環(huán)形電阻結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種環(huán)形電阻結構，包括：通過以環(huán)形電阻結構的第一端為中心使得環(huán)形電阻結構的第二端向外環(huán)繞而形成的環(huán)形結構；其中，所述第一端和所述第二端分別為所述環(huán)形電阻結構的兩端；而且，所述環(huán)形電阻結構由集成電路的一個金屬布線層中的金屬布線形成。
【專利說明】環(huán)形電阻結構
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種環(huán)形電阻結構。
【背景技術】
[0002]常規(guī)鏈狀(chain)結構的蛇形電阻在版圖(layout)中占用面積較多，所以隨著切割道的日益減小，則需要減小器件版圖的占用面積，才能存放更多器件。
[0003]圖1示意性地示出了根據現(xiàn)有技術的蛇形電阻結構。
[0004]如圖1所示，根據現(xiàn)有技術的蛇形電阻結構100在第一電阻端1和第二電阻端2形成蛇形的彎曲結構。其中第一電阻端1和第二電阻端2分別連接至一個電路焊盤(pad)。而且其中，蛇形電阻結構100形成在集成電路的同一金屬布線層中。
[0005]但是，隨著切割道的日益減小，則需要減小器件版圖的占用面積，才能存放更多器件；因此，希望能夠進一步減小電阻結構所占用的面積。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠減小電阻結構所占用的面積的環(huán)形電阻結構。
[0007]為了實現(xiàn)上述技術目的，根據本發(fā)明，提供了 一種環(huán)形電阻結構，其特征在于包括:通過以環(huán)形電阻結構的第一端為中心使得環(huán)形電阻結構的第二端向外環(huán)繞而形成的環(huán)形結構；其中，所述第一端和所述第二端分別為所述環(huán)形電阻結構的兩端；而且，所述環(huán)形電阻結構由集成電路的一個金屬布線層中的金屬布線形成。
[0008]優(yōu)選地，所述環(huán)形電阻結構環(huán)繞的圈數(shù)介于3至6圈之間。
[0009]優(yōu)選地，所述環(huán)形電阻結構環(huán)繞的圈數(shù)不是整數(shù)圈。
[0010]優(yōu)選地，所述環(huán)形電阻結構200的金屬布線之間的距離等于金屬布線的線寬。
[0011 ] 本發(fā)明通過利用環(huán)形的鏈狀結構電阻代替蛇形鏈狀結構電阻，可以縮小電阻的占用面積，能夠在有效的版圖中，繪制更多的器件進行測試，從而提高經濟效益。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0013]圖1示意性地示出了根據現(xiàn)有技術的蛇形電阻結構。
[0014]圖2示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構。
[0015]圖3示意性地示出了根據現(xiàn)有技術的蛇形電阻結構的具體示例。
[0016]圖4示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構的具體示例。
[0017]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號?！揪唧w實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內容進行詳細描述。
[0019]由于現(xiàn)有技術的蛇形鏈狀結構的電阻占用面積較多，為此本發(fā)明設計一種環(huán)形的鏈狀結構電阻代替蛇形鏈狀結構電阻，可以縮小電阻的占用面積。
[0020]具體地說，圖2示意性地示出了根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構。
[0021]如圖2所示，根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構200包括通過以環(huán)形電阻結構200的第一端為中心使得環(huán)形電阻結構200的第二端向外環(huán)繞而形成的環(huán)形結構；其中，所述第一端和所述第二端分別為所述環(huán)形電阻結構200的兩端；而且，所述環(huán)形電阻結構200由集成電路的一個金屬布線層中的金屬布線形成。
[0022]優(yōu)選地，所述環(huán)形電阻結構200環(huán)繞的圈數(shù)介于3至6圈之間。而且，雖然示出了所述環(huán)形電阻結構200環(huán)繞的圈數(shù)為整數(shù)圈的示例，但是實際上，所述環(huán)形電阻結構200環(huán)繞的圈數(shù)可以不是整數(shù)圈，以增大設計靈活性。
[0023]優(yōu)選地，所述環(huán)形電阻結構200的金屬布線之間的距離等于金屬布線的線寬。
[0024]例如，其中所述第一端和所述第二端可分別連接至一個各自單獨的電路焊盤。
[0025]下面參考圖3和圖4來比較現(xiàn)有技術的電阻結構與根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構。
[0026]對于金屬布線層中電阻版圖結構的引入，可以運用串聯(lián)電路電流處處相同阿基米德定律，并結合WAT (waferacceptancetest,晶片可接受性測試)測試平臺，進行歸一化計算，輸出單位長度下的電阻結構的電阻值。
[0027]對于現(xiàn)有技術的電阻結構，在測試出總電阻后R，進行電阻歸一化:R2=R*寬/長。
[0028]根據阿基米德螺線定律，根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構的長度計算公式為:長度L=M r/2，其中n為圈數(shù)，r為環(huán)形電阻最外圈的圓的的半徑。本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構的歸一化電阻:R2=R*寬/長=R*W/ (n n r/2)。
[0029]如圖3所示，對于現(xiàn)有技術的電阻結構，假設金屬布線的寬度W=I (假設的單位寬度)，其中金屬布線之間的間隔與金屬布線的長度相同，假設蛇形鏈狀結構的長度LI和寬度wl 皆為 5，面積 s=wl*Ll=5*5=25,周長 C=5*2.5+5=17.5。
[0030]如圖4所示，對于根據本發(fā)明優(yōu)選實施例的環(huán)形電阻結構，假設金屬布線的寬度W=I (假設的單位寬度)，半徑r=5 (實際上，如圖4所示，r=Wl/2=Ll/2)，圈數(shù)如圖所示n=5，測試總電阻R=IOOO歐姆，R2=R*寬/長=R*W/n n r/2=25歐姆。而且，面積S=pi*r*r=3.14*2.5*2.5=19.6 周長 C=n n r/2=2.5*3.14*2.5/2=9.81。
[0031]本發(fā)明通過利用環(huán)形的鏈狀結構電阻代替蛇形鏈狀結構電阻，可以縮小電阻的占用面積，能夠在有效的版圖中，繪制更多的器件進行測試，從而提高經濟效益。
[0032]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。
[0033]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
【權利要求】
1.一種環(huán)形電阻結構，其特征在于包括:通過以環(huán)形電阻結構的第一端為中心使得環(huán)形電阻結構的第二端向外環(huán)繞而形成的環(huán)形結構；其中，所述第一端和所述第二端分別為所述環(huán)形電阻結構的兩端；而且，所述環(huán)形電阻結構由集成電路的一個金屬布線層中的金屬布線形成。
2.根據權利要求1所述的環(huán)形電阻結構，其特征在于，所述環(huán)形電阻結構環(huán)繞的圈數(shù)介于3至6圈之間。
3.根據權利要求1或2所述的環(huán)形電阻結構，其特征在于，所述環(huán)形電阻結構環(huán)繞的圈數(shù)不是整數(shù)圈。
4.根據權利要求1或2所述的環(huán)形電阻結構，其特征在于，所述環(huán)形電阻結構200的金屬布線之間的距離等于金屬布線的線寬。
5.根據權利要求1或2所述的環(huán)形電阻結構，其特征在于，所述第一端和所述第二端分別連接至一個單獨的電路焊盤。
【文檔編號】H01L23/64GK103745974SQ201410042490
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月29日 優(yōu)先權日:2014年1月29日
【發(fā)明者】沈茜, 莫保章 申請人:上海華力微電子有限公司