基片處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基片處理系統(tǒng)，該基片處理系統(tǒng)包括：至少一個基片加載和卸載區(qū)域，其用于將至少一個基片加載到該基片處理設(shè)備以及從該基片處理設(shè)備卸載至少一個基片；至少一個可抽真空的處理室；至少一個承載裝置，利用該承載裝置，能夠借助于至少一個載體運輸區(qū)域中的載體運輸裝置將至少一個基片運輸?shù)街辽僖粋€處理室；所述基片處理系統(tǒng)還包括位于至少一個處理室與載體運輸區(qū)域之間的至少一個氣密式封閉裝置以及位于基片加載和卸載區(qū)域與載體運輸區(qū)域之間的至少一個氣密式封閉裝置。本發(fā)明的目的在于提出一種基片處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)由于高的處理純度而能夠進行高質(zhì)量的基片加工，并且還由于大的基片輸送量而適合于大規(guī)模生產(chǎn)。該目的通過以上所提及的類型的基片處理系統(tǒng)得以實現(xiàn)，其特征在于，基片加載和卸載區(qū)域與載體運輸區(qū)域之間設(shè)置有基片轉(zhuǎn)載區(qū)域，該基片轉(zhuǎn)載區(qū)域具有基片轉(zhuǎn)載裝置，該基片轉(zhuǎn)載裝置用于將至少一個基片從可設(shè)置在基片加載和卸載區(qū)域中的至少一個基片盒轉(zhuǎn)載到至少一個承載裝置上，在基片盒中，基片能夠布置在該基片盒的不同的水平盒平面中，承載裝置用于將至少一個基片保持在水平的承載平面中?；D(zhuǎn)載區(qū)域能夠相對于基片加載和卸載區(qū)域以及相對于載體運輸區(qū)域以氣密的方式封閉。
【專利說明】基片處理系統(tǒng)
[0001] 本發(fā)明涉及一種基片處理設(shè)備，該基片處理設(shè)備包括：至少一個基片加載和卸載 區(qū)域，用于以至少一個基片來加載和卸載該基片處理設(shè)備；至少一個可抽真空的處理室； 至少一個承載裝置，利用該承載裝置能夠借助于在至少一個載體運輸區(qū)域中的一個載體運 輸裝置將至少一個基片運輸?shù)街辽僖粋€處理室；在所述至少一個處理室與所述載體運輸區(qū) 域之間的至少一個氣密式封閉裝置；以及在所述基片加載和卸載區(qū)域與所述載體運輸區(qū)域 之間的至少一個氣密式封閉裝置。
[0002] 在現(xiàn)有技術(shù)中已知連續(xù)式涂覆設(shè)備，該設(shè)備例如用于大規(guī)模生產(chǎn)太陽能電池。為 了進行涂覆，將多個（例如42個）太陽能電池基片在一平面中放置在承載裝置上，并且在 連續(xù)地利用該設(shè)備的同時在該連續(xù)式設(shè)備中進行涂覆。獨立的涂覆區(qū)域在此例如利用氣幕 彼此隔離。太陽能電池技術(shù)中的發(fā)展通常也導(dǎo)致對設(shè)備工藝的更高要求，例如在基片處理 設(shè)備的處理純度方面。用常規(guī)的連續(xù)式設(shè)備難以滿足這種不斷增長的要求。
[0003] 在現(xiàn)有技術(shù)中還已知滿足提高的純度要求的不同類型的基片處理設(shè)備。一種此類 的基片處理設(shè)備是間歇式堅直爐（Batch-Vertikal-Ofen)，這是由微電子行業(yè)已知的。在間 歇式爐中使用了晶舟（Boot)作為基片的承載裝置。在晶舟中放入了多個基片，例如150個 晶片?；诰е壑斜舜似叫胁⒈舜碎g隔開。在一些間歇式爐中，晶舟在晶舟運輸室內(nèi)利 用晶舟運輸機構(gòu)能夠水平地和堅直地移動，并且能夠引入到處理室中，該處理室也被稱為 爐管。在此，該處理室在一些爐中以真空密閉的方式閉合。有時間歇式爐在基片加載和卸 載區(qū)域與晶舟運輸室具有氣密式封閉裝置。間歇式爐的問題在于，它通常僅適合于熱加工 而不適合電漿輔助的基片加工。此外，晶舟中的晶片堆棧具有較大的熱尺度，這樣使得在間 歇式爐中要承受相對長的加熱和冷卻時間。
[0004] 另一設(shè)備類型由文件W0 2011/148924 A1是已知的。在此種設(shè)備類型中，分別將 六個晶片彼此平行且彼此間隔開地、直立地布置在晶片載體上。這個晶片載體從一鎖定室 通過抽空的晶片載體運輸室而行進到方形的涂覆室中。在涂覆室中進行電漿輔助的涂層沉 積。這種設(shè)備類型的問題在于（除其它之外），同時只能在一個室中加工六個基片并且因此 僅實現(xiàn)相對較低的生產(chǎn)速度。
[0005] 因此本發(fā)明的目的在于，提出一種基片處理設(shè)備，該設(shè)備通過提供高品質(zhì)的處理 單元而允許高質(zhì)量的基片加工，并且它在此還由于較大的基片輸送量而適合于大規(guī)模生 產(chǎn)。
[0006] 該目的通過開始所限定的類型的基片處理設(shè)備得以實現(xiàn)，其特征在于，該基片加 載和卸載區(qū)域與該載體運輸區(qū)域利用一基片轉(zhuǎn)載區(qū)域來聯(lián)接，該基片轉(zhuǎn)載區(qū)域具有至少一 個基片轉(zhuǎn)載裝置用于將至少一個基片從至少一個可設(shè)置在該基片加載和卸載區(qū)域中的基 片盒（在基片盒中基片能夠布置在基片盒的不同的水平盒平面中）轉(zhuǎn)載到該至少一個承載 裝置上（利用該承載裝置能夠保持該至少一個基片處于水平的承載平面中），其中該基片 轉(zhuǎn)載區(qū)域能夠相對于該基片加載和卸載區(qū)域氣密地封閉。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備具有基片加載和卸載區(qū)域，能夠?qū)⒒幸朐搮^(qū)域 中并從其中取出。在此，該基片加載和卸載區(qū)域可以不僅設(shè)置為用于加載而且還用于卸載。 然而還有可能設(shè)置多個彼此分離的基片加載和卸載區(qū)域，其中例如在連續(xù)式設(shè)備的開始處 設(shè)置基片加載區(qū)域，并在連續(xù)式設(shè)備的結(jié)束處設(shè)置基片卸載區(qū)域。在基片盒中，多個平面式 的基片被布置成在水平位置的不同的盒平面中彼此平行。
[0008] 基片轉(zhuǎn)載區(qū)域與該基片加載和卸載區(qū)域相聯(lián)接。在此，在基片加載和卸載區(qū)域與 基片轉(zhuǎn)載區(qū)域之間設(shè)置有氣密式封閉部，該封閉部形成了對大氣中雜質(zhì)的屏障，該屏障防 止雜質(zhì)在處理室中的滯留并且因此實現(xiàn)了基片處理設(shè)備中更高的純度。
[0009] 在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域中，來自基片盒的基片轉(zhuǎn)載到設(shè)置于載體運輸區(qū)域中的承載裝置 上或者從承載裝置上轉(zhuǎn)載到基片盒中。根據(jù)基片大小，在承載裝置上放置數(shù)量不等的基片。 在尺寸大于五分米的非常大的基片的極端情況下，在承載裝置上還可以僅設(shè)置基片。
