基座的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基座，該基座通過對在蜂巢狀圖案結(jié)構(gòu)的最密填充配置的多個锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列的锪孔配置進行變更，由此在最外周部極力消除無用的空間而配置最多的锪孔。蜂巢狀圖案結(jié)構(gòu)的同心六邊形形狀锪孔列(A1、A2)中的最外周的第2個锪孔列(A2)的位于各頂點的锪孔與構(gòu)成最外周锪孔列(A3)的兩個锪孔分別實質(zhì)上進行點接觸，該兩個锪孔相互實質(zhì)上進行點接觸。在最外周锪孔列(A3)的锪孔(M(3)-C)和锪孔(M(3)-B)之間配置有與在锪孔列(A2)的頂點(B2)和頂點(B1)之間配置的锪孔的個數(shù)同等數(shù)量的锪孔，在最外周锪孔列(A3)的锪孔(M(3)-D)和锪孔(M(3)-E)之間配置有與在锪孔列(A2)的頂點(B2)和頂點(B3)之間配置的锪孔的個數(shù)同等數(shù)量的锪孔。
【專利說明】基座

【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及在半導體裝置的制造等中使用的基座（susceptor)，涉及在基座表面 配置有最多個锪孔的最密填充配置結(jié)構(gòu)的基座。

【背景技術(shù)】
[0002] 例如，在LED芯片的制造工序中向藍寶石基板上的化合物生長或Si設備制造工序 中的向Si晶片基板上的Si外延生長時所使用的基座具備載置各晶片的锪孔。上述基座的 锪孔配置多呈同心圓狀地配置。然而，在這樣的同心圓狀的锪孔配置中，無用的空間多，因 此利用一次處理能涂覆處理的基板的個數(shù)不充分，處理的效率化較差。
[0003] 而且，若在基座主體的表面上未由基板覆蓋的空余部分多，則對于吹附到基座主 體的表面上的氣體的流動而言，作為阻力發(fā)揮作用，因此氣體的流動紊亂，成為阻礙各基板 的厚度的均勻的生長的主要原因，會導致品質(zhì)的下降，從而使成品率下降。
[0004] 因此，提出了呈同心六邊形形狀配置的蜂巢狀圖案（參照以下的專利文獻1)。這 樣的配置是最密填充配置，能夠盡量減少無用的空間。
[0005] 【在先技術(shù)文獻】
[0006] 【專利文獻】
[0007] 【專利文獻1】日本特表2010-528466號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]【發(fā)明要解決的課題】
[0009] 然而，在上述的專利文獻1所公開的最密填充配置中，由于成為六邊形形狀的配 置，因此在基座表面的外周部產(chǎn)生無用的空間，在基座表面的外周部，存在未得到最密填充 配置這樣的問題。而且，本來基座表面的外周部能配置最多的基板，因此，在該部分存在較 多的無用空間的話可能會導致品質(zhì)下降的基板屢屢存在，因此不優(yōu)選。
[0010] 本發(fā)明是鑒于上述的實際情況而考慮出的發(fā)明。其目的在于提供一種基座，該基 座通過對在蜂巢狀圖案結(jié)構(gòu)的最密填充配置的多個锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列 的锪孔的配置形態(tài)進行變更，由此在最外周部極力消除無用的空間而配置最多的锪孔。 [0011] 用于解決課題的方案
[0012] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的基座在圓形的表面上配置有同一直徑的多個圓 形形狀的锪孔，并且這多個锪孔由最密填充配置的多個锪孔列和在這多個锪孔列的外周部 配置的最外周锪孔列構(gòu)成，所述基座的主旨在于，所述最密填充配置構(gòu)成為，在圓形表面的 中心部配置有一個锪孔，在位于該中心部的锪孔的外周側(cè)配置有N個同心正六邊形形狀的 锪孔列，N為1以上的任意的整數(shù)，在各锪孔列中，構(gòu)成锪孔列的各锪孔與相鄰的锪孔實質(zhì) 上進行點接觸，且構(gòu)成這N個锪孔列中的位于最內(nèi)周側(cè)的第1個锪孔列的各锪孔與位于所 