涂覆處理和用于壓配合觸頭的涂層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及涂覆基板處理，其中：提供具有至少一個(gè)自由表面(110)的基板(100)；第一材料的第一層(101)沉積在基板(100)的自由表面(110)上；第二材料的第二層(102)沉積在第一層(101)上，第二材料不同于第一材料；第三材料的第三層(103)沉積在第二層(102)上，第三材料不同于第一和第二材料。該處理的特征在于，該處理還包括將由不同于第一、第二和第三材料的第四材料形成的保護(hù)層(104)沉積在第三層(103)上；及通過(guò)在保護(hù)層(104)上的熱接觸形成傳熱，使至少第二層(102)和第三層(103)從第一層(101)、第二層(102)和第三層(103)回流，保護(hù)層(104)避免至少第三層(103)的氧化。本發(fā)明另外涉及防止晶須形成的涂層，特別地防止在壓配合觸頭的端子上的晶須形成，以及涉及使用這種涂層的壓配合觸頭和設(shè)有這種觸頭的印刷電路。
【專利說(shuō)明】涂覆處理和用于壓配合觸頭的涂層

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及阻止在用于壓配合觸頭的元件的鍍覆的金屬層的表面上形成晶須。

【背景技術(shù)】
[0002]細(xì)絲或者晶須的形成，特別是從純金屬(例如，錫、鋅、鎘、銦、銻、銀或者金，與由至少一種金屬與另一元素組成的合金相反)的表面形成細(xì)絲或者晶須，是一種已知現(xiàn)象，其可造成諸如在用于電子部件觸頭鍍覆的金屬層的表面上產(chǎn)生短路或者引發(fā)電弧的后果。
[0003]一些因素，諸如機(jī)械或者化學(xué)應(yīng)力、劃痕、不同材料擴(kuò)散或者熱膨脹，加大了晶須形成的風(fēng)險(xiǎn)。與一些金屬表面上出現(xiàn)的另一現(xiàn)象即樹枝突相反，金屬溶解或者電磁場(chǎng)存在并不影響晶須的形成或者生長(zhǎng)。
[0004]電子部件的觸頭一般由鍍覆有金屬涂層的基部基板(例如銅)構(gòu)成，在該金屬涂層中，純錫(與錫合金相反)是最常使用的一種。這對(duì)于壓配合觸頭尤其如此。在這些觸頭由鍍覆有純錫的銅制成的情況下，除涂層中或者基板本身中固有的應(yīng)力之外，因下列原因引起在鍍層中可引起晶須形成的壓應(yīng)力:銅原子從基板沿著錫薄膜的晶粒邊界擴(kuò)散，形成金屬間化合物，或者M(jìn)C Cu6Sn5O在這些應(yīng)力作用下，則可從晶粒形成錫晶須，這些晶粒的取向不同于錫薄膜的主取向或者不同于相鄰晶粒的取向。
[0005]處理錫晶須問(wèn)題的一種方法在于使用由錫和鉛的合金制成的鍍層。但是，由于鉛在當(dāng)前對(duì)于大多數(shù)電子應(yīng)用是被禁止的，特別是在歐盟區(qū)，由于電子部件中的晶須形成引起的事故再次變得常見(jiàn)。因此，需要發(fā)現(xiàn)新的方案用于阻止晶須形成，特別是在電子元件觸頭上。
[0006]在壓配合觸頭的元件上形成的錫晶須的問(wèn)題例如從文獻(xiàn)EP 2 195 885B1中已知，該文獻(xiàn)公開(kāi)了電觸頭元件的制造過(guò)程，其中使用形成被施加到基底材料上的擴(kuò)散屏的層，然后在該層上施加多個(gè)由不同金屬形成的至少兩個(gè)金屬層的組合，其中至少一個(gè)金屬層由錫制成。形成擴(kuò)散屏的層阻止基礎(chǔ)材料和金屬層的組合的各層之間的混合，這些金屬層然后經(jīng)受熱處理，熱處理溫度不可超過(guò)錫的熔融溫度，即232°C，以便金屬層的組合構(gòu)成的元件通過(guò)擴(kuò)散混合，然后外層成為包括至少兩種不同金屬的合金。
[0007]在現(xiàn)有技術(shù)中還已知其它方案，例如WO 2006/134665A1，其使用位于銅基基板和鍍錫薄膜(tin plating film)之間的镲亞層，以通過(guò)形成更致密的金屬間化合物附35]14來(lái)降低金屬間化合物Cu6Sn5施加到錫層的應(yīng)力。可施加不超過(guò)晶粒熔融溫度0.65至0.8倍的熱處理，以減少涂層內(nèi)應(yīng)力。
[0008]這些方案實(shí)施困難，并且由于所用處理的持續(xù)時(shí)間和成本，涂層形成在經(jīng)濟(jì)上不可行。由于應(yīng)力且因此由于印刷電路板施加到壓配合觸針端部的永久應(yīng)力以及涂層本身的變形和位移，這些方案不足以避免壓配合觸頭中的晶須形成。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]因此本發(fā)明目的在于提供一種方案，其特別地允許改進(jìn)已有鍍覆處理，特別是針對(duì)壓配合觸頭的鍍覆處理，特別是通過(guò)避免晶須形成實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該目的通過(guò)用于涂覆基板的處理實(shí)現(xiàn)，其中:提供具有至少一個(gè)自由表面的基板；將第一材料形成的第一層沉積在基板的自由表面上；將不同于第一材料的第二材料形成的第二層沉積在第一層上；將不同于第一和第二材料的第三材料形成的第三層沉積在第二層上。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，所述處理還包括:將由不同于第一、第二和第三材料的第四材料形成的保護(hù)層沉積在第三層上；以及通過(guò)在保護(hù)層上的熱接觸形成的傳熱，使第一、第二和第三層中的至少第二和第三層回流，保護(hù)層避免了至少第三層的氧化。
[0010]本發(fā)明使用了應(yīng)用于基板或者基礎(chǔ)材料的多層表面處理的高溫回流，并且使得可以阻止晶須在涂層表面上的形成和擴(kuò)散。第一層用作擴(kuò)散阻擋層。本發(fā)明與已知現(xiàn)有技術(shù)的不同特別地在于:沉積保護(hù)層以防止氧化的步驟，以及要求比形成第三層的元素的熔點(diǎn)更高的溫度的回流步驟，所述第三層是涂層的外層?；亓鞑襟E的溫度必須盡可能地高，以具有對(duì)于基板的快速回流處理以及應(yīng)力弛豫。該高溫處理使用由在產(chǎn)品外表面(即，保護(hù)層)上的熱接觸形成的傳熱。依賴第一、第二和第三層的厚度，所述回流的溫度和持續(xù)時(shí)間，可以部分地或者總體上第三層與第二層的至少一部分回流。類似地，也可以使得第一層至少部分地回流，第一層即在基板表面上形成擴(kuò)散屏的層。因此，可以借助于本發(fā)明形成包含可阻止位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的沉淀物的多相凝固結(jié)構(gòu)，且因此形成具有防止晶須形成的優(yōu)點(diǎn)且因此適于印刷電路觸頭元件的鍍覆的多相合金。所獲得的多相合金還可以具有觸變性，即在應(yīng)力狀態(tài)下可從固態(tài)轉(zhuǎn)換到液態(tài)，并且反過(guò)來(lái)，在未受力狀態(tài)下，其使本身重構(gòu)以恢復(fù)其固體狀態(tài)，同時(shí)保持其在變性或調(diào)整上的特性和優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于壓配合觸頭的涂層，這一特性是有用的。本創(chuàng)造性的處理還有利地允許壓配合觸頭及其涂層的內(nèi)應(yīng)力弛豫和金相組織穩(wěn)定，以保證其性能。特別是，本創(chuàng)造性處理具有在產(chǎn)品使用期間穩(wěn)定觸頭在印刷電路相應(yīng)孔中的插入力的優(yōu)點(diǎn)。
