光電轉(zhuǎn)換結構、應用其的太陽能電池及其制造方法
【專利摘要】一種光電轉(zhuǎn)換結構、應用其的太陽能電池及其制造方法，所述光電轉(zhuǎn)換結構包含基板、第一半導體結構與第二半導體結構?；寰哂袃上鄬Φ牡谝槐砻媾c第二表面。第一表面具有多個微米結構以及多個納米結構。納米結構分布于微米結構表面上，且納米結構的高度為約500納米至900納米。第一半導體結構置于基板的第一表面上。第二半導體結構置于基板的第二表面上。因上述光電轉(zhuǎn)換結構先形成納米結構于微米結構上，因此第一表面可具有抗反射的效果。更進一步地，因在形成納米結構后，再進一步對納米結構進行蝕刻，因此納米結構的表面積的粗糙度可降低，以減少載子在納米結構的表面復合的機率。
【專利說明】光電轉(zhuǎn)換結構、應用其的太陽能電池及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換結構、應用其的太陽能電池及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，人類對于能源的需求也日益增加。有鑒于有限的石油資源已漸漸無法應付人類大量的能源需求，業(yè)界與科學家們紛紛投入新能源的研究與發(fā)展，而太陽能即為大眾欲發(fā)展的新能源之一。
[0003]太陽能電池能夠吸收太陽光，并將太陽光的光能轉(zhuǎn)換為電能。為了增加太陽光的提取量，一般而言會形成多個微米與/或納米結構于太陽能電池的入光面上，以破壞太陽能電池的入光面的反射。然而因形成的納米結構的表面過于粗糙，使得太陽能電池所產(chǎn)生的載子具有高復合率，如此一來反而會降低太陽能電池的短路電流密度(Jsc)與開路電壓(V)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為克服現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明的一方案提供一種光電轉(zhuǎn)換結構，包含基板、第一半導體結構與第二半導體結構?；寰哂袃上鄬Φ牡谝槐砻媾c第二表面。第一表面具有多個微米結構以及多個納米結構。納米結構分布于微米結構表面上，且納米結構的高度為約500納米至900納米。第一半導體結構置于基板的第一表面上。第二半導體結構置于基板的第二表面上。
[0005]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，每一微米結構為金字塔、凹洞或其混合。
[0006]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，每一微米結構的高度為約I微米至20微米。
[0007]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，第一半導體結構為N型半導體層，且第二半導體結構為P型半導體層?；蛘叩谝话雽w結構為P型半導體層，且第二半導體結構為N型半導體層。
[0008]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，第一半導體結構包含i型半導體層與P型半導體層。i型半導體層置于基板的第一表面，且置于P型半導體層與基板的第一表面之間。第二半導體結構包含i型半導體層與η+型半導體層。i型半導體層置于基板的第二表面，且i型半導體層置于η+型半導體層與基板的第二表面之間。
[0009]本發(fā)明的另一方案提供一種太陽能電池，包含上述光電轉(zhuǎn)換結構、第一電極結構與第二電極結構。第一半導體結構置于第一電極結構與基板之間。第二半導體結構置于第二電極結構與基板之間。
[0010]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，第一電極結構包含透明導電層與至少一金屬電極。第一半導體結構置于透明導電層與基板之間。部分透明導電層置于金屬電極與第一半導體結構之間。
[0011 ] 在本發(fā)明一個或多個實施方式中，第二電極結構為一金屬層。
