一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，它涉及微波通信【技術(shù)領(lǐng)域】。射頻電阻芯片(1)通過(guò)焊錫膏焊接在磁性金屬底座(2)上，射頻電阻芯片(1)的焊點(diǎn)與微帶電路(4)的一個(gè)引腳焊接，鐵氧體基片(3)固定在磁性金屬底座(2)上，微帶電路(4)通過(guò)光刻技術(shù)電鍍?cè)阼F氧體基片(3)的上表面，兩個(gè)陶瓷片(5)分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在微帶電路(4)上，兩個(gè)永磁體(6)分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在兩個(gè)陶瓷片(5)上。它結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，工藝簡(jiǎn)單，精確度高，可靠性高，體積小巧，承受功率大，適用于表面貼裝，易于微波電路集成，滿足小型化、高功率的要求。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本實(shí)用新型涉及微波通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器。
【背景技術(shù)】:
[0002]上世紀(jì)中葉，微波技術(shù)中的一大突破是鐵氧體的發(fā)現(xiàn)，它是一種金屬氧化物構(gòu)成的陶瓷性磁性材料，利用這種材料在直流磁場(chǎng)和微波場(chǎng)共同作用下呈現(xiàn)出的旋磁效應(yīng)制成的微波鐵氧體器件如隔離器、環(huán)行器、移相器等，在二次世界大戰(zhàn)中解決了雷達(dá)的級(jí)間隔離，阻抗以及天線共用等一系列實(shí)際問(wèn)題，極大地提高了雷達(dá)系統(tǒng)的戰(zhàn)術(shù)性能，成為其中的關(guān)鍵部件之一，隨著微波鐵氧體技術(shù)的不斷發(fā)展，80%以上用于軍事，包括精密制導(dǎo)雷達(dá)，艦載雷達(dá)，機(jī)載遠(yuǎn)程警戒預(yù)警雷達(dá)，導(dǎo)航，炮瞄雷達(dá)等都采用了相控陣天線，支持了如AEGIS、PATROT等大型相控陣?yán)走_(dá)的發(fā)展，冷戰(zhàn)結(jié)束后，美俄等發(fā)達(dá)國(guó)家也實(shí)行了“軍轉(zhuǎn)民”戰(zhàn)略，微波鐵氧體器件的應(yīng)用逐漸大量向民用方面轉(zhuǎn)移，并逐漸在衛(wèi)星通信、微波通信、微波能應(yīng)用，醫(yī)療、微波測(cè)量技術(shù)等多種電子設(shè)備中起到特殊的作用，其中微波鐵氧體隔離器/環(huán)行器在這一時(shí)期也得到了迅猛的發(fā)展，自美國(guó)的C.L.Hogen研制出第一個(gè)法拉第旋轉(zhuǎn)環(huán)行器以來(lái)，已研制出如結(jié)環(huán)行器、波導(dǎo)四端口差相移式環(huán)行器、場(chǎng)移式隔離器、同軸線諧振吸收式隔離器等多種類(lèi)型和功能各異鐵氧體環(huán)行器和隔離器。
[0003]微波鐵氧體環(huán)行器廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)中，隨著無(wú)線電技術(shù)以及微波集成電路的迅速發(fā)展，促使器件向著小型化、輕量化、易集成、高性能、高功率方向發(fā)展?，F(xiàn)有的微波鐵氧體環(huán)行器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不夠合理，工藝復(fù)雜、精確度不高、可靠性不好、體積大、所承受的功率比較小，適用范圍不夠廣泛，無(wú)法滿足小型化、高功率的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容:
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，它結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，工藝簡(jiǎn)單，精確度高，可靠性高，體積小巧，承受功率大，適用于表面貼裝，易于微波電路集成，滿足小型化、高功率的要求。
[0005]為了解決【背景技術(shù)】所存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案:它是由射頻電阻芯片1、磁性金屬底座2、鐵氧體基片3、微帶電路4、陶瓷片5和永磁體6組成；射頻電阻芯片I通過(guò)焊錫膏焊接在磁性金屬底座2上，射頻電阻芯片I的焊點(diǎn)與微帶電路4的一個(gè)引腳焊接，鐵氧體基片3固定在磁性金屬底座2上，微帶電路4通過(guò)光刻技術(shù)電鍍?cè)阼F氧體基片3的上表面，兩個(gè)陶瓷片5分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在微帶電路4上，兩個(gè)永磁體6分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在兩個(gè)陶瓷片5上。
[0006]所述的磁性金屬底座2采用鋼制材料制作而成。
[0007]所述的鐵氧體基片3采用尖晶石材料制作而成，且鐵氧體基片3的上表面采取拋光處理，利用化學(xué)方法去油污以及雜質(zhì)粒子，物理方法對(duì)表面進(jìn)行活化、去除吸附雜質(zhì)，保證電路膜層的附著力。[0008]所述的永磁體6為釤鈷永磁體。
[0009]所述的永磁體6的中心軸線、陶瓷片5的中心軸線與微帶電路4圓盤(pán)的中心軸線
相重疊。
[0010]本實(shí)用新型通過(guò)金絲鍵合技術(shù)與微波電路4相連接，適用于表面貼裝，易于微波電路集成。
