點接觸太陽能電池用的改良摻雜圖案的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示對太陽能電池，尤其對點接觸太陽能電池進行摻雜的方法。太陽能電池的一個表面可需要對若干部分進行n摻雜，而對其他部分進行p摻雜。可通過使用具有一種導電性的物質的毯覆式摻雜以及具有相反導電性的物質的圖案化逆摻雜制程，來消除至少一個光刻步驟。在圖案化注入期間摻雜的區(qū)域接收充足劑量以便完全反轉毯覆式摻雜的效應，且實現(xiàn)與毯覆式摻雜相反的導電性。在一些實施例中，逆摻雜線路還用于降低多數(shù)載流子的橫向串聯(lián)電阻。
【專利說明】點接觸太陽能電池用的改良摻雜圖案

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及對太陽能電池進行摻雜，且尤其涉及點接觸太陽能電池用的摻雜圖案。

【背景技術】
[0002]離子注入為用于將更改導電性的雜質引入到半導體襯底中的標準技術。在離子源中使所要雜質材料離子化，使離子加速以形成指定能量的離子束，且將所述離子束對準襯底的表面。所述離子束中的高能離子穿透到半導體材料的主體中，且嵌入到半導體材料的晶格中以形成所要導電性的區(qū)域。
[0003]離子注入可用于制造太陽能電池。太陽能電池是一種具有內建電場的裝置，所述內建電場分離通過將光子吸收在半導體材料中而產生的電荷載流子。此電場通常是通過p-n結(二極管)的形成而產生的，所述p-n結是通過半導體材料的差異摻雜而產生的。以相反極性的雜質來對太陽能電池襯底(例如，表面區(qū)域)的一部分進行摻雜會形成P-n結，所述P-n結可用作將光轉換為電的光伏裝置。
[0004]圖1示出太陽能電池的第一實施例，且為代表性襯底150的橫截面。如箭頭所示，光子160通過頂表面162而進入太陽能電池150。這些光子160穿過抗反射涂層152，所述抗反射涂層152經設計以使穿透襯底150的光子160的數(shù)量最大化且使反射離開襯底150的光子160的數(shù)量最小化。
[0005]在內部，太陽能電池150形成為具有p-n結170。此p-η結170被示出為實質上平行于襯底150的頂表面162，但存在p-n結170并不平行于頂表面162的其他實施方案。太陽能電池150經制造以使得光子160通過重摻雜的區(qū)域(也稱為發(fā)射極153)而進入太陽能電池150。在一些實施例中，發(fā)射極153可為η型摻雜區(qū)域，而在其他實施例中，發(fā)射極153可為P型摻雜區(qū)域。具有充足能量(高于半導體的帶隙)的光子160能夠將半導體材料的價帶內的電子提升到導帶。價帶中的對應的帶正電的空穴與此自由電子相關聯(lián)。為了產生可驅動外部負載的光電流，需要分離這些電子空穴(e_h)對。這通過在p-n結170處的內建電場來進行。因此，在P-n結170的耗盡區(qū)域中產生的任何e_h對得以分離，擴散到太陽能電池150的耗盡區(qū)域的任何其他少數(shù)載流子也是如此。因為大多數(shù)入射光子160吸收在太陽能電池150的近表面區(qū)域中，所以發(fā)射極153中產生的少數(shù)載流子需要跨越發(fā)射極153的深度而擴散以到達耗盡區(qū)域且蔓延到另一側。因此，為了使光產生的電流的收集最大化且使發(fā)射極153中的載流子復合的機會最小化,優(yōu)選具有較淺的發(fā)射極153。
[0006]一些光子160穿過發(fā)射極153且進入基極154。在發(fā)射極153為η型區(qū)域的情形下，基極154為P型摻雜區(qū)域。這些光子160可接著激勵基極154內的電子，所述電子能夠自由移動到發(fā)射極153中，而相關聯(lián)的空穴保留在基極154中?；蛘?，在發(fā)射極153為ρ型摻雜區(qū)域的情況下，基極為η型摻雜區(qū)域。在這種情況下，這些光子160可接著激勵基極154內的電子，所述電子保留在基極154中，而相關聯(lián)的空穴移動到發(fā)射極153中。由于此p-n結170的存在而導致的電荷分離，光子所產生的額外載流子(電子和空穴)可接著用于驅動外部負載以完成電路。