[0010] 利用在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域與基片加載和卸載區(qū)域之間的氣密封閉，基片轉(zhuǎn)載區(qū)域形成 了在基片加載和卸載區(qū)域與載體運輸區(qū)域之間的一鎖定（Schleuse)。此外，氣密式封閉允 許基片轉(zhuǎn)載區(qū)域在與基片加載和卸載區(qū)域的壓力不同的壓力下工作。由此能夠在基片轉(zhuǎn)載 區(qū)域中實現(xiàn)不同的措施，用于提高基片處理設(shè)備中的純度。例如能夠在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域中實 行清洗循環(huán)（Spiilzyklen)。
[0011] 在本發(fā)明基片處理設(shè)備的一有利的實施方式中，基片轉(zhuǎn)載區(qū)域能夠用惰性氣體填 充。利用惰性氣體的填充，在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域中，一限定的且干凈的氣氛為主導(dǎo)，這種氣氛主 要利用所使用的惰性氣體的純度來確定。利用惰性氣體的化學不活躍性，能夠避免基片上 的表面變化。例如在太陽能電池基片的情況下，由此能夠?qū)崿F(xiàn)較高的表面質(zhì)量，例如在較大 的電荷載體使用壽命下可測量的。然而，替代性地，基片轉(zhuǎn)載區(qū)域還可以填充有真空或反應(yīng) 活性氣體，例如合成氣體。
[0012] 在本發(fā)明的基片處理設(shè)備的一特別佳的設(shè)計中，承載裝置具有在基片承載行與基 片承載列中布置在承載平面內(nèi)的基片簇（Substratnester)，并且承載裝置能夠在基片承載 行的方向和/或基片承載列的方向上移動。首先，在更廣泛使用正方形基片的情況下，利用 以行列的布置，充分利用了承載裝置的可用表面，這樣能夠?qū)崿F(xiàn)高輸送量。行列中的直線式 布置也是特別簡單的，這樣能夠相應(yīng)簡單地構(gòu)造在基片轉(zhuǎn)載裝置中設(shè)置的基片運輸機構(gòu)， 以實現(xiàn)處于基片承載行和基片承載列中的基片簇。由基片承載行和基片承載列的正交布置 造成了直角的承載裝置，該承載裝置被設(shè)置為優(yōu)選的是用于在基片承載行方向和/或基片 承載列方向上直線移動。在連續(xù)式設(shè)備中，基片載體運輸通常僅在一個方向上進行，也就是 說要么在基片承載行方向上要么在基片承載列方向上。在集群型設(shè)備（Clusteranlagen) 中，其中在基片承載行方向和基片承載列方向上存在圍繞一基片轉(zhuǎn)載區(qū)域的多個加工模 塊，承載裝置可以在兩個方向上，也就是說在基片承載行方向并且在基片承載列方向上移 動?；貙崿F(xiàn)了在承載裝置上基片的可靠存放以及基片的側(cè)向引導(dǎo)，這樣使得基片在承 載裝置移動時不滑動。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備的一有利的設(shè)計，基片轉(zhuǎn)載裝置在該載體運輸區(qū)域上 具有一能夠平行于承載裝置設(shè)置的基片存放平面，由該基片存放平面，可以用基片成行或 成列地全面地填充承載裝置?；娣牌矫媸撬饺∠虻牟⑶以O(shè)置在承載裝置上方。基片 存放平面是一廉價的輔助手段，它允許基片在承載裝置的一確切位置上存放并且定向。由 基片存放平面出發(fā)，可以簡單快速地填充該承載裝置。
[0014] 對應(yīng)于本發(fā)明的基片處理設(shè)備的一種有益的實施方式，該基片轉(zhuǎn)載裝置具有至少 一個轉(zhuǎn)載橋或一轉(zhuǎn)載臂，其平行與該承載裝置的至少一個基片承載行或基片承載列延伸， 以便用至少一個基片載入或卸載這個基片承載行或基片承載列。該轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂優(yōu)選的 是設(shè)置在該基片存放平面中，或能夠引入其中并從其中引出。借助于轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂能夠 利用基片轉(zhuǎn)載裝置來實現(xiàn)所有的基片簇。利用轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂能夠?qū)⒊休d裝置的所有的基 片承載行或基片承載列彼此相繼地放置，或者還可以用多個轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂平行地在該承 載裝置的多個基片承載行或基片承載列處工作。
[0015] 不同基片承載行或基片承載列的尋址可以按不同方式進行。在一特別有益的例子 中，轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂能夠沿基片承載列方向和/或沿基片承載行方向移動以便加載或卸載 該承載裝置的其它的基片承載行或基片載體。
[0016] 優(yōu)選的是，該基片轉(zhuǎn)載裝置具有至少一個非接觸式基片操作裝置，例如一超音波 輔助的齊默曼 _希爾普操作裝置（Zimmermann-Schilp-Handling-Vorrichtung)。此類的基 片操作裝置是在對基片具有較小的斷裂危險時也能夠可靠地操作極薄基片的操作裝置。在 此，例如能夠利用其重力或利用例如一下壓-抽吸力而相對于利用超音波造成的氣墊來壓 迫基片，該氣墊用作基片操作裝置的間隔保持件。利用非接觸式工作原理，有利地不在基片 上出現(xiàn)操作器壓印（Handlerabdriicke)。此外，用此類的基片操作裝置能夠?qū)崿F(xiàn)較高的轉(zhuǎn)載 速度。與其它的操作裝置（例如靜電抓握器）不同，所提出的非接觸式基片操作裝置例如 不是在真空中工作而是需要較高的氣密性以便形成作為這種操作器工作原理的基礎(chǔ)的氣 枕（Gaskissen)。所要求的氣密性例如是在大氣壓下存在的。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施方式，當基片盒與一升降系統(tǒng)聯(lián)接以相應(yīng)性地取出和放 回最上部的基片時，可以借助于該基片轉(zhuǎn)載裝置特別適合地將基片從該基片盒取出并且再 度引入其中。
[0018] 本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一實施方式具有至少兩個承載裝置平面，其中處于該承 載裝置平面中的多個承載裝置可以彼此獨立地移動。利用存在多個承載裝置平面，提高了 基片處理設(shè)備的輸送量。該獨立的承載裝置平面可以引申成多個基片加工平面。但是該多 個承載裝置平面也可以，例如出于邏輯性原因，僅設(shè)置在基片處理設(shè)備的載體運輸區(qū)域中。 在一個雙向承載裝置邏輯中，在存在多個承載裝置平面時可以使一承載裝置避開另一承載 裝置，這樣使得該承載裝置能夠在沒有較長等待時間的情況下在基片處理設(shè)備中移動。
[0019] 基本上，除了上述多個承載裝置平面之外，本發(fā)明之基片處理設(shè)備還可以具有多 個加載和卸載平面。
[0020] 特別有益的是，基片處理設(shè)備的該獨立的承載裝置平面是利用至少一個承載裝置 升降機彼此相連的。借助于承載裝置升降機，可以將至少一個承載裝置帶入到基片處理設(shè) 備的另一承載裝置平面中。