[0011]優(yōu)選地，保護(hù)層的材料可選擇為使得在回流步驟期間，它不與第一、第二和第三層混合。因而，能夠在受控且有效的方式來(lái)實(shí)施形成鍍層的層的回流。
[0012]優(yōu)選地，回流步驟的溫度能夠比第三材料的熔融溫度高1.5-3倍，比第二材料的熔融溫度高0.8-1.5倍，并且能夠小于或等于第一材料和/或基板的熔融溫度。回流步驟的溫度可因此相當(dāng)高，以具有對(duì)基板的快速回流處理和應(yīng)力馳豫。
[0013]根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，第一、第二和第三材料能夠是或能夠包括金屬材料，特別是基本金屬。因此，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能夠用于使用合金、并且及優(yōu)選地純或者基本金屬的金屬涂層，例如在電子部件(諸如，印刷電路元件的觸頭)的鍍覆的情況。在必需承受高的機(jī)械應(yīng)力且其需要避免形成晶須的壓配合觸頭元件的鍍覆的情況下，后者這些會(huì)是有利的。
[0014]有利地，第三材料可以是這樣的材料，該材料具有第一、第二和第三材料的熔點(diǎn)中的最低熔點(diǎn)。由此，回流步驟始自第三層的熔融和/或第三層和第二層之間的分界面的熔融。
[0015]有利地，第二材料的熔融溫度可以比第三材料的熔融溫度大1.5-3倍。從相對(duì)于第三層的材料的該材料選擇的第二層使得可以控制回流，并且部分地或者完全地使得第三層與第二層回流，且總是以第三層的回流開(kāi)始。
[0016]有利地，基板和/或第一材料的熔融溫度可以比第二材料的熔融溫度高至少2-3倍。由此，在回流步驟期間不達(dá)到基板和/或第一材料的熔融溫度，這避免了這些材料朝向涂層表面、即朝向第三層的擴(kuò)散。
[0017]有利地，第四材料、即形成保護(hù)層的材料的比熱可以比第二和第三材料的比熱高2-3倍。因此，第四材料選擇為在回流步驟期間優(yōu)化由熱接觸產(chǎn)生的傳熱。
[0018]在本發(fā)明該方面的實(shí)施例的示例中，第一材料可以是或者可以包括鎳，和/或第二材料可以是或者可以包括鋅或者銻，和/或第三材料可以是或者可以包括錫和/或銀。在使用純錫的標(biāo)準(zhǔn)鍍層的情況下，有利的是使用鎳制成的阻擋層，之后使用鋅層和錫層。本發(fā)明由此允許使用鋅層和錫層之間分界面的起動(dòng)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)錫合金的完全再結(jié)晶，該起動(dòng)點(diǎn)具有最低的熔點(diǎn)。因此，可以在錫層和鋅層的分界面處起始回流，且另外可以在鋅的固-固擴(kuò)散之前使錫層的表面回流。視需要，錫層和鋅層能夠部分地或全部地回流。因此，可以形成光滑、無(wú)孔且硬化的表面，同時(shí)控制殘余的緩沖鋅亞層，并且具有填充有沉淀物的凝固結(jié)構(gòu)阻止可導(dǎo)致晶須的晶粒位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)。因此借助于本發(fā)明的處理，可以消除或降低導(dǎo)致晶須的應(yīng)力，且成本和處理時(shí)間與已知現(xiàn)有技術(shù)處理的那些相比得以減少。
[0019]鋅緩沖層和鎳擴(kuò)散阻擋層有利于阻止在涂層表面上形成錫晶須，這可特別地應(yīng)用于印刷電路的壓配合觸頭的情況。與現(xiàn)有技術(shù)中用于防止晶須的已知處理相反，根據(jù)本發(fā)明的處理不形成固-固擴(kuò)散，而是利用了鋅的或者錫的以及鋅的固-液擴(kuò)散，以加速處理。一旦已經(jīng)執(zhí)行了回流步驟，最終的涂層已表明在防止晶須形成和生長(zhǎng)方面是有效的。在使用純銀的鍍層的情況下，有利地可使用銻而不是鋅。然而，其它的金屬組合也是可以的，只要這些組合根據(jù)本發(fā)明不同方面允許第二和第三層的回流。特別地，其它材料組合對(duì)于不同層也是可以，只要它們符合本發(fā)明的與熔融溫度和比熱有關(guān)的有利變型實(shí)施例。
[0020]優(yōu)選地，第四材料可以是包括微晶活性炭的石墨粉的混合物，特別地是由80% -100%石墨和其余為單晶活性炭的混合物，更特別地是由90%的石墨和10%的單晶活性炭組成的混合物。石墨粉、特別是包括石墨粉和結(jié)晶活性炭的混合物的使用，已經(jīng)表明對(duì)于保護(hù)用于印刷電路觸頭元件的鍍層的純金屬層以免氧化是特別有效的。實(shí)際上，可選擇石墨粉是因?yàn)樗菬釋?dǎo)體，因?yàn)樗鄬?duì)于第一、第二和第三層中的元素具有更高的比熱。包括90%石墨和10%單晶活性炭的混合物在如下涂層的生產(chǎn)中已經(jīng)表明是有利的，該涂層在其中第一材料是鎳、第二材料是鋅并且第三材料是錫的情況中防止形成錫晶須。
[0021]根據(jù)有利實(shí)施例，回流步驟的溫度可以是至少350 °C，特別地其可以在從350 0C -600 °C的范圍內(nèi)，更特別地在從380 °C -580 °C的范圍內(nèi)，并且再更特別地在從400°C _550°C的范圍內(nèi)。這些溫度范圍特別地適于伴隨有鋅亞層和鎳層的純錫涂層的處理，在銅基部基板上形成擴(kuò)散屏。
[0022]根據(jù)有利實(shí)施例，回流步驟的持續(xù)時(shí)間可以至少在I秒和15秒之間、特別地在2秒和10秒之間，并且更特別地在3秒和7秒之間變化。包括具有高比熱的石墨的混合物的保護(hù)層的使用允許在該持續(xù)時(shí)間范圍內(nèi)的整個(gè)持續(xù)時(shí)間上以可靠方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明處理的步驟的性能。因此，特別地在設(shè)有防止氧化的保護(hù)層時(shí)，本發(fā)明至少在熱處理步驟持續(xù)直至若干小時(shí)的錫或銀鍍覆的情況中允許比現(xiàn)有技術(shù)中已知涂覆處理更快的處理。
