一種解決dv微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法
【專利摘要】一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，包括如下步驟：步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，進(jìn)行DV微影工藝：在待處理晶圓上定義DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形；步驟二，刻蝕待處理晶圓上DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，形成溝槽形式的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，進(jìn)行TE微影工藝：在待處理晶圓上定義類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形；步驟四，進(jìn)行TE干法蝕刻：干法刻蝕所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的溝槽。本發(fā)明一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，在TE微影工藝時(shí)，將DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志上的光阻打開(kāi)，TE蝕刻將蝕刻DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)的殘留物，使TE蝕刻后，DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)沒(méi)有殘留物，使后續(xù)工藝可以正常的進(jìn)行，有效的解決了因DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞而嚴(yán)重影響產(chǎn)品良率的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在UTS (Ultra Thin Stacking:超薄層)技術(shù)中，連結(jié)pixel wafer (像素晶圓)和logical wafer (邏輯晶圓)金屬層的工藝是非常關(guān)鍵的技術(shù)，通常包括如下步驟:第一步，進(jìn)行SE (SEiSilicon Etch，硅刻蝕)工藝，并停在二氧化硅上；第二步，在SE溝槽內(nèi)進(jìn)行DV (DV:Deep Via Etch,深孔工藝)工藝來(lái)連結(jié) pixel wafer 與 logical wafer ;第三步，蝕刻pixel wafer,露出pixel wafer的金屬層，在此稱為TE(TE:Trench Etch,溝槽工藝)工藝；第四步，形成連接層，連結(jié)pixel wafer和logical wafer。微影技術(shù)必須使用對(duì)準(zhǔn)工藝來(lái)防止SE、DV和TE的錯(cuò)位。目前，UTS深洞(連結(jié)兩層金屬)微影對(duì)準(zhǔn)工藝采用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為溝槽形式，在連結(jié)UTS的pixel wafer和logical wafer金屬層的工藝過(guò)程中,在填銅和沉積氮化硅后發(fā)現(xiàn)DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞，并產(chǎn)生大量剝落薄膜掉在晶圓上，嚴(yán)重影響接下來(lái)的工藝和產(chǎn)品的良率，如圖1和圖2所示，圖1為DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞的剖示圖；TE蝕刻后，發(fā)現(xiàn)DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽側(cè)壁有大量的殘留物(包含C、S1、0)，如圖3所示，圖3為TE蝕刻后DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽示意圖；DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽側(cè)壁有大量的殘留物將導(dǎo)致接下來(lái)銅的阻擋層在有些區(qū)域覆蓋不好，在填銅后，沉積氮化硅的過(guò)程中，由于高溫(約400攝氏度)，導(dǎo)致銅擴(kuò)散到硅中，最后導(dǎo)致DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞，并產(chǎn)生大量剝落薄膜掉在晶圓上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，解決因DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞，而嚴(yán)重影響產(chǎn)品的良率的問(wèn)題。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，包括如下步驟:
[0005]步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，進(jìn)行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形；
[0006]步驟二，刻蝕所述待處理晶圓上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，形成溝槽形式的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；
[0007]步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置與所述DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置相同；所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀與所述DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀相同；
[0008]進(jìn)行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形覆蓋所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；
[0009]步驟四，進(jìn)行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的溝槽。[0010]現(xiàn)有技術(shù)由于TE微影工藝不開(kāi)DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志上的光阻，光阻和表面被破壞的硅粘結(jié)在一起，TE光阻去除將產(chǎn)生大量的殘留物在DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)。本發(fā)明所述方法通過(guò)在TE微影工藝定義類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圖形，將DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志上的光阻打開(kāi)，這樣TE蝕刻將蝕刻DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)的殘留物，采用干法蝕刻使TE蝕刻后，DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)沒(méi)有殘留物，在接下來(lái)進(jìn)行的工藝中銅的阻擋層將很好地覆蓋在硅表面，防止銅的擴(kuò)散，從而避免DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞，有效的解決了因DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞而嚴(yán)重影響產(chǎn)品的良率的問(wèn)題，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0011]進(jìn)一步，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圖形的尺寸比所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圖形的尺寸大
0.3um以上。
[0012]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:在TE微影工藝中準(zhǔn)確的將DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志上的光阻打開(kāi)，保證TE蝕刻能蝕刻DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志被破壞的剖示圖；
[0015]圖3為TE蝕刻后DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽示意圖；
[0016]圖4為本發(fā)明一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0018]圖4為本發(fā)明一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法實(shí)施例的流程圖，如圖4所示，一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，包括如下步驟:
[0019]步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，進(jìn)行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形；
[0020]步驟二，刻蝕待處理晶圓上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，形成溝槽形式的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志；
[0021]步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置與DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置相同；類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀與DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀相同；進(jìn)行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形覆蓋DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志。一般微影工藝包括如下步驟:在待處理晶圓上涂覆一光阻層；利用光罩進(jìn)行曝光步驟，利用顯影液將要去除的光阻洗掉，完成在光阻上的圖案轉(zhuǎn)移。在本實(shí)施例中，TE微影光罩上設(shè)計(jì)類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志，將DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志上的光阻打開(kāi)，這樣在進(jìn)行TE蝕刻時(shí)將蝕刻DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)的殘留物；TE微影光罩上的類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志和DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的圖形和位置相同，類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形尺寸比DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形尺寸大0.3um以上，保證TE蝕刻能蝕刻DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志。
[0022]步驟四，進(jìn)行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的溝槽；采用干法蝕刻使TE蝕刻后，DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志溝槽內(nèi)沒(méi)有殘留物。
[0023]本發(fā)明一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，使用本發(fā)明所述方法，DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志沒(méi)有被破壞，晶圓不再遭受剝落薄膜影響，接下來(lái)的工藝不受影響，產(chǎn)品的良率大大地提聞，有效的節(jié)約了生廣成本。
[0024]以上所述實(shí)施步驟和方法僅僅表達(dá)了本發(fā)明的一種實(shí)施方式，描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。在不脫離本發(fā)明專利構(gòu)思的前提下，所作的變形和改進(jìn)應(yīng)當(dāng)都屬于本發(fā)明專利的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，包括如下步驟: 步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，進(jìn)行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形； 步驟二，刻蝕所述待處理晶圓上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，形成溝槽形式的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志； 步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置與所述DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的位置相同；所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀與所述DV微影光罩上的DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的形狀相同； 進(jìn)行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形覆蓋所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志； 步驟四，進(jìn)行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述一種解決DV微影對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志破壞的方法，其特征在于，所述類DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的尺寸比所述DV對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志圖形的尺寸大0.3um以上。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK103762207SQ201410003732
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月3日
【發(fā)明者】董金文, 張國(guó)民 申請(qǐng)人:武漢新芯集成電路制造有限公司