具有集成的天線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模塊的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體模塊和一種用于制造這樣的半導(dǎo)體模塊的方法，所述半導(dǎo)體模塊具有：一集成電路(18)，所述集成電路包括至少一個(gè)振蕩器(20)用于產(chǎn)生雷達(dá)信號(hào)；一接線層(26)，用于所述集成電路(18)的外部連接；和集成到所述半導(dǎo)體模塊(10)中的、用于發(fā)送和/或接收雷達(dá)信號(hào)的至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)(14；16)，其中，所述至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)(14；16)中的至少一個(gè)天線結(jié)構(gòu)與所述集成電路(18)連接；并且其中，所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)(14)在所述接線層(26)的高度區(qū)域之外埋入所述半導(dǎo)體模塊(10)的殼體材料中。
【專利說(shuō)明】具有集成的天線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊，所述半導(dǎo)體模塊具有：一集成電路，所述集成電路包 括至少一個(gè)振蕩器用于產(chǎn)生雷達(dá)信號(hào)；一接線層，用于所述集成電路的外部連接；集成在 所述半導(dǎo)體模塊中的、用于發(fā)送和/或接收雷達(dá)信號(hào)的至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)，其中，所述至少 兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)天線結(jié)構(gòu)與所述集成電路連接。尤其地，本發(fā)明涉及一種用于 機(jī)動(dòng)車?yán)走_(dá)應(yīng)用的這類半導(dǎo)體模塊。此外，本發(fā)明涉及一種具有這樣的半導(dǎo)體模塊的雷達(dá) 傳感器以及一種具有這類半導(dǎo)體模塊的機(jī)動(dòng)車?yán)走_(dá)系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 雷達(dá)傳感器被使用于物體的間距測(cè)量和/或速度測(cè)量。尤其公知這樣的雷達(dá)系 統(tǒng)，其中，多個(gè)物體的速度和距離被同時(shí)檢測(cè)。例如公知了一種用于機(jī)動(dòng)車的行駛速度調(diào)節(jié) 裝置，其具有一雷達(dá)系統(tǒng)，用于定位前方行駛的車輛和用于測(cè)量與該車輛的間距。這樣的間 距調(diào)節(jié)系統(tǒng)也被稱作ACC系統(tǒng)（Adaptive Cruise Control,即自適應(yīng)巡航控制）。
[0003] 為了簡(jiǎn)化用于雷達(dá)應(yīng)用的高頻電路的結(jié)構(gòu)，為發(fā)送和接收電路使用麗1C類型的 不斷增加的集成微波電路（Microwave Monolithic Integrated Circuit,即微波單片集成 電路）。
[0004] 公知了這樣的晶圓結(jié)構(gòu)組件，在這些晶圓結(jié)構(gòu)組件中，在晶圓平面上制造具有用 于集成電路結(jié)構(gòu)元件（IC-Bauelement)的接線層的結(jié)構(gòu)組件。這樣的晶圓結(jié)構(gòu)組件也被稱 作晶圓平面上的埋入式柵陣列（eWLB，embedded Wafer Level Ball Grid Array，即埋入式 晶圓球柵陣列）。
[0005] DE 10 2010 001 407 A1描述了這樣的半導(dǎo)體模塊，其中，在晶圓平面上集成天 線。所述半導(dǎo)體模塊包括一第一殼體模制塊層和一具有集成電路回路的集成電路結(jié)構(gòu)元 件，所述集成電路結(jié)構(gòu)元件埋入所述第一殼體模制塊層中。中間層包括一接線層，該接線層 連接到所述集成電路結(jié)構(gòu)元件上并且用于將該集成電路結(jié)構(gòu)元件進(jìn)行外部連接。集成的天 線元件布置在該中間層之內(nèi)并且連接所述集成電路結(jié)構(gòu)元件。這類半導(dǎo)體模塊可以以適用 于例如77GHz的高頻范圍的精確度來(lái)大量生產(chǎn)。這樣的具有集成在殼體中的天線的埋入式 晶圓球柵陣列半導(dǎo)體模塊也被稱作封裝天線（AiP)。