鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法
【專利摘要】鋁化合物由下式1表示。在式1中，X為由以下式2或式3表示的官能團(tuán)。
【專利說明】鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]將2013年2月25日在韓國專利局提交的且題為“鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法”的韓國專利申請N0.10-2013-0019559全部引入本文中作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]實例實施方式涉及鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實施方式涉及由下式I表示的招前體，
[0005]
【權(quán)利要求】
1.由下式I表示的鋁化合物，
2.形成薄膜的方法，所述方法包括: 將沉積源提供到基材上，所述沉積源包括由下式I表示的鋁前體；和將反應(yīng)氣體提供到所述基材上以與所述沉積源反應(yīng)，
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體或有機(jī)金屬前體。
4.權(quán)利要求2的方法，其中使用包括惰性氣體的載氣將所述沉積源提供到所述基材上。
5.權(quán)利要求2的方法，其中所述反應(yīng)氣體包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種。
6.權(quán)利要求2的方法，進(jìn)一步包括，在提供包括由式I表示的鋁前體的沉積源之后，在所述基材上進(jìn)行吹掃過程。
7.形成電容器的方法，所述方法包括: 在基材上形成下電極； 使用由下式I表示的鋁前體在所述下電極上形成介電層；和 在所述介電層上形成上電極，
8.權(quán)利要求7的方法，其中使用由式I表示的鋁前體在所述下電極上形成介電層包括: 將包括所述鋁前體的沉積源提供到所述下電極上； 將反應(yīng)氣體提供到所述下電極上；和 使所述沉積源和所述反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述下電極上形成薄膜。
9.權(quán)利要求8的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體或有機(jī)金屬前體。
10.權(quán)利要求8的方法，其中所述反應(yīng)氣體包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種。
11.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括，在使所述沉積源和所述反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述下電極上形成薄膜之后，在所述基材上進(jìn)行回流過程。
12.權(quán)利要求7的方法，進(jìn)一步包括，在基材上形成下電極之前: 在所述基材上形成絕緣中間層；和穿過所述絕緣中間層形成接觸塞以接觸所述基材的頂面， 其中所述下電極形成于所述接觸塞上以與其電連接。
13.權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括，在所述基材上形成絕緣中間層之前: 在所述基材上形成柵極結(jié)構(gòu)；和 在所述基材的鄰近所述柵極結(jié)構(gòu)的上部處形成雜質(zhì)區(qū)， 其中所述接觸塞接觸所述雜質(zhì)區(qū)的頂面。
14.權(quán)利要求12的方法，其中在基材上形成下電極包括: 在所述絕緣中間層上形成具有暴露所述接觸塞的頂面的開口的模子層； 在所述開口的內(nèi)壁上形成導(dǎo)電層圖案；和 除去所述模子層。
15.形成介電層的方法，所述方法包括: 將沉積源沉積到基材上，所述沉積源包括選自下式4和5的鋁前體；和使所述沉積源與包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種的反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述基材上形成包括氧化鋁和/或氮化鋁的薄膜，
16.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括； 重復(fù)在所述基材上形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜，和 在所述基材上形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜與重復(fù)形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜之間進(jìn)行吹掃過程。
17.權(quán)利要求15的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體和/或具有不同于鋁的金屬的有機(jī)金屬前體，使得所述薄膜進(jìn)一步包括氧化硅、氮化硅、不同于氧化鋁的金屬氧化物和/或不同于氮化鋁的金屬氮化物。
18.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括，在所述基材上形成所述包括氧化鋁和/或氮化鋁的薄膜之前或之后，在所述基材上形成包括氧化硅、氮化硅、不同于氧化鋁的金屬氧化物和/或不同于氮化鋁的金屬氮化物的薄膜，使得形成多層介電膜。
19.權(quán)利要求15的方法，其中所述基材為包括開口、凹處、或接觸孔的結(jié)構(gòu)體，和所述方法進(jìn)一步包括在形成所述薄膜之后進(jìn)行回流過程。
【文檔編號】H01G4/08GK104004007SQ201410063617
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月25日
【發(fā)明者】尹相喆, 櫻井淳, 畑瀨雅子, 曹侖廷, 姜知那, 山田直樹, 崔晶植 申請人:三星電子株式會社, 株式會社Adeka