]利用CVD法或濺射法在密封層基材25上形成密封層21。因密封層基材25的凹部，密封層21中也形成凹部，該凹部位置對應有機電致基板I上的有機電致元件13形成位置。
[0076]利用照相制版技術以及蝕刻技術，僅保留密封層21的必要部分。利用照相制版技術以及蝕刻技術對密封層21進行圖形化處理，密封層21上能夠形成高精度圖案。
[0077](2)以密封層21面對有機電致基板13的狀態(tài)將密封層基材25放置到有機電致基板I上。
[0078](3)結(jié)合有機電致基板I和密封層21。將密封層21結(jié)合到保護膜19上，密封層21與保護膜19之間的結(jié)合位置與有機電致基板I上的有機電致元件13形成位置不同。由于密封測21的凹部，有機電致基板I與密封層21之間形成空隙27。
[0079]有機電致基板I的有機電致基板基材3以及形成密封層21的密封層基材25均為硅基板，因而密封層21表面以及保護膜19表面平坦，為此能夠采用常溫結(jié)合技術直接將有機電致基板I和密封層21結(jié)合到一起。
[0080](4)去除密封層基材25，保留密封層21。關于密封層基板25的去除，例如材質(zhì)為硅時適于用利用氟系氣體的干法蝕刻處理。在干法蝕刻處理中氧化硅薄膜形成的密封層21不會受到侵蝕，因而密封層21被保留下來。
[0081]如上所述，用高質(zhì)量的氧化硅薄膜形成的密封層21來保護有機電致元件13，能夠獲得不使用玻璃基板作為密封層、卻具有高度可靠性的有機電致發(fā)光裝置。
[0082]進而，不使用例如以有機材料作為原料的粘結(jié)劑，而是直接結(jié)合有機電致基板I與密封層21，能夠抑制從結(jié)合部側(cè)面滲入的水分，進而，減小有機電致基板I與密封層21的結(jié)合部面積，有利于有機電致發(fā)光裝置的小型化。
[0083]圖8是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。圖8與圖1和圖6中功能相同的部分使用同樣的標記。
[0084]與圖6所示的有機電致發(fā)光裝置相比，本實施例未形成保護膜19，用粘結(jié)劑將密封層21結(jié)合到絕緣膜11上。本實施例中還設有空隙27，其中具備用于吸取水分的干燥劑29。干燥劑29被設置在密封層21上。例如用氧化鈣或氯化銅作為干燥劑29。
[0085]本實施例在空隙27中放置干燥劑29，即便有微量水分滲入，也能夠保持有機電致元件13的質(zhì)量，因而，本實施例提供高質(zhì)量的有機電致發(fā)光裝置。
[0086]本實施方式用粘結(jié)劑23將有機電致基板I與密封層23結(jié)合起來，但是本發(fā)明并不受此限制。也可以將有機電致基板I和有機電致基板I直接結(jié)合。另外，有機電致基板I也可以如圖1所示的有機電致發(fā)光裝置和圖6所示的有機電致發(fā)光裝置一樣設有保護膜19。
[0087]本實施例在空隙27中設置干燥劑29，這一結(jié)構同樣可用于除本實施例以外的上述其他實施例。在圖1所示的實施例中可以將干燥劑設置于空隙24之中。關于在空隙中設置干燥劑，可以在密封層基材25上形成密封層21之后，將密封層21結(jié)合到有機電致基板I上之前，將干燥劑設置到密封層21上。
[0088]圖9是用于說明有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。本實施例是一例用于制造圖8所示有機電致發(fā)光裝置的制造方法的實施例。以下參考圖9說明該制造方法的實施例。圖9中括號內(nèi)數(shù)字與以下描述的各項工序的數(shù)字編號對應。
[0089](I)與圖7所示的工序(I)相同，在密封層基材25上形成密封層21。該密封層21中與有機電致基板I上的有機電致元件13形成位置對應的位置上形成凹部。例如，利用噴墨技術在密封層21的凹部內(nèi)形成干燥劑29。但干燥劑29的形成方法不受此限制，除了利用噴射技術以外，也可以采用其他方法。