[0007]通過在外部經由外部負載而將發(fā)射極153連接到基極154，可傳導電流且因此提供電力。為此，觸點151和155 (通常為金屬)分別設置在發(fā)射極153和基極154的外表面上。因為基極154并不直接接收光子160，所以其觸點155通常沿著整個外表面而設置。相比之下，發(fā)射極153的外表面接收光子160，且因此無法完全以觸點151覆蓋。然而，如果電子必須行進較大距離才能到達觸點151，那么太陽能電池150的串聯(lián)電阻提高，這會降低功率輸出。為了在這兩個考慮事項(自由電子必須移動到觸點151的距離和暴露的發(fā)射極表面163的量)之間作出平衡，多數(shù)應用使用呈指狀物的形式的觸點151。
[0008]圖1所示的實施例在太陽能電池150的兩側上需要觸點151、155，因而減小了光子160可穿過的前表面的可用面積。圖2中示出太陽能電池100的第二實施例的橫截面。基本上，這個實施例的物理性質是類似的，其中P-n結用于產生電場，所述電場分離所產生的電子空穴對。然而，并非如同先前實施例一樣在整個表面上產生p-n結,而是僅在太陽能電池100的部分中產生結。在這個實施例中，可使用負摻雜硅襯底(基極103)。在某些實施例中，通過在前表面中引入額外η型摻雜劑而產生較呈負偏壓的前表面場(front surfacefield ；FSF) 102。接著以抗反射涂層101來涂布此前表面場102。通常，蝕刻此前受照表面以產生錐狀或其他非平坦表面，以便增大表面積。金屬觸點(諸如,P觸點107和η觸點108)以及指狀物110全部位于太陽能電池100的底部非受照表面上。以ρ型摻雜劑來對底表面的某些部分進行摻雜以產生發(fā)射極104。以η型摻雜劑來對其他部分進行摻雜以產生較呈負偏壓的背表面場(back surface field ;BSF) 105。通常，這些發(fā)射極104與背表面場105之間的區(qū)域未被摻雜，且以氧化硅來鈍化。以鈍化層106來涂布背表面以增強背表面的反射性。P觸點107和η觸點108附接到發(fā)射極104和背表面場105。圖3示出觸點設置在背部非受照表面上的一種常用配置。在這個實施例中，觸點設置在發(fā)射極104和背表面場105中的一者或一者以上上。這種類型的電池被稱為點接觸太陽能電池。
[0009]由于當前能量成本和對環(huán)境的關注，太陽能電池在全球正變得愈加重要。高性能太陽能電池的制造或生產的成本的任何降低或高性能太陽能電池的效率的任何改進對全球太陽能電池的實施具有正面影響。這將實現(xiàn)這種清潔能源技術的較廣泛的可用性。
[0010]點接觸太陽能電池的當前制造制程需要對太陽能電池的背側進行至少兩個光刻和擴散步驟，以制造觸點和發(fā)射極區(qū)域。去除任何制程步驟會降低太陽能電池的制造成本和復雜性。此外，改進太陽能電池的效率的任何制程步驟將是有益的。因此，此項技術中需要一種對點接觸太陽能電池進行摻雜的改進的方法。


【發(fā)明內容】

[0011]現(xiàn)有技術的缺點由本發(fā)明來克服，本發(fā)明描述對太陽能電池(尤其是點接觸太陽能電池)進行摻雜的方法。太陽能電池的一個表面可需要對若干部分進行η摻雜，而對其他部分進行P摻雜。傳統(tǒng)上，需要多個光刻和摻雜步驟以實現(xiàn)這種所要配置。相比之下，可通過使用具有一種導電性的物質的毯覆式摻雜以及具有相反導電性的物質的遮罩圖案化逆摻雜(counterdoping)制程,來消除一個光刻步驟。在圖案化注入期間摻雜的區(qū)域接收充足劑量以便完全反轉毯覆式摻雜的效應，且實現(xiàn)與毯覆式摻雜相反的導電性。在一些實施例中，逆摻雜線路還用于降低多數(shù)載流子的橫向串聯(lián)電阻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為了更好地理解本揭露，參考附圖，附圖以引用的方式并入本文中。
