有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】在有機(jī)發(fā)光二極管（1）的至少一個(gè)實(shí)施方式中，該有機(jī)發(fā)光二極管（1）包括鏡（3）和有機(jī)層序列（4）。該有機(jī)層序列（4）包含用于生成第一輻射的第一活性層（41）以及用于生成第二輻射的至少兩個(gè)第二活性層（42，43）?；钚詫樱?1，42，43）沿著遠(yuǎn)離鏡（3）的主方向（x）相疊布置。在兩個(gè)相鄰的活性層（41，42，43）之間分別存在載流子生成層（45）。第二活性層（42，43）分別具有相同的至少兩種輻射活性的有機(jī)材料。第一活性層（41）具有與此不同的輻射活性的有機(jī)材料。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 說明一種有機(jī)發(fā)光二極管。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0002] 要解決的任務(wù)在于，說明一種有機(jī)發(fā)光二極管，其輻射具有高的色彩還原指數(shù)。
[0003] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光二極管包括鏡。該鏡被設(shè)置為反 射在發(fā)光二極管運(yùn)行中生成的輻射、尤其是可見輻射達(dá)至少50%或者達(dá)至少80%或者達(dá) 至少95%。該鏡尤其是對(duì)于可見光為不可透過的。例如，該鏡是包括銀和/或鋁或由其制 成的金屬鏡。該鏡也可以形成發(fā)光二極管的電極、例如陰極。
[0004] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光二極管包含一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層序列。該有機(jī)層序 列完全或部分地基于有機(jī)材料。該有機(jī)層序列優(yōu)選地與該鏡直接接界，并且整面地或局部 地接觸該鏡。
[0005] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，該有機(jī)層序列具有一個(gè)或多個(gè)第一活性 層。第一活性層被設(shè)置為生成第一輻射。第一輻射尤其是藍(lán)光或紅光。
[0006] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，該有機(jī)層序列具有恰好兩個(gè)或兩個(gè)以上第二活性層。第 二活性層被分別設(shè)置為生成第二輻射。第二輻射可以優(yōu)選地為混合輻射。第二輻射尤其是 黃光、橙光或者青色光。
[0007] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，活性層沿著遠(yuǎn)離鏡的主方向相疊布置。 活性層的主延伸方向于是優(yōu)選地被定向?yàn)榕c鏡平行。換言之，在俯視該發(fā)光二極管的情況 下，活性層完全或部分彼此重疊。
[0008] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，至少在活性層中的兩個(gè)活性層之間或者 分別在兩個(gè)相鄰活性層之間存在載流子生成層、英語charge generation layer (電荷生成 層）或者簡稱CGL。該發(fā)光二極管優(yōu)選地具有載流子生成層中的至少兩個(gè)或恰好兩個(gè)。
[0009] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，所述至少兩個(gè)第二活性層分別具有相同 的至少兩種彼此不同的輻射活性的有機(jī)材料。第二活性層尤其是分別具有恰好兩種輻射活 性的有機(jī)材料。該輻射活性的有機(jī)材料可以分別是熒光材料或磷光材料。
[0010] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，第一活性層具有恰好一種或多種輻射活 性的有機(jī)材料。第一活性層的輻射活性的有機(jī)材料中的一種或至少一種或所有輻射活性的 有機(jī)材料不同于第二活性層的輻射活性的有機(jī)材料。換言之，第二活性層與第一活性層的 不同之處在于輻射活性的有機(jī)材料中的至少一種。第一層的輻射活性的有機(jī)材料也可以是 熒光材料或磷光材料。