[0021] 當僅出于在基片處理設(shè)備中避讓的原因而設(shè)置上述多個承載裝置平面時，更有利 的是，承載裝置升降機構(gòu)成除該承載裝置運輸平面之外的至少一個另外的承載裝置平面。 由此，當一承載裝置被運輸時，可以將另一承載裝置暫時放置在承載裝置升降機上。在另一 實施例中存在三個承載裝置平面，也就是說，主承載裝置平面和至少一個在其上方以及至 少一個在其下方的承載裝置平面。
[0022] 根據(jù)另一改進方案，本發(fā)明之基片處理設(shè)備具有至少兩個與該載體運輸區(qū)域相聯(lián) 的、彼此上下布置的處理室。利用彼此上下布置的處理室，可以增大基片處理設(shè)備的生產(chǎn)能 力，例如使其加倍。相對于帶有僅布置在一平面中的處理室的基片處理設(shè)備，本基片處理設(shè) 備的成本此時也增加，但成本的提高小于生產(chǎn)能力的提高。載體運輸區(qū)域在此構(gòu)成為，使得 對于承載裝置而言所有處理室都是可到達的。
[0023] 在本發(fā)明之基片處理設(shè)備的有利的構(gòu)造形式中，基片加載和卸載區(qū)域具有盒儲存 器，在該儲存器中可以設(shè)置至少一個基片盒，并且必要時可以與基片轉(zhuǎn)載裝置相聯(lián)接?；?盒的和承載裝置的容量并非總是處于相對彼此的整數(shù)比例。在一例子中，基片盒具有的容 量是25個晶片，承載裝置具有42個晶片的容量，也就是說，第二基片盒無法完全卸載到承 載裝置上。因此，對于第二基片盒的剩余基片而言，有益的是，將該基片暫時放置在基片盒 中，并且從基片盒加載到另一承載裝置上。在盒儲存器中例如可以設(shè)置一正常的、單側(cè)可開 放的基片盒，并且將其與基片轉(zhuǎn)載裝置相聯(lián)接。作為替代，還可以在盒儲存器中設(shè)置一特殊 的儲存器盒。這個特殊的儲存器盒可以例如具有以下優(yōu)點，即它與基片盒不同，是兩側(cè)開放 的以便進行基片運輸。
[0024] 尤其有利的是，盒儲存器是可抽空的和/或可填充有惰性氣體。該基片在生產(chǎn)過 程中暫時放置在盒儲存器中。在此，同時要注意盒儲存器中的基片的變化。此類效應(yīng)能夠 以如下方式抑制或至少最小化：將盒儲存器用惰性氣體填充或者抽空，或者將盒儲存器用 抽空步驟和惰性氣體填充步驟來清洗。
[0025] 在本發(fā)明之基片處理設(shè)備的另一構(gòu)造實施方式中，載體運輸區(qū)域具有至少一個控 溫裝置，也就是至少一個加熱器和/或冷卻器?？梢猿鲇谔岣呋臏囟染鶆蛐缘脑蚝?/或為了提高基片加熱速度或冷卻速度而設(shè)置該加熱器和/或冷卻器。
[0026] 對應(yīng)于本發(fā)明之基片處理設(shè)備的另一可能性，該設(shè)備具有一基片翻轉(zhuǎn)裝置。在該 基片處理設(shè)備中，例如可以實行一兩側(cè)式基片涂覆，其中在標準化的處理室中從一基片側(cè) 進行涂覆。利用所提出的基片翻轉(zhuǎn)裝置，能夠?qū)⒒D(zhuǎn)，從而將該基片的正面或背面帶到 涂覆室的加工側(cè)上。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明之基片處理設(shè)備的另一實施方式，該基片翻轉(zhuǎn)裝置具有一基片盒旋轉(zhuǎn) 裝置。獨立的基片的翻轉(zhuǎn)在實踐中是相對高耗費的。利用所提出的實施方式，基片翻轉(zhuǎn)可 以更簡單地實現(xiàn)，其中基片首先轉(zhuǎn)載到基片盒中，然后將整個基片盒旋轉(zhuǎn)并且隨后將基片 再度轉(zhuǎn)載。
[0028] 在本發(fā)明之基片處理設(shè)備的下一實施例中，在該基片處理設(shè)備的至少兩個載體運 輸區(qū)域之間設(shè)置有一基片轉(zhuǎn)載站，用于將至少一個基片從一承載裝置轉(zhuǎn)載到另一承載裝置 上。在這種變型中，基片運輸部分地是借助于基片轉(zhuǎn)載站進行的，其中基片在不同的設(shè)備部 分中在不同的承載裝置上加工。這在以下情況是有益的：在一處理室中需要一種由這個處 理室中的基片加工來調(diào)節(jié)的承載裝置。
[0029] 特別適合的是，本發(fā)明之基片處理設(shè)備具有一基片破損識別器和/或一基片破損 去除裝置（Substratbruchbeseitigungsvorrichtung)。此類的基片破損去除裝置可以例如 是一簡單的基片破損抽吸器或也可以是帶有抓握裝置的機械臂。無法完全避免基片破損， 而是使其出現(xiàn)概率較小。在此，基片破損在某些情況下強烈地干擾基片處理設(shè)備中的生產(chǎn) 過程并且導(dǎo)致大量的生產(chǎn)損失。利用所提出的基片破損識別器和基片破損去除裝置可以自 動識別基片破損并且去除其影響。還有利的是，僅存在一基片破損識別器或僅存在一基片 破損去除裝置，因為由此能夠更快地去除基片破損的影響。
[0030] 在本發(fā)明的基片處理設(shè)備的一特殊的實施方案中，該處理室中的至少一個可以利 用該承載裝置相對于一處理模塊而實體地關(guān)閉，在該處理模塊中設(shè)置有這個處理室。在此 情況下，承載裝置構(gòu)成了該處理室的一壁、一底部或一側(cè)壁。這是如下完成的：承載裝置能 夠借助于載體運輸裝置運輸?shù)竭_該處理室并且從處理室再次運輸離開。
[0031] 優(yōu)選的是，該裝置構(gòu)成該處理室的一底部。在此，承載裝置借助于載體運輸裝置被 移動直到該處理室下方的一區(qū)域中，并且從此處借助于一提升裝置堅直地向上壓靠該處理 室，以便實現(xiàn)該處理室相對于包圍該處理室的處理模塊的一適當?shù)膶嶓w性關(guān)閉。
[0032] 作為載體運輸裝置，在此可以有利地采用一輥運輸系統(tǒng)。替代的載體運輸裝置是 例如線性電機運輸系統(tǒng)、叉式運輸系統(tǒng)（Gabeltransportsysteme)等等。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明，該至少一個處理室包含一或多個用于加工基片的裝置。優(yōu)選的處理 設(shè)備在此是用于產(chǎn)生電漿的裝置。此類的裝置可以例如是平面式HF電極，該電極實施為氣 體噴頭。在此情況下，承載裝置優(yōu)選的是組成了一平行板布置的對電極。一般而言，本發(fā) 明所采用的處理室相應(yīng)地擁有對運行所使用的處理設(shè)備以及基片加工所必需的所有介質(zhì) 供應(yīng)接口，如泵接口、電供應(yīng)接口、氣體供應(yīng)接口、以及用于對控溫裝置進行供應(yīng)的接口，等 等。
[0034] 對應(yīng)于本發(fā)明之基片處理設(shè)備的另一可行實施方式，該設(shè)備具有至少一個處理模 塊，該處理模塊帶有相應(yīng)地至少一個處理室，其中在該至少一個處理模塊與該載體運輸區(qū) 域之間相應(yīng)地設(shè)置有一運輸模塊，該運輸模塊可以相對于該處理模塊并相對于該載體運輸 區(qū)域而氣密地封閉。因此運輸模塊中的基片可以為處理模塊中后續(xù)的處理最優(yōu)地進行預(yù)先 準備。此外，能夠?qū)⑦\輸模塊中的、已經(jīng)在處理模塊中加工過的基片再度適當?shù)仄ヅ溆谳d體 運輸區(qū)域中的條件。為此可以在運輸模塊中設(shè)定適當?shù)沫h(huán)境或者還有真空和/或適當?shù)臏?度。
