高散熱性發(fā)光二極管支架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出一種高散熱性發(fā)光二極管支架，其包括引線框架和設(shè)于引線框架上的基座，所述引線框架和基座限定一個(gè)反射凹腔，所述引線框架包括相互間隔的正電極框架和負(fù)電極框架，所述正電極框架和負(fù)電極框架的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，所述基座是熱硬化性樹脂基座。該發(fā)光二極管支架中，在引線框架的底面具有圖案結(jié)構(gòu)，大大增加底面的表面積，如通過導(dǎo)熱膠與散熱器件結(jié)合時(shí)，結(jié)合更加緊密，可大幅降低熱阻，提高散熱效率。進(jìn)一步地，基座是熱硬化性樹脂基座，熱硬化性樹脂比傳統(tǒng)材料如熱塑性樹脂具有更好的散熱能力。
【專利說明】高散熱性發(fā)光二極管支架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及發(fā)光器件，具體涉及一種高散熱性發(fā)光二極管支架。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管器件由于具有發(fā)光效率高、體積小、無污染等特點(diǎn)，正被廣泛應(yīng)用于電視背光、圖文顯示屏、裝飾照明等領(lǐng)域。隨著芯片、封裝膠水、支架等原物料價(jià)格的降低，芯片發(fā)光效率的不斷提高，發(fā)光二極管已經(jīng)開始進(jìn)入商業(yè)照明、家居照明等室內(nèi)照明領(lǐng)域。
[0003]發(fā)光二極管器件通常包括支架和發(fā)光芯片，支架包括基座和引線框架，兩者圍成反射結(jié)構(gòu)，具有一個(gè)反射凹腔，發(fā)光芯片即設(shè)于反射凹腔的底部，基座通常采用絕緣材料制成，引線框架包括正負(fù)電極。這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管器件通常面臨的一個(gè)難題是散熱性問題。因?yàn)?，基座一般為熱塑性材料制成，而熱塑性材料散熱性差，同時(shí)由于發(fā)光二極管器件尺寸緊湊小巧，金屬引線框架不能有效地將發(fā)光芯片發(fā)出的熱量傳導(dǎo)出去，從而造成發(fā)光二極管器件整體散熱效果差。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，提供一種熱阻小、散熱效率聞的聞散熱性發(fā)光二極管支架。
[0005]一種高散熱性發(fā)光二極管支架，其包括引線框架和設(shè)于引線框架上的基座，所述引線框架和基座限定一個(gè)反射凹腔，所述引線框架包括相互間隔的正電極框架和負(fù)電極框架，所述正電極框架和負(fù)電極框架的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，所述基座是熱硬化性樹脂基座。
[0006]進(jìn)一步地，所述正電極框架和負(fù)電極框架的底面相對于反射凹腔的部分區(qū)域或全部區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)。
[0007]進(jìn)一步地，所述正電極框架和負(fù)電極框架的整個(gè)底面具有圖案結(jié)構(gòu)。
[0008]進(jìn)一步地，所述圖案結(jié)構(gòu)為多個(gè)微槽結(jié)構(gòu)、微型凸點(diǎn)陣列、花紋結(jié)構(gòu)中的任意一種或兩種以上的組合。
[0009]進(jìn)一步地，所述引線框架底面的面積為上表面面積的1.5倍以上。
[0010]進(jìn)一步地，所述正電極框架和負(fù)電極框架之間具有間隙，所述正電極框架和負(fù)電極框架上具有與間隙相通的溝槽，所述溝槽和間隙內(nèi)填充有絕緣部件。
[0011]進(jìn)一步地，所述溝槽由引線框架的第一側(cè)面貫穿到與第一側(cè)面相對的第二側(cè)面，所述溝槽由引線框架底面靠近間隙的邊緣向內(nèi)凹陷形成，所述引線框架的底面與所述第一側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第一側(cè)凹槽，所述引線框架的底面與所述第二側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第二側(cè)凹槽。
[0012]進(jìn)一步地，所述溝槽由引線框架的第一側(cè)面貫穿到與第一側(cè)面相對的第二側(cè)面，所述溝槽由引線框架上表面靠近間隙的邊緣向內(nèi)凹陷形成，所述引線框架的上表面與所述第一側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第一側(cè)凹槽，所述引線框架的上表面與所述第二側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第二側(cè)凹槽。[0013]進(jìn)一步地，所述第一側(cè)凹槽和第二側(cè)凹槽內(nèi)分別填充有絕緣層，所述基座、絕緣部件及絕緣層是用熱硬化性環(huán)氧樹脂一體成型的結(jié)構(gòu)。
[0014]進(jìn)一步地，所述基座包括覆蓋于引線框架結(jié)合面的上基座和包覆于引線框架側(cè)面的下基座，所述下基座和絕緣部件及絕緣層為一體成型的結(jié)構(gòu)。
[0015]上述發(fā)光二極管支架中，在正電極框架和負(fù)電極框架的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，大大增加底面的表面積，如通過導(dǎo)熱膠與散熱器件結(jié)合時(shí)，結(jié)合更加緊密，可大幅降低熱阻，提高散熱效率。進(jìn)一步地，基座是熱硬化性樹脂基座，熱硬化性樹脂比傳統(tǒng)材料如熱塑性樹脂具有更好的散熱能力。這樣，基座和引線框架構(gòu)成一個(gè)立體化的散熱途徑，相較于現(xiàn)有的支架，上述支架的散熱效率將成倍增加，大幅提高其散熱性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架的立體結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架的底視圖。
