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晶圓保護(hù)裝置制造方法

文檔序號(hào):7033062閱讀:213來源:國知局
晶圓保護(hù)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種晶圓保護(hù)裝置,包括一殼體,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體具有一開口,所述開口用于向所述晶圓放置腔內(nèi)取放晶圓,所述殼體上還設(shè)置有至少一氣體通道,所述氣體通道用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體。在本實(shí)用新型中,當(dāng)對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗后,將所述晶圓放入所述晶圓放置腔內(nèi),所述保護(hù)氣體可以有效地隔絕空氣,避免所述晶圓裸露在空氣中,避免空氣中的氧氣與所述晶圓進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),從而改善晶圓背面發(fā)霧色的情況。
【專利說明】晶圓保護(hù)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種晶圓保護(hù)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造的后段(back end)工藝制程中,需要先將晶圓(wafer)的背面進(jìn)行清洗,之后再對(duì)晶圓背面進(jìn)行金屬生長。為了避免晶圓背面清洗時(shí)對(duì)晶圓正面的圖形造成損傷,需要在晶圓的正面貼一層保護(hù)膜。一般,需要經(jīng)歷如下步驟:
[0003]首先,如圖1所示,在晶圓10的正面IOA貼一層保護(hù)膜11,保護(hù)膜11的材質(zhì)通常為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或EVA (乙烯-醋酸乙烯共聚物),可以有效地防止在清洗過程中去損傷液滲入保護(hù)膜11的表面,從而防止侵蝕晶圓10正面IOA的管芯;
[0004]之后,再對(duì)晶圓10的背面IOB進(jìn)行清洗,并進(jìn)行甩干。經(jīng)過清洗,晶圓10的厚度會(huì)減??;
[0005]然后,將晶圓10正面IOA的保護(hù)膜11揭掉;
[0006]隨后,將晶圓10裝進(jìn)蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)行蒸發(fā)干燥,以進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0007]然而,在現(xiàn)有技術(shù)的制備過程中,對(duì)晶圓10清洗后到將晶圓10裝進(jìn)蒸發(fā)臺(tái)之間的時(shí)間很難管控;另外,對(duì)晶圓10清洗后到將晶圓10裝進(jìn)蒸發(fā)臺(tái)之間的步驟均為手動(dòng)操作,在此過程中,晶圓10完全裸露在空氣中,使清洗過程中HF(氫氟酸)漂洗過的晶圓10的背面IOB的Si(硅)再次與空氣中O2(氧氣)接觸,晶圓10裸露空氣中隨放置時(shí)間增長,背面IOB發(fā)霧色差異常越明顯,從而影響晶圓10的性能。
[0008]因此,如何提高一種晶圓保護(hù)裝置,能夠避免或減少晶圓背面被氧化的情況,已成為本領(lǐng)域急需解決的技術(shù)問題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0009]本實(shí)用新型的目的是提供一種晶圓保護(hù)裝置,能夠避免或減少晶圓背面被氧化的情況,改善晶圓背面發(fā)霧色的情況。
[0010]為解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種晶圓保護(hù)裝置包括一殼體,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體具有一開口,所述開口用于向所述晶圓放置腔內(nèi)取放晶圓,所述殼體上還設(shè)置有至少一用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體的氣體通道。。
[0011]進(jìn)一步的,所述晶圓保護(hù)裝置還包括一過濾裝置,所述氣體通道向所述過濾裝置通入保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾裝置后,均勻地進(jìn)入所述晶圓放置腔。
[0012]進(jìn)一步的,所述過濾裝置為一過濾層,所述過濾層與所述殼體之間形成一氣體緩沖區(qū),所述氣體通道向所述氣體緩沖區(qū)內(nèi)通入所述保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾層后,進(jìn)入所述晶圓放置腔。
[0013]進(jìn)一步的,所述過濾層為實(shí)體板,所述過濾層上具有氣體孔,所述保護(hù)氣體通過所述氣體孔進(jìn)入所述晶圓放置腔。