[0011] 在該有機(jī)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式中，該有機(jī)發(fā)光二極管包括鏡和有機(jī)層 序列。該有機(jī)層序列包含用于生成第一輻射的第一活性層以及用于生成第二輻射的至少兩 個(gè)第二活性層。所述活性層沿著遠(yuǎn)離鏡的主方向相疊布置。在兩個(gè)相鄰的活性層之間分別 存在載流子生成層。第二活性層分別具有相同的至少兩種輻射活性的有機(jī)材料。第一活性 層具有與此不同的輻射活性的有機(jī)材料。
[0012] 因此可能的是，在材料組成方面，該有機(jī)發(fā)光二極管具有僅僅兩種彼此不同構(gòu)成 的活性層類型。由此，該發(fā)光二極管可以有效地和低成本地制造。通過使用總共至少三個(gè) 或恰好三個(gè)活性層、即第一活性層以及至少兩個(gè)第二活性層，可以實(shí)現(xiàn)由發(fā)光二極管生成 的輻射的高色彩還原指數(shù)。
[0013] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，該發(fā)光二極管具有光學(xué)交界面，在所述 光學(xué)交界面處存在發(fā)光二極管的至少兩種材料之間的折射率跳變。該折射率跳變尤其是存 在于有機(jī)層序列與接界的、尤其是至少部分地為輻射可透過的電極之間的交界面處。該光 學(xué)交界面可以位于有機(jī)層序列的背向鏡的側(cè)處。
[0014] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，由該鏡和光學(xué)交界面形成光學(xué)腔。換言 之，該腔由鏡和反射性光學(xué)交界面來限制和定義。該光學(xué)腔可以具有與Fabry-Perot元件 和/或諧振器類似的光學(xué)特性。但是該腔特別優(yōu)選地不是用于生成激光輻射的諧振器。由 該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的輻射優(yōu)選地是非相干輻射并且不是激光輻射。
[0015] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，該腔沿著主方向具有多個(gè)強(qiáng)度最大值。 術(shù)語"強(qiáng)度最大值"尤其是涉及自相干最小值。也就是說：如果在沿著主方向的點(diǎn)處發(fā)射的 輻射落到鏡上，經(jīng)歷η的相位跳變并且實(shí)際上與自身進(jìn)行相長干涉，則存在強(qiáng)度最大值， 在相消干涉的情況下存在強(qiáng)度最小值。強(qiáng)度最大值的位置依賴于有機(jī)層序列內(nèi)的折射率變 化曲線以及有關(guān)輻射的波長。
[0016] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，活性層沿著主方向分別位于強(qiáng)度最大值中或強(qiáng)度最大值 處。這可以是指，活性層與有關(guān)強(qiáng)度最大值重疊。例如，活性層的幾何中心沿著主方向以最 高10nm或最高20nm或最高30nm的公差處于相應(yīng)強(qiáng)度最大值處。
[0017] 活性層分別優(yōu)選地處于針對(duì)藍(lán)光、針對(duì)綠光和針對(duì)紅光的強(qiáng)度最大值中。在此，藍(lán) 光尤其是表示具有處于430nm至490nm之間（含430nm和490nm)的波長的福射，綠光表示 具有處于525nm至575nm之間（含525nm和575nm)的波長的輻射，并且紅光表示具有尤其 是處于595nm至670nm (含595nm和670nm)的波長的福射。例如，活性層分別以最高5nm、 最高10nm或最高20nm的公差處于針對(duì)450nm波長、針對(duì)555nm波長、針對(duì)615nm波長的強(qiáng) 度最大值中或強(qiáng)度最大值處。
[0018] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，各個(gè) 活性層沿著主方向分別處于根據(jù)下列公式的位置P處： ? - λ/(4 n) t (2 r:)。位直P優(yōu)選地以最商λ/(l〇n)或最商λ/(20η)的公差 來遵循。位置說明尤其是涉及所屬活性層的幾何中心。在此η表示有機(jī)層序列的平均折射 率，該平均折射率例如處于1. 7至1. 9之間(含1. 7和1. 9)。λ表示輻射的真空波長，相應(yīng) 的活性層被設(shè)置用于其生成。k是大于或等于0的自然數(shù)。尤其成立的是，k等于0、等于 1、等于2或等于3。
