一種顯示面板制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種用于制作具有輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)薄膜晶體管矩陣的顯示面板的方法，該制作方法先在一基板上形成具有預(yù)定形狀的半導(dǎo)體圖案，在所述基板上形成一覆蓋所述半導(dǎo)體圖案的介電層，在所述介電層上形成一金屬層，在所述金屬層上位于半導(dǎo)體圖案的正上方形成一尺寸小于所述半導(dǎo)體圖案的光阻圖案，蝕刻所述金屬層以形成一尺寸小于光阻圖案的柵極，利用所述光阻圖案作為掩膜進(jìn)行對(duì)未被光阻圖案覆蓋的部分進(jìn)行高濃度離子摻雜以形成重?fù)诫s區(qū)，移除所述光阻圖案，利用所述柵極作為掩膜對(duì)在所述重?fù)诫s區(qū)與被所述柵極覆蓋的半導(dǎo)體圖案區(qū)域之間進(jìn)行低濃度離子摻雜以形成輕摻雜區(qū)。
【專利說(shuō)明】一種顯示面板制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板制作方法，尤其涉及一種具有輕摻雜漏極(Lightly DopedDrain, LDD)結(jié)構(gòu)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)的顯示面板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有采用自對(duì)準(zhǔn)方式制作具有LDD結(jié)構(gòu)TFT的方法大多需要對(duì)TFT的柵極金屬層進(jìn)行重復(fù)蝕刻。對(duì)柵極金屬層的第一次蝕刻定義出半導(dǎo)體層內(nèi)重?fù)诫s區(qū)的位置。對(duì)柵極金屬層的第二次蝕刻定義出半導(dǎo)體層內(nèi)輕摻雜區(qū)的位置。所以，采用對(duì)柵極金屬層重復(fù)蝕刻方法制成的LDD結(jié)構(gòu)的尺寸因受到多次蝕刻誤差的影響，其精度較低。而且，多次蝕刻也增加了光罩次數(shù)提高了顯示面板的制造成本。
[0003]因此，需要提供能夠解決上述問(wèn)題的顯示面板制作方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板制作方法，其用于制作具有輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)薄膜晶體管矩陣的顯示面板，該顯示面板制作方法包括:
[0005]提供一基板；
[0006]在所述基板上形成具有預(yù)定形狀的半導(dǎo)體圖案；
[0007]在所述基板形成一覆蓋所述半導(dǎo)體圖案的介電層；
[0008]在所述介電層上形成一金屬層；
[0009]在所述金屬層上位于半導(dǎo)體圖案的正上方形成一尺寸小于所述半導(dǎo)體圖案的光阻圖案；
[0010]蝕刻所述金屬層以形成一尺寸小于光阻圖案的柵極；
[0011]利用所述光阻圖案作為掩膜進(jìn)行一高濃度離子摻雜，以使得所述半導(dǎo)體圖案未被光阻圖案覆蓋的部分形成重?fù)诫s區(qū)；
[0012]移除所述光阻圖案；
[0013]利用所述柵極作為掩膜進(jìn)行一低濃度離子摻雜，以在所述重?fù)诫s區(qū)與被所述柵極覆蓋的半導(dǎo)體圖案區(qū)域之間形成輕摻雜區(qū)。
[0014]其中，經(jīng)蝕刻金屬層所形成的柵極的中心與所述光阻圖案的中心對(duì)齊。所述柵極相對(duì)兩側(cè)的邊緣相對(duì)所述光阻圖案對(duì)應(yīng)兩側(cè)邊緣向內(nèi)凹入一預(yù)設(shè)的水平距離。
[0015]其中，所述柵極邊緣相對(duì)光阻圖案的邊緣向內(nèi)凹入的水平距離為0.5?1.5μπι。
[0016]其中，蝕刻所述金屬層的方式選自干蝕刻及濕蝕刻中的一種。