述中心部的锪孔實質(zhì)上進行點接觸，而且，在同心正六邊形形狀的锪孔列的個數(shù)N為2以上 時，在這多個锪孔列中的比所述第1個锪孔列靠外周側(cè)的第E個锪孔列中，構(gòu)成該第E個锪 孔列的各锪孔與構(gòu)成該第E個锪孔列的內(nèi)周側(cè)的第（E-1)個锪孔列的各锪孔實質(zhì)上進行點 接觸，其中，E為2 < E < N的任意的整數(shù)，所述最外周锪孔列構(gòu)成為，構(gòu)成所述最密填充配 置的N個锪孔列中的第N個锪孔列的各頂點位置處的锪孔與構(gòu)成最外周锪孔列的兩個锪孔 分別實質(zhì)上進行點接觸，并且，在與第N個锪孔列的相鄰的頂點位置中的一方的頂點位置 相關聯(lián)的所述兩個锪孔和與另一方的頂點位置相關聯(lián)的所述兩個锪孔之間，夾設配置有與 在所述第N個锪孔列的各頂點之間配置的锪孔的個數(shù)同等數(shù)量的锪孔。
[0013] 在此，用語"實質(zhì)上進行點接觸"是指可以看作是進行點接觸這種程度地分開（例 如分離百分之幾毫米）的情況。
[0014] 另外，在從正面觀察基座表面的情況下，關于第N個锪孔列的左側(cè)頂點位置、中央 頂點位置、右側(cè)頂點位置這三個頂點位置，與處于左側(cè)頂點位置的锪孔實質(zhì)上進行點接觸 的最外周锪孔列的兩個锪孔中的左側(cè)的锪孔為A且右側(cè)的锪孔為B，與處于中央頂點位置 的锪孔實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列的兩個锪孔中的左側(cè)的锪孔為C且右側(cè)的锪孔 為D，與處于右側(cè)頂點位置的锪孔實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列的兩個锪孔中的左側(cè) 的锪孔為E且右側(cè)的锪孔為F時，用語"與第N個锪孔列的相鄰的頂點位置中的一方的頂點 位置相關聯(lián)的所述兩個锪孔和與另一方的頂點位置相關聯(lián)的所述兩個锪孔之間"是指锪孔 B與锪孔C之間、及锪孔D與锪孔E之間。
[0015] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)在最外周部能極力消除無用的空間且配置有最多的锪孔的 最密填充配置的基座。因此，通過使用具備這樣的結(jié)構(gòu)的基座的氣相生長裝置，由此在一次 處理中能夠進行更多的基板的層的生長處理，能夠?qū)崿F(xiàn)處理的效率化。
[0016] 需要說明的是，在本發(fā)明中，與構(gòu)成最密填充配置的N個锪孔列中的第N個锪孔列 的各頂點位置處的锪孔實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列的兩個锪孔可以相互實質(zhì)上進 行點接觸，也可以分離。
[0017] 在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，與所述第N個锪孔列的各頂點位置處的锪孔實質(zhì)上進行 點接觸的最外周锪孔列的兩個锪孔成為相互實質(zhì)上進行點接觸且連結(jié)該兩個锪孔的中心 的線與延長線正交的配置形態(tài)，其中，所述延長線是將與這兩個锪孔實質(zhì)上進行點接觸的 所述第N個锪孔列的位于頂點的锪孔的中心和基座表面的中心部連結(jié)的線的延長線。根據(jù) 這樣的結(jié)構(gòu)，在具備相同個數(shù)的锪孔的基座中，能夠使基座的直徑最小，因此空余部分少， 能夠?qū)崿F(xiàn)效率最優(yōu)的配置形態(tài)。
[0018] 在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述最外周锪孔列成為與所述同心正六邊形形狀的锪孔 列同心的圓形配置。若為這樣的結(jié)構(gòu)，則反應氣體從基座的中心部到外周部順暢地流動，因 此能夠保持配置于最外周锪孔列的各基板的層的生長的均勻性，能夠提高品質(zhì)。
[0019] 【發(fā)明效果】