[0019] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，針對(duì)第一活性層成立的是，k等于0或者 等于1。
[0020] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，針對(duì)第二活性層成立的是，k大于0。尤 其是k等于1或等于2?？赡艿氖?，第一活性層位于腔的第一強(qiáng)度最大值中，并且兩個(gè)第二 活性層位于第二強(qiáng)度最大值中。k可以對(duì)于第二活性層為相等的，或者也可以不同、尤其是 相差最1? 1或最1? 2。
[0021] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，相鄰的第二活性層之間的間隔小于第一 活性層與最接近的第二活性層之間的間隔。換言之，第二活性層彼此相對(duì)接近。在第二活 性層之間優(yōu)選地不存在第一活性層。例如，相鄰的第二活性層之間的間隔為至少20nm或至 少60nm并且可替代或附加地為最高150nm或最高100nm。第一活性層與最接近的第二活性 層的間隔為例如至少80nm或至少130nm并且可替代或附加地為最高175nm或最高140nm。
[0022] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，第二活性層針對(duì)彼此不同的波長被優(yōu) 化。優(yōu)化尤其是指，第二活性層位于根據(jù)針對(duì)位置P的上述公式的位置處，其中k優(yōu)選地對(duì) 于第二活性層中的至少兩個(gè)為相等的。例如，第二活性層為之被優(yōu)化的波長處于555nm以 及 615nm〇
[0023] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，第二活性層分別具有發(fā)射紅光的輻射活 性的有機(jī)材料以及發(fā)射綠光的輻射活性的有機(jī)材料。可能的是，第二活性層僅僅具有所述 這兩種輻射活性的有機(jī)材料，并且不具有另外的這樣的材料。
[0024] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，所述至少兩個(gè)第二活性層具有發(fā)射藍(lán)光 的輻射活性的有機(jī)材料，并附加地具有發(fā)射綠光的輻射活性的有機(jī)材料。于是，優(yōu)選沒有另 外的輻射活性的有機(jī)材料存在于第二活性層中。
[0025] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，光學(xué)交界層對(duì)于在發(fā)光二極管運(yùn)行中所 生成的輻射具有至少25%或至少30%的平均反射率?？商娲鼗蚋郊拥?，該平均反射率處 于最高60 %或最高50 %。在此，平均反射率是指，反射率在所有由按規(guī)定使用的有機(jī)發(fā)光 二極管所發(fā)射的波長上被平均。平均反射率因此可以涉及白光。
[0026] 根據(jù)該有機(jī)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，活性層中的至少兩個(gè)或所有活性層 在制造公差的范圍內(nèi)具有相等的材料組成。尤其是在第二活性層中以相同的混合比例和/ 或以相同的空間分布置入所述至少兩種輻射活性的有機(jī)材料。換言之，第二活性層可以以 相同的方式并用相同的原始材料來制造。
[0027] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，第二活性層具有相同或彼此不同的厚 度。例如，第二活性層中的位于針對(duì)綠光的強(qiáng)度最大值中的第二活性層與第二活性層中的 位于針對(duì)紅光的強(qiáng)度最大值中的第二活性層相比具有更大厚度，或者反過來。
[0028] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，相鄰活性層之間的間距通過位于這些活 性層之間的相應(yīng)載流子生成層的厚度來調(diào)整。在此，載流子生成層的厚度可以彼此相差至 少1.5倍或者至少1.75倍。
[0029] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，給活性層各分配一個(gè)或多個(gè)阻擋層。阻 擋層優(yōu)選地與活性層的具有輻射活性的有機(jī)材料的層直接接界。阻擋層是針對(duì)空穴或電子 的載流子阻擋層。優(yōu)選地給活性層中的每個(gè)都分配有電子阻擋層。尤其是給至少所述兩個(gè) 第二活性層各分配一個(gè)空穴阻擋層。