[0017]其中，所述半導(dǎo)體圖案的材料為非晶硅經(jīng)過(guò)準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶(ExcimerLaser Annealing, ELA)、金屬誘發(fā)結(jié)晶(Metal-1nduced crystallization, MIC)、固相再結(jié)晶(Solid Phase Crystallization, SPC)而形成的低溫多晶娃(Low TemperaturePolycrystalline Silicon)。
[0018]其中，在所述基板上形成半導(dǎo)體圖案前還可以先在所述基板上形成一緩沖層。[0019]其中，在完成所述低濃度離子摻雜后將所述半導(dǎo)體圖案經(jīng)摻雜后的區(qū)域加熱至400攝氏度與1000攝氏度之間以活化輕摻雜區(qū)與重?fù)诫s區(qū)內(nèi)的帶電離子。
[0020]其中，所述金屬層以濺鍍的方式形成在所述介電層上。
[0021]其中，所述光阻圖案在半導(dǎo)體圖案上的投影位于所述半導(dǎo)體圖案的中部。
[0022]其中，所述光阻圖案的相對(duì)兩側(cè)邊緣在半導(dǎo)體圖案上的投影與所述半導(dǎo)體圖案對(duì)應(yīng)的兩側(cè)邊緣的距離相等。
[0023]本發(fā)明所提供的顯示面板制作方法只需要對(duì)柵極金屬層進(jìn)行一次蝕刻，不僅減少了制程步驟，還避免了多次蝕刻所造成的疊加誤差，提高了 LDD結(jié)構(gòu)的尺寸精度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示面板制作方法的步驟流程圖。
[0026]圖2是采用圖1所示的顯示面板制作方法制成的顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖3-圖12為圖1所示的顯示面板制作方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示面板制作方法用于制作適用于液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示面板I。如圖2所示，所述顯示面板I包括基板10及設(shè)置在基板上呈矩陣狀排列的TFT16。所述TFT16具有LDD結(jié)構(gòu)。所述顯示面板制作方法包括如下步驟:
[0030]步驟S10，提供所述基板10，如圖3所示，提供一由透明絕緣材料制成的基板10。
[0031]步驟S12，形成半導(dǎo)體圖案12，如圖4所示，在所述基板10上形成具有預(yù)定形狀的半導(dǎo)體圖案12。具體地，先在所述基板10上沉積一半導(dǎo)體層。再利用光蝕刻的方式將所述半導(dǎo)體層蝕刻成具有預(yù)定形狀的半導(dǎo)體圖案12。所述半導(dǎo)體圖案12的材料為非晶硅經(jīng)過(guò)低溫多晶娃制程(Low Temperature Polycrystalline Silicon, LTPS)重新結(jié)晶而形成的多晶娃。所述低溫多晶娃制程包括準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶(Excimer Laser Annealing,ELA)、金屬誘發(fā)結(jié)晶(Metal-1nduced crystallization, MIC)、固相再結(jié)晶(Solid PhaseCrystallization, SPC)。
[0032]優(yōu)選地，如圖5所示，在形成所述半導(dǎo)體圖案12前還可以先在基板10上形成一緩沖層11，以減少基板10中雜質(zhì)分子對(duì)半導(dǎo)體圖案12性質(zhì)的影響。
[0033]步驟S13，形成介電層13，如圖6所示，在所述基板10上沉積介電材料以形成一介電層13覆蓋于所述半導(dǎo)體圖案12上。[0034]步驟S14，形成金屬層14，如圖7所示，在所述介電層13上以濺鍍的方法形成一金
屬層14。
[0035]步驟S15，形成光阻圖案15，如圖8所示，在所述金屬層14上位于半導(dǎo)體圖案12的正上方形成一光阻圖案15。具體地，先在所述金屬層14上沉積一層光阻材料。之后利用具有特定圖案的光罩對(duì)所述光阻材料進(jìn)行曝光。再對(duì)曝光后的光阻材料進(jìn)行顯影從而得到與光罩上預(yù)定圖案對(duì)應(yīng)的光阻圖案15。