[0012]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，第二電極結構包含透明導電層與至少一金屬電極。第二半導體結構置于透明導電層與基板之間。部分透明導電層置于金屬電極與第二半導體結構之間。
[0013]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，光電轉(zhuǎn)換結構的基板的第二表面具有多個微米結構，且第二電極結構包含透明導電層與至少一金屬電極。第二半導體結構置于透明導電層與基板之間。金屬電極全面覆蓋透明導電層。
[0014]本發(fā)明的又一方案提供一種光電轉(zhuǎn)換結構的制造方法，包含下列步驟(應了解至IJ，在本實施方式中所提及的步驟，除特別說明其順序外，均可依實際需要調(diào)整其前后順序，甚至可同時或部分同時執(zhí)行):
[0015]提供基板。
[0016]形成多個微米結構于基板的第一表面。
[0017]蝕刻微米結構，使得每一微米結構表面形成多個納米結構。
[0018]蝕刻納米結構。
[0019]形成第一半導體結構于基板的第一表面上。
[0020]形成第二半導體結構于基板的第二表面上。
[0021]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，步驟(4)包含:
[0022](4.1)將納米結構的高度蝕刻至500納米至900納米。
[0023]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，蝕刻納米結構的方法為各向同性濕式蝕刻。
[0024]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，蝕刻納米結構的方法為各向異性濕式蝕刻。
[0025]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，步驟(3)包含:
[0026](3.1)形成多個催化劑于微米結構上。
[0027](3.2)借由催化劑蝕刻微米結構，以形成納米結構于微米結構表面。
[0028]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，步驟(3)包含:
[0029](3.3) —并將催化劑去除。
[0030]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，催化劑為金屬納米粒子。
[0031]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，蝕刻微米結構的方法為各向異性濕式蝕刻。
[0032]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，形成微米結構的方法包含形成第一微米結構，且第一微米結構的形成方法為各向同性濕式蝕刻。
[0033]在本發(fā)明一個或多個實施方式中，形成微米結構的方法包含形成第二微米結構于第一微米結構上，且第二微米結構的形成方法為各向異性濕式蝕刻。
[0034]因上述光電轉(zhuǎn)換結構先形成納米結構于微米結構上，因此第一表面可具有抗反射的效果。更進一步地，因在形成納米結構后，再進一步對納米結構進行蝕刻，因此納米結構的表面積的粗糙度可降低，以減少載子在納米結構的表面復合的機率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1A至圖1F為依照本發(fā)明一實施方式的光電轉(zhuǎn)換結構的制造流程剖面圖。
[0036]圖2示出應用圖1F的光電轉(zhuǎn)換結構的太陽能電池的剖面圖。
[0037]圖3A示出本發(fā)明另一實施方式的太陽能電池的剖面圖。
[0038]圖3B示出本發(fā)明又一實施方式的太陽能電池的剖面圖。
[0039]圖4為本發(fā)明一實施例的太陽能電池以及其比較例的電壓電流圖。[0040]圖5為圖4的實施例的太陽能電池以及其比較例的外部量子效率圖。
[0041]圖6A至圖6G為本發(fā)明另一實施方式的光電轉(zhuǎn)換結構的制造流程剖面圖。
[0042]附圖標記說明如下:
[0043]100:光電轉(zhuǎn)換結構102:第一表面
[0044]104:第二表面110:基板
[0045]114、114’:納米結構116、116’、119’:微米結構
[0046]118:第一微米結構119:第二微米結構
[0047]120:第一半導體結構122、132:1型半導體層
[0048]124:p型半導體層130:第二半導體結構
[0049]134:n+型半導體層200:第一電極結構
[0050]210、310:透明導電層220、320:金屬電極
[0051]300:第二電極結構400:納米粒子
[0052]T1、T2、T3:高度
【具體實施方式】
[0053]以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應`了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式示出。
[0054]圖1A至圖1F為依照本發(fā)明一實施方式的光電轉(zhuǎn)換結構的制造流程剖面圖。請先參照圖1Α。先提供一基板110，基板110具有相對的一第一表面102與一第二表面104。其中基板110的材質(zhì)為半導體材料，例如:硅，例如為η型單晶硅基板，然而本發(fā)明不以此為限。
[0055]接著請參照圖1Β，形成多個微米結構116于基板110的第一表面102。在本實施方式中，可以各向異性濕式蝕刻方法形成微米結構116，舉例而言，可以堿性溶液，如氫氧化鉀(KOH)溶液與異丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)溶液的混合液，作為蝕刻液以形成微米結構116，所形成的微米結構116例如為金字塔形，如圖1B所示。
[0056]接下來,進一步蝕刻微米結構116,使得微米結構116表面形成多個納米結構。舉例而言，請參照圖1C，可先形成多個催化劑于微米結構116表面上，其中催化劑例如可為納米粒子400或者厚度為納米等級的金屬層，在此以納米粒子400作說明。接著請參照圖1D，利用納米粒子400作為催化劑蝕刻微米結構116，以形成多個納米結構114與微米結構116’，納米結構114分布于微米結構116’上，而在本步驟所形成的納米結構114例如為納米柱結構，其高度Tl為約2微米。
[0057]在一個或多個實施方式中，催化劑的材質(zhì)可為金屬，例如為銀。蝕刻微米結構116的方法可為各向異性濕式蝕刻。其中因蝕刻步驟為各向異性濕式蝕刻，也即蝕刻液以納米粒子400為催化劑向下蝕刻，以形成多個納米結構114。
[0058]接著請參照圖1E，更進一步蝕刻納米結構114，借由將納米結構114由高度Tl蝕刻至高度T2，約500納米至900納米，成為納米結構114’，使納米結構114’的表面粗糙度降低，以減少基板110的載子復合率。另一方面，在蝕刻納米結構114的過程中，原本位于第一表面102上的納米粒子400(如圖1D所示)也可一并去除。換言之，此道工藝不但可降低因納米結構114所造成的表面粗糙，還可一并去除納米粒子400，有助于節(jié)省工藝工序。
[0059]在本實施方式中，蝕刻納米結構114的方法可為各向同性濕式蝕刻或者各向異性濕式蝕刻。其中各向同性濕式蝕刻例如可以是酸性溶液，如氫氟酸(HF)溶液與硝酸(HN03)溶液的混合液，進行蝕刻。各向異性濕式蝕刻例如可以是堿性溶液，如氫氧化鉀(KOH)與異丙醇(IPA)的混合液，進行蝕刻。然而應注意的是，上述溶液的種類僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本領域技術人員，應視實際需要，彈性選擇溶液的種類。
[0060]接著請參照圖1F，形成第一半導體結構120于基板110的第一表面102的納米結構114’與微米結構116’上，另外形成第二半導體結構130于基板110的第二表面104上。其中第一半導體結構120與第二半導體結構130的材質(zhì)可為硅，而其形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法，或是化學氣相沉積法。
