一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其生長方法包括以下步驟：通過在高溫生長P層GaN層的過程中，分為2層進(jìn)行生長：高溫P層氮化鎵層（Hp-1）及高溫P層氮化鎵層（Hp-2）。本發(fā)明通過在高溫P層氮化鎵中，Mg摻雜采用非均勻生長，同時在Mg非均勻摻雜生長過程中包含In元素?fù)诫s，該種優(yōu)化的低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以減少補(bǔ)償效應(yīng)，提高載流子濃度，能有效抑制P-GaN位錯的形成，提高晶體質(zhì)量，提高器件的使用壽命；同時，Mg在InGaN材料中的電離能比在GaN中低，可以獲得較高的空穴濃度，提高輻射發(fā)光效率，從而可以獲得高亮度發(fā)光二極管。
【專利說明】一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED,Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件,其利用半導(dǎo)體PN結(jié)作為發(fā)光材料，可以直接將電轉(zhuǎn)換為光。LED是目前半導(dǎo)體照明領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的器件，其高效、節(jié)能、環(huán)保和壽命長、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，使其在動態(tài)顯示、工業(yè)照明領(lǐng)域有非常好的應(yīng)用前景。
[0003]LED發(fā)光效率是衡量LED器件好壞至關(guān)重要的指標(biāo)之一，而提高LED器件的提取效率已經(jīng)成為提高發(fā)光效率的主要因素。伴隨著外延生長技術(shù)的不斷提高，氮化鎵基LED的發(fā)光效率得到了明顯的改善。為了實現(xiàn)高亮度LED器件，需要進(jìn)一步提高LED的發(fā)光效率和器件性能。
[0004]在外延層結(jié)構(gòu)中，采用摻雜Mg的PGaN材料作為P型材料，通常PGaN的生長溫度要比有源區(qū)生長溫度高200-400°C，而后面生長PGaN的高溫環(huán)境對有源層InGaN的破壞較大，使得InGaN相分凝過度，富銦和貧銦區(qū)體積增大，輻射復(fù)合數(shù)量和量子限制效應(yīng)都減小，導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度大幅下降。
[0005]通過在外延結(jié)構(gòu)生長過程中采用優(yōu)化的非均勻摻雜Mg生長高溫PGaN層，該種摻雜生長方法具有載流子濃度高、補(bǔ)償效應(yīng)少，可以有效抑制P-GaN位錯的形成，提高晶體質(zhì)量，提高器件的使用壽命。該種優(yōu)化的Mg非均勻摻雜生長高溫PGaN層，包含In元素?fù)诫s，Mg在InGaN材料中的電離能比在GaN中低，說明在InGaN中，相同的Mg摻雜濃度可以獲得較聞的空穴濃度，提聞福射發(fā)光效率，從而可以獲得聞売度發(fā)光二極管。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，通過在高溫P層氮化鎵中，Mg摻雜采用非均勻生長，同時在Mg非均勻摻雜生長過程中包含In元素?fù)诫s，該種優(yōu)化的低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以減少補(bǔ)償效應(yīng)，提高載流子濃度，能有效抑制P-GaN位錯的形成，提高晶體質(zhì)量，提高器件的使用壽命，以解決上述【背景技術(shù)】中的問題。
[0007]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為:襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、N型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層，其發(fā)光二極管外延生長方法包括以下步驟:
步驟一， 將襯底在1000-120(TC氫氣氣氛里進(jìn)行高溫清潔處理5-20min，然后進(jìn)行氮化處理；
步驟二，將溫度下降到500-650°C之間，生長厚度為20-30nm的低溫GaN緩沖層，生長壓力控制在 300-760Torr 之間，V / III比為 10-1200 ；
步驟三，所述低溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，停止通入三甲基鎵(TMGa)，襯底溫度升高至900-1200°C之間，對所述低溫GaN緩沖層進(jìn)行原位熱退火處理，退火時間在5_30min，退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至1000-1200°C之間，外延生長厚度為0.5-2 μ m的GaN非摻雜層，生長壓力在 100-500Torr 之間，V / III比為 150-2000 ；
步驟四，所述GaN非摻雜層生長結(jié)束后，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的N型GaN層，厚度為1.2-4.2 μ m,生 長溫度在1000-1200°C之間，壓力在100_600Torr之間，V /III比為100-2500 ；
步驟五，所述N型GaN層生長結(jié)束后，生長多量子阱結(jié)構(gòu)MQW，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW由2-15個周期的InxGal-xN/GaN (0<x<0.4)多量子阱組成，I個周期的InxGal-xN/GaN量子阱厚度在2-5nm之間，生長溫度為720_920°C，壓力在100_600Torr之間，V /III比為200-5000 ；
步驟六，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW生長結(jié)束后，生長多量子阱有源層，所述多量子阱有源層生長溫度在720-820°C之間，壓力在100-500 Torr之間，V / III摩爾比在300-5000之間，所述發(fā)光層多量子阱由3-15個周期的InyGal-yN(X〈y〈l)/GaN多量子阱組成，所述發(fā)光層多量子阱的厚度在2-5nm之間；所述發(fā)光層多量子阱中In的摩爾組分含量是不變的，在10%-50%之間；壘層厚度不變，厚度在10-15nm之間，生長溫度在820-920°C之間，壓力在100-500 Torr 之間，V / III摩爾比在 300-5000 之間；