[0030] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，載流子生成層與分配給最接近的活性層 的阻擋層中的一個(gè)或兩個(gè)直接接界。載流子生成層可以分別與空穴阻擋層以及與電子阻擋 層直接接界。
[0031] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，活性層與分別分配的阻擋層一起的厚度 處于至少25nm或至少30nm?？商娲鼗蚋郊拥?，活性層與所屬阻擋層一起的厚度為最高 60nm或最高50nm。
[0032] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，載流子生成層的厚度處于20nm至150nm 之間（含20nm和150nm)和/或處于最高40nm或最高130nm。
[0033] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，第一活性層被設(shè)置為生成藍(lán)光。第一活 性層可以位于針對(duì)藍(lán)光的強(qiáng)度最大值中。第二活性層優(yōu)選地分別是發(fā)射黃光的層，其具有 發(fā)射綠光和具有發(fā)射紅光的輻射活性的有機(jī)材料。
[0034] 根據(jù)該發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施方式，位于鏡附近的第二活性層被優(yōu)化以生成 綠光。所述第二活性層優(yōu)選地位于針對(duì)綠光的強(qiáng)度最大值中。與鏡相距較遠(yuǎn)的第二活性層 優(yōu)選地位于針對(duì)紅光的強(qiáng)度最大值中并因此被優(yōu)化以生成紅光。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035] 下面參考附圖根據(jù)實(shí)施例進(jìn)一步闡述在此描述的發(fā)光二極管。在此，在各個(gè)圖中， 相同的附圖標(biāo)記說明相同的元件。但是在此，未示出比例正確的參考，而是各個(gè)元件可能為 了更好地理解而被夸大地示出。
[0036] 圖1和7示出了在此描述的有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)施例的示意性截面圖； 圖2沿著遠(yuǎn)離在此所述的有機(jī)發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施例的鏡的方向示出了強(qiáng)度變化 曲線的圖示； 圖3、4、6和8示出了有機(jī)發(fā)光二極管的光學(xué)特性的波長變化曲線的示意圖；以及 圖5示出了常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管的示意性截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037] 圖1中示出了有機(jī)發(fā)光二極管1的一個(gè)實(shí)施例的示意性截面圖。光學(xué)腔53由鏡3 以及由光學(xué)交界面50形成。在交界面50處存在光學(xué)折射率的跳變。光學(xué)交界面50針對(duì) 可見光的平均反射率例如處于大約40%。
[0038] 在光學(xué)腔53內(nèi)存在有機(jī)層序列4。該層序列4包括第一活性層41以及第二活性 層42、43。在兩個(gè)相鄰的活性層41、42、43之間分別存在載流子生成層45a、45b。有機(jī)發(fā)光 二極管1具有活性層41、42、43中的恰好三個(gè)。有機(jī)層序列4的厚度例如處于150nm (含 150nm)至 600nm (含 600nm)之間。
[0039] 在第一活性層41與鏡3之間還存在電子注入層49。在光學(xué)交界面50處安置有空 穴注入層48。有機(jī)層序列4的所述層可以以所說明的順序直接彼此相繼。同樣可以安置另 外的未示出的中間層。
[0040] 第一活性層41具有輻射活性的有機(jī)材料，在該有機(jī)材料中，在發(fā)光二極管1運(yùn)行 中通過熒光性或磷光性生成尤其是藍(lán)光譜范圍中的電磁輻射。
[0041] 第二活性層42、43分別具有相同的至少兩種輻射活性的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料 被設(shè)置為發(fā)射紅光以及發(fā)射綠光。第二活性層42、43在其材料組成方面優(yōu)選地沒有區(qū)別或 沒有顯著區(qū)別。所述至少兩種輻射活性的有機(jī)材料可以在第二活性層42、43中均勻地充分 混合，或者也可以作為分開的部分層存在。