[0023]在本發(fā)明該方面的實(shí)施例的示例中，第一層的厚度可以在從0.05 μ---5 μπι的范圍內(nèi)，和/或第二層的厚度可以在從0.05 y m-5 μ m的范圍內(nèi)，和/或第三層的厚度可以在從0.05 μ m-2.5 μ m的范圍內(nèi)。所述層的厚度的這些范圍對(duì)于獲得阻止晶須形成的多相組織是有利的，特別是在用在印刷電路元件觸頭(特別地，對(duì)于壓配合觸頭)上的錫或銀鍍層的情況中。依據(jù)第二和第三層的沉積厚度，通過(guò)其持續(xù)時(shí)間和溫度以及其它因素限定的回流處理允許形成就結(jié)構(gòu)、紋理、成分、粗糙度等等而言可調(diào)的一組防晶須凝固結(jié)構(gòu)的選項(xiàng)。因此，可以依據(jù)所選起動(dòng)參數(shù)獲得例如安置在減少的鋅的緩沖層上的球面二相錫-鋅結(jié)構(gòu)，或者無(wú)鋅緩沖層的多相錫-鋅-鎳結(jié)構(gòu)，或者在大的鋅緩沖層上的球-針狀二相錫-鋅結(jié)構(gòu)。對(duì)于所選的沉積厚度和施加溫度，連續(xù)處理還將允許比現(xiàn)有技術(shù)中已知的那些縮短處理持續(xù)時(shí)間。因此，在鍍覆電子部件的接觸端子的情況下，可以依據(jù)這些觸頭所插入的印刷電路的面層選擇合適凝固結(jié)構(gòu)。
[0024]有利地，該處理還可以包括在回流步驟之后移去保護(hù)層。在許多應(yīng)用中，保護(hù)層可因此不形成通過(guò)根據(jù)本發(fā)明處理產(chǎn)生的最終涂層的部分，并且因此需要將其除去以獲得最終產(chǎn)品或者進(jìn)一步處理通過(guò)本發(fā)明的方法獲得的涂層表面。當(dāng)保護(hù)層包括石墨粉的混合物時(shí)，在回流步驟之后，可以例如通過(guò)破壞掉保護(hù)層或破碎該保護(hù)層而將該層除去。
[0025]根據(jù)本發(fā)明另一方面，該目的通過(guò)用于可嵌入金屬元件的涂層實(shí)現(xiàn)，該涂層包括擴(kuò)散阻擋層和多相凝固結(jié)構(gòu)層，所述多相凝固結(jié)構(gòu)層由至少兩種金屬的合金組成并且具有觸變性。該用于可嵌入金屬元件的涂層還可包括位于擴(kuò)散阻擋層和凝固結(jié)構(gòu)層之間的緩沖層。另外，該目的還通過(guò)依據(jù)根據(jù)本發(fā)明第一方面的處理制成的用于可嵌入金屬元件的涂層實(shí)現(xiàn)。
[0026]優(yōu)選地，凝固結(jié)構(gòu)可以包括如下比例的鋅和錫:對(duì)于5%至15%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積85%至95%質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于10%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積90%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于85%至95%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積5%至15%質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于90%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積1 %質(zhì)量的錫，或者對(duì)于沉積的58 %至48 %質(zhì)量的鋅，沉積42%至52%質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于53%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積47%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于21 %至31 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積69 %至79 %質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于26 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積74%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于72 %至82 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積18 %至28 %質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于77 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積23%質(zhì)量的錫。
[0027]該目的還通過(guò)鍍覆有根據(jù)本發(fā)明先前方面中一個(gè)方面的用于可嵌入金屬元件的涂層的壓配合觸針實(shí)現(xiàn)，特別地通過(guò)由根據(jù)本發(fā)明第一方面的處理制成的涂層實(shí)現(xiàn)。該目的還通過(guò)鍍覆有根據(jù)本發(fā)明先前方面中一個(gè)方面的用于可嵌入金屬元件的涂層的印刷電路壓配合觸頭孔實(shí)現(xiàn)。因此，視需要，可以在壓配合觸頭的銷針上或者在印刷電路板中接收該銷針的孔上或者在兩者上使用本發(fā)明的鍍層或者涂層。
[0028]最后，該目的還通過(guò)包括鍍覆有根據(jù)先前方面中一個(gè)方面的用于可嵌入金屬元件的涂層的印刷電路板或者印刷電路實(shí)現(xiàn)，特別地通過(guò)包括鍍覆有通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一方面的處理制成的涂層的至少一個(gè)元件的印刷電路實(shí)現(xiàn)。
[0029]使用根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的涂層的印刷電路元件相對(duì)于使用本領(lǐng)域已知涂層的元件是有利的，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明方面及其變型實(shí)施例的涂層使得可以阻止或甚至完全避免晶須形成。另外，在印刷電路元件上使用根據(jù)本發(fā)明的涂層有利地允許元件及其涂層的內(nèi)應(yīng)力弛豫和金相組織穩(wěn)定，以確保它們的性能。特別地，在產(chǎn)品的使用期限內(nèi)，穩(wěn)定壓配合觸頭在印刷電路的相應(yīng)孔中的插入力。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]在下文中，使用附圖中所示的實(shí)施例示例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明:
[0031]圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例的第一示例；
[0032]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例的第二示例；
[0033]圖3示出本發(fā)明實(shí)施例的第三示例。
[0034]圖1至3對(duì)相同元件或起類似作用的元件使用類似的附圖標(biāo)記。由此，例如，圖1中的元件108分別與圖2和3中的元件208和308相同，或起到相同作用。

【具體實(shí)施方式】
[0035]圖1示出了用于涂覆基板100的處理的實(shí)施例的示例。圖1所示的該示例處理總體描述了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面及其變型實(shí)施例執(zhí)行的用于涂覆基部基板100的處理的主要步驟和特性。
[0036]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面并且如圖1所示，提供了基板100，基板100具有至少一個(gè)自由表面110，一系列層則沉積在該自由表面110上以形成基板100的涂層或者鍍層。由與形成基板100的材料不同的第一材料形成的第一層101沉積在基部基板100的自由表面110上。由與形成基板100和第一層101的材料均不同的第二材料形成的第二層102順次沉積在第一層101的表面109上。第三材料形成的第三層103則沉積在第二層102的表面106上，形成第三層103的材料相應(yīng)地也不同于分別用于基板100、第一層101和第二層102的材料。沉積在基板100的自由表面110上的三個(gè)層101、102和103由此形成多層結(jié)構(gòu)105。
[0037]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，第四層104沉積在第三層103的表面107上，如圖1所示。第四層104的材料選擇成避免至少第三層103的表面107的氧化。結(jié)果形成的結(jié)構(gòu)120在其回流之前包括基板100、多層結(jié)構(gòu)105和保護(hù)層104，如上所述。最后，結(jié)構(gòu)120的第四層104的暴露表面108受到熱處理，以便執(zhí)行第三層103和第二層102的至少一部分的回流。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的不同變型實(shí)施例，在圖1所示的示例實(shí)施例中，可以調(diào)節(jié)材料的選擇，特別是關(guān)于它們的特性進(jìn)行選擇，以優(yōu)化對(duì)回流和最終產(chǎn)品的控制。由此，可以選擇第四層104、即防止氧化的保護(hù)層的材料，以便在回流期間，它不與多層結(jié)構(gòu)105中的層101、102、103中的任何層混合。另外優(yōu)選的是選擇第四材料的比熱使之比分別形成第二層102和第三層103的第二和第三材料高2-3倍。由此，第四層104能夠朝向第三層103的表面107充分地導(dǎo)熱，以執(zhí)行第三層103的至少局部的或者甚至整體的回流。
[0039]在圖1所示的實(shí)施例中，也可以根據(jù)本發(fā)明的其它變型例選擇第三層103的材料使之具有分別形成第一層101、第二層102和第三層103的第一、第二和第三材料的熔點(diǎn)中的最低熔點(diǎn)。該變型實(shí)施例能夠特別地與其中第二層102的材料的熔融溫度比第三層103的材料的熔融溫度大1.5-3倍的第二層102組合。類似地，基板100和/或第一層101的材料可選擇成具有相應(yīng)的熔融溫度，該相應(yīng)的熔融溫度比第二層102的材料的熔融溫度高至少2-3倍。因此，回流步驟的溫度可取決于第一層101、第二層102和第三層103的材料以及保護(hù)層104的材料的選擇被優(yōu)化。在圖1所示的用于涂覆基板100的處理的示例實(shí)施例中，有利地選擇回流溫度，使之比第三層103的材料的熔融溫度高1.5-3倍，比第二層102的材料的熔融溫度高0.8-1.5倍，并且小于或等于第一層101的材料和/或基板100的材料的熔融溫度。
[0040]圖2示出了通過(guò)根據(jù)圖1所示的的實(shí)施例示例的處理獲得的結(jié)構(gòu)220的處置(treatment)示例。結(jié)構(gòu)220因此在每個(gè)方面類似于結(jié)構(gòu)120。特別地，結(jié)構(gòu)220包括基板
200、第一層201、第二層202和第三層203，分別對(duì)應(yīng)于圖1所示的示例的基板100、層101、102、103。三個(gè)層201、202、203形成與圖1所示的結(jié)構(gòu)105類似的多層結(jié)構(gòu)205，保護(hù)層204沉積在多層結(jié)構(gòu)205上且類似于第一實(shí)施例的示例中的層104。因此，將省略直到獲得結(jié)構(gòu)220的處理的說(shuō)明，并且關(guān)于更詳細(xì)細(xì)節(jié)，應(yīng)參考對(duì)圖1的描述。
[0041]類似地，圖3示出了通過(guò)根據(jù)圖1所示的實(shí)施例示例的處置獲得的結(jié)構(gòu)320的另一處置示例。結(jié)構(gòu)320在每個(gè)方面類似于圖1和2中所示的實(shí)施例示例的結(jié)構(gòu)120、220。因此，其包括基板300、第一層301、第二層302和第三層303，分別對(duì)應(yīng)于圖1所示的示例中的基板100和層101、102、103，以及對(duì)應(yīng)于圖2所示的示例中的基板200和層201、202、203。三個(gè)層301、302、303形成與圖1和2中所示的結(jié)構(gòu)105、205類似的多層結(jié)構(gòu)305，保護(hù)層304沉積在多層結(jié)構(gòu)305上，且其類似于兩個(gè)第一實(shí)施例示例中的層104、204。因此，將省略直到獲得所述結(jié)構(gòu)320的處理的描述，并且關(guān)于更詳細(xì)細(xì)節(jié)，應(yīng)參考圖1。
[0042]在圖2和3所示的示例中，圖1所示的涂覆處理被應(yīng)用于印刷電路的壓配合觸頭端子的涂層。基底200、300由銅制成，其材料的熔融溫度是近似1085°C。然而，這些觸頭也可以使用不同于銅的材料，諸如，例如不銹鋼或者鋁。基底200、300的厚度對(duì)于本發(fā)明的處理不是關(guān)鍵的，但應(yīng)指出，在印刷電路的壓配合觸頭端子的具體情況中，要鍍覆的銅的厚度通常小于1mm，為0.64mm左右。