步驟七，所述多量子阱有源層生長結(jié)束后，生長厚度為IO-1OOnm的低溫P型GaN層，生長溫度在620-820°C之間，生長時間為5-35min，壓力在100_500Torr之間，V /III比為300-4800 ；
步驟八，所述低溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為10-50nm的P型AlGaN層，生長溫度在900-1100°C之間，生長時間為5-15min，壓力在50_500Torr之間，V / III比為5-800，P型AlGaN層中Al的摩爾組分含量控制在10%_30%之間；
步驟九，所述P型AlGaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-1)，生長溫度在700-950 °C之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V /III比為200-600之間，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10。摩爾每分鐘；
步驟十，所述P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-2)，生長溫度在700-950 °C之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V / III比在100-500之間，氨氣的流量為5至50升每分鐘，三甲基鎵的摩爾流量為1.16X10—4至7.8X10_3摩爾每分鐘，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10—3摩爾每分鐘。
[0008]步驟^^一，所述高溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度在5_20nm之間的P型接觸層，生長溫度在850-1050°C之間，生長時間為Ι-lOmin，壓力在100_500Torr之間，V /III比為1000-4000，氨氣的流量為10至40升每分鐘；
步驟十二，外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)室的溫度降至650-800 V之間，采用純氮?dú)鈿夥者M(jìn)行退火處理2-15min，然后降至室溫；隨后，經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕后續(xù)加工工藝制成單顆小尺寸芯片。[0009]所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量不同，前后兩層Mg的摩爾流量為1.2X10_4至8.76X 10_3摩爾每分鐘，Mg流量的比例在1:10之間。
[0010]所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量中P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量高于氮化鎵層(Hp-1)中的Mg摻雜量。
[0011]所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中包含In元素的摻雜生長，其中在PInxGal-xN層，0〈x〈40% ；Mg與Ga的比例在0-5%之間。
[0012]所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)，其厚度在100_600nm之間。
[0013]所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中，該2層的In摻雜量不同，Mg / (Ga+In)的比例在0-3%之間。
[0014]所述發(fā)光二極管外延生長方法以高純氫氣(H2)或氮?dú)?N2)作為載氣，以三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMAl)、三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別作為N、P型摻雜劑。
[0015]本發(fā)明放入原理為:Mg在InGaN材料中的電離能比在GaN中低，說明在InGaN中，相同的Mg摻雜濃度可以獲得較高的空穴濃度，提高輻射發(fā)光效率，從而可以獲得高亮度發(fā)光二極管；該種優(yōu)化的低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以減少補(bǔ)償效應(yīng)，提聞載流子濃度，能有效抑制P-GaN位錯的形成,提聞晶體質(zhì)量,提聞器件的使用壽命。同時，低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以獲得較高的空穴濃度，提高輻射發(fā)光效率，從而可以獲得高亮度發(fā)光二極管。
[0016]與已公開技術(shù)相比，本發(fā)明存在以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明通過在高溫P層氮化鎵中，Mg摻雜采用非均勻生長，同時在Mg非均勻摻雜生長過程中包含In元素?fù)诫s，該種優(yōu)化的低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以減少補(bǔ)償效應(yīng)，提高載流子濃度，能有效抑制P-GaN位錯的形成，提高晶體質(zhì)量，提高器件的使用壽命；同時，Mg在InGaN材料中的電離能比在GaN中低，在InGaN材料中，相同的Mg摻雜濃度可以獲得較高的空穴濃度。因此，低In組分條件下的非均勻Mg摻雜的生長方法，可以獲得較高的空穴濃度，提高輻射發(fā)光效率，從而可以獲得高亮度發(fā)光二極管。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、工作流程、使用方法達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018]實施例1
一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，包括以下具體步驟:
步驟一，將襯底在1000-120(TC氫氣氣氛里進(jìn)行高溫清潔處理5-20min，然后進(jìn)行氮化處理，襯底是適合GaN基半導(dǎo)體外延材料生長的材料，如藍(lán)寶石、GaN和碳化硅(SiC)單晶等；步驟二，將溫度下降到500-650°C之間，生長厚度為20-30nm的低溫GaN緩沖層，生長壓力控制在 300-760Torr 之間，V / III比為 10-1200 ；