[0036]所述光阻圖案15的尺寸小于所述半導(dǎo)體圖案12。所述光阻圖案15在半導(dǎo)體圖案12上的投影位于所述半導(dǎo)體圖案12的中部。所述光阻圖案15的相對(duì)兩側(cè)邊緣在半導(dǎo)體圖案12上的投影與所述半導(dǎo)體圖案12對(duì)應(yīng)的兩側(cè)邊緣之間的距離均為L(zhǎng)I。
[0037]步驟S16，蝕刻金屬層14以形成柵極14a，如圖9所示，蝕刻所述金屬層14以形成具有特定圖案的TFT16的柵極14a。所述柵極14a的中心與所述光阻圖案15的中心相互對(duì)齊。所述柵極14a的尺寸小于所述光阻圖案15。所述柵極14a相對(duì)兩側(cè)的邊緣相對(duì)所述光阻圖案15對(duì)應(yīng)兩側(cè)邊緣向內(nèi)凹入一預(yù)設(shè)的水平距離L2。在本實(shí)施例中，所述水平距離L2優(yōu)選為0.5?1.5 μ m。
[0038]所述柵極14a的蝕刻制程可采用干蝕刻或濕蝕刻的方法。采用濕蝕刻時(shí)，利用濕蝕刻的過(guò)蝕刻效果在將未被光阻圖案15覆蓋的金屬層14部分蝕刻掉后繼續(xù)向內(nèi)過(guò)蝕刻所述水平距離L2以形成相對(duì)于光阻圖案15向內(nèi)凹入的所述柵極14a。
[0039]因所述干蝕刻的蝕刻進(jìn)度可精確控制，在采用干蝕刻時(shí)通過(guò)控制蝕刻進(jìn)度便可精確地形成邊緣與光阻圖案15相距L2的柵極14a。
[0040]步驟S17，進(jìn)行高濃度離子摻雜，如圖10所示，利用所述光阻圖案15作為掩膜，進(jìn)行一高濃度離子摻雜，使得所述半導(dǎo)體圖案12相對(duì)兩側(cè)距離邊緣LI處未被光阻圖案15覆蓋的部分分別形成重?fù)诫s區(qū)12a (N+摻雜區(qū)或P+摻雜區(qū))。
[0041]步驟S18，移除所述光阻圖案15，如圖11所示，在所述重?fù)诫s區(qū)12a內(nèi)已摻雜入預(yù)定濃度的離子后將位于柵極14a上方的光阻圖案15去除。
[0042]步驟S19，進(jìn)行低濃度離子摻雜，如圖12所示，利用所述柵極14a作為掩膜，進(jìn)行一低濃度離子摻雜。因所述柵極14a邊緣相對(duì)于對(duì)應(yīng)的光阻圖案15邊緣向內(nèi)凹入所述水平距離L2。所以，在進(jìn)行高濃度離子摻雜后所形成的所述半導(dǎo)體圖案12兩側(cè)的重?fù)诫s區(qū)12a的內(nèi)邊緣相對(duì)于柵極14a邊緣之間形成一寬度為L(zhǎng)2的區(qū)域。經(jīng)過(guò)低濃度離子摻雜后在上述區(qū)域形成一輕摻雜區(qū)12b，以形成所述LDD結(jié)構(gòu)。
[0043]而未被柵極14a所覆蓋的半導(dǎo)體圖案12區(qū)域則作為T(mén)FT16的溝道層。在確定所述輕摻雜區(qū)12b中已摻雜入預(yù)定濃度的離子后，通過(guò)一離子活化方法將所述半導(dǎo)體圖案12經(jīng)摻雜后的區(qū)域加熱至大約400攝氏度與1000攝氏度之間，以活化輕摻雜區(qū)12b與重?fù)诫s區(qū)12a內(nèi)的帶電離子，進(jìn)而使半導(dǎo)體圖案12具有半導(dǎo)體功能。
[0044]因所述顯示面板制作方法只需要對(duì)金屬層14進(jìn)行一次蝕刻，不僅減少了制程步驟，還避免了多次蝕刻所造成的疊加誤差，提高了 LDD結(jié)構(gòu)的尺寸精度。
[0045]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示面板制作方法，其用于制作具有輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)薄膜晶體管(16)矩陣的顯示面板(I)，該顯示面板制作方法包括: 提供一基板(10)； 在所述基板(10)上形成具有預(yù)定形狀的半導(dǎo)體圖案(12)； 在所述基板(10)形成一覆蓋所述半導(dǎo)體圖案(12)的介電層(13)； 在所述介電層(13)上形成一金屬層(14)； 