[0020] 根據(jù)本發(fā)明，可實現(xiàn)在最外周部能極力消除無用的空間且配置有最多的锪孔的最 密填充配置的基座。因此，通過使用具備這樣的結(jié)構(gòu)的基座的氣相生長裝置，由此在一次處 理中能夠進行更多的基板的處理，能夠?qū)崿F(xiàn)處理的效率化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明的基座的俯視圖。
[0022] 圖2是本發(fā)明的基座的局部放大俯視圖。
[0023] 圖3是圖2的X-X向視剖視圖。
[0024] 圖4是用于說明最外周锪孔列的锪孔配置形態(tài)的圖。
[0025] 圖5是表示最外周锪孔列A3成為與正六邊形形狀锪孔列Al、A2同心的圓形配置 的情況的圖。
[0026] 圖6是表不配直有同心正7K邊形形狀鎊孔列A1和最外周鎊孔列A2的基座的圖。
[0027] 圖7是表不配直有同心正7K邊形形狀鎊孔列A1?A3和最外周鎊孔列A4的基座 的圖。
[0028] 圖8是表不配直有同心正7K邊形形狀鎊孔列A1?A4和最外周鎊孔列A5的基座 的圖。
[0029] 圖9是表示最外周锪孔列A4的兩個锪孔Μ(4)、Μ(4)分離配置時的最外周锪孔列 Α4的锪孔配置形態(tài)的圖。

【具體實施方式】
[0030] 以下，基于實施方式，對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是，本發(fā)明沒有限定為 以下的實施方式。
[0031] (實施方式1)
[0032] 以下，基于實施方式，對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是，本發(fā)明沒有限定為 以下的實施方式。
[0033] 在外延晶片的制造中使用的氣相生長裝置例如是能夠使多張半導體晶片同時進 行外延生長的被稱為微型分批爐的立式的氣相生長裝置。該立式的氣相生長裝置具備箱形 形狀的腔室、能夠?qū)⒍鄰埦笾滤降剌d置的基座、將原料氣體向腔室內(nèi)供給的原料氣 體供給機構(gòu)、將載氣向腔室內(nèi)供給的載氣供給機構(gòu)、及對腔室內(nèi)進行加熱的加熱機構(gòu)。設于 該裝置的本發(fā)明的基座如圖1所示。
[0034] 圖1是本發(fā)明的基座的俯視圖?；?為圓盤狀。在該基座1的圓形的表面2上 規(guī)則地配置有同一直徑的多個圓形形狀的锪孔Μ。具體而言，由最密填充配置的多個锪孔列 和在這多個锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列構(gòu)成。
[0035] 如圖1所示，最密填充配置的多個锪孔列由所謂的蜂巢狀圖案構(gòu)成。即，在基座主 體2的中心部配置一個锪孔Μ(0)(在單獨表示中心部的锪孔時，用參照符號Μ(0)表示）， 在該位于中心部的锪孔Μ(0)的外周側(cè)配置有Ν個（在本實施方式中為兩個）同心正六邊 形形狀的锪孔列Α1、Α2。構(gòu)成锪孔列Α1的各锪孔M(l)(在單獨表示構(gòu)成锪孔列Α1的锪孔 時，用參照符號M(l)表示）與相鄰的锪孔M(l)實質(zhì)上進行點接觸。其他的锪孔列Α2也是 與锪孔列Α1同樣的結(jié)構(gòu)，構(gòu)成锪孔列Α2的各锪孔Μ(2)(在單獨表示構(gòu)成锪孔列Α2的锪孔 時，用參照符號Μ(2)表示）與相鄰的锪孔Μ(2)實質(zhì)上進行點接觸。
[0036] 在此，在本申請說明書中，"實質(zhì)上進行點接觸"是指如圖2及圖3所示那樣，可以 看作是通過將锪孔Μ彼此分隔的分隔部3進行點接觸這種程度地分開（例如分離百分之幾 毫米）的情況。
[0037] 另外，構(gòu)成锪孔列Al、Α2中的位于最內(nèi)周側(cè)的第1個锪孔列Α1的各锪孔Μ (1)與 位于中心部的锪孔Μ(0)實質(zhì)上進行點接觸。而且，構(gòu)成第2個锪孔列Α2的各锪孔Μ(2)與 構(gòu)成第1個锪孔列Α1的各锪孔M(l)實質(zhì)上進行點接觸。需要說明的是，若說明配置Ν(Ν 為2以上的任意的整數(shù)）個同心正六邊形形狀的锪孔列A1?An的情況，則在比第1個锪 孔列靠外周側(cè)的第E(E為2 < E < N的任意的整數(shù)）個锪孔列中，構(gòu)成該第E個锪孔列的 各锪孔與構(gòu)成該锪孔列的內(nèi)周側(cè)的第（E-1)個锪孔列的各锪孔實質(zhì)上進行點接觸。
