配線基板及封裝件、以及電子裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種配線基板及具備該配線基板的封裝件、以及電子裝置，即便在向配線基板接合蓋體之際，也能夠防止在配線基板上產(chǎn)生裂縫。配線基板具有：在一方的主面具有電子部件(9)的搭載面(1aa)的基板底部(1a)；以圍繞搭載面(1aa)的方式設(shè)置在基板底部(1a)上的基板堤部(1b)；設(shè)置在基板底部(1b)的主面與基板堤部(1b)的側(cè)面相交的部位(角部(1c))且與基板底部(1a)及基板堤部(1b)形成為一體的鼓出部(5)。
【專利說明】配線基板及封裝件、以及電子裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種需要氣密密封的配線基板及封裝件、以及電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為需要氣密密封的電子部件的例子，可舉出晶體振蕩器等晶體適用產(chǎn)品、閃速存儲器等半導(dǎo)體兀件或者 MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)、SAW (SurfaceAccoustic Wave (表面彈性波))器件等。上述各產(chǎn)品均是為了保護元件免于受到外部空氣的影響而收納在陶瓷封裝件等的箱體中并進行氣密密封。
[0003]圖11是表示用于搭載顯示電子部件的現(xiàn)有的陶瓷制的封裝件(以下，存在稱為陶瓷封裝件的情況。)的一例的分解立體圖。用于搭載晶體適用產(chǎn)品等電子部件的陶瓷封裝件構(gòu)成為，在陶瓷基板101的表面形成有導(dǎo)體102而構(gòu)成配線基板，且用于對實裝于該導(dǎo)體102的表面的電子部件(例如，晶體振蕩器)105進行氣密密封的金屬構(gòu)件107 (此處為蓋體107)借助涂敷于包鍍金屬層103的銀焊料等接合構(gòu)件109而被接合。
[0004]近年來，便攜式電話、IC卡等電子裝置正在普及，但這些電子裝置越來越要求小型化、薄型化或者高性能化，為此，組裝在這些電子裝置中的電子部件105、用于收納該電子部件105的陶瓷封裝件也要求進一步的小型化、薄型化(例如，參考專利文獻I)。
[0005]在先技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2001-196485號公報發(fā)明概要
[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]但是，在使陶瓷封裝件小型化的情況下，需要使構(gòu)成陶瓷基板101的基板底部IOlA的厚度t、將陶瓷基板101與蓋體107接合起來的部分的寬度(圖11中為陶瓷基板101的基板堤部IOlB的寬度W)變窄，但當陶瓷基板101的基板底部101A、基板堤部IOlB的厚度變薄時，陶瓷基板101本身的強度降低，例如在向陶瓷基板101接合蓋體107之際等，存在由于因陶瓷基板101與蓋體107之間的熱膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的熱應(yīng)力而導(dǎo)致在陶瓷基板101上容易產(chǎn)生裂縫這樣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]因而，本發(fā)明的目的在于提供一種配線基板及具備該配線基板的封裝件、以及電子裝置，即便在向配線基板接合蓋體之際，也能夠抑制在配線基板上產(chǎn)生裂縫。
[0011]解決方案
[0012]本發(fā)明的配線基板的特征在于，所述配線基板具有:基板底部，其在一方的主面具有電子部件的搭載面；基板堤部，其以圍繞所述搭載面的方式設(shè)置在所述基板底部上；鼓出部，其設(shè)置在所述基板底部的所述主面與所述基板堤部的側(cè)面相交的部位，且與所述基板底部及所述基板堤部形成為一體。
[0013]本發(fā)明的封裝件的特征在于，所述封裝件具備蓋體和上述的配線基板。