步驟三，所述低溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，停止通入三甲基鎵(TMGa)，襯底溫度升高至900-1200°C之間，對所述低溫GaN緩沖層進(jìn)行原位熱退火處理，退火時間在5_30min，退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至1000-1200°C之間，外延生長厚度為0.5-2 μ m的GaN非摻雜層，生長壓力在 100-500Torr 之間，V / III比為 150-2000 ；
步驟四，所述GaN非摻雜層生長結(jié)束后，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的N型GaN層，厚度為1.2-4.2 μ m，生長溫度在1000-1200°C之間，壓力在100_600Torr之間，V /III比為100-2500 ；
步驟五，所述N型GaN層生長結(jié)束后，生長多量子阱結(jié)構(gòu)MQW，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW由2-15個周期的InxGal-xN/GaN (0<x<0.4)多量子阱組成，I個周期的InxGal-xN/GaN量子阱厚度在2-5nm之間，生長溫度為720_920°C，壓力在100_600Torr之間，V /III比為200-5000 ； 步驟六，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW生長結(jié)束后，生長多量子阱有源層，所述多量子阱有源層生長溫度在720-820°C之間，壓力在100-500 Torr之間，V / III摩爾比在300-5000之間，所述發(fā)光層多量子阱由3-15個周期的InyGal-yN(X〈y〈l)/GaN多量子阱組成，所述發(fā)光層多量子阱的厚度在2-5nm之間；所述發(fā)光層多量子阱中In的摩爾組分含量是不變的，在10%-50%之間；壘層厚度不變，厚度在10-15nm之間，生長溫度在820-920°C之間，壓力在100-500 Torr 之間，V / III摩爾比在 300-5000 之間；
步驟七，所述多量子阱有源層生長結(jié)束后，生長厚度為IO-1OOnm的低溫P型GaN層，生長溫度在620-820°C之間，生長時間為5-35min，壓力在100_500Torr之間，V /III比為300-4800 ；
步驟八，所述低溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為10-50nm的P型AlGaN層，生長溫度在900-1100°C之間，生長時間為5-15min，壓力在50-500Torr之間，V /III比為5-800，P型AlGaN層中Al的摩爾組分含量控制在10%_30%之間；
步驟九，所述P型AlGaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-1)，生長溫度在700-950 V之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V /III比為200-600之間，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10。摩爾每分鐘；
步驟十，所述P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-2)，生長溫度在700-950 °C之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V / III比在100-500之間，氨氣的流量為5至50升每分鐘，三甲基鎵的摩爾流量為1.16X10—4至7.8X10_3摩爾每分鐘，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10—3摩爾每分鐘。
[0019]步驟^^一，所述高溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度在5_20nm之間的P型接觸層，生長溫度在850-1050°C之間，生長時間為Ι-lOmin，壓力在100_500Torr之間，V /III比為1000-4000，氨氣的流量為10至40升每分鐘；
步驟十二，外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)室的溫度降至650-800 V之間，采用純氮?dú)鈿夥者M(jìn)行退火處理2-15min，然后降至室溫。[0020]隨后，經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)加工工藝制成單顆小尺寸芯片。
[0021]本實施例以高純氫氣(H2)或氮?dú)?N2)作為載氣，以三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMAl)、三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別作為N、P型摻雜劑。
[0022]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明的要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:其外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為:襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、N型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層，其發(fā)光二極管外延生長方法包括以下步驟: 步驟一，將襯底在1000-120(TC氫氣氣氛里進(jìn)行高溫清潔處理5-20min，然后進(jìn)行氮化處理； 步驟二，將溫度下降到500-650°C之間，生長厚度為20-30nm的低溫GaN緩沖層，生長壓力控制在 300-760Torr 之間，V / III比為 10-1200 ； 