一種像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管，其第二端電性耦接至一像素電路，且控制端與第二端之間包括一耦合電容；第二晶體管，其控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一端電性耦接至第一晶體管的第二端；有機(jī)發(fā)光二極管，其陽(yáng)極電性耦接至第二晶體管的第二端；以及補(bǔ)償電容，兩端分別電性耦接第二晶體管的控制端和第一端，藉由補(bǔ)償電容來降低陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明新增一補(bǔ)償電容于第二晶體管的控制端與第一端或第二端之間，利用耦合效應(yīng)直接地或間接地降低OLED的陽(yáng)極電壓，進(jìn)而改善OLED等效電容自放電造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象，提升產(chǎn)品的性能和顯示品質(zhì)。
【專利說明】—種像素驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管的像素驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種可改善其電容自放電所造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光二極管的像素驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驅(qū)動(dòng)方式可分為被動(dòng)式矩陣驅(qū)動(dòng)(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主動(dòng)式矩陣驅(qū)動(dòng)(Active Matrix OLED,AM0LED)兩種。其中，PMOLED是當(dāng)數(shù)據(jù)未寫入時(shí)并不發(fā)光，只在數(shù)據(jù)寫入期間發(fā)光。這種驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低、較容易設(shè)計(jì)，主要適用于中小尺寸的顯示器。
[0003]AMOLED與PMOLED最大的差異是在于，每一像素都有一電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，讓每一像素皆維持在發(fā)光狀態(tài)。由于AMOLED耗電量明顯小于PM0LED,加上其驅(qū)動(dòng)方式適合發(fā)展大尺寸與高解析度的顯示器，使得AMOLED成為未來發(fā)展的主要方向。在AMOLED顯示器的驅(qū)動(dòng)機(jī)制中，OLED是基于流經(jīng)其的電流大小控制發(fā)光的亮度，現(xiàn)有的AMOLED在高分辨率下，像素面積下降，OLED器件的發(fā)光起始電流降低。此外，OLED本身可等效為一個(gè)大電容，當(dāng)發(fā)光開關(guān)薄膜晶體管(Emission Switch TFT)導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)漏極與柵極間的寄生電容所儲(chǔ)存的電荷會(huì)在發(fā)光階段對(duì)OLED的等效電容進(jìn)行充電，當(dāng)充電量高于放電量時(shí)，OLED的陽(yáng)極電壓最后會(huì)高于其點(diǎn)亮電壓，導(dǎo)致OLED在顯示黑畫面時(shí)發(fā)光的不良情形，影響產(chǎn)品的顯示性能。
[0004]有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種用于AMOLED顯示設(shè)備的像素驅(qū)動(dòng)電路，以有效地改進(jìn)或消除OLED在顯示黑畫面時(shí)發(fā)光、顯示畫面質(zhì)量較差等缺陷，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備在顯示黑畫面時(shí)，因OLED發(fā)光所產(chǎn)生的畫面偏亮現(xiàn)象，本發(fā)明提供了一種新穎的像素驅(qū)動(dòng)電路。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，適于一主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，該像素驅(qū)動(dòng)電路包括:
[0007]—第一晶體管,具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第一晶體管的第一端電性耦接至一第一電壓，所述第一晶體管的第二端電性耦接至一像素電路，所述第一晶體管的控制端與第二端之間包括一耦合電容；
[0008]一第二晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第二晶體管的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第二晶體管的第一端電性耦接至所述第一晶體管的第二端；
[0009]一有機(jī)發(fā)光二極管，具有一陽(yáng)極和一陰極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至所述第二晶體管的第二端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電性耦接至一第二電壓；以及
[0010]—補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端和第二端分別電性耦接所述第二晶體管的控制端和第一端，藉由所述補(bǔ)償電容來降低所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。
[0011]在其中的一實(shí)施例，于補(bǔ)償階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電壓電位，所述第二晶體管關(guān)斷；在發(fā)光階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電壓電位，所述第二晶體管開通，并且所述第二晶體管的第一端的電壓電位被所述補(bǔ)償電容拉低。
[0012]在其中的一實(shí)施例，于發(fā)光階段，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓電位低于其點(diǎn)亮電壓。
[0013]在其中的一實(shí)施例，當(dāng)所述耦合電容的容值為10_3pF時(shí)，所述補(bǔ)償電容的容值大于 5Xl(T3pF。
[0014]依據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，適于一主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，該像素驅(qū)動(dòng)電路包括:
[0015]—第一晶體管,具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第一晶體管的第一端電性耦接至一第一電壓，所述第一晶體管的第二端電性耦接至一像素電路，所述第一晶體管的控制端與第二端之間包括一耦合電容；