[0013]圖1為現(xiàn)有技術的太陽能電池的實施例的橫截面圖。
[0014]圖2為現(xiàn)有技術的點接觸太陽能電池的實施例的橫截面圖。
[0015]圖3為圖2的太陽能電池的仰視圖。
[0016]圖4為根據(jù)一個實施例的示范性點接觸太陽能電池的實施例的橫截面圖。
[0017]圖5為太陽能電池制造制程流程的實施例。
[0018]圖6為太陽能電池制造制程流程的另一實施例。
[0019]圖7為點接觸太陽能電池中的逆摻雜的實施例。
[0020]圖8為點接觸太陽能電池的另一實施例。
[0021]圖9為結合圖8的太陽能電池使用的太陽能電池制造制程流程的實施例。
[0022]圖10為點接觸太陽能電池的另一實施例。
[0023]圖11為點接觸太陽能電池的另一實施例。
[0024]圖12為結合圖10和圖11的太陽能電池使用的太陽能電池制造制程流程的實施例。

【具體實施方式】
[0025]本文所述的制程的實施例可由(例如)束線離子注入機(beam-1 ine 1nimplanter)、淹沒式注入機(flood implanter)或等離子體摻雜離子注入機(plasmadoping 1n implanter)執(zhí)行。這一等離子體摻雜離子注入機可使用射頻(RF)或其他等離子體產生源。由束線離子注入機或淹沒式注入機產生的離子束可為經質量分析或未經質量分析的。也可使用其他等離子體處理設備或產生離子的設備。也可使用熱擴散或爐擴散、太陽能電池襯底的表面上受到加熱的膏狀物、外延生長或雷射摻雜，以執(zhí)行本文所述的制程的某些實施例。此外，雖然具體揭露硅太陽能電池，但其他太陽能電池襯底材料也可受益于本文所述的制程的實施例。
[0026]圖4為示范性點接觸太陽能電池的實施例。其他實施例或設計是可能的，且本文所述的制程的實施例不僅限于圖4所說明的太陽能電池100。如上所述，太陽能電池100在太陽能電池100的背側上包含P觸點107和η觸點108?？狗瓷渫繉?01位于太陽能電池100的頂部。前表面場102和基極103可位于抗反射涂層101之下。發(fā)射極104和背表面場105位于基極103之下。鈍化層106位于發(fā)射極104和背表面場105之下。ρ觸點107和η觸點108可穿過鈍化層106以接觸發(fā)射極104和背表面場105。在一些實施例中，ρ++區(qū)域121添加在發(fā)射極104內，以降低發(fā)射極104與ρ觸點107之間的電阻。通常由導電金屬制成的指狀物110附接到ρ觸點107和η觸點108。
[0027]此點接觸太陽能電池與圖2的點接觸太陽能電池的不同之處在于整個底表面為經摻雜的。換句話說，并非背表面場105的任何區(qū)域為ρ摻雜的。這增大發(fā)射極104的區(qū)域的總大小，且增大ρ-η結的表面積。換句話說，此點接觸太陽能電池通過對先前未摻雜的區(qū)域進行輕摻雜而擴展現(xiàn)有技術的點接觸電池。
[0028]使用逆摻雜將允許消除光刻步驟中的至少一者。如果非光刻技術用于在逆摻雜摻雜制程中對摻雜劑進行圖案化，那么逆摻雜可消除兩個步驟。制程步驟的消除會降低太陽能電池的制造復雜性和制造成本。