[0011]本實(shí)用新型保證了永磁體6縱向磁化鐵氧體基片3，鐵氧體基片3邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于磁性金屬底座2與鐵氧體基片3的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，能夠在焊接時(shí)保護(hù)鐵氧體基片3，降低了由于焊接而導(dǎo)致鐵氧體基片3開(kāi)裂的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品的可靠性。
[0012]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，工藝簡(jiǎn)單，精確度高，可靠性高，體積小巧，承受功率大，適用于表面貼裝，易于微波電路集成，滿足小型化、高功率的要求。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】:
[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本實(shí)用新型的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】:
[0015]參照?qǐng)D1，圖2，本【具體實(shí)施方式】采用以下技術(shù)方案:它是由射頻電阻芯片1、磁性金屬底座2、鐵氧體基片3、微帶電路4、陶瓷片5和永磁體6組成；射頻電阻芯片I通過(guò)焊錫膏焊接在磁性金屬底座2上，射頻電阻芯片I的焊點(diǎn)與微帶電路4的一個(gè)引腳焊接，鐵氧體基片3固定在磁性金屬底座2上，微帶電路4通過(guò)光刻技術(shù)電鍍?cè)阼F氧體基片3的上表面，兩個(gè)陶瓷片5分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在微帶電路4上，兩個(gè)永磁體6分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在兩個(gè)陶瓷片5上。
[0016]所述的磁性金屬底座2采用鋼制材料制作而成。
[0017]所述的鐵氧體基片3采用尖晶石材料制作而成，且鐵氧體基片3的上表面采取拋光處理，利用化學(xué)方法去油污以及雜質(zhì)粒子，物理方法對(duì)表面進(jìn)行活化、去除吸附雜質(zhì)，保證電路膜層的附著力。
[0018]所述的永磁體6為釤鈷永磁體。
[0019]所述的永磁體6的中心軸線、陶瓷片5的中心軸線與微帶電路4圓盤(pán)的中心軸線
相重疊。
[0020]本【具體實(shí)施方式】通過(guò)金絲鍵合技術(shù)與微波電路4相連接，適用于表面貼裝，易于微波電路集成。
[0021]本【具體實(shí)施方式】保證了永磁體6縱向磁化鐵氧體基片3，鐵氧體基片3邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于磁性金屬底座2與鐵氧體基片3的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，能夠在焊接時(shí)保護(hù)鐵氧體基片3，降低了由于焊接而導(dǎo)致鐵氧體基片3開(kāi)裂的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品的可靠性。
[0022]本【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，工藝簡(jiǎn)單，精確度高，可靠性高，體積小巧，承受功率大，適用于表面貼裝，易于微波電路集成，滿足小型化、高功率的要求。
【權(quán)利要求】
1.一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，其特征在于它是由射頻電阻芯片(I)、磁性金屬底座(2)、鐵氧體基片(3)、微帶電路(4)、陶瓷片(5)和永磁體(6)組成；射頻電阻芯片(I)通過(guò)焊錫膏焊接在磁性金屬底座(2)上，射頻電阻芯片(I)的焊點(diǎn)與微帶電路(4)的一個(gè)引腳焊接，鐵氧體基片(3)固定在磁性金屬底座(2)上，微帶電路(4)通過(guò)光刻技術(shù)電鍍?cè)阼F氧體基片(3)的上表面，兩個(gè)陶瓷片(5)分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在微帶電路(4)上，兩個(gè)永磁體(6)分別通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂膠合在兩個(gè)陶瓷片(5)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，其特征在于所述的磁性金屬底座(2)采用鋼制材料制作而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，其特征在于所述的鐵氧體基片(3)采用尖晶石材料制作而成，且鐵氧體基片(3)的上表面采取拋光處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，其特征在于所述的永磁體(6)為釤鈷永磁體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微帶基片式雙結(jié)大功率環(huán)行器，其特征在于所述的永磁體(6)的中心軸線、陶瓷片5的中心軸線與微帶電路(4)圓盤(pán)的中心軸線相重疊。
【文檔編號(hào)】H01P1/387GK203690463SQ201320883855
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】劉曠希, 唐正龍 申請(qǐng)人:南京廣順電子技術(shù)研究所