在一個(gè)例子中，所述集成天線結(jié)構(gòu)是一 貼片天線，并且在所述半導(dǎo)體模塊的表面上布置有一形式為寄生微帶貼片天線的一附加的 第二天線結(jié)構(gòu)，該第二天線結(jié)構(gòu)在略小的頻率上振動(dòng)并且因此可以提高所述集成天線結(jié)構(gòu) 的阻抗寬度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 在具有集成電路和集成天線結(jié)構(gòu)的埋入式晶圓球柵陣列半導(dǎo)體模塊的情況下，通 過(guò)布置在一平面中的集成天線結(jié)構(gòu)獲得窄的帶寬。但是，為了機(jī)動(dòng)車?yán)走_(dá)應(yīng)用，尤其是為了 FMCW雷達(dá)系統(tǒng)（Frequency Modulated Continuous Wave,即調(diào)頻連續(xù)波）希望寬帶的天線 結(jié)構(gòu)。
[0007] 本發(fā)明的任務(wù)是提供一種用于雷達(dá)應(yīng)用的新型半導(dǎo)體模塊，該半導(dǎo)體模塊能夠?qū)?現(xiàn)提供具有改善的帶寬的天線。
[0008] 該任務(wù)根據(jù)本發(fā)明通過(guò)開頭提到的類型的半導(dǎo)體模塊來(lái)解決，其中，所述天線結(jié) 構(gòu)中的至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)在所述接線層的高度區(qū)域之外埋入到所述半導(dǎo)體模塊的殼 體材料中。
[0009] 所述殼體材料優(yōu)選是殼體模制塊，也就是一成形材料或鑄造材料，其形成用于集 成電路的殼體。
[0010] 通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)埋入到所述半導(dǎo)體模塊的殼體材料中可以自由 地預(yù)先給定天線結(jié)構(gòu)的定位和尤其是高度間距。此外因此能夠?qū)崿F(xiàn)：這些天線結(jié)構(gòu)在多于 兩個(gè)的不同的高度上疊置堆疊地布置，從而使得獲得用于確定由這些天線結(jié)構(gòu)所形成的天 線的帶寬和必要時(shí)指向性的改善的可能性。所述殼體材料例如可以在制造所述半導(dǎo)體模塊 時(shí)施加在兩個(gè)或更多個(gè)部分層中，在這些部分層之間可以安置例如在一金屬化層中的天線 結(jié)構(gòu)。
[0011] 優(yōu)選地，所述至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)布置在與所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第二天 線結(jié)構(gòu)不同的高度上。
[0012] 所述振蕩器尤其是一用于產(chǎn)生雷達(dá)信號(hào)的振蕩器，該雷達(dá)信號(hào)具有在微波，即分 米波、厘米波和/或毫米波范圍內(nèi)的頻率。
[0013] 優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體模塊具有一晶圓單元和一接口層，其中，所述晶圓單元具有一 形成所述集成電路的半導(dǎo)體芯片和一殼體層，所述殼體層通過(guò)所述半導(dǎo)體模塊的殼體材料 來(lái)形成并且所述半導(dǎo)體芯片以及所述至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)被埋入到所述殼體層中，并且 其中，所述接口層具有所述接線層，所述接線層使所述集成電路連接到所述接口層的外部 接頭上。尤其地，所述半導(dǎo)體模塊優(yōu)選是埋入式晶圓球柵陣列封裝件。
[0014] 優(yōu)選地，所述至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)布置在所述接線層的高度區(qū)域中。特別優(yōu)選 地，所述至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)布置在所提到的接口層中。例如，第二天線結(jié)構(gòu)可以在一個(gè) 方法步驟中與接線層一起被制造。至少所述第二天線結(jié)構(gòu)例如布置在所述接線層中。例如， 所述至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)可以通過(guò)所述接線層與所述集成電路連接。
[0015] 優(yōu)選地，所述這些天線結(jié)構(gòu)是堆疊的天線結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，它們伴隨高度錯(cuò)開疊置 地布置。這能夠以特別有利的方式實(shí)現(xiàn)天線特性的設(shè)定。