[0020]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架的引線框架底面視角立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二的高散熱性發(fā)光二極管支架的引線框架底面視角立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例三的高散熱性發(fā)光二極管支架的引線框架底面視角立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下將結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0024]請參閱圖1到圖5，示出本實(shí)用新型實(shí)施例一的高散熱性發(fā)光二極管支架100，其包括線框架2和基座1，引線框架2和基座I限定一個(gè)反射凹腔4，所述引線框架2包括相互間隔的正電極框架21和負(fù)電極框架22，所述正電極框架21和負(fù)電極框架22的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，所述基座I是熱硬化性樹脂基座。
[0025]進(jìn)一步地，正電極框架21和負(fù)電極框架22的底面相對于反射凹腔4的部分區(qū)域或全部區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，如圖4和5所示，正電極框架21和負(fù)電極框架22的整個(gè)底面分別具有圖案結(jié)構(gòu)213、223。具體地，圖案結(jié)構(gòu)213、223為多個(gè)微槽結(jié)構(gòu)、微型凸點(diǎn)陣列、花紋結(jié)構(gòu)中的任意一種或兩種以上的組合。在圖4和5所示的實(shí)施例中，圖案結(jié)構(gòu)213、223為多個(gè)微槽結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，引線框架2的底面面積為上表面面積的1.5倍以上。引線框架底面的面積為上表面面積的1.5倍以上，以進(jìn)一步提高底面的散熱面積。具體可通過設(shè)置圖案結(jié)構(gòu)的分布、尺寸等來達(dá)到底面面積的提升。圖案結(jié)構(gòu)的深度或高度可以是引線框架2整體厚度的1/3。因此，引線框架2底面的圖案設(shè)計(jì)是為了增加其與散熱部件接觸的面積，圖案可以是任意凹或凸或凹凸組合的結(jié)構(gòu)，并不限于本實(shí)施例的具體示例。
[0026]進(jìn)一步地，如圖2、5所示，正電極框架21和負(fù)電極框架22之間具有間隙24，正電極框架21和負(fù)電極框架22上具有與間隙24相通的溝槽25，溝槽25和間隙24內(nèi)填充有絕緣部件26。具體地，如圖2和5所示，溝槽25由引線框架2底面靠近間隙24的邊緣向內(nèi)凹陷形成，以下描述皆以此為例說明。當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，溝槽25可以由引線框架2上表面靠近間隙24的邊緣向凹陷形成，即將圖中所示的溝槽25等相關(guān)結(jié)構(gòu)和位置倒置即可，在此不再贅述。
[0027]如圖4和5所示，溝槽25由引線框架2的第一側(cè)面201貫穿到與第一側(cè)面201相對的第二側(cè)面202，引線框架2的底面或上表面與第一側(cè)面201相交處內(nèi)凹有與溝槽25相通的第一側(cè)凹槽203，引線框架2的底面或上表面與第二側(cè)面202相交處內(nèi)凹有與溝槽25相通的第二側(cè)凹槽204。圖中以溝槽25是形成于引線框架2底面為例，兩個(gè)側(cè)凹槽203、204則形成于引線框架2的底面與第一、第二側(cè)面201、202相交處。第一側(cè)凹槽203沿著整個(gè)第一側(cè)面201方向延伸，第二側(cè)凹槽204沿著整個(gè)第二側(cè)面202方向延伸，由此溝槽25和第一側(cè)凹槽203、第二側(cè)凹槽204構(gòu)成工字形槽。間隙24和溝槽25組合的截面呈T字形。這樣，提高外界水分、氧氣、雜質(zhì)進(jìn)入支架100內(nèi)部的難度，提高支架100的可靠性。如圖5所示，第一側(cè)凹槽203和第二側(cè)凹槽204內(nèi)分別填充有絕緣層。絕緣層為熱硬化性環(huán)氧樹脂層。優(yōu)選地，基座1、絕緣部件26及絕緣層是用熱硬化性環(huán)氧樹脂一體成型的結(jié)構(gòu)。具體地，基座I是熱硬化性環(huán)氧樹脂基座，絕緣部件26和絕緣層是熱硬化性環(huán)氧樹脂層。
[0028]如圖2所示，基座I包括覆蓋于引線框架2結(jié)合面的上基座I和包覆于引線框架2側(cè)面的下基座1，下基座I和絕緣部件26及絕緣層為一體成型的結(jié)構(gòu)，并且可以是與引線框架2通過模壓成型的結(jié)構(gòu)。
[0029]請參閱圖6，示出本實(shí)用新型實(shí)施例二的高散熱性發(fā)光二極管支架的引線框架2，實(shí)施例二的支架與實(shí)施例一的支架結(jié)構(gòu)基本相同，圖6和圖1-5中相同的標(biāo)號表不相同的元件，兩個(gè)實(shí)施例不同之處在于引線框架2的底面結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，引線框架2的底面圖案結(jié)構(gòu)213、223為多個(gè)微型凸點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)。凸點(diǎn)的高度優(yōu)選為框架2整體厚度的1/3。微型凸點(diǎn)陣列中凸點(diǎn)的密度越密集越好。