[0014]進(jìn)一步的,所述過濾層為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)板,所述過濾層上具有孔眼,所述保護(hù)氣體通過所述孔眼進(jìn)入所述晶圓放置腔。
[0015]進(jìn)一步的,所述過濾裝置為蜂窩狀過濾器。
[0016]進(jìn)一步的,所述殼體為一長方體,所述開口位于所述殼體的頂面,所述氣體通道位于所述殼體的側(cè)面。
[0017]進(jìn)一步的,所述氣體通道位于所述側(cè)面的高度的四分之一以下。
[0018]進(jìn)一步的,所述氣體通道內(nèi)保護(hù)氣體的流量為10磅/平方英尺?30磅/平方英尺。
[0019]進(jìn)一步的,所述保護(hù)氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的所述晶圓保護(hù)裝置主要具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]1、在本實(shí)用新型提供的所述晶圓保護(hù)裝置中,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體上還設(shè)置有至少一氣體通道,所述氣體通道用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體,與現(xiàn)有技術(shù)相比,當(dāng)對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗后,將所述晶圓放入所述晶圓放置腔內(nèi),所述保護(hù)氣體可以有效地隔絕空氣,避免所述晶圓裸露在空氣中,避免空氣中的氧氣與所述晶圓進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),從而改善晶圓背面發(fā)霧色的情況。
[0022]2、在本實(shí)用新型提供的所述晶圓保護(hù)裝置中,所述晶圓保護(hù)裝置還包括一過濾裝置,所述氣體通道向所述過濾裝置通入保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾裝置后,均勻地進(jìn)入所述晶圓放置腔,所述晶圓保護(hù)裝置可以使所述保護(hù)氣體均勻地分散到所述晶圓放置腔內(nèi),使得所述晶圓放置腔中的晶圓得到充分地保護(hù);并且可以避免所述保護(hù)氣體的氣流直接沖擊所述晶圓,降低碎片的風(fēng)險(xiǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)晶圓貼保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中揭掉晶圓上保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的立體圖;
[0026]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的主視圖;
[0027]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的右視圖;
[0028]圖6為圖5沿AA’線的剖面圖;
[0029]圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例中將晶圓放入晶圓保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖8為本實(shí)用新型二實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的剖視圖;
[0031]圖9為本實(shí)用新型二實(shí)施例中過濾層的示意圖;
[0032]圖10為本實(shí)用新型中晶圓保護(hù)裝置對(duì)晶圓保護(hù)效果的示意圖。
[0033]圖11為本實(shí)用新型三實(shí)施例中過濾層的示意圖;
[0034]圖12為本實(shí)用新型四實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的晶圓保護(hù)裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型,而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。[0036]為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0037]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0038]本實(shí)用新型的核心思想在于,提供一種晶圓保護(hù)裝置,所述晶圓保護(hù)裝置包括一殼體,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體具有一開口,所述開口用于向所述晶圓放置腔內(nèi)取放晶圓,所述殼體上還設(shè)置有至少一氣體通道,所述氣體通道用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體,當(dāng)對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗后,將所述晶圓放入所述晶圓放置腔內(nèi),所述保護(hù)氣體可以有效地隔絕空氣,避免所述晶圓裸露在空氣中,避免空氣中的氧氣與所述晶圓進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),從而改善晶圓背面發(fā)霧色的情況。