[0014]本發(fā)明的電子裝置的特征在于，所述電子裝置在上述的封裝件中的所述搭載面搭載有電子部件而成，所述蓋體以覆蓋所述電子部件的方式與所述基板堤部的上表面接合。
[0015]發(fā)明效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種配線基板及具備該配線基板的封裝件、以及電子裝置，即便在向配線基板接合蓋體之際，也能夠抑制在配線基板上產(chǎn)生裂縫。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是表示本發(fā)明的配線基板的一實施方式的立體圖。
[0018]圖2中，(a)是圖1所示的配線基板的俯視示意圖，(b)是(a)的A-A線剖面示意圖。
[0019]圖3表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示使基板底部的角部中的鼓出部的最大寬度比角部間的中央的寬度寬的狀態(tài)的俯視示意圖。
[0020]圖4表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示使基板底部的角部中的鼓出部的寬度比角部間的中央寬且同時將鼓出部的搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面設(shè)為圓弧狀的狀態(tài)的俯視不意圖。
[0021]圖5表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板底部的角部中的鼓出部的形狀在搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面呈圓弧狀的俯視示意圖。
[0022]圖6表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示將從基板堤部的側(cè)面到基板底部的主面的鼓出部的表面設(shè)為凸狀的曲面的狀態(tài)的剖面示意圖。
[0023]圖7表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板堤部的內(nèi)側(cè)的側(cè)面以被覆方式向搭載面?zhèn)葍A斜的狀態(tài)的剖面示意圖。
[0024]圖8表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板堤部的上表面朝向上側(cè)而呈凸狀的狀態(tài)的剖面示意圖。
[0025]圖9是表示本發(fā)明的電子裝置的一實施方式的分解立體圖。
[0026]圖10是用于制造本實施方式的配線基板的工序圖。
[0027]圖11是表示由陶瓷制的配線基板構(gòu)成的現(xiàn)有的封裝件的一例的分解立體圖?！揪唧w實施方式】
[0028]圖1是表示本發(fā)明的配線基板的一實施方式的立體圖。圖2(a)是圖1所示的配線基板的俯視示意圖，圖2(b)是圖2(a)的A-A線剖面示意圖。作為本發(fā)明的配線基板，以下以陶瓷配線基板為例進行詳細的說明。
[0029]本實施方式的陶瓷配線基板由以下所示的陶瓷基板I構(gòu)成。
[0030]陶瓷基板I由矩形的基板底部Ia和設(shè)于該基板底部Ia的周緣部的基板堤部Ib構(gòu)成，在基板底部Ia的表面(搭載面Iaa)形成有用于實裝電子部件的導(dǎo)體2。
[0031]在本實施方式的陶瓷配線基板中，在基板堤部Ib的側(cè)面Ibb與基板底部Ia的搭載面Iaa相交的角部Ic處沿著搭載面Iaa的周緣而形成有鼓出部5，另外，該鼓出部5與基板底部Ia及基板堤部Ib形成為一體。需要說明的是，該鼓出部5也由陶瓷燒結(jié)體形成。[0032]由此，即便向陶瓷配線基板例如對蓋體進行接合時那樣施加熱應(yīng)力，也能夠抑制在陶瓷基板I上產(chǎn)生裂縫。