[0016] 優(yōu)選地，所述天線結(jié)構(gòu)側(cè)向相對(duì)于所提到的半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開。特別優(yōu)選地，所述至 少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)側(cè)向相對(duì)于所述半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開地，在側(cè)向在半導(dǎo)體芯片旁邊的一區(qū) 域中布置在所述殼體層中。例如可以側(cè)向相對(duì)于所述半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開地在不同的高度上， 在半導(dǎo)體芯片旁邊的一區(qū)域中，在所述殼體層中布置多個(gè)天線結(jié)構(gòu)。例如可以側(cè)向相對(duì)于 所述半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開地，在半導(dǎo)體芯片之外的一區(qū)域中，在所述接口層中布置至少一個(gè)第 二天線結(jié)構(gòu)。晶圓單元和接口層例如平行地延伸，其中，所述接口層在所述半導(dǎo)體芯片的一 區(qū)域上和在該區(qū)域之外的一區(qū)域上延伸。
[0017] 所述任務(wù)進(jìn)一步地通過(guò)一種用于制造半導(dǎo)體模塊的方法來(lái)解決，所述半導(dǎo)體模塊 具有用于雷達(dá)信號(hào)的集成天線結(jié)構(gòu)，所述方法具有如下步驟：
[0018] -提供形式為集成電路的半導(dǎo)體芯片，所述集成電路包括至少一個(gè)高頻振蕩器； 和
[0019] -制造所述半導(dǎo)體模塊的殼體的至少側(cè)向鄰接所述半導(dǎo)體芯片的殼體層，其中，制 造所述殼體層包括如下步驟：制造所述殼體層的部分層；制造該部分層上的至少一個(gè)第一 天線結(jié)構(gòu)；制造所述殼體層的遮蓋所述第一天線結(jié)構(gòu)的另一部分層；
[0020] 其中，所述方法還包括下列步驟：
[0021] -制造集成到所述半導(dǎo)體模塊中的至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)；和
[0022] -制造至少在所述殼體層的表面上的一接線層。
[0023] 優(yōu)選地，所述至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)在與所述第一天線結(jié)構(gòu)不同的高度平面上制 造。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024] 下面參照附圖詳細(xì)闡釋本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例。
[0025] 其中：
[0026] 圖1示出了半導(dǎo)體模塊的示意橫截面視圖，該半導(dǎo)體模塊具有兩個(gè)集成的天線結(jié) 構(gòu)；
[0027] 圖2示出了半導(dǎo)體模塊的示意橫截面視圖，該半導(dǎo)體模塊具有三個(gè)集成的天線結(jié) 構(gòu)；
[0028] 圖3示出了半導(dǎo)體模塊的示意橫截面視圖，該半導(dǎo)體模塊具有四個(gè)集成的天線結(jié) 構(gòu)；和
[0029] 圖4示出了一流程圖，該流程圖表明了用于制造半導(dǎo)體模塊的方法。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 圖1示意性在橫截面視圖中示出了一半導(dǎo)體模塊10,其安置在一電路板12上。
[0031] 所述半導(dǎo)體模塊10包括一第一集成的天線結(jié)構(gòu)14、一第二集成的天線結(jié)構(gòu)16和 一集成電路18,其形式為半導(dǎo)體芯片。集成電路18包括用于雷達(dá)信號(hào)的發(fā)射和接收電路的 高頻部件并且與所述第二天線結(jié)構(gòu)16連接。尤其地，所述集成電路18包含一高頻振蕩器20 用于產(chǎn)生一雷達(dá)信號(hào)，該雷達(dá)信號(hào)用于通過(guò)天線元件14、17來(lái)輻射。此外，所述集成電路18 以本身公知的方式包括一混合器，用于將一通過(guò)天線結(jié)構(gòu)14、16接收的雷達(dá)信號(hào)與所述發(fā) 送的信號(hào)混合。該集成電路18涉及所謂的MMIC芯片（Monolithic Microwave Integrated Circuit,即單片微波集成電路）。