[0043]錫通常用于這種端子的鍍層。在圖2和3所示的實(shí)施例示例中，將使用本發(fā)明以提供涂層，用以避免壓配合觸頭200、300端子的錫晶須形成。根據(jù)本發(fā)明的變型實(shí)施例，結(jié)構(gòu)220、320的各第一、第二和第三層201、202、203和301、302、303的材料在回流之前，諸如圖2和3中所示，是金屬材料，特別是基本金屬，和合金相反。在兩個(gè)示例中，第一層201、301以鎳制成，第二層202、302以鋅制成，并且第三層203、303以錫制成。在圖2和3中所示示例中的第一層201、301的厚度在0.05 μ m和5 μ m之間。在下述示例中，第一層201、301、即鎳層的厚度是特別地近似1.3μπι。第二層202、302、即鋅層的厚度在從0.05μπι至5μπι的范圍內(nèi)。第三層203、303、即錫層的厚度部分地在從0.05μπι至2.5μπι的范圍內(nèi)。
[0044]鎳的熔融溫度為近似1455°C，鋅的熔融溫度為近似地420°C，而錫的熔融溫度為近似232°C，因此使得相應(yīng)的第一、第二和第三層201、202、203和301、302、303呈現(xiàn)出如下特性:允許諸如關(guān)于圖1所示實(shí)施例描述的對(duì)回流步驟的控制最佳化。因此，在圖2和3所示的實(shí)施例中，第三層203、303的材料，即錫，具有最低熔融點(diǎn)。第二層202、302的材料即鋅的熔融溫度比形成第三層203、303的錫的熔融溫度高1.5-3倍。類似地，基板200、300的材料即銅以及第一層201、301的材料即鎳的相應(yīng)的熔融溫度比第二層202、302即鋅的熔融溫度高至少2-3倍。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的變型實(shí)施例，圖2和3中所示的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)220、320的保護(hù)層204,304是石墨粉和微晶活性炭的混合物。而且，石墨的比熱為近似0.71J/(g.Κ)，而錫的比熱為近似0.227J/(g.K)，鋅的比熱為近似0.388J/(g.K)，并且鎳的比熱為近似0.444J/(g.K)。保護(hù)層204、304的材料的比熱因此選擇為比形成結(jié)構(gòu)220、320的多層結(jié)構(gòu)205、305的三個(gè)相應(yīng)層201、202、203和301、302、303的材料的比熱高2_3倍。80% -95%的石墨和其余為單晶活性炭作料的混合物，特別是90%石墨和10%單晶活性炭的混合物，已被證明在此處對(duì)分別圖2和3中所示實(shí)施例描述的多層結(jié)構(gòu)205、305的回流步驟期間防止氧化以及防止來(lái)自保護(hù)層204、304的熱傳導(dǎo)方面具有有利特性。
[0046]在圖2和3中所示的實(shí)施例示例中，回流步驟的溫度已經(jīng)能夠依據(jù)相應(yīng)的第一層
201、301，第二層202、302和第三層203、303的材料以及保護(hù)層204、304的材料的選擇來(lái)優(yōu)化。在兩種情況中，已經(jīng)表明有利的是將施加的溫度選擇為比錫即第三層203、303的材料的熔融溫度高1.5-3倍，比鋅材料即第二層202、302的材料的熔融溫度高0.8-1.5倍，并且小于或等于鎳即第一層201、301的材料和銅即要鍍覆的基板200、300的材料的熔融溫度。而且，針對(duì)沉積厚度和所選施加溫度，與從現(xiàn)有技術(shù)中已知的處理相比，連續(xù)的回流處理還允許縮短的處置持續(xù)時(shí)間。由此，至少350°C，特別地在從350°C至600°C的范圍內(nèi)，更特別地在從380°C至580°C的范圍內(nèi)，并且再更特別地從400°C至550°C的范圍內(nèi)的溫度允許改進(jìn)回流，特別是通過(guò)允許回流步驟的持續(xù)時(shí)間近似地在I秒和15秒之間，特別地在2秒和10秒之間，并且更特別地在3秒和7秒之間實(shí)現(xiàn)。
[0047]取決于分別為第三層203、303和第二層202、302沉積的錫和鋅的厚度，換句話說(shuō)，它們中的每一個(gè)在最終回流后合金211、311中的質(zhì)量組成，該合金的熔融溫度將會(huì)根據(jù)相位圖改變。鋅的比例越高，則熔融溫度將必然越高，以使沉積的全部錫層203、303和鋅層202、302回流，而在鋅的比例較小時(shí)情況相反。而且，使用具有低熔點(diǎn)(錫:232°C，鋅:420 °C )的兩種合金形成并且具有低共溶混合物(在本示例中，8.9%的鋅)的兩個(gè)疊加層
202、302和203、303在它們的分界面206、306處提供了所建議系統(tǒng)的最低熔融溫度，或者在圖2和3中所示的實(shí)施例中，為近似200°C。對(duì)于不同的沉積厚度的管理則賦予了使得鋅亞層202、302完全回流或不回流的可能性。
[0048]在圖2所示的的實(shí)施例中，起始質(zhì)量組成中對(duì)于5到15 %的鋅包括85 %至95 %的錫，特別地對(duì)于10%的鋅包括90%的錫。鋅層202的厚度能因此例如為近似0.1 μπι，并且錫層203的厚度能夠例如是近似0.5 μπι。在鋅的快速擴(kuò)散之后，鋅層202和錫層203之間的分界面206處的熔融溫度為近似198°C，并且對(duì)應(yīng)于二元低共熔物Sn(91.1%)_Ζη(8.9%)的熔融溫度。合金Sn(90%)-Zn(10%)的熔融溫度總體上為大約200°C?；亓鳒囟冗x擇在550°C，并且被持續(xù)施加近似3秒的持續(xù)時(shí)間，以便從錫層203和鋅層202的兩個(gè)前部或者分界面206和207實(shí)現(xiàn)完全回流。因此，未保留鋅起始層202的緩沖層。形成擴(kuò)散屏以阻止銅從基板200朝向更外層202、203擴(kuò)散的鎳初始層201部分地熔化，以與錫和鋅形成第三合金元素，由此在回流之后形成包括金屬間錫-鋅-鎳化合物的復(fù)相，也稱為多相凝固結(jié)構(gòu)211。鎳起始層201的余料201’繼續(xù)形成相對(duì)于基板200的擴(kuò)散屏。由石墨和活性炭的混合物制成的保護(hù)層204在回流期間不與其它層混合，并且特別地避免第三層203的表面207以及在下方的層202、201、200的氧化。
[0049]最后，圖2中所示的實(shí)施例包括在已經(jīng)獲得所需最終合金211時(shí)移去保護(hù)層204的步驟。保護(hù)層204是石墨和活性炭的混合物，其足以在回流之后在結(jié)構(gòu)221上輕拍、或甚至簡(jiǎn)單地吹氣，以導(dǎo)致保護(hù)層204的碎散或者破裂，該保護(hù)層204與形成基板200的最終涂層的合金211和阻擋層201’相比，較不耐受震動(dòng)。因此，最終產(chǎn)品222由鍍覆有涂層223的基板200組成，涂層223由阻擋層201的多相合金211的余料組成。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由此形成的涂層223、特別是多相合金211具有觸變性，在壓配合觸頭端子的鍍層的情況下，可取得該優(yōu)點(diǎn)。