[0035] 當在運輸模塊中設(shè)置有至少兩個用于承載裝置的平面時，此類的運輸模塊能夠特 別有效地得以使用。以此方式，可以在不同的、典型地彼此上下設(shè)置的平面中例如同時或在 時間上錯開地從一相鄰的處理模塊引入一承載裝置，而同時在該運輸模塊的另一平面中將 另一承載裝置預(yù)先準備好用于運輸進入。
[0036] 在另一構(gòu)造中，本發(fā)明之基片處理設(shè)備擁有至少兩個處理模塊，該處理模塊各自 帶有至少一個處理室，其中每個處理室配屬有一專有的承載裝置。在此，該載體運輸區(qū)域優(yōu) 選的是形成一用于處理模塊的分離區(qū)域以及一用于相應(yīng)地另一承載裝置上的基片的交換 區(qū)域。
[0037] 下面借助附圖更詳細地說明本發(fā)明之優(yōu)選實施方案、其構(gòu)造、功能和優(yōu)點，在附圖 中：
[0038] 圖1示意性示出了帶有三個處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的實施方式；
[0039] 圖2示意性地示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一設(shè)計的橫截面；
[0040] 圖3在俯視圖中示意性示出了帶有四個處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的一變 型，該設(shè)備構(gòu)思為連續(xù)式設(shè)備；
[0041] 圖4在俯視圖中示意性示出了帶有四個處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一 實施可能性；
[0042] 圖5在俯視圖中示意性示出了帶有四個處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一 實例；
[0043] 圖6在俯視圖中示意性示出了帶有四個多室處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的 一改進方案；
[0044] 圖7示意性地示出了一可在本發(fā)明基片處理設(shè)備中采用的多室處理模塊的橫截 面；
[0045] 圖8示意性地示出了一可根據(jù)本發(fā)明使用的多室處理模塊的另一實施方式的橫 截面；
[0046] 圖9示意性地示出了一可根據(jù)本發(fā)明使用的多室處理模塊的橫截面；
[0047] 圖10示意性地示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一變型的橫截面；
[0048] 圖11示意性地示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備的一實施方式的橫截面；
[0049] 圖12示意性示出了處于高構(gòu)造水平（Ausbaustufe)的本發(fā)明基片處理設(shè)備的實 施方式；
[0050] 圖13示意性示出了帶有線性成行布置的處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的一設(shè) 計；
[0051] 圖14示意性示出了帶有線性成行布置的處理模塊的另一本發(fā)明基片處理設(shè)備；
[0052] 圖15以俯視圖示意性示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一實施變型；
[0053] 圖16以俯視圖示意性示出了實施為集群基片處理設(shè)備的本發(fā)明基片處理設(shè)備的 仍另一實施方式；
[0054] 圖17以俯視圖示意性示出了實施為集群基片處理設(shè)備的另一本發(fā)明基片處理設(shè) 備；
[0055] 圖18以俯視圖示意性示出了帶有八個處理模塊的本發(fā)明基片處理設(shè)備的一變 型。
[0056] 圖1以俯視圖示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備1的一實施方案。此處， 基片3通過一基片加載和卸載區(qū)域2在基片盒13中引入到基片處理設(shè)備1中，并且在加工 后從基片處理設(shè)備1再度取出?；虞d和卸載區(qū)域2與一基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11相連，該基片 轉(zhuǎn)載區(qū)域可以利用氣密式封閉裝置10與基片加載和卸載區(qū)域2分離。在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11 中，借助于基片轉(zhuǎn)載裝置12在基片盒13與位于載體運輸區(qū)域8中的承載裝置7之間進行 基片3的轉(zhuǎn)載。
[0057] 在圖1所示的實施例中，承載裝置7是所謂的帶有基片簇的承載體，基片3插入其 中。該基片族布置在基片承載行和基片承載列中。在此，帶有五個基片族的基片承載行是 可以由基片轉(zhuǎn)載裝置12控制的，而將基片承載行方向X上的基片3運輸?shù)皆摶?。?此，基片轉(zhuǎn)載裝置12具有平行于承載裝置7的基片承載行延伸并且布置在承載裝置7的上 方的轉(zhuǎn)載橋16或?qū)?yīng)的轉(zhuǎn)載臂，沿該轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂，基片3能夠被運輸?shù)较鄳?yīng)的基片簇。 為了加載所有的基片承載行，基片轉(zhuǎn)載裝置12可在基片承載列方向Y上移動。
[0058] 在圖1所示的實施例中，基片轉(zhuǎn)載裝置12具有非接觸式基片操作裝置17,利用該 基片操作裝置，可以將來自基片盒13的基片3非接觸地取出并且通過轉(zhuǎn)載橋16存放到承 載裝置7上。適合作為此類基片轉(zhuǎn)載裝置17的是例如超音波輔助的齊默曼-希爾普操作 裝置。然而還可以使用其它適合的基片操作裝置，以便將基片3加載到承載裝置7或者將 基片3再度從承載裝置7取出。
[0059] 轉(zhuǎn)載臂或轉(zhuǎn)載橋16為此可以在氣密式封閉裝置10中斷開并且擁有一種適合的移 動驅(qū)動器，據(jù)此實現(xiàn)讓基片運輸穿過封閉裝置10。另一變型在于，該轉(zhuǎn)載臂或轉(zhuǎn)載橋16在 封閉裝置10打開之后才能進入到載體運輸區(qū)域9中。在另一變型中，還可以取消載體運輸 區(qū)域9與基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11之間的封閉裝置10。
[0060] 承載裝置7可以在載體運輸區(qū)域9中移動到在當前實施例中設(shè)置的三個處理模塊 4中的每一個。在通過載體運輸區(qū)域9延伸的用于承載裝置7的載體運輸裝置8附近，該處 理模塊4各自具有至少一個處理室5。在每個處理室5中可以例如實行另一種涂覆。
[0061] 每個處理模塊4還可以配屬有自己的承載裝置7。這在以下情況是有利的，例如在 基片處理設(shè)備1的另外的處理模塊4中進行加工，在該加工中并不能去除由承載裝置7自 身導(dǎo)致的雜質(zhì)滯留。因此，例如當在第一處理模塊4中在添加摻雜劑進行第一涂覆并且在 另一處理模塊4中執(zhí)行的后續(xù)處理步驟中要沉積摻雜層時，可能會有問題。載體運輸區(qū)域 9因此同時用作處理模塊4的分離區(qū)域以及用作相應(yīng)地另一承載裝置7上的基片3的交換 區(qū)域。該獨立的承載裝置7因此還可以具有不同的溫度。