[0030]請參閱圖7，示出本實(shí)用新型實(shí)施例三的高散熱性發(fā)光二極管支架的引線框架2，實(shí)施例三的支架與實(shí)施例一的支架結(jié)構(gòu)基本相同，圖7和圖1-5中相同的標(biāo)號表不相同的元件，兩個(gè)實(shí)施例不同之處在于引線框架2的底面結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例三中，引線框架2的底面圖案結(jié)構(gòu)213、223為花紋?；y可以是陰紋或陽紋，圖示為波紋形狀，還可以是凹陷或凸起的三角形、十字形等紋理。
[0031]在上述高散熱性發(fā)光二極管支架100中，在正電極框架21和負(fù)電極框架22的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，大大增加底面的表面積，如通過導(dǎo)熱膠與散熱器件結(jié)合時(shí)，結(jié)合更加緊密，可大幅降低熱阻，提高散熱效率。進(jìn)一步地，基座I是熱硬化性樹脂基座，熱硬化性樹脂比傳統(tǒng)材料如熱塑性樹脂具有更好的散熱能力。這樣，基座I和引線框架2構(gòu)成一個(gè)立體化的散熱途徑，相較于現(xiàn)有的支架，上述支架100的散熱效率將成倍增加，大幅提高其散熱性能。
[0032]需要說明的是，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施方式，根據(jù)本實(shí)用新型的創(chuàng)造精神，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以做出其他變化，這些依據(jù)本實(shí)用新型的創(chuàng)造精神所做的變化，都應(yīng)包含在本實(shí)用新型所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高散熱性發(fā)光二極管支架，其包括引線框架和設(shè)于引線框架上的基座，所述引線框架和基座限定一個(gè)反射凹腔，所述引線框架包括相互間隔的正電極框架和負(fù)電極框架，其特征在于，所述正電極框架和負(fù)電極框架的底面至少部分區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)，所述基座是熱硬化性樹脂基座。
2.如權(quán)利要求1所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述正電極框架和負(fù)電極框架的底面相對于反射凹腔的部分區(qū)域或全部區(qū)域具有圖案結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述正電極框架和負(fù)電極框架的整個(gè)底面具有圖案結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述圖案結(jié)構(gòu)為多個(gè)微槽結(jié)構(gòu)、微型凸點(diǎn)陣列、花紋結(jié)構(gòu)中的任意一種或兩種以上的組合。
5.如權(quán)利要求4所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述引線框架底面的面積為上表面面積的1.5倍以上。
6.如權(quán)利要求1所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述正電極框架和負(fù)電極框架之間具有間隙，所述正電極框架和負(fù)電極框架上具有與間隙相通的溝槽，所述溝槽和間隙內(nèi)填充有絕緣部件。
7.如權(quán)利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述溝槽由引線框架的第一側(cè)面貫穿到與第一側(cè)面相對的第二側(cè)面，所述溝槽由引線框架底面靠近間隙的邊緣向內(nèi)凹陷形成，所述引線框架的底面與所述第一側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第一側(cè)凹槽，所述引線框架的底面與所述第二側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第二側(cè)凹槽。
8.如權(quán)利要求6所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述溝槽由引線框架的第一側(cè)面貫穿到與第一側(cè)面相對的第二側(cè)面，所述溝槽由引線框架上表面靠近間隙的邊緣向內(nèi)凹陷形成，所述引線框架的上表面與所述第一側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第一側(cè)凹槽，所述引線框架的上表面與所述第二側(cè)面相交處內(nèi)凹有與溝槽相通的第二側(cè)凹槽。
9.如權(quán)利要求7或8所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述第一側(cè)凹槽和第二側(cè)凹槽內(nèi)分別填充有絕緣層，所述基座、絕緣部件及絕緣層是用熱硬化性環(huán)氧樹脂一體成型的結(jié)構(gòu)，所述基座是熱硬化性環(huán)氧樹脂基座，所述絕緣部件和絕緣層是熱硬化性環(huán)氧樹脂層。
10.如權(quán)利要求9所述的高散熱性發(fā)光二極管支架，其特征在于，所述基座包括覆蓋于引線框架結(jié)合面的上基座和包覆于引線框架側(cè)面的下基座，所述下基座和絕緣部件及絕緣層為一體成型的結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L33/48GK203721760SQ201320890704
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】程志堅(jiān) 申請人:深圳市斯邁得光電子有限公司