[0029]圖5為太陽能電池制造制程流程的實施例。為了執(zhí)行太陽能電池(諸如，點接觸太陽能電池)的逆摻雜，需要兩個步驟:毯覆式摻雜201，用于形成一種類型的半導體材料。例如，可將硼涂覆到整個襯底以形成P摻雜發(fā)射極區(qū)域。此后，以較高劑量在太陽能電池的選定的離散區(qū)域中執(zhí)行圖案化摻雜202。此圖案化摻雜202是使用相反導電性的摻雜劑來執(zhí)行的。因此，如果硼用于毯覆式摻雜，那么V族的元素(諸如，磷)可用于圖案化摻雜。因為先前已對應用了圖案化摻雜的區(qū)域進行摻雜，所以所需的劑量必須足以消除較早的摻雜的效應，且接著引入所要濃度的離子。因此，圖案化摻雜產生與毯覆式摻雜所產生的區(qū)域相反的導電性的離散區(qū)域。
[0030]圖6為太陽能電池制造制程流程的另一實施例。在這個實施例中，簡單地顛倒圖5所執(zhí)行的步驟。為了執(zhí)行逆摻雜，以較高劑量在太陽能電池的選定的離散區(qū)域中執(zhí)行圖案化摻雜301，且接著執(zhí)行毯覆式摻雜302以形成另一類型的半導體材料。以充足劑量引入圖案化摻雜301，以使得后續(xù)毯覆式摻雜302不改變其導電性。
[0031]圖7為逆摻雜的實施例。太陽能電池100包含毯覆式摻雜的區(qū)域400和離散的圖案化摻雜的區(qū)域401。在一些實施例中，離散的圖案化摻雜的區(qū)域401可為圓形的、長方形的或多邊形的。這些離散的圖案化摻雜的區(qū)域不管形狀怎樣，都被稱為點。毯覆式摻雜的區(qū)域400和離散的圖案化摻雜的區(qū)域401可依序摻雜，或可連結在一起，而無斷裂真空(breaking vacuum)。毪覆式摻雜的區(qū)域400和離散的圖案化摻雜的區(qū)域401可使用η型摻雜劑或P型摻雜劑。然而，如上所述，逆摻雜需要一個區(qū)域為η型摻雜劑，且另一區(qū)域為P型摻雜劑。因此，雖然可首先進行以任一類型的摻雜劑進行的摻雜，但總體上必須使用不同摻雜劑。在一種特定情形下，毯覆式摻雜的區(qū)域400為ρ型發(fā)射極，而離散的圖案化摻雜的區(qū)域401為η型。此外，必須以充足量來應用圖案化摻雜，以改變(overcome)由毯覆式摻雜產生的導電性。如果首先執(zhí)行圖案化注入，那么毯覆式摻雜必須不能改變圖案化摻雜的區(qū)域。在這個實例中，以足夠大的量引入η型摻雜劑，以使得毯覆式摻雜的區(qū)域400保持為P型，但圖案化摻雜的區(qū)域401為η型。
[0032]在本文所述的制程的實施例中，摻雜劑可為(例如)磷(P)、砷(As)、硼⑶、銻(Sb)或錫(Sn)。還可使用其他摻雜劑物質，且這種應用不僅限于所列舉的摻雜劑。
[0033]可按照許多方式來執(zhí)行毯覆式摻雜。例如，可使用離子注入(諸如，以束線離子注入機進行)、淹沒式注入機、調整等離子體鞘層的注入機或等離子體摻雜離子注入機，而執(zhí)行太陽能電池的區(qū)域或整個太陽能電池的毯覆式摻雜。也可在太陽能電池襯底上使用至少一種氣體或至少一種膏狀物，在爐中使用擴散而執(zhí)行毯覆式摻雜。其他引入摻雜劑的方法也是已知且適用的。在所有情況下，毯覆式摻雜表示離子不加區(qū)別地應用于太陽能電池的整個表面的摻雜制程。
[0034]相比毯覆式摻雜，圖案化摻雜意味僅調整太陽能電池的選定的區(qū)域?？砂凑斩喾N方式來執(zhí)行此毯覆式摻雜。在一些實施例中，圖案化技術用于僅遮蔽(或暴露)襯底的某些部分。在應用此圖案化之后，可執(zhí)行用于應用毯覆式摻雜的上述制程中的一者或一者以上。在第一實施例中，使用遮罩來阻隔不需要逆摻雜的太陽能電池的區(qū)域。遮罩可為各種類型。例如，硬式遮罩是應用于襯底且附著到襯底的遮罩。陰影遮罩或接近式遮罩為直接放置在襯底之前且可再用的遮罩。最終，范本遮罩或投影遮罩為相對于襯底放置在一距離處且依賴于光學元件以將圖案投影到襯底上的遮罩。在一些實施例中，遮罩中的孔隙通常是使用直邊而形成的，且因此，相比圓形的孔隙，可較容易形成正方形或長方形的孔隙。然而，可制造正方形、長方形、多邊形或圓形的孔隙。在應用遮罩之后，執(zhí)行后續(xù)擴散或離子注入步驟，以僅將離子引入到襯底的暴露部分。在另一實施例中，接著(例如)使用束線離子注入機、淹沒式注入機或等離子體摻雜離子注入機而執(zhí)行離子注入，且通過遮罩中的一個或一個以上孔隙而僅注入摻雜劑。在另一情形下，將遮罩與爐擴散方法一起使用。