[0062] 基片處理設(shè)備1還具有與該基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11相聯(lián)接的盒旋轉(zhuǎn)裝置15,利用該盒旋 轉(zhuǎn)裝置可以旋轉(zhuǎn)該基片盒13,這樣例如在涂覆基片3的正面之后能夠?qū)⒒?旋轉(zhuǎn)并且隨 后能夠進行對基片背面的涂覆。
[0063] 載體運輸區(qū)域9相應(yīng)地利用氣密式封閉裝置10與處理模塊4分離。由此能夠用 與基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11不同的壓力來驅(qū)動處理模塊4。
[0064] 圖2示意性地示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一變型1A的橫截面。在此，相同的 參考號表示如在圖1的上述基片處理設(shè)備1中相同或類似的組件，因此在其位置上將參考 以上的說明。同樣的內(nèi)容適用于對其他附圖的說明。
[0065] 在基片加載和卸載區(qū)域2中，基片盒13處于圖2中所不的工作實例。在基片加載 和卸載區(qū)域2中，在引入基片盒13之后首先利用抽空或清洗來制造清潔的且明確的氣氛。 當在基片加載和卸載區(qū)域2中存在足夠的清潔度時，氣密式封閉裝置10打開，并且基片盒 13被運輸?shù)交D(zhuǎn)載區(qū)域11中。在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11中，借助于基片轉(zhuǎn)載裝置12將基片3 從基片盒13轉(zhuǎn)載到位于載體運輸區(qū)域9中的承載裝置7上。
[0066] 在圖2中展示的實施例中，基片轉(zhuǎn)載裝置12具有非接觸式、超音波輔助的基片操 作裝置17,該基片操作裝置被引導(dǎo)到轉(zhuǎn)載橋16處?；僮餮b置17可以，如上所述，非接 觸地并且以較小的力來抓握基片3。在此，提升力例如利用負壓通道中的負壓來產(chǎn)生。非接 觸式運輸所需要的、距基片操作裝置17的間距是利用超音波產(chǎn)生的氣墊來保證的。所展示 的基片操作裝置17由于原理的原因不能在真空下工作，而是僅在更高的壓力下、例如在大 氣壓下工作?；僮餮b置17沒有在基片3上留下任何操作壓印并且因此適合用于處理 基片3,該基片在兩個基片側(cè)上都具有功能性表面，為此存在較高的純度要求。有利的是，基 片盒13與未展示的升降系統(tǒng)相連接以便相應(yīng)地取出和放回最上部的基片3。
[0067] 用于加載的承載裝置7利用載體運輸區(qū)域9中的載體運輸裝置8運輸?shù)教幚砟K 4。在其中，承載裝置7類似地借助于載體運輸裝置8移動到處理室5,在該處理室設(shè)置有基 片3的涂覆器。在此可以例如使用輥運輸系統(tǒng)作為載體運輸裝置8。
[0068] 在所示的實施例中，在處理模塊4中，承載裝置7由提升裝置14從載體運輸裝置 8舉起并且用作處理室5的底部。在此，在處理室5關(guān)閉時，承載裝置7的位置是利用圖2 的處理模塊4中的虛線描繪的。在基片3于處理室5中加工之后，與加載過程相反地將基 片3再度卸載。
[0069] 圖3示意性示出了本發(fā)明的基片處理設(shè)備1B的改進的版本，其具有四個處理模塊 4。基片處理設(shè)備1B被構(gòu)思為連續(xù)式設(shè)備，其中在圖示的左側(cè)加載基片盒13。隨后基片3 通過基片處理設(shè)備1B。最終將帶有加工后的基片3的基片盒13在圖示的右側(cè)卸載。
[0070] 在基片處理設(shè)備1B中，在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11中放置有兩個承載裝置7。利用基片轉(zhuǎn) 載裝置12,能夠在基片盒13與承載裝置7之間運輸基片并且還能夠在兩個承載裝置7之間 運輸基片。在這兩個載體運輸區(qū)域9之間布置有基片盒旋轉(zhuǎn)裝置15 '，在該裝置中，在所示 實例中能夠同時旋轉(zhuǎn)三個基片盒13,這樣，基片側(cè)能夠從下向上旋轉(zhuǎn)或反之亦然。
[0071] 此外，圖3中的基片處理設(shè)備1B具有多個基片破損識別器20,利用該識別器可以 光學地識別受損的基片3。當確定有易產(chǎn)生破損的或斷裂的基片3時，可以借助于同樣存在 的基片破損抽吸器將這個有缺陷的基片3立即吸走，這樣不會實質(zhì)上干擾生產(chǎn)過程。在基 片加載和卸載區(qū)域2處，相應(yīng)地布置有兩個盒儲存器19。在盒儲存器19中能夠暫時儲存基 片3,例如在基片盒13與承載裝置7的容量不同的情況下發(fā)生的。
[0072] 圖4在俯視圖中示意性示出了帶有四個處理模塊4的本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一 實施方式1C。在圖4的變型中，基片處理設(shè)備1C具有兩個彼此分離的載體運輸區(qū)域9,在 該區(qū)域處分別布置有在基片承載行方向X上的處理模塊4和在基片承載列方向Y上的處理 模塊4。在載體運輸區(qū)域9中分別有承載裝置7,該承載裝置能夠相應(yīng)地借助于基片轉(zhuǎn)載裝 置12用基片3供應(yīng)。在所示的實施例中，設(shè)置有基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11，在該區(qū)域中，基片轉(zhuǎn)載 裝置12的轉(zhuǎn)載橋16可以在承載裝置7的基片承載列方向Y上移動，以便能夠?qū)⒊休d裝置 7的所有基片簇用基片3覆蓋或者將基片3從基片簇上再度接收。
[0073] 在此，可以在基片處理設(shè)備1C中加工帶有多個基片3的承載裝置7,要么在這兩個 處理模塊4中相繼地進行加工，要么使用兩個承載裝置7,這兩個承載裝置以擺動體工作方 式（Pendelbetrieb)來驅(qū)動，其中設(shè)置為同時進行在一處理模塊4中對加載有基片3的承 載裝置7的加工和到另一承載裝置7上的轉(zhuǎn)載過程。
[0074] 基片3在圖4的基片處理設(shè)備1C中首先被引入基片加載區(qū)域2 '。在此階段，基 片3仍然處于基片盒13之內(nèi)，在該基片盒中，基片3布置在該基片盒13的不同的水平的盒 平面中?；?3后續(xù)地在穿過可氣密地封閉的鎖定部之后引入到基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11中， 在此處，基片盒13可以沿圖4中箭頭所標注的基片承載列方向Y行進。在此，借助于基片 轉(zhuǎn)載裝置12,在使用轉(zhuǎn)載橋16的情況下將位于基片盒13中的基片3分配到承載裝置7上。 加載有基片3的承載裝置7中的至少一個后續(xù)地借助載體運輸裝置8 (在圖2中示例性示 出）引入該處理模塊4之一，以便能夠在位于其中的處理室中進行加工。加工例如可以是 層涂覆，然而也可以是電漿處理、蝕刻步驟、溫度處理和/或另一適合的處理步驟。