[0039]以下列舉所述晶圓保護(hù)裝置的幾個(gè)實(shí)施例,以清楚說明本實(shí)用新型的內(nèi)容,應(yīng)當(dāng)明確的是,本實(shí)用新型的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例,其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0040]【第一實(shí)施例】
[0041]以下請(qǐng)參考圖3-圖7,具體說明本實(shí)用新型一實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)。如圖3所示,所述晶圓保護(hù)裝置100 —?dú)んw110和氣體通道120。
[0042]所述殼體110內(nèi)形成一晶圓放置腔112,如圖6所不,所述殼體110具有一開口111,所述開口 111用于向所述晶圓放置腔112內(nèi)取放晶圓。所述殼體110上還設(shè)置有至少一氣體通道120,所述氣體通道120用于向所述晶圓放置腔112內(nèi)通入保護(hù)氣體。
`[0043]較佳的,在本實(shí)施例中,所述殼體110為一長方體,所述開口 111位于所述殼體110的頂面,所述氣體通道120位于所述殼體110的側(cè)面。但是,所述殼體110的形狀并不限于為長方體,所述殼體110的形狀還可以為圓柱形等形狀,具體不做限制,只要可以容納晶圓,亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi);另外,所述開口 111的位置以及大小并不限于位于所述殼體110的頂面,所述開口 111還可以位于所述殼體110的側(cè)面,亦可以取放晶圓,其中,所述開口 111的尺寸越大,越有利于取放晶圓,所述開口 111的尺寸越小,越有利于使得所述保護(hù)氣體充滿整個(gè)所述晶圓放置腔112 ;當(dāng)然,所述氣體通道120的位置并不限于位于所述殼體Iio的側(cè)面,所述氣體通道120還可以位于所述殼體110的底面等。
[0044]在本實(shí)施例中,所述殼體110上設(shè)置有一個(gè)氣體通道120,但是在本實(shí)用新型的其它實(shí)施例中,所述殼體110上設(shè)置有多個(gè)氣體通道120,例如,所述晶圓保護(hù)裝置100具有4個(gè)氣體通道120,所述殼體110的每個(gè)側(cè)面上均設(shè)置有一個(gè)氣體通道120。但是,所述氣體通道120的個(gè)數(shù)并不作限制,具體根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。
[0045]較佳的,所述氣體通道120的位置靠近所述殼體110的底面,以使得整個(gè)所述晶圓放置腔112均充滿所述保護(hù)氣體,使得所述晶圓得到充分的保護(hù)。優(yōu)選的,所述氣體通道120位于所述側(cè)面的高度的四分之一以下,可以使得所述氣體通道120的位置靠近所述殼體110的底面。[0046]較佳的,所述氣體通道120內(nèi)保護(hù)氣體的流量為10磅/平方英尺~30磅/平方英尺,例如15磅/平方英尺、20磅/平方英尺、25磅/平方英尺,可以有效地保證所述保護(hù)氣體充滿整個(gè)所述晶圓放置腔112,又可以避免所述保護(hù)氣體的氣流過度沖擊所述晶圓,從而避免所述晶圓破裂。但是,所述氣體通道120內(nèi)保護(hù)氣體的流量并不限于為10磅/平方英尺~30磅/平方英尺,例如還可以為5磅/平方英尺或40磅/平方英尺等,可以根據(jù)所述晶圓放置腔112的大小以及所述氣體通道120的數(shù)量進(jìn)行設(shè)置。
[0047]其中,所述保護(hù)氣體為不與所述晶圓發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的氣體,例如氮?dú)饣蚨栊詺怏w等,但是所述保護(hù)氣體并不限于為氮?dú)饣蚨栊詺怏w,還可以為氫氣等非氧化氣體,亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0048]當(dāng)所述的晶圓保護(hù)裝置100在使用時(shí),首先,通過所述氣體通道120向所述晶圓放置腔內(nèi)112通入保護(hù)氣體。
[0049]然后,將多個(gè)晶圓10放入所述晶圓放置腔112內(nèi),如圖7所示。其中,所述晶圓10表面具有保護(hù)膜,(所述保護(hù)膜未具體示出)。所述晶圓10在所述晶圓放置腔112的防止方式并不作限制,并且,所述晶圓10在所述晶圓放置腔112內(nèi)的數(shù)量亦不做限制。
[0050]接著,將其中一個(gè)所述晶圓10取出,將取出的所述晶圓10的保護(hù)膜揭掉后,將揭掉保護(hù)膜的所述晶圓10放入所述晶圓放置腔112內(nèi)。在此過程中,所述保護(hù)氣體可以有效地隔絕空氣,避免所述晶圓放置腔112內(nèi)的所述晶圓10裸露在空氣中,避免空氣中的氧氣與所述晶圓10進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),從而改善晶圓10背面發(fā)霧色的情況。