[0035]也可使用其他方法來執(zhí)行圖案化摻雜。如上所述，這些圖案化方法中的若干方法遮蔽襯底的一部分，以使得僅對暴露部分進行摻雜。例如，光刻法可用于產生光致抗蝕劑遮罩。其他圖案化方法用于暴露襯底的一部分。例如，在一個實施例中，使用毯覆式摻雜方法而涂覆電介質層。接著，可使用雷射光束以直接書寫到太陽能電池上，以選擇性地使毯覆式電介質層熔融以產生遮罩。術語“直接書寫”表示以高精度將光束或粒子束(諸如，雷射或離子束)聚焦在襯底處的制程。在入射區(qū)域處，射束撞擊襯底且導致特定效果。在離子束的情況下，所述效果可為襯底中的注入離子中的一者。在雷射光束的情況下，所述效果可為使入射區(qū)域熔融或變形。
[0036]在另一實施例中，可將材料印刷到太陽能電池的表面的選定區(qū)域上。接著，(例如)使用離子注入而通過由所印刷的材料形成的遮罩而引入摻雜劑?；蛘撸墒褂盟∷⒌牟牧弦赃x擇性地蝕刻下層電介質，從而形成可用于通過在爐中擴散而引入摻雜劑的圖案。在另一實施例中，離子束可通過陰影遮罩而直接書寫或投影，以改變毯覆式電介質層的蝕刻特性。接著蝕刻此層以僅在選定的區(qū)域中暴露襯底。在這些圖案化方法中的每一者中，接著使用(例如)離子注入或爐擴散，以將摻雜劑引入到襯底的所要部分。
[0037]在其他實施例中，可對太陽能電池執(zhí)行摻雜劑的直接圖案化。圖案化摻雜的直接圖案化形式意味在不在太陽能電池上使用遮罩或固定掩蔽層的情況下僅對太陽能電池的某些區(qū)域進行摻雜。在一個實施例中，可使用離子束以非均一摻雜劑劑量來注入摻雜劑。因此，將太陽能電池的第一部分暴露于離子束且以第一劑量來進行注入。還將太陽能電池的第二部分暴露于離子束且以第二劑量來進行注入。可按照許多方式來實現(xiàn)此劑量差異。
[0038]可按照許多方式來產生離子束。例如，可通過形成帶狀射束而產生離子束。在其他實施例中，產生掃描點束(scanning spot beam)。這些離子束可為經質量分析或未經質量分析的。在其他實施例中，可通過調整等離子體鞘層或通過將離子引導在等離子體中而執(zhí)行注入。在離子束的下游，將太陽能電池附接到襯底固持器。襯底固持器提供多個程度的移動。例如，襯底固持器可在正交于射束的方向上移動。假設射束在XZ平面中。此射束可為帶狀射束或掃描點束。襯底固持器可在Y方向上移動。如此一來，襯底的整個表面可暴露于離子束(假設襯底具有小于離子束的寬度(在X尺寸上))。
[0039]在一個實施例中，調整襯底固持器的移動，以便在對應于逆摻雜的區(qū)域的區(qū)域處產生較長駐留時間(dwell time)。換句話說，在襯底中將不會進行進一步注入的那些部分(即，毯覆式注入?yún)^(qū)域)上，在Y方向上較快速地移動襯底固持器。一旦離子束位于將逆摻雜的區(qū)域上，Y方向上的襯底固持器的速度便減慢。在離子束位于逆摻雜的區(qū)域上時，維持此較慢速度。一旦已完全暴露此區(qū)域，襯底固持器的平移速度便提高，以便快速通過后續(xù)輕微毯覆式注入的區(qū)域。重復此制程，直到已對整個襯底進行注入為止。此技術可用于對下文所述的圖10和圖11所示的線路403進行注入。
[0040]也可使用涂覆到太陽能電池的含摻雜劑的膏狀物的毯覆層來執(zhí)行直接圖案化。使用掃描雷射光束而選擇性地使膏狀物熔融，以使得僅對膏狀物覆蓋的區(qū)域的某些區(qū)域進行摻雜。這是直接書寫的實例。
[0041]在替代實施例中，膏狀物也可選擇性地涂覆到太陽能電池，以使得僅某些膏狀物覆蓋的區(qū)域使用爐來摻雜?？砂凑赵S多方式來選擇性地涂覆膏狀物。絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷以及擠壓為若干實例。也可使用其他方法，且其他方法在本揭露的范圍內。