[0090](2)在密封層21上涂敷粘結(jié)劑23，粘結(jié)劑23涂敷部分對應有機電致基板I上有機電致元件13周圍的部分。在有機電致基板I上，以密封層21面對有機電致基板13的狀態(tài)設置密封層基材25。
[0091](3)結(jié)合有機電致基板I和密封層21。將密封層21粘接到有機電致基板I上與有機電致元件13形成位置不同位置的保護膜19上。這樣，干燥劑29便被放置到有機電致基板I與密封層21之間的空隙27之中。
[0092](4)去除密封層基材25，保留密封層21。關于密封層基板25的去除，例如材質(zhì)為硅時適于用利用氟系氣體的干法蝕刻處理。在干法時刻處理中氧化硅薄膜形成的密封層21不會受到侵蝕，因而被保留下來。
[0093]圖10是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。圖10中與圖1和圖6中功能相同的部分使用同樣的標記。
[0094]與圖6所示的有機電致發(fā)光裝置相比，本實施例的不同之處在于，密封層21具備分別以氧化硅膜(S12) 21a和氮化硅膜(SiN) 21b構成的雙層結(jié)構。氧化硅膜21a和氮化硅膜21b均可用CVD法或濺射法制膜。
[0095]在有機電致基板I和密封層21之間的結(jié)合部中，保護膜19與氮化硅膜21b直接結(jié)合。在此，優(yōu)選用低溫CVD或低溫濺射形成的氮化硅膜作為保護膜19的最上層。在常溫結(jié)合中，相同材料之間的結(jié)合強度大于不同材料之間的結(jié)合強度。
[0096]密封層21即氧化硅膜(Si02)21a和氮化硅膜(SiN)21b的層積也可以相反的層積，此時，將氧化硅膜21a與保護膜19結(jié)合到一起。
[0097]雖然在半導體技術中氧化硅膜21a質(zhì)量優(yōu)異，但是如果從水滲透觀點出發(fā)，氮化硅21b防止水滲透性能更及優(yōu)越。因此，本實施例能夠防止水滲透引起的有機電致元件劣化，進一步提高有機電致發(fā)光裝置質(zhì)量。
[0098]關于本實施例的制造方法，例如可參考圖7，只要在圖7所示的工序(I)中，在形成氧化硅膜21a后，對密封層21施加圖形化處理之前，增加氮化硅膜21b的形成工序便可(參見圖11)。據(jù)此便可按照圖7所示的工序(I)?(4)來制造本實施例。[0099]圖12是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。圖12中與圖1、圖6以及圖10中功能相同的部分使用同樣的標記。
[0100]與圖10所示的有機電致發(fā)光裝置相比，本實施例的不同之處在于，密封層21進一步具備另一層氧化硅膜(S12) 21c。因此，密封層21為氧化硅膜21a /氮化硅膜21b /氧化娃膜21c的三層結(jié)構。氧化娃膜21a、氮化娃膜21b、氧化娃膜21c均可用CVD法或派射法制膜。
[0101]在有機電致基板I和密封層21之間的結(jié)合部中，保護膜19與氧化硅膜21c直接結(jié)合。在此，優(yōu)選用低溫CVD或低溫濺射形成的氧化硅膜作為保護膜19的最上層。在常溫結(jié)合中，相同氧化娃膜之間的結(jié)合強度大于不同材料之間的結(jié)合強度。而氧化娃膜之間的常溫結(jié)合的結(jié)合強度大，因而能夠獲得高質(zhì)量的有機電致發(fā)光裝置。
[0102]關于本實施例的制造方法，例如可參考圖7，只需在圖7所示的工序(I)中增加氮化硅膜21b以及氧化硅膜21c的形成工序便可(參見圖13)。氮化硅膜21b以及氧化硅膜21c的形成工序是在形成氧化硅膜21a后，對密封層21施加圖形化處理之前實施。據(jù)此便可參考圖7所示的工序(I)?(4)來制造本實施例。
[0103]圖14是用于說明有機電致發(fā)光裝置制造方法的另一實施例的截面圖。本實施例在具有多個有機電致發(fā)光裝置的區(qū)域上一次性實行密封層的結(jié)合以及密封層基材的去除。
[0104]本實施例為制造例如圖6所示的有機電致發(fā)光裝置的一例制造方法。但是在具有多個有機電致發(fā)光裝置的區(qū)域上一次性實行密封層的結(jié)合以及密封層基材的去除的本實施例的制造方法并不僅適用于圖6所示的有機電致發(fā)光裝置，同樣也適用于其他實施例的有機電致發(fā)光裝置以及本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造。