[0075] 在基片處理設(shè)備1C中，例如在兩個于左側(cè)示出的處理模塊4中完成一基片側(cè)的加 工之后，基片3借助于位于這兩個載體運輸區(qū)域9之間的基片盒旋轉(zhuǎn)裝置15而被旋轉(zhuǎn)。隨 后在圖4右側(cè)示出的兩個處理模塊4的另一個處理模塊中，進行第二個基片側(cè)的加工。最 終基片3轉(zhuǎn)載到基片盒13中，并且從在圖4右側(cè)示出的基片卸載區(qū)域2 "卸載到基片處理 設(shè)備1C之外。
[0076] 圖5在俯視圖中示出了帶有四個處理模塊4的本發(fā)明基片處理設(shè)備的另一替代實 施方式ID。在基片處理設(shè)備ID中，平行于基片承載行，在載體運輸區(qū)域9附近的兩側(cè)分別 布置有兩個處理模塊4。該處理模塊4中的兩個被設(shè)置為用于基片3的正面涂覆，而處理模 塊4中的另兩個被確定為用于當基片3在基片盒旋轉(zhuǎn)裝置15 '中翻轉(zhuǎn)之后進行背面涂覆。
[0077] 基片處理設(shè)備1D不是連續(xù)式設(shè)備，而是基片3在此利用唯一的基片加載和卸載區(qū) 域2進行加載和卸載。在此，類似于前述的實例，基片3首先在基片盒13中被引入到基片 處理設(shè)備1D，然后在使用基片轉(zhuǎn)載裝置12的情況下從基片盒13放置到至少一個承載裝置 7上。借助承載裝置7,基片3隨后可以按平躺在承載裝置7上的方式被引入到該處理模塊 4中的至少一者中，以便能夠在位于其中的處理室內(nèi)進行處理。在完成對基片3的處理后， 對應(yīng)的承載裝置7再度借助于所使用的載體運輸裝置從處理模塊4運輸出來。由此，再度 在使用載體運輸裝置的情況下，可以將對應(yīng)的承載裝置7例如運輸?shù)轿挥谠撦d體運輸區(qū)域 9的另一側(cè)上的處理模塊4。在該另一處理模塊4中同樣具有在圖5中未展示的處理室，在 該處理室中能夠使基片3經(jīng)受另一處理步驟。在基片3的這個加工之后，平躺在承載裝置 7上的基片在此供應(yīng)到載體運輸區(qū)域9中，并且然后能夠例如借助于基片轉(zhuǎn)載裝置12再度 引入到對應(yīng)的基片盒13中。
[0078] 如在圖5中可以看到的，在這兩個載體運輸區(qū)域9之間可以設(shè)置基片轉(zhuǎn)載站29,用 于將基片3從一承載裝置7轉(zhuǎn)載到另一承載裝置7上?；D(zhuǎn)載站29在此可以類似于上 述基片轉(zhuǎn)載裝置12的方式構(gòu)造，并且由此非接觸地從一承載裝置7接收基片3、沿著承載裝 置7上方的轉(zhuǎn)載臂或轉(zhuǎn)載橋16行進，并且然后將基片3存放在另一承載裝置7上。
[0079] 在基片處理設(shè)備1D中，對應(yīng)于在這四個處理模塊4中較高的生產(chǎn)速度，為基片轉(zhuǎn) 載區(qū)域11中的兩個承載裝置7各自設(shè)置兩個平行工作的基片轉(zhuǎn)載裝置12。
[0080] 圖6示出了本發(fā)明的基片處理設(shè)備1E的另一可能性的俯視圖，其具有四個多室處 理模塊6。在該多室處理模塊6中的每一個處理模塊中有彼此疊置地處于堅直堆棧中的兩 個處理室5。在本發(fā)明的另一未展示的實施例中，還可以在多室處理模塊6中設(shè)置彼此疊置 的多于兩個處理室5。另外在圖6中所示的多室處理模塊6也可以用簡單的處理模塊5來 替代，例如像在先前所述的附圖中所示。
[0081] 在載體運輸區(qū)域9與多室處理模塊6之間相應(yīng)地布置有運輸模塊18。運輸模塊 18相應(yīng)地利用真空密封的門或封閉裝置在一側(cè)與所配屬的多室處理模塊6分離并且另一 側(cè)與載體運輸區(qū)域9分離。在運輸模塊18之內(nèi)，可以例如對在相應(yīng)的多室處理模塊6中有 待處理或已經(jīng)處理過的基片3采取加熱或冷卻措施。此外，必須在運輸模塊18中設(shè)置適當 的氣氛。運輸模塊18可以被抽空。
[0082] 在運輸模塊18的內(nèi)部可以設(shè)置圖6未示出的承載裝置升降機，利用它可以將相應(yīng) 的承載裝置7帶到一對應(yīng)于在多室處理模塊6中的相應(yīng)處理室5的水平上，平躺在承載裝 置7上的基片3應(yīng)在該處理室中進行處理。此外，還可以借助于承載裝置升降機將承載裝 置7帶到另一平面上，在該平面中相應(yīng)的承載裝置7例如錯過在被運輸?shù)搅硪怀休d裝置平 面的另一承載裝置7處而移動（vorbeiwegt)。
[0083] 圖7示意性示出了可在圖6的示例性實施方式中應(yīng)用的多室處理模塊6的截面 圖。在此處提出的實施例中，多室處理模塊6包含兩個堅直地彼此上下布置的處理室5。在 另一未展示的實施變型中，多室處理模塊6還可以具有多于兩個的處理室5。
[0084] 在圖7中所提出的處理室5的情況下，承載裝置7用作處理室5的底部。圖7中 的上部承載裝置7展示為處于正在載體運輸裝置8中使用的輥運輸系統(tǒng)上進行運輸?shù)倪^程 中的狀態(tài)。在這個狀態(tài)下，上部處理室5的底部和上部處理室5是相對于處理模塊6開放 的。下部的承載裝置7相反地封閉下部處理室5,其中由提升裝置14將其壓靠在下部處理 室5上。多室處理模塊6是可封閉的室，它相對于環(huán)境并且相對于該基片處理設(shè)備1E的相 鄰的模塊而言是可以封閉的。
[0085] 圖8示意性示出了可在圖6的基片處理設(shè)備1E中應(yīng)用的另一多室處理模塊6'的 截面。與圖7所示的處理模塊6不同，處理模塊6'針對每個處理室5包含可封閉的隔離室 25?？煞忾]的隔離室25可以例如設(shè)置為額外的隔離階段以獲得處理室5與外界大氣的更 好的熱和化學退耦。在另一應(yīng)用情景下，隔離室25還可以設(shè)置為用于處理室5的清潔過程 的輔助裝置，其中在一關(guān)閉的隔離室25中，當處理室5開放時用蝕刻電漿來清潔降低的承 載裝置7。在該承載裝置7的降低的位置中，與關(guān)閉的處理室5相反，承載裝置7的邊緣區(qū) 域也連帶被清潔。隔離室25在此阻止了清潔氣體向處理模塊6 '中擴散。
[0086] 處理室5在此優(yōu)選包含一個或多個用于產(chǎn)生電漿的裝置。此類的裝置可以例如是 平面式RF電極，該電極實施為氣體噴頭。在此情況下，承載裝置7優(yōu)選構(gòu)成平行板布置的 配對電極。處理室5因此還包含所有必需的介質(zhì)供應(yīng)接口，如泵接口、電供應(yīng)接口、氣體供 應(yīng)接口和用于控溫的裝置。
[0087] 圖9示意性示出了具有多室處理模塊6的本發(fā)明基片處理設(shè)備1E的剖視圖。多 室處理模塊6可以例如像在圖7中的進行構(gòu)造。請參見上面的說明。圖9中詳細顯示了運 輸模塊18的實施例。在所示的運輸模塊18中，存在兩個用于承載裝置7的運輸平面，該運 輸平面利用簡繪的運輸輥26來標記。從運輸模塊18中的這兩個運輸平面可以將承載裝置 7在該多室處理模塊6的兩個運輸平面上運輸。利用承載裝置升降機28,可以使承載裝置 7在這兩個運輸平面之間行進。運輸輥26在此可以在其軸線方向上移動，以便釋放承載裝 置7進行提升移動所需要的空間。運輸模塊18此外具有至少一個加熱和/或冷卻裝置，例 如像加熱板、輻射加熱器和/或冷卻機組，用于加熱和/或冷卻承載裝置7。運輸模塊18配 屬于載體運輸區(qū)域9,并且由此產(chǎn)生了在基片轉(zhuǎn)載區(qū)域11與多室處理模塊6之間的連接。