[0016]一第二晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第二晶體管的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第二晶體管的第一端電性耦接至所述第一晶體管的第二端；
[0017]一有機(jī)發(fā)光二極管，具有一陽(yáng)極和一陰極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至所述第二晶體管的第二端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電性耦接至一第二電壓；以及
[0018]—補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端和第二端分別電性耦接所述第二晶體管的控制端和第二端，藉由所述補(bǔ)償電容來降低所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。
[0019]在其中的一實(shí)施例，于補(bǔ)償階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電壓電位，所述第二晶體管關(guān)斷，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓被拉高；在發(fā)光階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電壓電位，所述第二晶體管開通，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓被拉低。
[0020]在其中的一實(shí)施例，于發(fā)光階段，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓電位低于其點(diǎn)亮電壓。
[0021]在其中的一實(shí)施例，當(dāng)所述耦合電容的容值為10_3pF時(shí)，所述補(bǔ)償電容的容值大于 I (T3PF。
[0022]采用本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路，第一晶體管(Driving TFT)的第一端電性耦接至一第一電壓且第二端電性稱接至一像素電路，第二晶體管(Emission Switch TFT)的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)且第一端電性耦接至第一晶體管的第二端，有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至第二晶體管的第二端且陰極電性耦接至一第二電壓，將補(bǔ)償電容設(shè)置于第二晶體管的控制端和第一端之間或者第二晶體管的控制端和第二端之間，藉由該補(bǔ)償電容來降低有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在電路中增加一補(bǔ)償電容于第二晶體管的控制端與第一端之間或者第二晶體管的控制端與第二端之間，利用耦合效應(yīng)直接或間接降低OLED的陽(yáng)極電壓，進(jìn)而改善OLED等效電容自放電造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象，提升產(chǎn)品的性能和顯示品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，
[0024]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的像素驅(qū)動(dòng)電路的運(yùn)作原理示意圖；
[0025]圖2示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，用于改善黑畫面偏亮現(xiàn)象的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性實(shí)施例；
[0026]圖3示出應(yīng)用圖2的像素驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，用于改善黑畫面偏亮現(xiàn)象的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性實(shí)施例；以及
[0028]圖5示出應(yīng)用圖4的像素驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0029]為了使本申請(qǐng)所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
[0030]下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明各個(gè)方面的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0031]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的像素驅(qū)動(dòng)電路的運(yùn)作原理示意圖。參照?qǐng)D1，現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路包括一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT，圖中未示出)和一發(fā)光控制薄膜晶體管SW。其中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電性耦接至一柵極電壓Vg。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極電性耦接至一像素電路，且漏極的電壓電位為Vd，由于電容耦合效應(yīng)，在其漏極與柵極之間還包括一寄生電容CgcL
[0032]如前所述，當(dāng)發(fā)光控制薄膜晶體管SW閉合時(shí)，寄生電容Cgd所儲(chǔ)存的電荷會(huì)在發(fā)光階段對(duì)OLED的等效電容Qmd進(jìn)行充電。若其充電電量大于放電電量，OLED的陽(yáng)極電壓最終會(huì)高于二極管D的點(diǎn)亮電壓，導(dǎo)致OLED在顯示黑畫面時(shí)仍然會(huì)出現(xiàn)發(fā)光狀態(tài)，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的顯示性能。
[0033]為了解決現(xiàn)有的上述缺陷或不足，圖2示出依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的用于改善黑畫面偏亮現(xiàn)象的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性實(shí)施例。圖3示出應(yīng)用圖2的像素驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]參照?qǐng)D2和圖3，本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路適于一主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED),包括一第一晶體管Tl、一第二晶體管T2、一有機(jī)發(fā)光二極管OLED和一補(bǔ)償電容Cdx。其中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可等效為彼此并聯(lián)的一電容Cmj5d和一二極管D。