[0032] 半導(dǎo)體模塊10涉及所謂的埋入式晶圓球柵陣列封裝件，其中，晶圓單元22包括形 成集成電路18的半導(dǎo)體芯片和形式為殼體層24的殼體模制塊層，半導(dǎo)體芯片埋入該殼體 層中。該在制造期間組合成的晶圓單元22也被表示為復(fù)溶晶圓（Reconstituted Wafer)。 所述晶圓單元22設(shè)有接口層25,所述接口層具有接線層26和接頭28,接頭的形式為3D連 接結(jié)構(gòu)，尤其是釬焊球。接線層26在第一側(cè)上具有接觸部位，這些接觸部位接觸晶圓單元 22的接觸部位。在第二側(cè)上，所述接線層26與接頭28連接用于外部接觸。以該方式，所述 集成電路18聯(lián)接到所述接口層25的接頭28上。圖1示例性示出了四個(gè)接頭28,這些接頭 連接到三個(gè)電路板12的印制導(dǎo)線上。所述半導(dǎo)體模塊10可以借助于標(biāo)準(zhǔn)化過(guò)程，尤其是 表面裝配過(guò)程被施加到所述電路板12上。
[0033] 在接線層26的高度區(qū)域中，第二天線結(jié)構(gòu)16集成到所述接口層25中并且在該接 口層中與集成電路18連接。尤其地，所述第二天線結(jié)構(gòu)16和作為接線層26的部分的與集 成電路18的連接部集成到所述接口層25中。
[0034] 所述第二天線結(jié)構(gòu)16側(cè)向相對(duì)于所述半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開并且由此處在殼體層24旁 邊的區(qū)域中，在接口層24的與半導(dǎo)體芯片相鄰的區(qū)域之外。
[0035] 沿高度方向與第二天線結(jié)構(gòu)16間隔開地，第一天線結(jié)構(gòu)14側(cè)向在半導(dǎo)體芯片旁 邊在殼體層24中埋入。由此，第一和第二天線結(jié)構(gòu)14、16形成堆疊的天線布置。下面，根 據(jù)圖4示例性描述用于制造半導(dǎo)體模塊的方法。
[0036] 在所描述的例子中，第一天線結(jié)構(gòu)14未電連接，而是它通過(guò)電磁耦接被激勵(lì)。第 一天線結(jié)構(gòu)14但是也可以與集成電路18連接，例如通過(guò)在殼體層24的部分層中的至少一 個(gè)穿通接觸部（Durchkontaktierung) (Via,即過(guò)孔）。
[0037] 例如，第一和第二天線結(jié)構(gòu)14、16具有略微不同的共振特性，尤其不同的共振頻 率范圍。這例如可以通過(guò)第一和第二天線結(jié)構(gòu)14、16的不同的尺寸設(shè)定來(lái)實(shí)現(xiàn)。由天線結(jié) 構(gòu)14、16所形成的天線的所述共振范圍的寬帶性由此相對(duì)于單個(gè)的天線結(jié)構(gòu)16變大。
[0038] 在圖1中虛線示出了由天線結(jié)構(gòu)14、16所形成的天線垂直于晶圓單元22的主輻 射方向。
[0039] 所述天線結(jié)構(gòu)14、16例如可以包括貼片天線元件。所述天線結(jié)構(gòu)14、16但是也可 以包括另外的天線元件，例如印刷的雙極天線元件、尤其是電雙極或磁雙極。天線結(jié)構(gòu)14、 16例如分別在一唯一的平面中延伸。
[0040] 在與主輻射方向?qū)χ玫膫?cè)上，在所示的例子中，電路板12可選地設(shè)有形式為能傳 導(dǎo)的區(qū)域的一反射器30。
[0041] 通過(guò)將天線結(jié)構(gòu)14、16集成到具有殼體中的天線（封裝天線，AiP)的在晶圓平面 上制作的半導(dǎo)體模塊中，與集成電路18連接的天線結(jié)構(gòu)16的精確連接和天線結(jié)構(gòu)14、16 相對(duì)彼此的精確取向是可行的。能夠?qū)崿F(xiàn)特別有效的制造。在所描述的例子中可以通過(guò)作 為寄生天線結(jié)構(gòu)被運(yùn)行的第一天線結(jié)構(gòu)14以能精確限定的方式設(shè)定共振帶寬的特性。
[0042] 在所示的例子中，第一和第二天線結(jié)構(gòu)14、16可以用于發(fā)送和接收雷達(dá)信號(hào)。但 是例如也可以考慮：設(shè)置多個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)16和/或多個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)14。尤其地，多個(gè) 第二天線結(jié)構(gòu)16可以并排地設(shè)置在相同的平面上，并且，多個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)14可以并排地 設(shè)置在相同的平面上，其中，分開的天線結(jié)構(gòu)可以設(shè)置用于發(fā)送和接收。