[0061]如此一來，因本實施方式的光電轉(zhuǎn)換結構100的基板110表面上已先形成納米結構114’與微米結構116’，因此第一表面102可具有抗反射的效果。更進一步地，因在形成納米結構114后，再進一步對納米結構114進行蝕刻，以形成高度T2約500納米至900納米的納米結構114’，因此納米結構114’的表面粗糙度可以降低，以減少載子在納米結構114’的表面復合的機率。
[0062]在圖1F的工藝后，光電轉(zhuǎn)換結構100的工藝即可完成。從結構上來看，光電轉(zhuǎn)換結構100包含基板110、第一半導體結構120與第二半導體結構130?；?10具有兩相對的第一表面102與第二表面104。第一表面102具有多個微米結構116’以及多個納米結構114’。納米結構114’分布于微米結構116’上，且納米結構114’的高度T2為約500納米至900納米。第一半導體結構120置于基板110的第一表面102上。第二半導體結構130置于基板110的第二表面104上。
[0063]在一個或多個實施方式中，第一表面102可為光電轉(zhuǎn)換結構100的入光面，而第二表面104可為光電轉(zhuǎn)換結構100的背光面。然而在其他的實施方式中，第一表面102與第二表面104可均為光電轉(zhuǎn)換結構100的入光面。也就是說，光電轉(zhuǎn)換結構100可進行雙向收光。而在此情況下，第二表面104也可具有微米結構116’。更進一步地，第二表面104還可還具有納米結構114’于微米結構116’表面上，本發(fā)明不以此為限。
[0064]在本實施方式中，微米結構116’為金字塔形，而微米結構116’的高度T3可為約I微米至20微米。另一方面，在本實施方式中，第一半導體結構120可為N型半導體層，且第二半導體結構130可為P型半導體層。然而在其他的實施方式中，第一半導體結構120可為P型半導體層，且第二半導體結構130可為N型半導體層，本發(fā)明不以此為限。
[0065]接著請參照圖2，其示出應用圖1F的光電轉(zhuǎn)換結構100的太陽能電池的剖面圖。在本實施方式中，太陽能電池包含圖1F的光電轉(zhuǎn)換結構100、第一電極結構200與第二電極結構300。第一電極結構200形成于第一半導體結構120表面上，使得第一半導體結構120置于第一電極結構200與基板110之間。第二電極結構300形成于第二半導體結構130表面上，使得第二半導體結構130置于第二電極結構300與基板110之間。
[0066]因此太陽光可自第一電極結構200所在的一面入射太陽能電池，之后太陽光會在光電轉(zhuǎn)換結構100中轉(zhuǎn)換為第一電荷與第二電荷，其中第一電荷例如為電子，而第二電荷例如為空穴，反之亦可。第一電荷可自第一半導體結構120傳至第一電極結構200，而第二電荷可自第二半導體結構130傳至第二電極結構300。
[0067]在本實施方式中，第一電極結構200可包含透明導電層210與至少一金屬電極220。透明導電層210形成于第一半導體結構120表面上，使得第一半導體結構120置于透明導電層210與基板110之間。金屬電極220形成于透明導電層210表面，使得部分透明導電層210置于金屬電極220與第一半導體結構120之間。其中透明導電層210的材質(zhì)可為銦錫氧化物(Tin Doped Indium Oxide, ITO)、氧化錫(Tin Oxide, Sn02)、氧化鋒(ZincOxide, ZnO)、氧化招鋒(Aluminum Doped Zinc Oxide, ΑΖ0)、氧化嫁鋒(Gallium Doped ZincOxide, ΑΖ0)、氧化銦鋅(Indium Doped Zinc Oxide, IZ0)或上述的任意組合,而金屬電極220的材質(zhì)可為鈦、銀、鋁、銅或上述的組合。另一方面，本實施方式的第二電極結構300可為金屬層，其材質(zhì)例如為鈦、銀、鋁、銅或上述的組合。
[0068]接著請參照圖3A，其示出本發(fā)明另一實施方式的太陽能電池的剖面圖。本實施方式與圖2的實施方式的不同處在于第一半導體結構120、第二半導體結構130與第二電極結構300的構造。在本實施方式中，第一半導體結構120可包含i型半導體層122與P型半導體層124。i型半導體層122置于基板110的第一表面102，且置于p型半導體層124與基板110之間。第二半導體結構130包含i型半導體層132與η+型半導體層134。i型半導體層132置于基板110的第二表面104，且i型半導體層132置于η+型半導體層134與基板110之間。