[0035]更詳細(xì)地，第一晶體管Tl具有一第一端、一第二端和一控制端。第一晶體管Tl的第一端電性耦接至一第一電壓VDD，第一晶體管Tl的第二端電性耦接至一像素電路，第一晶體管Tl的控制端與第二端之間包括一耦合電容Cgd。第一晶體管Tl的控制端的電壓電位為Vg。第二晶體管T2具有一第一端、一第二端和一控制端。第二晶體管T2的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)(EM)，第二晶體管T2的第一端電性耦接至第一晶體管Tl的第二端。第二晶體管T2的第二端的電壓電位為Vd。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電性耦接至第二晶體管T2的第二端，陰極電性耦接至一第二電壓VSS。
[0036]需要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路還包括補(bǔ)償電容Cdx。補(bǔ)償電容Cdx具有一第一端和一第二端，其第一端電性耦接至第二晶體管T2的控制端，其第二端電性耦接至第二晶體管T2的第一端。藉由該補(bǔ)償電容的補(bǔ)償功能，透過降低有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位，避免二極管D的陽(yáng)極電壓高于其點(diǎn)亮電壓所造成的顯示黑畫面時(shí)的發(fā)光現(xiàn)象。較佳地，在補(bǔ)償階段，驅(qū)動(dòng)信號(hào)EM為高電壓電位，第二晶體管T2關(guān)斷。在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)信號(hào)EM為低電壓電位，第二晶體管T2從關(guān)斷狀態(tài)切換至開通狀態(tài)，此時(shí)，第二晶體管T2的第一端的電壓電位Vd被補(bǔ)償電容Cdx拉低，從而可降低有機(jī)發(fā)光二極管OLED的等效電容Qmd的充電電壓(例如,有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電壓電位Vmj5d低于二極管D的點(diǎn)亮電壓)，因此減小該等效電容自放電所造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象。
[0037]在一具體實(shí)施例中，當(dāng)耦合電容Cgd的容值為10_3pF時(shí)，補(bǔ)償電容Cdx的容值大于5X IO-3PF0實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，在未采用該補(bǔ)償電容時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED(如，綠色OLED或紅色0LED)的二極管D的跨壓為2.6V，高于其點(diǎn)亮電壓閾值2.2V，從而會(huì)出現(xiàn)黑畫面偏亮現(xiàn)象；采用該補(bǔ)償電容后，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的二極管D的跨壓降至2V，低于其點(diǎn)亮電壓閾值2.2V，因而可消除黑畫面偏亮現(xiàn)象，提升產(chǎn)品的顯示性能。
[0038]此外，圖3也示出了像素電路的一示意性電路結(jié)構(gòu)。具體地，該像素電路包括第一開關(guān)管SW1、第二開關(guān)管SW2、第三開關(guān)管SW3和第四開關(guān)管SW4。其中，第一開關(guān)管SWl的控制端接收一第一掃描信號(hào)N，第一端用以接收一數(shù)據(jù)電壓Vdata，第二端電性耦接至第一電壓VDD。第二開關(guān)管SW2的控制端接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)EM，第二端電性耦接至第一晶體管SWl的第二端，第一端電性耦接至第一晶體管Tl的第一端。第三開關(guān)管SW3的控制端接收一第二掃描信號(hào)N-1,該第二掃描信號(hào)N-1與該第一掃描信號(hào)N各自的脈沖信號(hào)存在相位差,第一端經(jīng)由一存儲(chǔ)電容Cst電性耦接至第一電壓VDD。第四開關(guān)管SW4的控制端接收一第一掃描信號(hào)N，第一端電性耦接至第一晶體管Tl的控制端，第二端電性耦接至第一晶體管Tl的第二端。
[0039]圖4示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，用于改善黑畫面偏亮現(xiàn)象的像素驅(qū)動(dòng)電路的示意性實(shí)施例。圖5示出應(yīng)用圖4的像素驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]類似于圖2，參照?qǐng)D4和圖5，本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路包括一第一晶體管Tl、一第二晶體管T2、一有機(jī)發(fā)光二極管OLED和一補(bǔ)償電容Cdo。其中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可等效為彼此并聯(lián)的一電容Cmj5d和一二極管D。
[0041]更詳細(xì)地，第一晶體管Tl具有一第一端、一第二端和一控制端。第一晶體管Tl的第一端電性耦接至一第一電壓VDD，第一晶體管Tl的第二端電性耦接至一像素電路，第一晶體管Tl的控制端與第二端之間包括一耦合電容Cgd。第一晶體管Tl的控制端的電壓電位為Vg。第二晶體管T2具有一第一端、一第二端和一控制端。第二晶體管T2的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)(EM)，第二晶體管T2的第一端電性耦接至第一晶體管Tl的第二端。第二晶體管T2的第二端的電壓電位為Vd。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電性耦接至第二晶體管T2的第二端，陰極電性耦接至一第二電壓VSS。
[0042]需要強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路還包括補(bǔ)償電容Cdo。補(bǔ)償電容Cdo具有一第一端和一第二端，其第一端電性耦接至第二晶體管T2的控制端，其第二端電性耦接至第二晶體管T2的第二端。藉由該補(bǔ)償電容的補(bǔ)償功能，透過降低有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位，避免二極管D的陽(yáng)極電壓高于其點(diǎn)亮電壓所造成的顯示黑畫面時(shí)的發(fā)光現(xiàn)象。較佳地，在補(bǔ)償階段，驅(qū)動(dòng)信號(hào)EM為高電壓電位，第二晶體管T2關(guān)斷，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電壓V_D被拉高。在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)信號(hào)EM為低電壓電位，第二晶體管T2從關(guān)斷狀態(tài)切換至開通狀態(tài)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電壓Vmd被直接拉低，從而降低有機(jī)發(fā)光二極管OLED的等效電容Cmd的充電電壓，減小該等效電容自放電所造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象。