[0042] 在圖2中，沿著主方向X、與鏡3垂直并遠(yuǎn)離鏡3地繪出強(qiáng)度I。由于光學(xué)交界面 50和鏡3,強(qiáng)度I表現(xiàn)為近似地如在Farbry-Perot元件和/或在諧振器中那樣。緊挨著鏡 3,存在強(qiáng)度最小值。沿著方向X并遠(yuǎn)離鏡3,于是分別出現(xiàn)多個(gè)最大值和最小值。朝著光學(xué) 交界面50,最大值和最小值在強(qiáng)度方面突出程度較低。
[0043] 該強(qiáng)度變化曲線是沿著方向X針對(duì)多個(gè)波長繪出的。波長λ 1在此為450nm，λ 2 為555nm，并且λ 3處于615nm。在大約50nm與100nm之間的位置處，存在第一最大值Ml。 第二最大值M2處于大約175nm與300nm之間。第三最大值M3處于大約325nm與525nm之 間。最大值M1、M2、M3的位置P除了波長以外同樣依賴于有機(jī)層序列4內(nèi)的折射率n，并且 近似地遵循關(guān)系式：Γ 5 - λ/+<4 1-1) +?+ k λ/'(2 r:),其中k是自然數(shù)，并且k^O。
[0044] 第一活性層41安置在位置P41處，并且處于針對(duì)波長λ 1的第一最大值Ml中。第 一活性層41因此被優(yōu)化以生成藍(lán)光。第二活性層42、43分別處于第二最大值M2中。位置 P42處的第二活性層42是針對(duì)綠光被優(yōu)化的，并且與鏡3相距更遠(yuǎn)的附加的第二活性層43 針對(duì)紅光被優(yōu)化。
[0045] 在圖3A至3D中示出了活性層41、42、43的發(fā)射光譜。在圖3A中，示出了由第一 活性層41發(fā)射的光譜，該光譜基本上限于藍(lán)光譜范圍。
[0046] 在圖3B中示出了較接近鏡3的第二活性層42的發(fā)射。由于尤其是光學(xué)腔53內(nèi) 的干涉效應(yīng)，所發(fā)射的光譜在大約570nm處具有輕微突出的最小值，并且在大約525nm和 610nm處具有最大值。
[0047] 與鏡3相距較遠(yuǎn)的第二活性層43的發(fā)射具有大約650nm周圍的紅光譜范圍中的 主要發(fā)射范圍，參見圖3C。在大約560nm周圍，存在強(qiáng)烈突出的最小值。
[0048] 在圖3D中示出了從所有三個(gè)活性層41、42、43中得到的總光譜。該總光譜僅僅具 有比較弱地突出的最小值和最大值。圖3D中所示的總光譜的色彩還原指數(shù)處于大約95。 色彩還原指數(shù)也稱色彩再現(xiàn)指數(shù)（Color Rendering Index),簡稱CRI。
[0049] 在圖4中在曲線c中示出了第二活性層42、43中的發(fā)射綠光的有機(jī)材料的發(fā)射 譜，并且在曲線d中示出了發(fā)射紅光的輻射活性的材料的發(fā)射譜。所述發(fā)射譜分別是比較 寬光譜的。
[0050] 曲線a、b對(duì)應(yīng)于尤其是由于干涉效應(yīng)而由根據(jù)圖2的位置P42、P43處的最大值所 支持的波長范圍。在此，在曲線a中示出了位置P42處所支持的光譜范圍，并且在曲線b中 示出了針對(duì)位置P43所支持的光譜范圍。通過兩個(gè)活性層42、43及其在第二最大值M2中 位置P42、P43處的位置的組合(參見圖2)，發(fā)射輻射的有機(jī)材料的光譜發(fā)射寬度(參見曲線 c、d)可以更好地被利用，并且可以實(shí)現(xiàn)高的色彩還原指數(shù)。
[0051] 在圖5中示意性地示出了常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管具有活性層41、46、 47。圖5中的活性層41、46、47與根據(jù)圖1至3的活性層41、42、43處于相同的位置?；钚?層41具有發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)材料，層46具有發(fā)射綠光的有機(jī)材料，并且活性層47具有發(fā)射 紅光的有機(jī)材料。在活性層46、47中分別存在發(fā)射輻射的有機(jī)材料中的僅僅一種。換言之， 根據(jù)圖5的發(fā)光二極管具有所謂的RGB構(gòu)造。