[0042]也可引入額外制程步驟。圖8示出具有額外ρ++區(qū)域402的點接觸太陽能電池100的仰視圖。換句話說，區(qū)域402為較重摻雜的發(fā)射極區(qū)域。在一些實施例中，圖案化摻雜的區(qū)域401和重摻雜的發(fā)射極區(qū)域402可為圓形的、長方形的或多邊形的。如上所述，不管形狀怎樣，這些離散的重摻雜的發(fā)射極區(qū)域都被稱為點。例如，引入較重P摻雜的發(fā)射極區(qū)域402以隨后附接到觸點可為有益的。在這個實施例中，使用與用于毯覆式注入的摻雜劑相同的摻雜劑來執(zhí)行第二圖案化注入。因此，太陽能電池具有充當發(fā)射極的毯覆式摻雜的區(qū)域400、n型的圖案化摻雜的區(qū)域401和重ρ摻雜的發(fā)射極(ρ++)區(qū)域402。圖9示出此制程的流程圖。毯覆式摻雜步驟201和第一圖案化摻雜步驟202是如圖4所述。第二圖案化摻雜步驟203用于產生重ρ摻雜的發(fā)射極(ρ++)摻雜區(qū)域。如較早描述，這些步驟可按照任何次序執(zhí)行，且可連結在一起并加以執(zhí)行，而無斷裂真空。
[0043]此外，可引入逆摻雜線路以降低多數(shù)載流子的橫向電阻。圖10示出具有連接η型圖案化摻雜的區(qū)域401的逆摻雜線路403的太陽能電池100的仰視圖。這些線路經產生以便連接兩個或兩個以上的離散的η型圖案化摻雜的區(qū)域401。
[0044]在一些實施例中，逆摻雜線路403橫跨太陽能電池100的整個寬度，因而有效地將毯覆式摻雜的區(qū)域400分為若干不同部分?？墒褂藐幱罢谡謥硗扛策@些逆摻雜線路403。在其他實施例中，可使用硬式或軟式遮罩來產生此圖案化注入。在其他實施例中，可使用靜電聚焦離子束來對逆摻雜線路403進行注入。在其他實施例中，如上所述，改變離子束的駐留時間。
[0045]在另一實施例中，在例如相互垂直的兩個方向上來對逆摻雜線路進行注入。圖11示出具有垂直與水平逆摻雜線路403兩者的太陽能電池100的仰視圖?？稍讵毩⒅瞥滩襟E中或至少部分同時對這兩組線路進行注入。可在這些制程步驟之間旋轉遮罩或太陽能電池。
[0046]圖12示出可用于產生圖10或圖11的太陽能電池的制程的流程圖。使用毯覆式摻雜步驟201以產生發(fā)射極。使用圖案化摻雜步驟202以產生背表面場，同時視情況使用圖案化摻雜步驟203以產生重ρ摻雜的發(fā)射極(ρ++)區(qū)域。使用圖案化摻雜步驟204以在一個或一個以上制程步驟中產生逆摻雜線路403。如結合背表面場而描述，這些逆摻雜線路是以充足濃度進行注入以便反轉毯覆式注入201的導電性。在完成全部注入步驟之后，接著如步驟205所示而對襯底進行退火。
[0047]在并有離子注入的實施例中的任一者中，在注入摻雜劑之后，對襯底進行退火。在退火步驟之后，可將絕緣層涂覆到太陽能電池的背側。此絕緣層可為任何合適材料，諸如，氧化硅。在一些實施例中，在涂覆絕緣層之后，在絕緣層中形成孔以允許與背表面場和P++區(qū)域接觸。在其他實施例中，絕緣層形成為不會涂覆在接近背表面場和P++區(qū)域的這些區(qū)域中。在其他實施例中，可在退火步驟期間熱生長氧化硅。接著可使用導電材料來將背表面場連接在一起。使用第二組導電材料以將P++區(qū)域或發(fā)射極區(qū)域連接在一起。
[0048]雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術領域】中普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視所附的申請專利范圍所界定者為準。
【權利要求】