[0033]在該陶瓷配線基板中，在基板底部Ia與基板堤部Ib大致呈直角相交的部位Ic (以下，存在稱為角部Ic的情況。)設(shè)有與基板底部Ia及基板堤部Ib形成為一體的鼓出部5。因此，作為基板底部Ia及基板堤部Ib這兩者的接合部分的角部Ic的厚度變厚。例如，因?qū)ιw體進行接合之際的加熱而導(dǎo)致陶瓷基板I及蓋體的尺寸發(fā)生變化，即便基板底部Ia欲朝向基板堤部Ib側(cè)呈凸出地翹曲、與此同時地基板堤部Ib欲向上側(cè)打開地發(fā)生變形，由于使作為基板底部Ia與基板堤部Ib的接合部的角部Ic從基板底部Ia側(cè)及基板堤部Ib兩者增厚，因此，該角部Ic的強度增加，變形受到抑制，另外，由于能夠緩和向角部Ic的應(yīng)力集中，故能夠抑制裂縫的產(chǎn)生。
[0034]在此，基板堤部Ib的側(cè)面Ibb與基板底部Ia的搭載面Iaa相交的部位(角部Ic)是指基板底部Ia的搭載面Iaa的周緣的整個周圍的范圍。
[0035]另外，鼓出部5與基板底部Ia及基板堤部Ib形成為一體是指構(gòu)成各部位的陶瓷燒結(jié)體燒結(jié)而成的狀態(tài)。在這種情況下，鼓出部5以將角部Ic埋入的方式形成。
[0036]此外，矩形不局限于長方形等多邊形，也包含角部稍稍帶有圓角的形狀。
[0037]圖3表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示使基板底部Ib的角部C中的鼓出部5的最大寬度W。比角部C間的中央處的寬度I寬的狀態(tài)的剖面示意圖。通常而言，在陶瓷配線基板中，例如在對蓋體進行接合之際，在俯視觀察陶瓷配線基板時的方向上沿著X方向及Y方向發(fā)生變形，但此時，因來自兩者的熱應(yīng)力而導(dǎo)致應(yīng)力集中在角部C。在這樣的狀態(tài)下，在圖3所示那樣的陶瓷配線基板中，由于基板底部Ia的角部C中的鼓出部5的最大寬度W。比角部C間的中央部中的寬度\寬，因此，陶瓷基板I的基板底部Ia的角部C中的角部Ic的強度進一步地提高，由此能夠進一步地抑制裂縫的產(chǎn)生。
[0038]圖4表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示使基板底部Ia的角部C中的鼓出部5的寬度W。比基板底部Ia的邊L的中央部寬且同時將鼓出部5的搭載面Iaa側(cè)的側(cè)面設(shè)為圓弧狀的狀態(tài)的剖面示意圖。圖5表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板底部Ia的角部C中的鼓出部5的寬度W。比基板底部Ia的邊L的中央部寬且同時基板底部的角部中的鼓出部的形狀在搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面呈圓弧狀的剖面示意圖。
[0039]如圖4所示，當使基板底部Ia的角部C中的鼓出部5的寬度W。比基板底部Ia的邊L的中央部寬且同時將鼓出部5的搭載面?zhèn)仍O(shè)為圓弧狀時，角部C中的鼓出部5的最大寬度W。從角部C朝向邊一側(cè)平緩地變窄，從而能夠使由鼓出部5產(chǎn)生的約束力從角部C間的邊的方向朝向角部C平緩地變化，因此能夠更加緩和角部C處的應(yīng)力集中。進而，如圖5所示，不僅是鼓出部5，當還將構(gòu)成陶瓷基板I的基板底部Ia及基板堤部Ib的外形設(shè)為圓弧狀時，能夠進一步地緩和向陶瓷配線基板的應(yīng)力集中，從而能夠進一步地減少裂縫的產(chǎn)生。
[0040]圖6表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示將從基板堤部Ib的側(cè)面到基板底部Ia的主面的鼓出部5的表面S設(shè)為凸狀的曲面的狀態(tài)的剖面示意圖。在該陶瓷配線基板中，優(yōu)選鼓出部5以從基板堤部Ib的內(nèi)側(cè)的側(cè)面Ibb朝向基板底部Ia的搭載面Iaa而帶有圓角的方式形成。若鼓出部5的表面為帶有圓角的狀態(tài)、換言之鼓出部5的表面為朝上而呈凸狀彎曲的曲面時，基板堤部Ib的內(nèi)側(cè)的側(cè)面Ibb與鼓出部5的交點的角度Θ成為鈍角，應(yīng)力集中得以緩和，因此，能夠減小在構(gòu)成角部5的基板底部Ia與基板堤部Ib之間產(chǎn)生的應(yīng)力，從而能夠抑制裂縫的產(chǎn)生。