[0069]因此太陽光可自第一電極結構200所在的一面入射太陽能電池。之后太陽光會在光電轉(zhuǎn)換結構100中轉(zhuǎn)換為電子與空穴。空穴可依序穿過i型半導體層122與P型半導體層124而傳至第一電極結構200，電子則可依序自i型半導體層132與η+型半導體層134而傳至第二電極結構300。
[0070]另一方面，本實施方式的第二電極結構300可包含透明導電層310與至少一金屬電極320。透明導電層310形成于第二半導體結構130表面，使得第二半導體結構130置于透明導電層310與基板110之間。金屬電極320形成于透明導電層310表面，使得部分透明導電層310置于金屬電極320與第二半導體結構130之間。至于本實施方式的其他細節(jié)因與圖2的實施方式相同，因此便不再贅述。
[0071]接著請參照圖3Β，其示出本發(fā)明又一實施方式的太陽能電池的剖面圖。本實施方式與圖3Α的實施方式的不同處在于基板100的第二表面104的結構，以及金屬電極320的結構。在本實施方式中，第二表面104也具有微米結構116。也就是說，基板100的第二表面104可不限為平坦面。另一方面，在本實施方式中，金屬電極320全面覆蓋透明導電層310，例如是以濺鍍方式覆蓋于透明導電層310上。至于本實施方式的其他細節(jié)因與圖3Α的實施方式相同，因此便不再贅述。
[0072]接著以實驗數(shù)據(jù)來說明上述太陽能電池的功效。圖4為本發(fā)明一實施例的太陽能電池以及其比較例的電壓電流圖，圖5為圖4的實施例的太陽能電池以及其比較例的外部量子效率圖。其中圖4與圖5的實施例均以太陽能電池全方位量子效率量測儀(EnlitechQuantum Efficiency),于 I 太陽常數(shù)(Isun)、1.5 空氣質(zhì)量(AMl.5)與日照度 1000W/m2 的條件下進行量測。在本實施例中，太陽能電池的結構如圖3B所示，其光電轉(zhuǎn)換結構100的工藝過程則如圖1A至圖1F所示。詳細而言，基板的材質(zhì)為η型結晶硅(n-type c_Si)，其厚度為160μπι。先以各向異性濕式蝕刻方法蝕刻出金字塔形的微米結構，其蝕刻液為氫氧化鉀(KOH)溶液與異丙醇(IPA)溶液的混合液。接著再將30nm厚的金屬層濺鍍在微米結構上，以1.632毫升的氫氟酸(HF)溶液、0.436毫升的過氧化氫(H202)溶液與7.932毫升的去離子水(D.1.water)的混合液，于室溫下放置30秒以蝕刻微米結構，由此形成納米結構于微米結構表面上。之后再以各向同性濕式蝕刻進行納米結構的蝕刻。其蝕刻液為濃度I: 50的氫氟酸(HF)溶液與硝酸(HN03)溶液的混合液，于5oC下浸泡30至90秒蝕刻液以蝕刻納米結構。而在此步驟后，納米結構的高度則被蝕刻至500納米至900納米。之后再形成第一半導體結構、第二半導體結構、第一電極結構與第二電極結構。其中i型半導體層的材質(zhì)為i型氫化非晶硅(i_a-S1:H)，p型半導體層的材質(zhì)為P型氫化非晶硅(p-a_S1:H)，η+型半導體層的材質(zhì)為η型氫化非晶硅(n-a-S1:H)。第一電極結構的金屬電極的材質(zhì)為銀。第二電極結構的金屬電極的材質(zhì)為銀。
[0073]由圖4可知，當基板具有微米結構與納米結構時，其短路電流密度(Jsc)與開路電壓(V)均降低，表示微米結構與納米結構的粗糙表面使得載子復合率增高。然而在進行納米結構的蝕刻后，不論蝕刻時間T為30秒(30S)、60秒(60S)或90秒(90S)，其所得到的短路電流密度(Jsc)與開路電壓(V)均有升高的趨勢，因此可證明進行納米結構的蝕刻確實能夠?qū)⑽⒚捉Y構與納米結構的表面去粗糙化。