[0038] 需要說明的是，锪孔列Al、A2是以基座表面2的中心點為中心的同心正六邊形形 狀，這是指對于锪孔列Al、A2中的任一方，都在正六邊形的頂點位置配置锪孔M，且以锪孔 列A1的一邊的锪孔的個數(shù)為2、锪孔列A2的一邊的锪孔的個數(shù)為3的方式使锪孔列A的構(gòu) 成一邊的锪孔的個數(shù)比內(nèi)周側(cè)的緊挨著的一個锪孔列的構(gòu)成一邊的锪孔的個數(shù)多一個的 結(jié)構(gòu)的同心正六邊形形狀。
[0039] 通過上述的結(jié)構(gòu)，在基座表面2的從中心部到锪孔列A2的范圍內(nèi)，锪孔的配置形 態(tài)由所謂的蜂巢狀圖案構(gòu)成，成為最密填充配置的結(jié)構(gòu)。
[0040] (最外周锪孔列的配置形態(tài)）
[0041] 最外周锪孔列A3成為以下這樣的配置形態(tài)。即，如圖1所示，锪孔列A2的位于各 頂點的锪孔M(2)與構(gòu)成最外周锪孔列A3的兩個锪孔M(3)、M(3)分別實質(zhì)上進行點接觸。 這兩個锪孔M(3)、M(3)相互實質(zhì)上進行點接觸，且如圖4所示，將兩個锪孔M(3)、M(3)的中 心連結(jié)的線L1與延長線L2正交，該延長線L2是將與這兩個锪孔M(3)、M(3)實質(zhì)上進行點 接觸的锪孔列A2的位于頂點的M(2)的中心點和基座表面2的中心點連結(jié)的線的延長線。
[0042] 在此，著眼于锪孔列A2的各頂點B1?B6中的頂點B2進行說明。關于頂點B2的 左側(cè)頂點B1、頂點B2的右側(cè)頂點B3、及頂點B2這三個頂點，與位于左側(cè)頂點B1的锪孔M(2) 實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列A3的兩個锪孔M(3)中的左側(cè)的锪孔為M(3)-A且右側(cè) 的锪孔為M(3) -B，與位于中央頂點B2的锪孔M(2)實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列A3的 兩個锪孔Μ (3)中的左側(cè)的锪孔為Μ (3) -C且右側(cè)的锪孔為Μ (3) -D，與位于右側(cè)頂點B3的锪 孔Μ(2)實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列A3的兩個锪孔Μ(3)中的左側(cè)的锪孔為Μ(3)-Ε 且右側(cè)的锪孔為Μ (3) -F時，在锪孔Μ (3) -C和锪孔Μ (3) -Β之間配置有與在锪孔列Α2的頂 點Β2和頂點Β1之間配置的锪孔的個數(shù)（在本實施方式中為一個）同等數(shù)量的锪孔，在锪 孔Μ(3) -D和锪孔Μ(3) -Ε之間配置有與在锪孔列Α2的頂點Β2和頂點Β3之間配置的锪孔的 個數(shù)（在本實施方式中為一個）同等數(shù)量的锪孔。并且，锪孔Μ(3)-Β、夾設在锪孔Μ(3)-Β 與锪孔Μ (3) -C之間的锪孔Μ (3)、以及锪孔Μ (3) -C分別成為與相鄰的锪孔彼此實質(zhì)上進行 點接觸的配置形態(tài)，锪孔Μ (3) -D、夾設在锪孔Μ (3) -D與锪孔Μ (3) -Ε之間的锪孔Μ (3)分別 成為與相鄰的锪孔彼此實質(zhì)上進行點接觸的配置形態(tài)。
[0043] 需要說明的是，在上述的例子中，著眼于頂點Β2進行了說明，但對于其他的锪孔 列Α2的各頂點Β1、Β2?Β6中的每個，也是在與該頂點相關聯(lián)的最外周锪孔列A3的兩個锪 孔Μ(3)和與相鄰的頂點相關聯(lián)的最外周锪孔列A3的兩個锪孔Μ(3)之間，配置有與在锪孔 列Α2的該頂點之間配置的锪孔的個數(shù)（在本實施方式中為一個）同等數(shù)量的锪孔。