步驟三，所述低溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，停止通入三甲基鎵(TMGa)，襯底溫度升高至900-1200°C之間，對所述低溫GaN緩沖層進(jìn)行原位熱退火處理，退火時間在5_30min，退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至1000-1200°C之間，外延生長厚度為0.5-2μπι的GaN非摻雜層，生長壓力在 100-500Torr 之間，V / III比為 150-2000 ； 步驟四，所述GaN非摻雜層生長結(jié)束后，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的N型GaN層，厚度為1.2-4.2 μ m,生長溫度在1000-1200°C之間，壓力在100_600Torr之間，V /III比為100-2500 ； 步驟五，所述N型GaN層生長結(jié)束后，生長多量子阱結(jié)構(gòu)MQW，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW由2-15個周期的InxGal-xN/GaN (0<x<0.4)多量子阱組成，I個周期的InxGal-xN/GaN量子阱厚度在2-5nm之間，生長溫度為720_920°C，壓力在100_600Torr之間，V /III比為200-5000 ； 步驟六，所述多量子阱結(jié)構(gòu)MQW生長結(jié)束后，生長多量子阱有源層，所述多量子阱有源層生長溫度在720-820°C之間，壓力在100-500 Torr之間，V / III摩爾比在300-5000之間，所述發(fā)光層多量子阱由3-15個周期的InyGal-yN(X〈y〈l)/GaN多量子阱組成，所述發(fā)光層多量子阱的厚度在2-5nm之間；所述發(fā)光層多量子阱中In的摩爾組分含量是不變的，在10%-50%之間；壘層厚度不變，厚度在10-15nm之間，生長溫度在820-920°C之間，壓力在100-500 Torr 之間，V / III摩爾比在 300-5000 之間； 步驟七，所述多量子阱有源層生長結(jié)束后，生長厚度為IO-1OOnm的低溫P型GaN層，生長溫度在620-820°C之間，生長時間為5-35min，壓力在100_500Torr之間，V /III比為300-4800 ； 步驟八，所述低溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為10-50nm的P型AlGaN層，生長溫度在900-1100°C之間，生長時間為5-15min，壓力在50-500Torr之間，V /III比為5-800，P型AlGaN層中Al的摩爾組分含量控制在10%_30%之間； 步驟九，所述P型AlGaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-1)，生長溫度在700-950 V之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V /III比為200-600之間，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10。摩爾每分鐘； 步驟十，所述P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度為100-600nm的高溫PInxGal-xN(0<x<40%)層(Hp-2)，生長溫度在700-950 °C之間，生長時間為3_15min，壓力在100-500Torr之間，V / III比在100-500之間，氨氣的流量為5至50升每分鐘，三甲基鎵的摩爾流量為1.16X10—4至7.8X10_3摩爾每分鐘，二茂鎂的摩爾流量為1.2X10—4至8.76X10—3摩爾每分鐘； 步驟十一，所述高溫P型GaN層生長結(jié)束后，生長厚度在5-20nm之間的P型接觸層，生長溫度在850-1050°C之間，生長時間為Ι-lOmin，壓力在100_500Torr之間，V /III比為1000-4000，氨氣的流量為10至40升每分鐘； 步驟十二，外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)室的溫度降至650-800°C之間，采用純氮?dú)鈿夥者M(jìn)行退火處理2-15min，然后降至室溫；隨后，經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕后續(xù)加工工藝制成單顆小尺寸芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量不同，前后兩層Mg的摩爾流量為1.2X 10_4至8.76 X 10_3摩爾每分鐘，Mg流量的比例在1:10之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量中P層氮化鎵層(Hp-2)中的Mg摻雜量高于氮化鎵層(Hp-1)中的Mg摻雜量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中包含In元素的摻雜生長，其中在PInxGal-xN層，0〈x〈40% ；Mg與Ga的比例在0-5%之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述高溫P層氮化鎵層(Hp-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)，其厚度在100-600nm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述高溫P層氮化鎵層(H`p-1)及高溫P層氮化鎵層(Hp-2)中，該2層的In摻雜量不同，Mg / (Ga+In)的比例在0-3%之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于:所述發(fā)光二極管外延生長方法以高純氫氣(H2)或氮?dú)?N2)作為載氣，以三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMAl)、三甲基銦(TMIn)和氨氣(NH3)分別作為Ga、Al、In和N源，用硅烷(SiH4)和二茂鎂(CP2Mg)分別作為N、P型摻雜劑。
【文檔編號】H01L33/00GK103700745SQ201410001948
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2014年1月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月3日
【發(fā)明者】郭麗彬, 李剛, 吳禮清, 蔣利民 申請人:合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司