[0074]另一方面，由圖5可知，當基板進行納米結構的蝕刻后，不論蝕刻時間T為30秒(30S)、60秒(60S)或90秒(90S)，其所量測到的外部量子效率(External QuantumEfficiency, EQE)均有升高的趨勢，即可表示在進行納米結構的蝕刻后，納米結構依然具有抗反射的功效。
[0075]接著請參照圖6A至圖6G，其為本發(fā)明另一實施方式的光電轉(zhuǎn)換結構的制造流程剖面圖。請先參照圖6A。制造者可先提供一基板110,基板110具有相對的一第一表面102與一第二表面104。其中基板110的材質(zhì)為半導體材料，例如:硅，然而本發(fā)明不以此為限。
[0076]接著請參照圖6B，于另一實施方式中，形成多個第一微米結構118于基板110的第一表面102。在本實施方式中,可以各向同性濕式蝕刻方法形成第一微米結構118。舉例而言，以酸性溶液，如氫氟酸(HF)溶液與硝酸(HN03)溶液的混合液，作為蝕刻液以形成第一微米結構118，而形成的第一微米結構118可為凹洞形，如圖6B所示。
[0077]接著請參照圖6C，形成多個第二微米結構119于第一微米結構118上。在本實施方式中，可以各向異性濕式蝕刻方法形成第二微米結構119。舉例而言，制造者可以堿性溶液，如氫氧化鉀(KOH)溶液與異丙醇(IsopropylAlcohol，IPA)溶液的混合液，作為蝕刻液以形成第二微米結構119，而形成的第二微米結構119可為金字塔形，如圖6C所示。
[0078]接下來，蝕刻第二微米結構119，使得第二微米結構119表面形成多個納米結構。舉例而言，請參照圖6D，可先形成多個催化劑于第二微米結構119上。其中催化劑例如可為納米粒子400或者厚度為納米等級的金屬層，在此以納米粒子400作說明。接著請參照圖6E，以納米粒子400為催化劑蝕刻第二微米結構119(如圖6D所示)，以形成納米結構114與微米結構119’。納米結構114分布于微米結構119’上。而在本步驟所形成的納米結構114的高度Tl例如為約2微米，例如為納米柱結構。
[0079]在一個或多個實施方式中，催化劑的材質(zhì)可為金屬，例如為銀。蝕刻第二微米結構119的方法可為各向異性濕式蝕刻。其中因蝕刻步驟為各向異性濕式蝕刻，也即蝕刻液以納米粒子400為催化劑向下蝕刻，以形成多個納米結構114。[0080]接著請參照圖6F。制造者可接著蝕刻納米結構114，以形成納米結構114’，具有高度T2約500納米至900納米，納米結構114’的表面的粗糙度降低，以減少基板110的表面載子復合率。另一方面，在蝕刻納米結構114的過程中，原本位于第一表面102上的納米粒子400(如圖6E所示)也可一并去除。換言之，此道工藝不但可降低因納米結構114所造成的表面粗糙，還可一并去除納米粒子400，有助于節(jié)省工藝工序。在本實施方式中，蝕刻納米結構114的方法可為各向同性濕式蝕刻或者各向異性濕式蝕刻。
[0081]接著請參照圖6G，形成第一半導體結構120于基板110的第一表面102的納米結構114’與微米結構119’上，另外形成第二半導體結構130于基板110的第二表面104上。其中第一半導體結構120與第二半導體結構130的材質(zhì)可為硅，而其形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法，或是化學氣相沉積法。如此一來，便完成了光電轉(zhuǎn)換結構100的工藝。至于本實施方式的其他細節(jié)因與圖1F的實施方式相同，因此便不再贅述。
[0082]雖然本發(fā)明已以實施方式公開如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應當可以作各種改動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以所附的權利要求所界定的范圍為準。
【權利要求】
1.一種光電轉(zhuǎn)換結構，包含: 一基板，具有兩相對的第一表面與第二表面，其中該第一表面具有多個微米結構以及多個納米結構，所述納米結構分布于所述微米結構表面上，且所述納米結構的高度為約500納米至900納米； 一第一半導體結構，置于該基板的該第一表面上；以及 一第二半導體結構，置于該基板的該第二表面上。