[0044] 需要說明的是，作為在與頂點相關聯(lián)的最外周锪孔列A3的兩個锪孔Μ(3)、Μ(3)和 與相鄰的頂點相關聯(lián)的最外周锪孔列A3的兩個锪孔Μ(3)、Μ(3)之間夾設的锪孔的夾設的 形態(tài)，可以如圖1所示那樣為直線狀，而且，也可以如圖5所示那樣為圓弧狀。在如圖5所 示那樣為圓弧狀的情況下，最外周锪孔列A3成為與正六邊形形狀锪孔列Α1、Α2同心的圓形 配置。
[0045] 通過上述那樣的最外周锪孔列的配置形態(tài)，能夠?qū)崿F(xiàn)配置有最多的锪孔的最密填 充配置的基座。因此，通過使用具備這樣的結(jié)構(gòu)的基座的氣相生長裝置，由此在一次處理中 能夠進行更多的基板的處理，能夠?qū)崿F(xiàn)處理的效率化。
[0046] 尤其是在圖5所示的最外周锪孔列成為圓形配置的情況下，反應氣體從基座的中 心部到外周部順暢地流動，因此能夠更進一步地保持配置于最外周锪孔列的各基板的層的 生長的均勻性，能夠提商品質(zhì)。
[0047] 需要說明的是，在上述實施方式中，示出了配置有正六邊形形狀锪孔列A1、A2和 最外周锪孔列A3的結(jié)構(gòu)的基座，但本發(fā)明沒有限定于此，上述實施方式中示出的配置形態(tài) 也可以廣泛應用于配置有同心正六邊形形狀锪孔列A1?An和最外周锪孔列An+1的基座。 配置有同心正六邊形形狀锪孔列A1和最外周锪孔列A2的基座如圖6所示，配置有同心正 六邊形形狀锪孔列A1?A3和最外周锪孔列A4的基座如圖7所示，配置有同心正六邊形形 狀锪孔列A1?A4和最外周锪孔列A5的基座如圖8所示。在圖6?圖8的任一圖中，都能 實現(xiàn)配置有最多的锪孔的最密填充配置的基座。
[0048] (其他的事項）
[0049] 在上述實施方式中，與锪孔列A2的位于各頂點的锪孔M(2)實質(zhì)上進行點接觸的 最外周锪孔列A3的兩個锪孔M(3)、M(3)為彼此實質(zhì)上進行了點接觸的配置形態(tài)，但锪孔 Μ(3)和锪孔Μ(3)也可以是分離的配置形態(tài)。
[0050] 參照圖9進行說明。在此，圖9是將通過由蜂巢狀圖案構(gòu)成的锪孔列Α1?A3和最 外周鎊孔列Α4而配直的基座的一部分放大表不的圖。在該圖9中，最外周鎊孔列Α4的兩個 锪孔Μ(4)、Μ(4)為分離的配置形態(tài)。這種情況下的锪孔Μ(4)與锪孔Μ(4)之間夾設的锪孔 未配置成一直線狀或圓弧狀，而是成為一部分的锪孔稍向外方向側(cè)突出的配置狀態(tài)。然而， 即便是這樣的配置形態(tài)，也能在最外周配置最多的锪孔，作為整體而言，能夠?qū)崿F(xiàn)空余空間 少的最密填充配置的基座。
[0051] 在此，最外周锪孔列的兩個锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)分離的配置形態(tài)時的基座的半徑 設為R1，而且，兩個锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)相互實質(zhì)上進行點接觸且將兩個锪孔Μ(4)、锪孔 Μ(4)的中心連結(jié)的線L1與延長線L2正交的配置形態(tài)時的基座的半徑設為R2時，半徑R1 比半徑R2稍大，其中，該延長線L2是將與這兩個锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)實質(zhì)上進行點接觸的 锪孔列A3的位于頂點的Μ(3)的中心點和基座表面2的中心點連結(jié)的線的延長線。因此，在 最外周锪孔列的兩個锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)分離的配置形態(tài)的情況下，與兩個锪孔Μ(4)、锪 孔Μ (4)相互實質(zhì)上進行點接觸的配置形態(tài)相比，空余部分變多。反而言之，兩個锪孔Μ (4)、 锪孔Μ(4)相互實質(zhì)上進行點接觸的配置形態(tài)能夠最為減小基座的直徑，能夠減少空余部 分，因此是效率最優(yōu)的配置形態(tài)。