在所述金屬層(14)上位于半導(dǎo)體圖案(12)的正上方形成一尺寸小于所述半導(dǎo)體圖案(12)的光阻圖案(15)； 蝕刻所述金屬層(14)以形成一尺寸小于光阻圖案(15)的柵極(14a)； 利用所述光阻圖案(15)作為掩膜進(jìn)行一高濃度離子摻雜，以使得所述半導(dǎo)體圖案(12)未被光阻圖案(15)覆蓋的部分形成重?fù)诫s區(qū)(12a)； 移除所述光阻圖案(15)； 利用所述柵極(14a)作為掩膜進(jìn)行一低濃度離子摻雜，以在所述重?fù)诫s區(qū)(12a)與被所述柵極(14a)覆蓋的半導(dǎo)體圖案(12)區(qū)域之間形成輕摻雜區(qū)(12b)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，經(jīng)蝕刻金屬層(14)所形成的柵極(14a)的中心與所述光阻圖案(15)的中心對(duì)齊，所述柵極(14a)相對(duì)兩側(cè)的邊緣相對(duì)所述光阻圖案(15)對(duì)應(yīng)兩側(cè)邊緣向內(nèi)凹入一預(yù)設(shè)的水平距離(L2)。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板制作方法，其特征在于，所述柵極(14a)邊緣相對(duì)光阻圖案(15)的邊緣向內(nèi)凹入的水平距離(L2)為0.5?1.5 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，蝕刻所述金屬層(14)的方式選自干蝕刻及濕蝕刻中的一種。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體圖案(12)的材料為非晶娃經(jīng)過(guò)準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶(Excimer Laser Annealing, ELA)、金屬誘發(fā)結(jié)晶(Metal-1nduced crystallization, MIC)或固相再結(jié)晶(Solid Phase Crystallization,SPC)而形成的低溫多晶娃(Low Temperature Polycrystalline silicon)。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在所述基板(10)上形成半導(dǎo)體圖案(12)前還可以先在所述基板(10)上形成一緩沖層(11)。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，在完成所述低濃度離子摻雜后將所述半導(dǎo)體圖案(12)經(jīng)摻雜后的區(qū)域加熱至400攝氏度與1000攝氏度之間以活化輕摻雜區(qū)(12b)與重?fù)诫s區(qū)(12a)內(nèi)的帶電離子。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，所述金屬層(14)以濺鍍的方式形成在所述介電層(13)上。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，所述光阻圖案(15)在半導(dǎo)體圖案(12)上的投影位于所述半導(dǎo)體圖案(12)的中部。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法，其特征在于，所述光阻圖案(15)的相對(duì)兩側(cè)邊緣在半導(dǎo)體圖案(12)上的投影與所述半導(dǎo)體圖案(12)對(duì)應(yīng)的兩側(cè)邊緣的距離相等。
【文檔編號(hào)】H01L21/84GK103794566SQ201410023841
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2014年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月17日
【發(fā)明者】戴天明 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司