[0043] 圖2示出了半導(dǎo)體模塊的另一例子210,該半導(dǎo)體模塊與圖1的被描述的半導(dǎo)體 模塊10的區(qū)別是：在晶圓單元22的表面上施加一第三天線結(jié)構(gòu)32。半導(dǎo)體模塊10和210 的一致的部件以相同的附圖標(biāo)記表示。
[0044] 在所示的例子中，所述第三天線結(jié)構(gòu)32未電連接。該第三天線結(jié)構(gòu)確切地說(shuō)如第 一天線結(jié)構(gòu)14那樣通過(guò)一電磁耦接通過(guò)第一和第二天線結(jié)構(gòu)14、16來(lái)激勵(lì)。例如，天線結(jié) 構(gòu)14、16、32的共振特性分別彼此不同，從而使得第一和第三天線結(jié)構(gòu)14、32提高了由這些 天線結(jié)構(gòu)所形成的天線的寬帶性。
[0045] 圖3示出了半導(dǎo)體模塊的另一實(shí)施例310,該半導(dǎo)體模塊與根據(jù)圖1的半導(dǎo)體模 塊10的區(qū)別是：在不同高度上的多個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)14在接線層的高度區(qū)域之外埋入該半 導(dǎo)體模塊的殼體模制塊中。其余特征和部件例如與根據(jù)圖1的例子一致并且以相同的附圖 標(biāo)記表不。
[0046] 在圖3的例子中，殼體層24在集成電路18的與接線層26相反的側(cè)上延伸。集成 電路18由此全側(cè)地由接口層25和殼體層24圍住。
[0047] 下面，根據(jù)圖4在一制造半導(dǎo)體模塊10的例子上描述用于上述半導(dǎo)體模塊的制造 方法。
[0048] 在第一步驟410中，提供帶有集成的高頻振蕩器20的、以半導(dǎo)體芯片形式的集成 電路18。
[0049] 在步驟412中制造該半導(dǎo)體模塊10的殼體的至少側(cè)向鄰接所述半導(dǎo)體芯片的殼 體層24。制造殼體層24的步驟包括：制造所述殼體層24的至少一個(gè)第一部分層24a (圖 1)的步驟414 ;制造該部分層24a上的一金屬層中的至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)14的步驟416 ; 制造殼體層24的遮蓋第一天線結(jié)構(gòu)14的另一部分層24b的步驟418。為了在殼體層24之 內(nèi)在不同的高度上制造多個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)14可以重復(fù)實(shí)施步驟416和418,例如用于制造 根據(jù)圖3的半導(dǎo)體模塊310。
[0050] 該方法此外包括制造接口層25的步驟420,該步驟具有：制造接線層26的步驟 422 ;制造作為接口層25的部分的第二天線結(jié)構(gòu)16的步驟424 ;可選地制造具有外部接頭 28的接頭結(jié)構(gòu)的步驟426,這些外部接頭例如通過(guò)所述接線層26與集成電路18連接。
[0051] 制造第二天線結(jié)構(gòu)16的步驟424可以與描述的例子不同地也在制造殼體層的步 驟412之內(nèi)進(jìn)行。也就是說(shuō)，第二天線結(jié)構(gòu)16可選地同樣布置在所述接口層25的高度區(qū) 域之外。所述第二天線結(jié)構(gòu)16始終布置在與第一天線結(jié)構(gòu)14不同的高度平面上。該第二 天線結(jié)構(gòu)例如也可以施加在殼體層14的表面上，相應(yīng)于根據(jù)圖2的例子的天線結(jié)構(gòu)32。
【權(quán)利要求】
1. 半導(dǎo)體模塊，具有： -一集成電路（18)，所述集成電路包括至少一個(gè)振蕩器（20)用于產(chǎn)生雷達(dá)信號(hào)； -一接線層（26)，用于所述集成電路（18)的外部連接；和 -集成在所述半導(dǎo)體模塊（10)中的、用于發(fā)送和/或接收雷達(dá)信號(hào)的至少兩個(gè)天線結(jié) 構(gòu)（14 ; 16)，其中，所述至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)（14 ; 16)中的至少一個(gè)天線結(jié)構(gòu)與所述集成電路 (18)連接；并且 其中，所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)（14)在所述接線層（26)的高度區(qū)域 之外埋入所述半導(dǎo)體模塊（10)的殼體材料中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)（14)布置在 與所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)（16)不同的高度上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第二天線 結(jié)構(gòu)（16)布置在所述接線層（26)的高度區(qū)域中。