[0052] 類似于根據(jù)圖3的圖示，相關(guān)的發(fā)射譜在圖6A至6D中予以示出。與圖3B和C不 同，能夠辨認(rèn)出，由活性層46、47分別發(fā)射僅僅綠光或僅僅紅光，并且尤其是不發(fā)射黃色混 合輻射。由此得到總輻射的比較強(qiáng)烈結(jié)構(gòu)化的光譜，參見圖6D。根據(jù)圖6D的光譜的色彩還 原指數(shù)僅僅處于大約84。
[0053] 但是在其中不同的發(fā)射彩色光的層分別具有僅僅一種發(fā)射輻射的材料的發(fā)光二 極管的情況下，色彩還原指數(shù)的確是通過添加具有其他有機(jī)材料的另外的層來提高的。但 是這顯著提高了制造成本。各個(gè)色彩單元的老化同樣是突出程度不同的，并且在超出發(fā)光 二極管的壽命的情況下，由該發(fā)光二極管發(fā)射的輻射在其色點(diǎn)方面明顯不同。而在如結(jié)合 圖1所說明的構(gòu)造的情況下，減少了色彩老化以及還有制造成本。也可以實(shí)現(xiàn)比較薄的有 機(jī)層序列。
[0054] 經(jīng)改善的色彩還原指數(shù)因此尤其是可以通過如下方式來實(shí)現(xiàn)：在三個(gè)活性層中的 至少兩個(gè)中分別存在兩種發(fā)射輻射的有機(jī)材料用于兩個(gè)彼此不同的光譜范圍。這兩個(gè)活性 層被定位在針對(duì)彼此不同的波長的強(qiáng)度最大值中。由此可以擴(kuò)大在相應(yīng)的第二活性層中發(fā) 射的輻射的光譜寬度，并且可以減少光譜的強(qiáng)烈結(jié)構(gòu)化。由此可以實(shí)現(xiàn)高的色彩還原指數(shù)。
[0055] 在圖7中示出了有機(jī)發(fā)光二極管1的另一實(shí)施例。下面說明沿著主方向X的各個(gè) 層。各個(gè)層優(yōu)選地以所說明的順序并且直接地彼此相繼： 鏡3是具有例如大約200nm厚度的鋁鏡或者銀鏡。電子注入層49具有大約10nm的厚 度，并且跟在其后的是電子傳輸層34。在電子傳輸層34上存在第一活性層41，該第一活性 層41被設(shè)置為發(fā)射藍(lán)光并且具有大致20nm的厚度。跟在第一活性層41后面的是10nm厚 的電子阻擋層44e，跟在其后的又是具有大致lOOnm厚度的載流子生成層45a，例如具有最 高15nm的公差。
[0056] 跟在此后的是具有10nm厚度的空穴阻擋層43h以及具有發(fā)射綠光和紅光的材料 的具有大致30nm厚度的第二活性層42。作為下一層跟隨的是厚度大致10nm的電子阻擋層 44e以及具有大約45nm+/-15nm厚度的載流子生成層45b。此后布置有具有10nm厚度的空 穴阻擋層44h。
[0057] 跟在其后面的是第二活性層43中的第二個(gè)，該第二活性層43與處于其下的第二 活性層42具有相同的材料組成。在第二活性層43處安置有具有10nm厚度的電子阻擋層 44e，跟在其后的是具有大約185nm厚度的空穴注入層48。
[0058] 有機(jī)層序列4被施加在輻射可透過的電極5上，其由銦錫氧化物制成并且具有大 約llOnm厚度。載體2例如是玻璃板、玻璃膜或塑料襯底。
[0059] 根據(jù)圖7的組件具有9V的工作電壓、以及3. 3mA/cm2的工作電流。效率為21 lm/ W。所發(fā)射的輻射的色點(diǎn)處于CIE標(biāo)準(zhǔn)色譜中的0.350; 0.386。相關(guān)色溫為4900K并且色 彩還原指數(shù)為95。所屬的總光譜可在圖8中看到?；钚詫?1、42、43與圖2類似地被定位。
[0060] 與在圖1和7的情形下所述不同，第一活性層41可以是具有僅僅發(fā)射紅光的有機(jī) 材料的層。于是，第二活性層42、43分別包括發(fā)射綠光和藍(lán)光的有機(jī)材料，并且被設(shè)置為生 成青色混合光。第一活性層41優(yōu)選地位于第一最大值Ml中，并且第二活性層42、43位于 第二最大值M2中，參見圖2。
[0061] 本發(fā)明不由于根據(jù)實(shí)施例的描述而限于此。更確切而言，本發(fā)明包括每個(gè)新特征 以及每種特征組合，這尤其是包含權(quán)利要求書中的每種特征組合，即使該特征或該組合本 身未在權(quán)利要求書或?qū)嵤├忻鞔_說明時(shí)也是如此。
【權(quán)利要求】