[0041]圖7表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板堤部Ib的內(nèi)側(cè)的側(cè)面Ibb以被覆方式向搭載面Iaa側(cè)傾斜的狀態(tài)的剖面示意圖。
[0042]在該陶瓷配線基板中，優(yōu)選構(gòu)成陶瓷基板I的基板堤部Ib的內(nèi)側(cè)的側(cè)面Ibb從搭載面Iaa側(cè)朝向基板堤部Ib的上表面?zhèn)榷员桓卜绞较虼钶d面Iaa側(cè)傾斜。若基板堤部Ib的內(nèi)側(cè)的側(cè)面Ibb為如此向搭載面Iaa側(cè)傾斜的結(jié)構(gòu)，則能夠更加抑制基板堤部Ib的向外側(cè)的變形。
[0043]圖8表示本實施方式的陶瓷配線基板的另一方式，是表示基板堤部Ibb的上表面U朝向上側(cè)而呈凸狀的狀態(tài)的剖面示意圖。在該陶瓷配線基板中，優(yōu)選基板堤部Ib的上表面U朝向上側(cè)而呈凸狀。當基板堤部Ib的上表面U朝向上側(cè)而呈凸狀時，在該基板堤部Ib的上表面設(shè)有包鍍金屬層3的情況下，與基板堤部Ib的寬度方向的中央部相比，能夠使包鍍金屬層3的厚度在兩端側(cè)減薄，因此，能夠降低由包鍍金屬層3帶來的熱應(yīng)力的影響，由此能夠更加減小基板堤部Ib的變形。
[0044]本實施方式的陶瓷配線基板能夠作為具備圖9所示那樣的陶瓷制的封裝件(以下，稱為“陶瓷封裝件”)的電子裝置的配線基板而適用。在此，本實施方式的陶瓷封裝件成為在上述的配線基板設(shè)有蓋體7的結(jié)構(gòu)。圖9是表示本發(fā)明的電子裝置的一實施方式的分解立體圖。本實施方式的電子裝置中，在上述的封裝件中的搭載面Iaa搭載有電子部件9，蓋體7以覆蓋電子部件9的方式與基板堤部Ib的上表面接合。
[0045]當作為構(gòu)成陶瓷封裝件的配線基板而適用本實施方式的陶瓷配線基板時，如上所述，本實施方式的陶瓷配線基板具有能夠減小由熱應(yīng)力引起的變形這樣的效果，因此，在對蓋體7進行接合之際，能夠相對于陶瓷配線基板而抑制裂縫的產(chǎn)生。
[0046]在這種情況下，作為構(gòu)成陶瓷配線基板的陶瓷基板1、包鍍金屬層3及蓋體7可以采用各種各樣的材料，但從機械性強度、耐環(huán)境特性等優(yōu)良的方面考慮，優(yōu)選在陶瓷基板I中適用氧化鋁、在包鍍金屬層3中適用鑰或鎢、或者它們的合金、及在蓋體7中適用科瓦鐵鎳鈷合金等熱膨脹系數(shù)比較小的金屬構(gòu)件。
[0047]根據(jù)本實施方式的陶瓷封裝件，能夠使包鍍金屬層3的接合強度和氣密性提高，因此，對于構(gòu)成陶瓷配線基板的陶瓷基板I的基板底部Ia及基板堤部Ib的厚度較薄且形成于其上表面的包鍍金屬層3的寬度較窄那樣的小型的陶瓷配線基板而言更為適當。其尺寸適于構(gòu)成陶瓷基板I的基板底部Ia及基板堤部Ib的平均厚度為0.05?0.15mm的結(jié)構(gòu)。
[0048]在此，作為能夠搭載于本實施方式的電子裝置的電子部件，除了晶體振蕩器、閃速存儲器等半導(dǎo)體元件以外，還包含SAW器件、MEMS等。
[0049]接著，說明制造本實施方式的陶瓷封裝件的方法。圖10是用于制造本實施方式的陶瓷配線基板的工序圖。
[0050]首先，在向陶瓷粉末添加有機粘合劑之后，將其通過沖壓法、刮刀法、軋制法、注塑法等公知的成形方法，制作成為基板底部Ia的生片21a，接著，在該生片21a的表面上形成導(dǎo)體圖案23a。
[0051]另一方面，對成為基板堤部Ib的生片21b實施孔加工，接著，制作在其生片21b的孔22的周圍的表面局部地形成導(dǎo)體圖案23b的結(jié)構(gòu)。此時，也準備僅形成有孔22的生片25。[0052]接著，在成為基板底部Ia的生片21a的形成有導(dǎo)體圖案23a的一側(cè)首先層疊僅形成有孔22的生片25，接著在該生片25的上表面?zhèn)葘盈B在孔22的周圍的表面形成有導(dǎo)體圖案23b的生片21b并使它們緊貼，從而形成圖1所示的形狀的陶瓷配線基板用的成形體。