[0105]以下參考圖14描述上述制造方法的實施例。圖14中括號內(nèi)數(shù)字與以下描述的各項工序的數(shù)字編號對應。
[0106](I)在一塊有機電致基板基材3上形成具有多個有機電致基板I的區(qū)域。例如用8英寸硅晶片作為有機電致基板基材3。并且使用對硅進行蝕刻處理時能夠選擇性保留的材料、如氧化硅膜或氮化硅膜、氧化硅膜以及氮化硅膜的層積膜等形成保護膜19。
[0107](2)在密封層基材25形成多個密封層21。密封層基材25與有機電致基板基材3大小相同，例如為8英寸大小的娃晶片。密封層基材25上設有對應于各個有機電致基板I的密封層21，各個密封層21在密封層基材25上的位置與有機電致基板基材3上對應的有機電致基板I的區(qū)域相對應。
[0108]將具有多個密封層21的密封層基材25放置到有機電致基板I上，此時密封層21面對保護膜19。密封層基材25與有機電致基板基材3大小相同，因而便于密封層基材25與有機電致基板基材3之間的位置配合。
[0109](3)對多個有機電致基板I的區(qū)域進行一次性密封層21的結(jié)合。例如利用常溫結(jié)合，將密封層21與具有多個有機電致基板I的區(qū)域的保護膜19 一次性結(jié)合。與多個有機電致基板I的區(qū)域各自結(jié)合密封層21的情況相比，在具有多個有機電致基板I的區(qū)域上一次性地進行密封層21的結(jié)合，能夠縮短多個有機電致基板I的區(qū)域上的密封層21的結(jié)合時間。
[0110](4)去除密封層基材25，保留密封層21。在此狀態(tài)下，用普通的切割裝置或激光切割裝置來切割以硅晶片形成的有機電致基板基材3。[0111]利用切割技術，形成單片有機電致基板基材3，獲得經(jīng)過單片切割的有機電致基板I并具有密封層21的有機電致發(fā)光裝置。這樣，在具有多個有機電致基板I的區(qū)域上一次性形成密封層21，提高了有機電致發(fā)光裝置的生產(chǎn)效率。
[0112]圖15是有機電致發(fā)光裝置的另一實施例的截面圖。該實施例中對多個有機電致發(fā)光裝置的區(qū)域同時實行密封層的結(jié)合和密封層基材的去除。例如為一例圖6所示有機電致發(fā)光裝置的制造方法。
[0113](I)實行與圖14所示的工序(I)至(3)相同的工序，對具有多個有機電致基板I的區(qū)域和密封層21進行一次性結(jié)合。而后，將輔助基板31貼在有機電致基板基材3的背面(與形成有機電致元件13相反一側(cè)的表面)上。只要能夠在一般的切割處理時使用的材料便可作為輔助基板31，例如樹脂薄膜。
[0114](2)用干法蝕刻技術對以硅形成的密封層基材25以及有機電致基板基材3實施蝕刻處理。蝕刻處理例如使用ICP蝕刻裝置。圖14 (2)顯示密封層基材25被去除后的狀態(tài)。
[0115](3)去除密封層基材25后繼續(xù)進行蝕刻處理，對有機基板基材3進行蝕刻處理。用ICP蝕刻裝置有機電致基板3中對未被絕緣膜11覆蓋的部分蝕刻，該蝕刻基本上沿著垂直方向進行。
[0116]圍繞有機電致基板I的區(qū)域的周圍的有機電致基板基材3被去除后,有機電致基板I成為單獨的單片。據(jù)此獲得具有經(jīng)過單片化處理的有機電致基板I和密封層21的有機電致發(fā)光裝置。
[0117]利用干法蝕刻技術進行有機電致基板基材3單片化處理能夠達到絕緣膜11的加工精度，即達到利用光刻設備的照相制版技術的加工精度。因而，就單片化處理之后的有機電致基板I的精度而言，與使用切割裝置等制作有機電致基板單片相比，利用干法蝕刻技術來制作有機電致基板I單片更適宜于精密加工，能夠提供高精度有機電致發(fā)光裝置。
[0118]進而，在利用干法蝕刻技術進行的密封層基材25去除處理和多個有機電致基板I的單片化處理之間是否連續(xù)進行的問題上，連續(xù)處理所需的處理時間要比不連續(xù)處理所需的處理時間短，因而能夠提高有機電致發(fā)光裝置的生產(chǎn)效率。