1. 具有鏡（3)和具有有機(jī)層序列（4)的有機(jī)發(fā)光二極管（1)，所述有機(jī)層序列（4)具 有： 一第一活性層（41)，其被設(shè)置為生成第一福射，和 一至少兩個(gè)第二活性層（42,43)，其被設(shè)置為生成第二輻射， 其中 一活性層（41，42,43)沿著遠(yuǎn)離鏡（3)的主方向（X)相疊布置， 一在兩個(gè)相鄰的活性層（41，42,43)之間分別存在載流子生成層（45)，以及 一第二活性層（42,43)分別具有相同的至少兩種輻射活性的有機(jī)材料，并且第一活性 層（41)具有與其不同的輻射活性的有機(jī)材料， 一由鏡（3)和由處于有機(jī)層序列（4)的背向鏡（3)的側(cè)處的、具有折射率跳變的光學(xué)交 界面（50)形成光學(xué)腔（53)， 一腔（53)沿著主方向（X)呈現(xiàn)多個(gè)強(qiáng)度最大值（M)，其中活性層（41，42,43)沿著主方 向（X)分別位于強(qiáng)度最大值(M)之一中或強(qiáng)度最大值（M)之一處， 一第二活性層（42,43)之間的間隔小于第一活性層（41)與最接近的第二活性層（42， 43)之間的間隔，以及 一第二活性層（42,43)針對(duì)彼此不同的波長（λ )被優(yōu)化。
2. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中活性層（41，42, 43) 沿著主方向（X) 以最 高λ八1〇 η)的公差分別位于根據(jù)下列公式的位置Ρ處： F - λ / i 4 η) k Xe (2 , 其中n是有機(jī)層序列（4)的針對(duì)波長λ的平均折射率，并且k是大于或等于零的自然 數(shù)。
3. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中針對(duì)第一活性層（41)成立的有：k = 0并且針對(duì)第二活性層（42,43)成立的有：k > 0〇
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中針對(duì)第二活性層（42,43)成立的有：k = 1。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中第二活性層（42,43)要么具有發(fā)射綠光并附加地發(fā)射紅光的輻射活性的有機(jī)材 料、要么具有發(fā)射藍(lán)光并附加地發(fā)射綠光的輻射活性的有機(jī)材料。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中光學(xué)交界面（50)針對(duì)在發(fā)光二極管（1)運(yùn)行中生成的輻射的平均反射率處于25% 至60%之間，含25%和60%。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中第二活性層（42,43)具有相同的材料組成，但具有不同的厚度。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中相鄰活性層（41，42,43)之間的間隔通過相應(yīng)的載流子生成層（45)的厚度來調(diào) 整，其中給活性層（41，42,43)分別分配至少一個(gè)阻擋層（44)并且載流子生成層（45)與阻 擋層（44)接界，并且所述載流子生成層（45 )中的至少兩個(gè)具有彼此不同的厚度。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1)， 其中活性層（41，42,43)與分別所屬的阻擋層（44)一起的厚度處于25nm至50nm之間， 含25nm和50nm，其中載流子生成層（45)的厚度為20nm至150nm之間，含20nm和150nm, 并且有機(jī)層序列（4)的厚度處于150nm至600nm之間，含150nm和600nm。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)發(fā)光二極管（1 )， 其中第一活性層（41)被設(shè)置為生成藍(lán)光， 其中第二活性層（42,43)分別具有發(fā)射綠光并附加地發(fā)射紅光的輻射活性的有機(jī)材 料，并且其中接近鏡（3)的第二活性層（42)被設(shè)置為生成綠光，并且與鏡（3)相距較遠(yuǎn)的第 二活性層（43 )被設(shè)置為生成紅光。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104115299SQ201380010785
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2013年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月24日
【發(fā)明者】T.韋盧斯, C.迪茨, S.賽德爾, U.尼德邁爾, A.耶格, N.里格爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司