[0050]也可以產(chǎn)生合金223的變型實(shí)施例，其包括與相對(duì)于圖2所示實(shí)施例描述的相類似的多相組織211，特別是具有相同類型的觸變性。由此，其它起始質(zhì)量組成可以對(duì)于21% -31%的鋅包括例如69% -79%的錫，特別是對(duì)于26%的鋅，包括74%的錫。鋅層202和錫層203的相應(yīng)厚度則可例如為分別近似0.4 μπι和0.15 μm。因此，近似500°C的溫度可持續(xù)地施加近似5秒的持續(xù)時(shí)間。
[0051]在圖3所示的實(shí)施例中，起始質(zhì)量組成此處包括:對(duì)于85%至95%的鋅，包括5%至15%的錫，特別地對(duì)于90%的鋅，包括10%的錫。鋅層302和錫層303的各厚度可為0.5 ym的大小。在鋅的快速擴(kuò)散之后，鋅層302和錫層303的分界面306的熔融溫度為近似198°C，并且對(duì)應(yīng)于二元低共熔物Sn(91.1% )-Zn(8.9% )的熔融溫度。合金Sn (10% ) -Zn (90% )的熔融溫度總體上是大約400°C?；亓鳒囟冗x擇在近似500°C，并且被持續(xù)施加近似3秒的持續(xù)時(shí)間，以便整個(gè)錫層303從兩個(gè)前部或者分界面306和307完全地回流，但鋅層302僅部分地回流，由此形成安置在鋅緩沖層302’上的錫-鋅復(fù)相層311，對(duì)應(yīng)于鋅起始層302的余留部分。與圖2所示實(shí)施例的另一差異在于鎳301的擴(kuò)散阻擋層在本示例中不回流。取決于熱處理的持續(xù)時(shí)間和溫度，可以獲得層311的材料的不同結(jié)構(gòu)。對(duì)于本文所述的示例，層311是以錫包圍球形鋅而形成的二相凝固結(jié)構(gòu)，其中在該兩個(gè)回流元素之間存在小擴(kuò)散帶。但是，相對(duì)于初始的選定溫度的從+10°C至+30°C的變化對(duì)于同樣初始質(zhì)量組成可形成同類型但具有不同特性的層311、302’。由此，對(duì)于更大擴(kuò)散，可以獲得具有鋅的預(yù)低共恪(pro-eutectic)凝結(jié)(precipitat1n)且為針狀晶體形式的低共熔組織。溫度進(jìn)一步增加，例如為+50°C，會(huì)引起鋅亞層302的總體回流，而不是留下緩沖層302’。關(guān)于圖2所示的示例，由石墨和活性炭的混合物制成的保護(hù)層304在回流期間不與其它層混合，并且特別地避免第三層303的表面307以及在下方的層302、301、300在處理期間的氧化。
[0052]如同圖2中所示的實(shí)施例，圖3中所示實(shí)施例也包括在結(jié)構(gòu)320的熱處理之后已經(jīng)獲得所需最終合金311時(shí)從結(jié)構(gòu)321移去保護(hù)層304。該步驟類似于關(guān)于圖2中所示層204的描述。因此，應(yīng)再參考先前的描述。關(guān)于圖2中所示的示例，在圖3所示的實(shí)施例中，最終產(chǎn)品322的涂層323，特別是復(fù)相層311，具有觸變性，這改進(jìn)了壓配合觸頭在印刷電路板中的插入過(guò)程。
[0053]關(guān)于圖2所示的第二實(shí)施例，可以形成例如通過(guò)變化沉積的層的起始質(zhì)量組成以及通過(guò)調(diào)節(jié)回流步驟的溫度和持續(xù)時(shí)間來(lái)形成第三實(shí)施例的變型例。取決于選定的組成，該變型例可形成同類型錫-鋅二相結(jié)構(gòu)311，其具有相同類型特性，特別是觸變性，且如有必要安置在取決于回流鋅量而更大或更小的緩沖層302’上。
[0054]由此，例如，可以使用這樣的質(zhì)量組成，其例如包括:對(duì)于48%到58%的鋅，包括42%到52%的錫，特別是對(duì)于53%的鋅，包括47%的錫。鋅層302和錫層303的相應(yīng)厚度可因此例如分別為近似0.6 μπι和0.7 μπι。在持續(xù)施加近似7秒的持續(xù)時(shí)間的近似400°C下執(zhí)行的回流步驟形成安置在相對(duì)于鋅初始層302減小了厚度的鋅緩沖層302’上的球形二相錫-鋅結(jié)構(gòu)311。
[0055]在類似于先前實(shí)施例為非限制性的另一示例中，可以使用這樣的質(zhì)量組成:例如，對(duì)于72%至82%的鋅，包括18%至28%的錫，特別是對(duì)于77%的鋅，包括23%的錫。鋅層302和錫層303的相應(yīng)厚度因此能夠分別是例如近似0.25 μ m和0.85 μ m。在此，在持續(xù)施加近似5秒的持續(xù)時(shí)間的近似460°C的溫度下執(zhí)行的回流步驟形成安置在相對(duì)于鋅初始層302厚度減小的鋅緩沖層302’上的球形-針狀二相錫-鋅結(jié)構(gòu)311。
[0056]如同圖3中所示實(shí)施例的層311那樣，具有預(yù)低共熔的鋅或者錫和球形鋅的二元低共熔物類型的面層(finish)將有利于掛錫面層的電路上的冷焊形成。實(shí)際上，在觸頭(在此表示為基板300)的按壓插入印刷電路的孔中期間，電路涂層中的錫與觸頭300中的預(yù)低共熔的鋅311的壓接將允許形成錫-鋅二元低共熔物。該二元低共熔物的熔點(diǎn)低于觸頭中設(shè)置的兩種元素的熔點(diǎn)，且將導(dǎo)致觸頭300和電路之間的分界面的熔融以及微焊形成。
[0057]作為先前實(shí)施例的變型例，可以應(yīng)用關(guān)于圖1所示的處理至鍍銀印刷電路，而不是應(yīng)用于銅電路。對(duì)于同樣的凝固結(jié)構(gòu)211、311，鍍銀印刷電路形成微焊接的能力將不同。其并不與鋅形成低共熔體，并且錫-銀低共熔體的熔融溫度為近似221°C，或者非常接近于純錫的熔融溫度。另一方面，使用本發(fā)明中所述的處理允許使用合金元素諸如銻，該合金元素以44%的質(zhì)量與銀形成具有近似485°C的熔點(diǎn)的低共熔體。這種情況下，有利的是用銻替換鋅層202、302作為亞層，以允許在回流之后形成銻的球形孤島，這有利于與電路的銀的微焊接。這一結(jié)構(gòu)還允許滿足用于停止晶須形成的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。
[0058]因通過(guò)模具模壓(die-stamping)成形觸頭200、300的操作引起的內(nèi)應(yīng)力將在回流期間被部分緩和。由此，該結(jié)構(gòu)211、311以及該凝固過(guò)程提供的另一優(yōu)點(diǎn)在于，球形鋅或者針狀預(yù)低共熔的鋅的存在通過(guò)具有低熔點(diǎn)的低共熔體的形成而允許結(jié)構(gòu)211、311和印刷電路的表面合金之間實(shí)現(xiàn)微焊接效應(yīng)，從而使得，用于將壓配合觸頭200、300從掛錫電路取出的力大于插入力，這改進(jìn)了壓配合觸頭200的原位保持。