[0119]圖16是有機電致光源裝置的實施例的俯視圖。圖17是采用該實施例的有機電致光源裝置的曝光裝置的斜視圖。
[0120]有機電致光源裝置33具備光源基板35以及光源基板33上搭載的多個有機電致發(fā)光裝置37。光源基板35上設有連接器39，用于向有機電致發(fā)光裝置37輸入外部電信號或連接電源。
[0121]有機電致發(fā)光裝置37采用本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置。有機電致發(fā)光裝置37的端子通過例如焊線與光源基板35的端子電連接。有機電致發(fā)光裝置37具有多個有機電致元件排列構成的發(fā)光部37a以及用于控制發(fā)光部37a驅(qū)動的驅(qū)動電路37b。
[0122]曝光裝置中的有機電致發(fā)光裝置37上設有玻璃隔離板41。玻璃隔離板41上設置自聚焦透鏡陣列(具體為SELFOC透鏡陣列，SELFOC為注冊商標)43。設于有機電致發(fā)光裝置37的發(fā)光部37a上的各有機電致元件發(fā)光，光通過玻璃隔離板41和自聚焦透鏡陣列43成像，得到成像點45。專利文獻5 (JP特開2000-158704號公報)和專利文獻6 (JP特開2006-130713號公報)公開了這類曝光裝置。[0123]如圖17所示，在使用等倍光學系統(tǒng)的情況下，發(fā)光部37a的長度總和需要與形成圖像的寬度大小一致。例如，用于在A3型號(297mm)上形成圖像的有機電致光源裝置33的發(fā)光部37a，其所有大小的總和需要與A3型號大小一致。雖然制作A3型號大小的有機電致發(fā)光裝置37具有一定難度，但是如圖16所示，用排列多個有機電致發(fā)光裝置37的方法制作的產(chǎn)品成本相對低廉。
[0124]但是，在利用排列多個有機電致發(fā)光裝置37的制造方法時存在相鄰有機電致發(fā)光裝置37之間連接部分的精度問題。如果該連接部份精度低，則會發(fā)生打印文字中出現(xiàn)間隙、或者段落之間出現(xiàn)偏離等問題。
[0125]圖18是一例用于說明有機電致發(fā)光裝置精度的示意圖。
[0126]例如，有機電致發(fā)光裝置37被用于作為分辨率為1200dpi的曝光裝置。在這種情況下，有機電致發(fā)光裝置37端部(切割線)與發(fā)光部37a (有機電致元件)端部之間的距離精度為2±1μπι。該精度大小對多個有機電致發(fā)光裝置37排列中的連接部份精度產(chǎn)生影響。
[0127]如以現(xiàn)有技術，用玻璃基板作為密封層時，普通的玻璃加工無法達到上述精度。對此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法或同時用該兩種方法形成密封層，能夠?qū)崿F(xiàn)達到上述精度要求的高精度加工。
[0128]上述本發(fā)明實施例中的數(shù)值、材料、配置、數(shù)量等均不對本發(fā)明有任何限定作用，允許在本發(fā)明的范疇之內(nèi)對實施例中例舉的數(shù)值等進行改動。
[0129]例如，上述實施例中用硅基板作為有機電致基板基材3，但是除此之外，本發(fā)明還可以用其他材料如玻璃或樹脂等作為有機電致基板基材。
[0130]再如，上述實施例中在有機電致基板I上形成半導體元件5，但是除此之外，本發(fā)明在有機電致基板上還可以只形成有機電致元件，或者形成半導體元件以外的元件。
[0131]進而，上述實施例中用CVD法或濺射法形成密封層21，除此之外，本發(fā)明還可以用出濺射以外的物理氣相沉淀法來形成密封層。
[0132]進而，上述實施例在結(jié)合有機電致基板I和密封層21時，采用粘結(jié)劑23或常溫結(jié)合。對此，本發(fā)明還可以采用常溫結(jié)合以外的直接結(jié)合，或采用用粘結(jié)劑以外的粘結(jié)層的間
接結(jié)合。