[0052] 另外，在最外周锪孔列的兩個锪孔Μ(4)、Μ(4)分離的配置形態(tài)的情況下，這兩個 锪孔Μ(4)、Μ(4)相對于延長線L2可以是成為線對稱的配置，也可以是成為非對稱的配置、 即左側(cè)的锪孔Μ(4)與延長線L2的間隔不同于右側(cè)的锪孔Μ(4)與延長線L2的間隔的配置 形態(tài)，其中該延長線L2是將與兩個锪孔Μ(4)、Μ(4)實質(zhì)上進行點接觸的锪孔列Α2的位于 頂點的锪孔Μ(3)的中心點和基座表面2的中心點連結(jié)的線的延長線。在這樣的配置形態(tài) 的情況下，夾設在锪孔Μ(4)與锪孔Μ(4)之間的锪孔未配置成一直線狀或圓弧狀，而是一部 分的锪孔成為稍向外方向側(cè)突出的配置狀態(tài)，但即使是這樣的配置形態(tài)，也能夠在最外周 配置最多的锪孔，作為整體而言，能夠?qū)崿F(xiàn)空余空間少的最密填充配置的基座，在這一點上 并未改變。
[0053] 【工業(yè)上的可利用性】
[0054] 本發(fā)明應用于在半導體裝置的制造等中使用的氣相生長用基座等。
[0055] 【符號說明】
[0056] 1 :基座
[0057] 2 :基座表面
[0058] 3 :分隔部
[0059] A1?A5 :锪孔列
[0060] Μ :锪孔
[0061] Μ(0):位置中心部的锪孔
[0062] M(l):構(gòu)成锪孔列Α1的锪孔
[0063] Μ (2):構(gòu)成锪孔列Α2的锪孔
[0064] Μ (3):構(gòu)成锪孔列A3的锪孔
[0065] Μ (4):構(gòu)成锪孔列Α4的锪孔
[0066] Μ (5):構(gòu)成锪孔列Α5的锪孔
【權(quán)利要求】
1. 一種基座，其在圓形的表面上配置有同一直徑的多個圓形形狀的锪孔，并且這多個 锪孔由最密填充配置的多個锪孔列和在這多個锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列構(gòu)成， 所述基座的特征在于， 所述最密填充配置構(gòu)成為，在圓形表面的中心部配置有一個锪孔，在位于該中心部的 锪孔的外周側(cè)配置有N個同心正六邊形形狀的锪孔列，N為1以上的任意的整數(shù)，在各锪孔 列中，構(gòu)成锪孔列的各锪孔與相鄰的锪孔實質(zhì)上進行點接觸，且構(gòu)成這N個锪孔列中的位 于最內(nèi)周側(cè)的第1個锪孔列的各锪孔與位于所述中心部的锪孔實質(zhì)上進行點接觸，而且， 在同心正六邊形形狀的锪孔列的個數(shù)N為2以上時，在這多個锪孔列中的比所述第1個锪 孔列靠外周側(cè)的第E個锪孔列中，構(gòu)成該第E個锪孔列的各锪孔與構(gòu)成該第E個锪孔列的 內(nèi)周側(cè)的第（E-1)個锪孔列的各锪孔實質(zhì)上進行點接觸，其中，E為2 < E < N的任意的整 數(shù)， 所述最外周锪孔列構(gòu)成為，構(gòu)成所述最密填充配置的N個锪孔列中的第N個锪孔列的 各頂點位置處的锪孔與構(gòu)成最外周锪孔列的兩個锪孔分別實質(zhì)上進行點接觸，并且，在與 第N個锪孔列的相鄰的頂點位置中的一方的頂點位置相關聯(lián)的所述兩個锪孔和與另一方 的頂點位置相關聯(lián)的所述兩個锪孔之間，夾設配置有與在所述第N個锪孔列的各頂點之間 配置的锪孔的個數(shù)同等數(shù)量的锪孔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座，其中， 與所述第N個锪孔列的各頂點位置處的锪孔實質(zhì)上進行點接觸的最外周锪孔列的兩 個锪孔成為相互實質(zhì)上進行點接觸且連結(jié)該兩個锪孔的中心的線與延長線正交的配置形 態(tài)，其中，所述延長線是將與這兩個锪孔實質(zhì)上進行點接觸的所述第N個锪孔列的頂點位 置處的锪孔的中心和基座表面的中心部連結(jié)的線的延長線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座，其中， 所述最外周锪孔列成為與所述同心正六邊形形狀的锪孔列同心的圓形配置。
【文檔編號】H01L21/683GK104160495SQ201380012992
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月7日
【發(fā)明者】佐佐木清秀 申請人:東洋炭素株式會社