[0059]因此，本發(fā)明允許產(chǎn)生無(wú)晶須的表面207、307，并且防止這些晶須的形成，且能夠用于壓配合觸頭200、300的端子的涂層。通過(guò)本發(fā)明處理在高溫下獲得的凝固結(jié)構(gòu)211、311和它們的變型例包括若干相、元素、或多或少的穩(wěn)定沉淀物、沿厚度的濃度梯度度、涂層最外層中的晶粒以及晶粒間的相對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，對(duì)應(yīng)于上述示例中的層211和311，優(yōu)點(diǎn)在于延緩或甚至阻止產(chǎn)生晶須的擴(kuò)散現(xiàn)象。本發(fā)明處理的整個(gè)操作允許控制所形成的沉淀物和相的細(xì)度、分布和量。本發(fā)明處理的另一優(yōu)點(diǎn)在于使得可以依據(jù)選擇的凝固結(jié)構(gòu)211、311和沉積的厚度來(lái)避免所熔合合金的反浸潤(rùn)。
[0060]在以錫制成第三層103、203、303的情形中，鋅層102、202、302可用作涂覆亞層102、202、302，并且可與錫層103、203、303回流。通過(guò)在高溫下熱接觸保護(hù)層104、204、304，本發(fā)明則使得可以執(zhí)行錫層103、203、303和鋅層102、202、302的回流以成為錫-鋅多層涂層211、311，其中所述保護(hù)層包括石墨的混合物。在錫-鋅分界面106、206、306處可以以選擇方式開(kāi)始回流，同時(shí)使錫層103、203、303的表面107、207、307在朝向涂層外表面的固-固擴(kuò)散之前回流。以此方式，可以形成非多孔、光滑且硬的表面211、311，這樣的表面能夠用于基部基板100、200、300的涂層，例如在電子部件觸頭的情況下。另外可以控制殘余的鋅緩沖亞層302’，以具有包括阻止位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的沉淀物的多相凝固結(jié)構(gòu)211、311，以部分地或者甚至整體地借助于溫度效應(yīng)弛豫存在于基板100、200、300和涂層211、311中的應(yīng)力。另外，本處理與現(xiàn)有技術(shù)中的已知處理相比更快，成本也降低。鎳亞層101、201、201’可與液體錫-鋅合金211 —起使用且可部分地與液體錫-鋅合金211混合，以形成無(wú)晶須的且具有對(duì)于磨蝕而言有利的特性的表面。在錫-鋅混合物和/或鎳亞層101、201、301的情況下，所產(chǎn)生的合金211、311與常用純錫合金相比，具有更有利的熱特性。其可以特別地獲得具有觸變性的合金211、311，因此能夠通過(guò)插入時(shí)在應(yīng)力作用下的變性、然后通過(guò)插入已被執(zhí)行和應(yīng)力釋放時(shí)的重構(gòu)而促進(jìn)且因此改進(jìn)壓配合觸頭在印刷電路板的孔中的插入，同時(shí)保持最終產(chǎn)品在防止晶須方面的特性。由此獲得的表面207、307的摩擦系數(shù)、機(jī)械特性和熱特性相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中已知的錫涂層得以改進(jìn)。
[0061]因此，可以獲得無(wú)晶須且阻止晶須(特別是錫晶須)的隨后形成的涂層211、311，該涂層可用于壓配合觸頭的管腳端子的鍍覆，而且用于印刷電路板的旨在接收壓配合觸針的孔，用于印刷電路本身的鍍覆或者其它印刷電路元件的鍍覆；或者更寬泛地用于易發(fā)生晶須的任何產(chǎn)品。另外，使用本發(fā)明用以鍍覆印刷電路元件的處理以及其可能變型的組合的使用、以及本發(fā)明涂層及其變型實(shí)施例在鍍覆壓配合觸頭情況下的使用，有利地允許被鍍覆元件和它們的涂層的內(nèi)應(yīng)力弛豫和金相組織穩(wěn)定，以確保它們的性能。特別是，壓配合觸頭在相應(yīng)印刷電路孔中的插入力在產(chǎn)品使用期間是穩(wěn)定的。
【權(quán)利要求】
1.一種用于涂覆基板的處理，其中: 提供具有至少一個(gè)自由表面(110)的基板(100); 將第一材料形成的第一層(101)沉積在所述基板(100)的自由表面(110)上； 將第二材料形成的第二層(102)沉積在所述第一層(101)上，所述第二材料不同于所述第一材料； 將第三材料形成的第三層(103)沉積在所述第二層(102)上，所述第三材料不同于所述第一和第二材料； 其特征在于， 所述處理還包括將由不同于所述第一、第二和第三材料的第四材料形成的保護(hù)層(104)沉積在所述第三層(103)上；以及通過(guò)在所述保護(hù)層(104)上的熱接觸形成的傳熱，使至少所述第二層(102)和所述第三層(103)從所述第一層(101)、所述第二層(102)和所述第三層(103)回流，所述保護(hù)層(104)避免了至少所述第三層(103)的氧化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于涂覆基板的處理，其中所述保護(hù)層(104)的材料選擇成使得它在回流步驟期間不與所述第一層(101)、所述第二層(102)和所述第三層(103)混入口 ο
3.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述回流步驟的溫度比所述第三材料(103)的熔融溫度高1.5至3倍，比所述第二材料(102)的熔融溫度高0.8至1.5倍，并且小于或者等于所述第一材料(101)的熔融溫度和/或所述基板(100)的恪融溫度。
4.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第四材料(104)是石墨粉和微晶活性炭的混合物，特別是80% -95%的石墨和其余為單晶活性炭的混合物，更特別是90%的石墨和10%的單晶活性炭的混合物。
5.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第一材料(101)、所述第二材料(102)和所述第三材料(103)是或者包括金屬材料，特別是基本金屬。
6.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第三材料(103)是具有所述第一材料(101)的熔點(diǎn)、所述第二材料(102)的熔點(diǎn)和所述第三材料(103)的熔點(diǎn)中的最低熔點(diǎn)的材料。
7.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第二材料(102)的熔融溫度比所述第三材料(103)的熔融溫度大1.5-3倍。