[0088] 圖10和圖11示意性示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備1F和1G的橫截面?；幚碓O(shè) 備1F和1G具有多個處理模塊4,該處理模塊各自包含一處理室5。與基片處理設(shè)備1F不 同，基片處理設(shè)備1G具有用于包裹處理室5的隔離室25。兩個基片處理設(shè)備1F和1G具 有運輸模塊18 '，該運輸模塊相應(yīng)地僅具有一個運輸平面，該運輸平面利用所展示的運輸 輥26而可見。該運輸模塊18 '構(gòu)思為用于操作兩個承載裝置7。雖然一個承載裝置7可 以位于該運輸平面內(nèi)，但第二個承載裝置7可以暫時儲存在承載裝置升降機28上。利用這 種暫時儲存，可以使承載裝置7在載體運輸區(qū)域9中的等待時間最小化。但是，一般而言， 還可以在承載裝置升降機28中提供更多位置用于暫時儲存。
[0089] 圖12示意性示出了具有八個多室處理模塊6的另一本發(fā)明的基片處理設(shè)備1H。 基片處理設(shè)備1H對應(yīng)地具有16個處理室并且擁有相應(yīng)高的生產(chǎn)輸送量。載體運輸區(qū)域9 在所示的實施例中相應(yīng)地與四個基片轉(zhuǎn)載裝置12相聯(lián)接，以便保證這個基片處理設(shè)備1H 中的邏輯要求。
[0090] 圖13中以俯視圖示意性地顯示了本發(fā)明基片處理設(shè)備II的另一實施方式?；?處理設(shè)備II具有運輸模塊18 '、處理模塊4 '和處理模塊4的兩個線性成行布置。處理模 塊4 '在此在兩側(cè)實施有可封閉的通道，用于通向承載裝置7。處理模塊4、4 '的線性成行 布置是對于本發(fā)明基片處理設(shè)備的構(gòu)造的一相對簡單的可能性。在處理模塊4、4 '的線性 成行布置中必須考慮的缺點是，在運輸承載裝置7時更高的邏輯花費。
[0091] 有利的是，在運輸模塊18、18'中包含有用于承載裝置7的多個平面。因此在一鎖 定過程中，可以同時或者相繼地在氣氛和真空中交換多個承載裝置7,并且由此降低所產(chǎn)生 的將運輸模塊18、18 '通風或抽空的次數(shù)。
[0092] 在圖14中示出了帶有線性成行布置的處理模塊4 '的另一本發(fā)明基片處理設(shè)備 1J。基片處理設(shè)備1J是相對于基片處理設(shè)備II通過承載裝置儲存器23而改進的，該承載 裝置儲存器聯(lián)接在外部的處理模塊4'上。承載裝置儲存器23能夠暫時儲存承載裝置7并 且由此減少在運輸承載裝置7時邏輯的等待時間。
[0093] 圖15中以俯視圖顯示了本發(fā)明基片處理設(shè)備1K的另一可能性。借助基片處理設(shè) 備1K示出了用于本發(fā)明基片處理設(shè)備的其它實施可能性。所示的基片轉(zhuǎn)載裝置12沒有構(gòu) 成為轉(zhuǎn)載橋的形式而是利用一轉(zhuǎn)載機器人24構(gòu)成。轉(zhuǎn)載機器人24具有一可旋轉(zhuǎn)的且可直 線伸出的機械臂，該機械臂可以達到一承載裝置7上的所有基片3。此外，基片處理設(shè)備1K 具有兩個運輸模塊18 "，該運輸模塊具有一承載裝置升降機28以及用于承載裝置7的緩 沖器。運輸模塊18"使得承載裝置7的運輸不僅能在基片承載行方向X上也能在基片承載 列方向Y上進行。在基片處理設(shè)備1K中，在運輸模塊18 "處，在基片列方向Y上分別布置 有兩個處理模塊4。相反地，載體運輸區(qū)域9在運輸模塊18 "處沿基片承載行方向X布置。 處理模塊4還可以實施為多室處理模塊。這個實施方式通常還可以與運輸模塊18"相結(jié)合 地應(yīng)用在下面說明的本發(fā)明基片處理設(shè)備的變型中。
[0094] 仍然有利的是，在載體運輸區(qū)域9中還使用了其它的機器人，例如用于提高基片 輸送量或還用于去除基片破損。
[0095] 在圖16和圖17中以俯視圖示意性示出了本發(fā)明基片處理設(shè)備1L和1M的其它實 施可能性?；幚碓O(shè)備1L展示了一實施方式，其中承載裝置儲存器23直接與載體運輸 區(qū)域9相聯(lián)接。相反，基片處理設(shè)備1M表明了在運輸模塊18 "處聯(lián)接承載裝置儲存器23 的可能性。
[0096] 圖18以俯視圖示意地示出了另一根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備1N?；幚碓O(shè)備 1N是連續(xù)式設(shè)備，該設(shè)備在垂直于基片3穿過基片處理設(shè)備1N的通過方向的方向上具有 較小的寬度。這個較小的寬度通過在基片承載列方向Y上將處理模塊4布置在運輸模塊 18 "處而實現(xiàn)。
[0097] 所示的實施例顯示，本發(fā)明的基片處理設(shè)備1、1A至1N可以是截然不同地設(shè)計的。 除了所示的實施例之外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以基于本發(fā)明說明書和他的專業(yè)知識而容易 地設(shè)計其它的、在此未展示的實施方式以及所示實施例的組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種基片處理設(shè)備（1，1A··· IN)，該基片處理設(shè)備包括： 至少一個基片加載和卸載區(qū)域（2)，其用于將至少一個基片（3)加載到所述基片處理 設(shè)備（1)以及從所述基片處理設(shè)備（1)卸載至少一個基片（3)， 能夠抽空的至少一個處理室（5)， 至少一個承載裝置（7)，利用該承載裝置，能夠借助于至少一個載體運輸區(qū)域（9)中的 至少一個載體運輸裝置（8)將所述至少一個基片（3)運輸?shù)剿鲋辽僖粋€處理室（5)，以及 位于所述至少一個處理室（5)與所述載體運輸區(qū)域（9)之間的至少一個氣密式封閉裝 置（10)，以及位于所述基片加載和卸載區(qū)域（2)與所述載體運輸區(qū)域（9)之間的至少一個 氣密式封閉裝置（10)， 其特征在于， 所述基片加載和卸載區(qū)域（2)與所述載體運輸區(qū)域（9)由基片轉(zhuǎn)載區(qū)域（11)來聯(lián)接， 該基片轉(zhuǎn)載區(qū)域具有至少一個基片轉(zhuǎn)載裝置（12)，該基片轉(zhuǎn)載裝置用于將所述至少一個基 片（3)從能夠設(shè)置在所述基片加載和卸載區(qū)域（2)中的至少一個基片盒（13)轉(zhuǎn)載到所述 至少一個承載裝置（7)上，在所述基片盒中，基片（3)能夠布置在所述基片盒（13)的不同 的水平盒平面中，利用所述承載裝置能夠?qū)⑺鲋辽僖粋€基片（3)保持在水平的承載平面 中，其中，所述基片轉(zhuǎn)載區(qū)域（11)能夠相對于所述基片加載和卸載區(qū)域（2)氣密地封閉。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片轉(zhuǎn)載區(qū)域（11)能夠用 惰性氣體來填充。