[0133]進而，上述實施例中以氧化硅的單層膜、氧化硅膜21a和氮化硅膜21b的雙層膜、氧化硅膜21a\氮化硅膜21b\氧化硅膜21c多層膜形成密封層21。但是本發(fā)明并不受此限制。本發(fā)明的密封層只要是以化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法或同時利用該兩種方法形成、并具有光透射性的材料形成便可。
[0134]能夠使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的設備不僅局限于曝光裝置。
[0135]在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法中密封層的去除方法不局限于干式蝕刻技術，只要能夠去除密封層基材并保留密封層，對去除方法沒有任何限制。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，具備以下各步驟: 密封層形成步驟，利用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法或同時利用該兩種方法，在密封層基材上形成密封層； 密封層結(jié)合步驟，將所述密封層結(jié)合到搭載有機電子元件的有機電致基板上，該密封層覆蓋該有機電致元件； 密封層基材去除步驟，去除所述密封層基材并保留所述密封層。
2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，用硅形成所述密封層基材，并在所述密封層基材去除步驟中，用蝕刻技術去除該密封層基材。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于， 在所述密封層基材上形成設有凹部的所述密封層，該凹部的位置對應所述有機電致元件在所述有機電致基板上的形成位置， 將所述密封層結(jié)合到所述有機電致基板上與所述有機電致元件形成位置不同的位置上，該密封層與該有機電致基板之間形成由所述凹部構成的空隙。
4.根據(jù)權利要求3所述的制造方法，其特征在于，以直接結(jié)合的方式結(jié)合所述有機電致基板和所述密封層。
5.根據(jù)權利要求1?4中任意一項所述的制造方法，其特征在于，用設有多個所述有機電致基板的區(qū)域的有機電致基板基材、以及與該有機電致基板基材大小相同的所述密封層基材，對各個所述有機電致發(fā)光裝置的區(qū)域一次性地實施密封層結(jié)合處理以及基材去除處理。
6.根據(jù)權利要求5所述的制造方法，其特征在于，實施所述密封層結(jié)合處理后，利用干法蝕刻技術，對所述密封層基材以及所述有機電致基板基材實施蝕刻處理，并在密封層基材去除處理實施之后，連續(xù)實施單片化處理，將具有多個所述有機電致基板的區(qū)域分割成僅有一個所述有機電致基板的區(qū)域的單片。
7.一種有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 有機電致基板，其中設有有機電致元件；以及， 密封層，覆蓋所述有機電致元件，并與所述有機電致基板結(jié)合在一起， 其中，用化學氣相沉淀法或物理氣相沉淀法，或者同時利用該兩種方法形成所述密封層。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，在所述有機電致基板與所述密封層之間形成空隙，在所述有機電致基板上，所述密封層的結(jié)合部位置與所述有機電致元件的形成位置不同。
9.根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述空隙內(nèi)設置用于吸收水分的干燥部件。
10.一種光源裝置，其特征在于，其中排列設置多個權利要求7?9中任意一項所述的有機電致發(fā)光裝置。
【文檔編號】H01L51/56GK104037356SQ201410064437
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權日:2013年3月5日
【發(fā)明者】高松恭彥 申請人:株式會社理光