8.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述基板(100)和/或所述第一材料(101)的熔融溫度比所述第二材料(102)的熔融溫度高至少2-3倍。
9.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第四材料(104)的比熱比所述第二材料(102)和所述第三材料(103)的比熱高2-3倍。
10.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第一材料(101)是或者包括鎳，和/或所述第二材料(102)是或者包括鋅或者銻，和/或所述第三材料(103)是或者包括錫和/或銀。
11.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述回流步驟的溫度是至少350°C，特別地在從350°C至600°C的范圍內(nèi)，更特別地在從380°C至580°C的范圍內(nèi)，并且再更特別地在從400°C至550°C的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述回流步驟的持續(xù)時(shí)間至少在I秒和15秒之間、特別地在2秒和10秒之間并且更特別地在3秒和7秒之間變化。
13.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，其中，所述第一層(101)的厚度在從0.05 ym至5 ym的范圍內(nèi)，和/或所述第二層(102)的厚度在從0.05 ym至5 μ m的范圍內(nèi)，和/或所述第三層(103)的厚度在從0.05 μ m至2.5 μ m的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于涂覆基板的處理，還包括在所述回流步驟之后去除所述保護(hù)層(104)。
15.—種用于可嵌入金屬元件(200、300)的涂層(223、323)，其特征在于，所述涂層(223,323)包括擴(kuò)散阻擋層(201’、301)和多相凝固結(jié)構(gòu)層，所述多相凝固結(jié)構(gòu)層由至少兩種金屬(211、311)的合金組成并且具有觸變性。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于可嵌入金屬元件(300)的涂層(323)，還包括位于所述擴(kuò)散阻擋層(301)和所述凝固結(jié)構(gòu)層(311)之間的緩沖層(302’)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16中一項(xiàng)所述的用于可嵌入金屬元件(200、300)的涂層(223、323)，其特征在于，所述涂層通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至14中一項(xiàng)所述的處理制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中一項(xiàng)所述的用于可嵌入金屬元件(200、300)的涂層(223、323)，所述涂層的凝固結(jié)構(gòu)包括如下比例的鋅和錫:對(duì)于5%至15%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積85%至95%質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于10%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積90%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于85 %至95 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積5 %至15 %質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于90 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積10%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于沉積的58%至48%質(zhì)量的鋅，沉積42%至52%質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于53%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積47%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于21%至31%質(zhì)量的沉積的鋅，沉積69 %至79 %質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于26 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積74%質(zhì)量的錫，或者對(duì)于72 %至82 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積18 %至28 %質(zhì)量的錫，特別地對(duì)于77 %質(zhì)量的沉積的鋅，沉積23%質(zhì)量的錫。
19.一種鍍覆有根據(jù)權(quán)利要求15至18中一項(xiàng)所述的用于可嵌入金屬元件的涂層的壓配合觸針。
20.一種鍍覆有通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至14中一項(xiàng)所述的處理制成的涂層的壓配合觸針。
21.一種鍍覆有根據(jù)權(quán)利要求15至18中一項(xiàng)所述的用于可嵌入金屬元件的涂層的用于印刷電路壓配合觸頭的孔。
22.—種具有通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至14中一項(xiàng)制成的涂層的用于印刷電路壓配合觸頭的孔。
23.一種包括鍍覆有根據(jù)權(quán)利要求15至18中一項(xiàng)所述的用于可嵌入金屬元件的涂層的至少一個(gè)元件的印刷電路。
24.一種包括鍍覆有通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至14中一項(xiàng)所述的處理制成的涂層的至少一個(gè)元件的印刷電路。
【文檔編號(hào)】H01R4/58GK104471112SQ201380037563
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月20日
【發(fā)明者】A.貝德納雷克 申請(qǐng)人:泰科電子法國(guó)公司