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述承載裝置（7)在承載平 面內(nèi)具有布置在基片承載行與基片承載列中的基片簇，并且所述承載裝置（7)能夠在基片 承載行方向（X)和/或基片承載列方向（Y)上移動。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述載體運輸裝置 (8)具有輥運輸系統(tǒng)。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片轉(zhuǎn)載裝置 (12)在所述載體運輸區(qū)域（9)上具有平行于所述承載裝置（7)設(shè)置的基片存放平面，能夠 將基片（3)從該基片存放平面以成行或成列的方式全面地填充在所述承載裝置（7)中。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片轉(zhuǎn)載裝置 (12)具有至少一個轉(zhuǎn)載橋（16)或轉(zhuǎn)載臂，該轉(zhuǎn)載橋或轉(zhuǎn)載臂平行于所述承載裝置（7)的至 少一個基片承載行或基片承載列延伸，以便將至少一個基片（3)加載到所述基片承載行或 基片承載列或者從所述基片承載行或基片承載列卸載至少一個基片（3)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述轉(zhuǎn)載橋（16)或所述轉(zhuǎn)載臂 能夠沿基片承載列方向和/或沿基片承載行方向移動，以便對所述承載裝置（7)的其它基 片承載行或基片承載列進行加載或卸載。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片轉(zhuǎn)載裝置 (12)具有至少一個非接觸式基片操作裝置（17)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片操作裝置（17)是超音 波輔助的。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片盒（13) 借助于所述基片轉(zhuǎn)載裝置（12)與升降系統(tǒng)相聯(lián)接，以便相應(yīng)地取出和放回最上部的基片 ⑶。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1)具有至少兩個承載裝置平面，其中，位于所述承載裝置平面中的承載裝置（7)能夠彼此 獨立地移動。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，在所述承載裝置平面中的至 少兩個承載裝置平面之間設(shè)置有承載裝置升降機（28)，利用該承載裝置升降機能夠?qū)⒅辽?一個承載裝置（7)帶到另一承載裝置平面中。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1，1A…1N)具有至少兩個處理室（5)，所述至少兩個處理室與所述載體運輸區(qū)域（9)相聯(lián) 接并且是彼此上下布置的。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片加載和卸 載區(qū)域（2)具有盒儲存器（19)，該盒儲存器中能夠設(shè)置至少一個基片盒（3)，并且必要時， 該盒儲存器能夠與所述基片轉(zhuǎn)載裝置（12)相聯(lián)接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述盒儲存器（19)能夠被抽 空和/或能夠用惰性氣體填充。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述載體運輸區(qū)域 (9)具有至少一個控溫裝置。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1，1Α···1Ν)具有基片翻轉(zhuǎn)裝置。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片翻轉(zhuǎn)裝置是基片盒 旋轉(zhuǎn)裝置（15)。
19. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，在所述基片處理設(shè) 備（1，1Α···1Ν)的至少兩個載體運輸區(qū)域（9)之間設(shè)置有基片轉(zhuǎn)載站（29)，該基片轉(zhuǎn)載站 用于將至少一個基片（3)從一承載裝置（7)轉(zhuǎn)載到另一承載裝置（7)上。
20. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1，1Α…1Ν)具有基片破損識別器（20)和/或基片破損去除裝置（21)。
21. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述處理室（5)中 的至少一個處理室能夠借助于所述承載裝置（7)而相對于其中設(shè)置有該處理室（5)的處理 模塊（4,6,6 '）實體地關(guān)閉。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述承載裝置（7)構(gòu)成所述處 理室（5)的底部。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述處理室（5)具有構(gòu)造成氣 體噴頭的HF電極，該電極與所述承載裝置（7)共同形成平行板布置。
24. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1，1Α…1Ν)具有至少一個處理模塊（4,4 '，6,6 '），該至少一個處理模塊各具有至少一個 處理室（5)，其中，在所述至少一個處理模塊（4,4 '，6,6 '）與所述載體運輸區(qū)域（9)之間 分別設(shè)置有運輸模塊（18,18 '，18 "），該運輸模塊能夠相對于所述處理模塊（4,4 '，6,6 '） 且相對于所述載體運輸區(qū)域（9)氣密地封閉。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，在所述運輸模塊（18，18 '， 18 "）中設(shè)置有用于承載裝置（7)的至少兩個平面。
26. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備 (1，1A…1N)具有至少兩個處理模塊（4,4 '，6,6 '），所述至少兩個處理模塊各自具有至少 一個處理室（5)，其中，每個處理模塊（4,4 '，6,6 '）配設(shè)有各自的承載裝置（7)。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述載體運輸區(qū)域（9)形成 用于所述處理模塊（4,4 '，6,6 '）的分離區(qū)域以及用于相應(yīng)的另一承載裝置（7)上的基片 (3)的交換區(qū)域。
【文檔編號】H01L21/67GK104115264SQ201380008076
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月6日
【發(fā)明者】J·邁, M·克爾 申請人:德國羅特·勞股份有限公司