2.如權利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換結構，其中每一所述微米結構的形狀為金字塔、凹洞或其混合。
3.如權利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換結構，其中每一所述微米結構的高度為約I微米至20微米。
4.如權利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換結構，其中該第一半導體結構為一N型半導體層，且該第二半導體結構為一 P型半導體層；或者該第一半導體結構為一 P型半導體層，且該第二半導體結構為一 N型半導體層。
5.如權利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換結構，其中該第一半導體結構包含: 一 i型半導體層，置于該基板的該第一表面；以及 一 P型半導體層，該i型半導體層置于該P型半導體層與該基板的該第一表面之間；以及 其中該第二半導體結構包含: 一 i型半導體層，置于該基板的該第二表面；以及 一 η+型半導體層，該i型半導體層置于該η+型半導體層與該基板的該第二表面之間。
6.一種太陽能電池，包含: 如權利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換結構； 一第一電極結構，該第一半導體結構置于該第一電極結構與該基板之間；以及 一第二電極結構，該第二半導體結構置于該第二電極結構與該基板之間。
7.如權利要求6所述的太陽能電池,其中該第一電極結構包含: 一透明導電層，該第一半導體結構置于該透明導電層與該基板之間；以及 至少一金屬電極，部分該透明導電層置于該金屬電極與該第一半導體結構之間。
8.如權利要求6所述的太陽能電池，其中該第二電極結構為一金屬層。
9.如權利要求6所述的太陽能電池，其中該第二電極結構包含: 一透明導電層，該第二半導體結構置于該透明導電層與該基板之間；以及 至少一金屬電極，部分的該透明導電層置于該金屬電極與該第二半導體結構之間。
10.如權利要求6所述的太陽能電池，其中該光電轉(zhuǎn)換結構的該基板的該第二表面具有多個微米結構，且該第二電極結構包含: 一透明導電層，該第二半導體結構置于該透明導電層與該基板之間；以及 一金屬電極，全面覆蓋該透明導電層。
11.一種光電轉(zhuǎn)換結構的制造方法，包含: 提供一基板； 形成多個微米結構于該基板的一第一表面； 蝕刻所述微米結構，使得每一所述微米結構表面形成多個納米結構；蝕刻所述納米結構； 形成一第一半導體結構于該基板的該第一表面上；以及 形成一第二半導體結構于該基板的一第二表面上。
12.如權利要求11所述的制造方法，其中蝕刻所述納米結構的步驟包含: 將所述納米結構的高度蝕刻至500納米至900納米。
13.如權利要求11所述的制造方法，其中蝕刻所述納米結構的方法為各向同性濕式蝕刻。
14.如權利要求11所述的制造方法，其中蝕刻所述納米結構的方法為各向異性濕式蝕刻。
15.如權利要求11所述的制造方法，其中蝕刻所述微米結構的步驟包含: 形成多個催化劑于所述微米結構表面上；以及 借由所述催化劑蝕刻所述微米結構。
16.如權利要求15所述的制造方法，其中蝕刻所述納米結構的步驟包含: 一并將所述催化劑去除。
17.如權利要求15所述的制造方法，其中該催化劑為金屬納米粒子。
18.如權利要求11所述的制造方法，其中蝕刻所述微米結構的方法為各向異性濕式蝕刻。
19.如權利要求11所述的制造方法，其中形成所述微米結構的方法包含形成一第一微米結構，且該第一微米結構的形成方法為各向同性濕式蝕刻。
20.如權利要求19所述的制造方法，其中形成所述微米結構的方法包含形成一第二微米結構于該第一微米結構上，且該第二微米結構的形成方法為各向異性濕式蝕刻。
【文檔編號】H01L31/0236GK103730522SQ201410041878
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2014年1月28日 優(yōu)先權日:2014年1月28日
【發(fā)明者】黃明義, 楊伯川, 何志浩, 王新平, 林姿吟 申請人:友達光電股份有限公司