[0043]在一具體實(shí)施例中，當(dāng)耦合電容Cgd的容值為10_3pF時(shí)，補(bǔ)償電容Cdo的容值大于
10_3pFo
[0044]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，圖5中的像素電路與圖3中的像素電路相同或相似，為描述簡(jiǎn)潔起見，此處不再贅述。
[0045]采用本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路，第一晶體管(Driving TFT)的第一端電性耦接至一第一電壓且第二端電性稱接至一像素電路，第二晶體管(Emission Switch TFT)的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)且第一端電性耦接至第一晶體管的第二端，有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至第二晶體管的第二端且陰極電性耦接至一第二電壓，將補(bǔ)償電容設(shè)置于第二晶體管的控制端和第一端之間或者第二晶體管的控制端和第二端之間，藉由該補(bǔ)償電容來降低有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在電路中增加一補(bǔ)償電容于第二晶體管的控制端與第一端之間或者第二晶體管的控制端與第二端之間，利用耦合效應(yīng)直接或間接降低OLED的陽(yáng)極電壓，進(jìn)而改善OLED等效電容自放電造成的黑畫面偏亮現(xiàn)象，提升產(chǎn)品的性能和顯示品質(zhì)。
[0046]上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，適于一主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括: 一第一晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第一晶體管的第一端電性率禹接至一第一電壓，所述第一晶體管的第二端電性耦接至一像素電路，所述第一晶體管的控制端與第二端之間包括一耦合電容； 一第二晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第二晶體管的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第二晶體管的第一端電性耦接至所述第一晶體管的第二端； 一有機(jī)發(fā)光二極管，具有一陽(yáng)極和一陰極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至所述第二晶體管的第二端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電性耦接至一第二電壓；以及 一補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端和第二端分別電性耦接所述第二晶體管的控制端和第一端，藉由所述補(bǔ)償電容來降低所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在補(bǔ)償階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電壓電位，所述第二晶體管關(guān)斷；在發(fā)光階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電壓電位，所述第二晶體管開通，并且所述第二晶體管的第一端的電壓電位被所述補(bǔ)償電容拉低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在發(fā)光階段，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓電位低于其點(diǎn)亮電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述耦合電容的容值為10_3pF時(shí)，所述補(bǔ)償電容的容值大于5 X 10_3pF。
5.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，適于一主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括: 一第一晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第一晶體管的第一端電性率禹接至一第一電壓，所述第一晶體管的第二端電性耦接至一像素電路，所述第一晶體管的控制端與第二端之間包括一耦合電容； 一第二晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述第二晶體管的控制端用來接收一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第二晶體管的第一端電性耦接至所述第一晶體管的第二端； 一有機(jī)發(fā)光二極管，具有一陽(yáng)極和一陰極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性耦接至所述第二晶體管的第二端，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電性耦接至一第二電壓；以及 一補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端和第二端分別電性耦接所述第二晶體管的控制端和第二端，藉由所述補(bǔ)償電容來降低所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極在發(fā)光階段的電壓電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在補(bǔ)償階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電壓電位，所述第二晶體管關(guān)斷，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓被拉高；在發(fā)光階段，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電壓電位，所述第二晶體管開通，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓被拉低。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在發(fā)光階段，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電壓電位低于其點(diǎn)亮電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述耦合電容的容值為10_3pF時(shí)，所述補(bǔ)償電容的容值大于10_3pF。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103762226SQ201410054608
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月18日
【發(fā)明者】蔡軒名, 黃彥士 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司