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體模塊（10)具有一晶圓 單元（22)和一接口層（25)，其中，所述晶圓單元（22)具有一形成所述集成電路（18)的半 導(dǎo)體芯片和一殼體層（24)，所述殼體層通過(guò)所述半導(dǎo)體模塊（10)的所提到的殼體材料來(lái) 形成并且所述半導(dǎo)體芯片以及所述至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)（14)被埋入到所述殼體層中， 并且其中，所述接口層（25)具有所述接線層（26)，所述接線層使所述集成電路（18)與所述 接口層（25)的外部接頭（28)連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第二天線結(jié) 構(gòu)（16)布置在所述接口層（25)中。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述天線結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)第二 天線結(jié)構(gòu)（16)與所述集成電路（18)連接。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)（14 ;16) 是堆疊的天線結(jié)構(gòu)。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述至少兩個(gè)天線結(jié)構(gòu)（14 ;16) 相對(duì)于所述集成電路（18)側(cè)向錯(cuò)開地布置。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體模塊，其中，至少所述第一天線結(jié)構(gòu)（14)側(cè)向 相對(duì)于形成所述集成電路（18)的半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開地，在側(cè)向在所述半導(dǎo)體芯片旁邊的一 區(qū)域中埋入所述半導(dǎo)體模塊（10)的所提到的殼體材料中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模塊，其中，在所述半導(dǎo)體模塊中集成的多個(gè)天線結(jié) 構(gòu)（14)側(cè)向相對(duì)于形成所述集成電路（18)的半導(dǎo)體芯片錯(cuò)開地，在側(cè)向在所述半導(dǎo)體芯 片旁邊的一區(qū)域中埋入所述半導(dǎo)體模塊（10)的所提到的殼體材料中。
11. 雷達(dá)傳感器，其具有一根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的半導(dǎo)體模塊。
12. 機(jī)動(dòng)車?yán)走_(dá)系統(tǒng)，其具有一根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的半導(dǎo)體模塊。
13. 用于制造半導(dǎo)體模塊（10)的方法，所述半導(dǎo)體模塊具有用于雷達(dá)信號(hào)的集成天線 結(jié)構(gòu)（14 ; 16)，所述方法具有下列步驟： -提供（410)形式為集成電路（18)的半導(dǎo)體芯片，所述集成電路包括至少一個(gè)高頻振 蕩器（20);和 -制造（412)所述半導(dǎo)體模塊（10)的殼體的至少側(cè)向鄰接所述半導(dǎo)體芯片的殼體層 (24)，其中，制造所述殼體層（24)包括如下步驟：制造（414)所述殼體層（24)的部分層 (24a);制造（416)該部分層（24a)上的至少一個(gè)第一天線結(jié)構(gòu)（14);制造（418)所述殼體 層（24)的遮蓋所述第一天線結(jié)構(gòu)（14)的另一部分層（24b); 其中，所述方法還包括下列步驟： -制造（424)集成到所述半導(dǎo)體模塊（10)中的至少一個(gè)第二天線結(jié)構(gòu)（16);和 -制造（422)至少在所述殼體層（24)的表面上的一接線層（26)。
【文檔編號(hào)】H01L23/66GK104145335SQ201380011511
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月29日
【發(fā)明者】D·米特爾施特拉斯, T·賓策爾 申請(qǐng)人:羅伯特·博世有限公司