[0053]在這種情況下，僅形成有孔22(比成為基板堤部Ib的生片的孔22小)的生片25在燒成后成為陶瓷配線基板的鼓出部5，不過，作為形成鼓出部5的方法，除了上述那樣的采用形成有孔22的生片25以外，也可以使用如下方法:在將導(dǎo)體圖案23b形成于孔22的周圍的表面的生片21b和成為基板底部Ia的生片21a之間涂布熱塑性的樹脂,在層置時例如使在孔22的周圍的表面形成有導(dǎo)體圖案23b的生片21b的一部分變形而向孔22的內(nèi)側(cè)突出。
[0054]在此，作為用于形成生片21a、21b、25的陶瓷粉末，例如可采用向氧化鋁粉末中混合硅石粉末、含有錳的氧化物粉末，且氧化鋁粉末的比例成為80質(zhì)量％以上的混合粉末。
[0055]作為導(dǎo)體圖案23a、23b用的膏劑，可以與陶瓷粉末的燒結(jié)溫度相匹配地采用各種各樣的組成的金屬材料，不過，在原始的成形體中采用例如包含80質(zhì)量％以上的氧化鋁粉末的陶瓷粉末的情況下，可以采用鑰、鎢等高熔點的金屬材料。
[0056]接著，將制成的陶瓷配線基板用成形體在還原環(huán)境中在1300?1600°C的溫度下進行燒成。
[0057]接著，在獲得的陶瓷配線基板的包鍍金屬層3的表面形成鎳的鍍膜，并在形成有鎳的鍍膜的包鍍金屬層3的表面上借助接合構(gòu)件7而接合蓋體、金屬框等金屬構(gòu)件5。
[0058]如此制成的陶瓷封裝件成為剛性高且在對蓋體7進行接合時氣密性高的結(jié)構(gòu)。
[0059]實施例
[0060]接著，對為了確認本發(fā)明的效果而進行的實驗例進行說明。在這種情況下，制作圖9所示的結(jié)構(gòu)的陶瓷封裝件并對其進行評價。
[0061]首先，作為用于形成陶瓷基板的原料粉末，準備了氧化鋁粉末、Mn2O3粉末、SiO2粉末、MgCO3粉末及MoO3粉末。
[0062]接著，利用球磨機，將這些原料粉末以氧化鋁粉末為主要成分并按照6質(zhì)量％Mn2O3粉末、6質(zhì)量％ SiO2粉末、0.5質(zhì)量％ MgCO3粉末及0.3質(zhì)量％ MoO3粉末的比率進行添加并混合之后，混合丙烯酸系樹脂和甲苯而調(diào)整出漿體，然后利用刮刀法制成厚度為150 μ m的生片。
[0063]采用模具在制成的生片中的一部分的生片形成長方形狀的開口部。此時用于形成鼓出部的生片(以下，作為第一片。)的開口部的面積比成為基板堤部的生片的開口部的面積小。
[0064]接著，對于具有開口部的一部分的生片而言，在其開口部的周圍形成在燒成后成為包鍍金屬層的導(dǎo)體圖案(以下，作為第二片。)。另一方面，在生片中的未形成開口部的生片，在層疊時成為開口部的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的位置處形成成為用于將電子部件的導(dǎo)體連接起來的導(dǎo)體圖案(以下，作為第三片。)。在這種情況下，導(dǎo)體圖案采用以鑰粉末為主要成分且添加了 15質(zhì)量％氧化鋁粉末的材料。
[0065]接著，將第三片作為下層，以形成于該第三片的導(dǎo)體圖案嵌入第一片及第二片的開口部內(nèi)的方式進行定位地依次層疊第一片及第二片，在加壓加熱之后，切斷為規(guī)定的尺寸，從而制成了表I所示的附圖編號的結(jié)構(gòu)的原始的層疊體。需要說明的是，表I的圖6、圖7及圖8的層疊體在加壓加熱時采用橡皮版印刷機進行制作。
[0066]接著，將該層疊體在露點+25°C的氮氫混合環(huán)境下進行脫脂之后，接著進行正式燒成。正式燒成在如下的條件下進行，即以180°C /h從1000°C升溫至燒成最高溫度1350°C，將該溫度作為燒成溫度而在露點+25°C的氮氫混合環(huán)境下保持60分鐘之后以180°C /h這樣的條件冷卻至1000°C為止。
[0067]如此獲得的陶瓷配線基板的平面面積為2mmXl.6mm、高度為0.2mm、基板底部的平均厚度及基板堤部的平均厚度均為0.1_。包鍍金屬層的平均厚度為20 μ m。
[0068]接著，在形成于陶瓷配線基板的包鍍金屬層的表面形成有鍍Ni膜。
[0069]接著，在形成有鍍Ni膜的陶瓷配線基板的基板堤部的包鍍金屬層的表面的整面預(yù)焊有作為接合構(gòu)件的銀焊料(共晶Ag-Cu焊料)，使銀焊料溶融而向包鍍金屬層中擴散。