1.一種產生點接觸太陽能電池的方法，其特征在于包括: 提供具有第一導電性的襯底； 以第二導電性的物質來對所述襯底的表面執(zhí)行毯覆式注入，所述第二導電性與所述第一導電性相反，以便產生所述第一導電性的基極和所述第二導電性的發(fā)射極； 使用所述第一導電性的物質來執(zhí)行所述襯底的所述表面的圖案化注入，以在所述表面上產生所述第一導電性的離散逆摻雜區(qū)域，其中所述逆摻雜區(qū)域電連接到所述基極；以及使用所述第二導電性的物質來執(zhí)行所述襯底的所述表面的第二圖案化注入，以產生重摻雜的發(fā)射極區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于所述逆摻雜區(qū)域是圓形或長方形的。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于還包括以所述第一導電性的物質來對所述襯底的所述表面執(zhí)行圖案化注入，以便產生連接所述離散逆摻雜區(qū)域的線路。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于所述線路是在一個方向上。
5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于所述線路是在兩個垂直方向上，因而產生柵格圖案。
6.一種點接觸太陽能電池，其特征在于包括: 受照表面； 非受照表面； η型基極，位于所述受照表面與所述非受照表面之間； 其中所述非受照表面為P摻雜的，以形成基極，且包括: 多個離散逆摻雜η型區(qū)域，其與所述基極電接觸；以及 多個逆摻雜η型線路，其連接所述離散逆摻雜η型區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求6所述的點接觸太陽能電池，其特征在于所述離散逆摻雜η型區(qū)域是圓形或長方形的。
8.根據(jù)權利要求6所述的點接觸太陽能電池，其特征在于所述非受照表面更包括多個離散的重摻雜的發(fā)射極區(qū)域。
9.根據(jù)權利要求6所述的點接觸太陽能電池，其特征在于所述線路是在一個方向上。
10.根據(jù)權利要求6所述的點接觸太陽能電池，其特征在于所述線路是在兩個垂直方向上，因而產生柵格圖案。
11.一種產生點接觸太陽能電池的方法，其特征在于包括: 提供具有第一導電性的襯底； 以第二導電性的物質來對所述襯底的表面執(zhí)行毯覆式注入，所述第二導電性與所述第一導電性相反，以便產生所述第一導電性的基極和所述第二導電性的發(fā)射極； 使用所述第一導電性的物質來執(zhí)行所述襯底的所述表面的圖案化注入，以便對所述表面上的區(qū)域進行逆摻雜，以便在所述表面上產生所述第一導電性的離散逆摻雜點，其中所述逆摻雜點電連接到所述基極。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于還包括以所述第一導電性的物質來對所述襯底的所述表面執(zhí)行圖案化注入，以便產生連接所述離散逆摻雜點的線路。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于所述線路是在一個方向上。
14.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于所述線路是在兩個垂直方向上，因而產生柵格圖案。
15.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于所述點是圓形或長方形的。
【文檔編號】H01L31/068GK104396025SQ201380033059
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年5月1日 優(yōu)先權日:2012年5月4日
【發(fā)明者】尼可拉斯·P·T·貝特曼, 約翰·W·奎夫 申請人:瓦里安半導體設備公司