[0070]接著，進而對形成有銀焊料的包鍍金屬層的表面實施厚度0.2 μ m的鍍金。
[0071]接著，在包鍍金屬層的金鍍膜的表面采用銀焊料(共晶Ag-Cu焊料)并借助縫焊接合厚度為0.1mm、長度為1.9mm、寬度為1.5mm的科瓦鐵鎳鈷合金(Fe-N1-Co合金)制的蓋體。
[0072]對于縫焊而言，為了確認相對于陶瓷配線基板的接縫接合時的裂縫的屈服強度的程度，將通常密封條件設(shè)為條件1，將以密封時的輸出為條件I的1.5倍而將使裂縫的產(chǎn)生發(fā)展的密封條件設(shè)為條件2，進而將以輸出為條件I的2倍的條件設(shè)為條件3，進行了在3條件下的接縫接合。
[0073]接著，對于接合有蓋體的陶瓷封裝件而言，使用立體顯微鏡對在陶瓷配線基板上產(chǎn)生了的裂縫進行觀察。另外，利用He泄漏法來評價氣密密封性。He泄漏法是指在0.4IMPa的He加壓環(huán)境中保持2小時之后取出，對在真空環(huán)境中檢測出的He氣體量進行測定，并將ΙΧΙΟ,ΜΡβ.cmVsec以下設(shè)為無泄漏。未產(chǎn)生裂縫的試樣的He氣體量均在1X10 10Mpa.cm3/sec以下。另一方面，確認有裂縫的試樣的He氣體量超出了5X 10 9Mpa.cm3/sec。
[0074]表1
【權(quán)利要求】
1.一種配線基板，其特征在于， 所述配線基板具有: 基板底部，其在一方的主面具有電子部件的搭載面； 基板堤部，其以圍繞所述搭載面的方式設(shè)置在所述基板底部上； 鼓出部，其設(shè)置在所述基板底部的所述主面與所述基板堤部的側(cè)面相交的部位，且與所述基板底部及所述基板堤部形成為一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于， 所述鼓出部配置在所述基板堤部的所述搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面與所述基板底部的主面相交的部位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線基板，其特征在于， 俯視觀察所述基板底部時的形狀為矩形，并且在該基板底部的周緣配置有所述基板堤部，所述基板底部的角部中的所述鼓出部的最大寬度比所述角部間的中央處的所述鼓出部的寬度寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線基板，其特征在于， 所述基板底部的角部中的所述鼓出部中，俯視觀察所述基板底部時的所述搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面的形狀為圓弧狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的配線基板，其特征在于， 所述鼓出部中，從所述基板堤部的側(cè)面到所述基板底部的主面的表面為凸狀的曲面。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的配線基板，其特征在于， 所述基板堤部的所述搭載面?zhèn)鹊膫?cè)面以被覆方式向所述搭載面?zhèn)葍A斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的配線基板，其特征在于， 所述基板堤部的上表面朝向上側(cè)而呈凸狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的配線基板，其特征在于， 在所述基板堤部的上表面具有包鍍金屬層。
9.一種封裝件，其特征在于， 所述封裝件具備蓋體和權(quán)利要求1至8中任一項所述的配線基板。
10.一種電子裝置，其特征在于， 所述電子裝置在權(quán)利要求9所述的封裝件中的所述搭載面搭載有電子部件而成，所述蓋體以覆蓋所述電子部件的方式與所述基板堤部的上表面接合。
【文檔編號】H01L23/08GK103703559SQ201380002166
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】有川秀洋, 寺尾慎也 申請人:京瓷株式會社