[0051]繼續(xù)重復(fù)所述晶圓10取出的步驟,直到所有的所述晶圓10的保護(hù)膜均被揭掉之后,所述晶圓10可以繼續(xù)進(jìn)行下步工序。
[0052]【第二實(shí)施例】
[0053]請(qǐng)參閱圖8-圖9,圖8為本實(shí)用新型二實(shí)施例中晶圓保護(hù)裝置的剖視圖;圖9為本實(shí)用新型二實(shí)施例中過濾層的示意圖。在圖8-圖9中,參考標(biāo)號(hào)表示與圖3-圖7相同的表述與第一實(shí)施方式相同的部件。所述第二實(shí)施例的晶圓保護(hù)裝置200與所述第一實(shí)施例的晶圓保護(hù)裝置100基本相同,其區(qū)別在于:所述晶圓保護(hù)裝置200還包括一過濾裝置,所述氣體通道120向所述過濾裝置通入保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾裝置后,均勻地進(jìn)入所述晶圓放置腔112。
[0054]在本實(shí)施例中,所述過濾裝置為一過濾層230,如圖8所示,所述過濾層230與所述殼體之間形成一氣體緩沖區(qū)231,所述氣體通道120向所述氣體緩沖區(qū)213內(nèi)通入所述保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾層230后,進(jìn)入所述晶圓放置腔112。在本實(shí)施例中,所述開口 111位于所述晶圓放置腔112背離所述過濾層230的一側(cè)。
[0055]較佳的,在本實(shí)施例中,所述過濾層230為實(shí)體板,如圖9所示,所述過濾層230上具有氣體孔231,所述保護(hù)氣體通過所述氣體孔231進(jìn)入所述晶圓放置腔112。所述氣體通道向所述過濾層230通入保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾層230后,均勻地進(jìn)入所述晶圓放置腔112,所述過濾層230可以使所述保護(hù)氣體均勻地分散到所述晶圓放置腔112內(nèi),使得所述晶圓放置腔112中的晶圓得到充分地保護(hù);并且可以避免所述保護(hù)氣體的氣流直接沖擊所述晶圓,降低碎片的風(fēng)險(xiǎn)。
[0056]實(shí)用新型人將本實(shí)用新型第一實(shí)施例以及第二實(shí)施例的晶圓保護(hù)裝置的保護(hù)效果進(jìn)行檢測,同時(shí)提供一對(duì)比實(shí)施例。其中,對(duì)晶圓進(jìn)行以下處理:[0057]對(duì)比實(shí)驗(yàn):將第一片晶圓的背面進(jìn)行清洗后,直接放置在空氣中,分別在30分鐘、60分鐘、90分鐘時(shí),對(duì)第一片晶圓的背面進(jìn)行檢測;
[0058]實(shí)驗(yàn)一:將第二片晶圓的背面進(jìn)行清洗后,放置在第一實(shí)施例中的晶圓保護(hù)裝置100中,分別在30分鐘、60分鐘、90分鐘時(shí),對(duì)第二片晶圓的背面進(jìn)行檢測;
[0059]實(shí)驗(yàn)二:將第三片晶圓的背面進(jìn)行清洗后,放置在第二實(shí)施例中的晶圓保護(hù)裝置200中,分別在30分鐘、60分鐘、90分鐘時(shí),對(duì)第三片晶圓的背面進(jìn)行檢測。
[0060]由圖10可以看出,第一片晶圓在空氣中暴露三個(gè)月之后,背面全部被氧化而發(fā)霧;而第二片晶圓和第三片晶圓沒有被氧化,由此可以看出,所述晶圓保護(hù)裝置100和晶圓保護(hù)裝置200可以有效地保護(hù)晶圓,防止晶圓的背面氧化。
[0061]本實(shí)用新型的晶圓保護(hù)裝置并不限于上述結(jié)構(gòu),例如,在第二實(shí)施例中,所述過濾層330還可以為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)板,如圖11所示,所述過濾層330上具有孔眼331,所述保護(hù)氣體通過所述孔眼331進(jìn)入所述晶圓放置腔112,亦可以使所述保護(hù)氣體均勻地分散到所述晶圓放置腔112內(nèi),亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi);另外,所述過濾裝置還可以為蜂窩狀過濾器,如圖3所示,亦可以使所述保護(hù)氣體均勻地分散到所述晶圓放置腔112內(nèi),亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0062]綜上,本實(shí)用新型提供一種晶圓保護(hù)裝置,在本實(shí)用新型提供的所述晶圓保護(hù)裝置中,所述晶圓保護(hù)裝置包括一殼體,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體具有一開口,所述開口用于向所述晶圓放置腔內(nèi)取放晶圓,所述殼體上還設(shè)置有至少一氣體通道,所述氣體通道用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體,當(dāng)對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗后,將所述晶圓放入所述晶圓放置腔內(nèi),所述保護(hù)氣體可以有效地隔絕空氣,避免所述晶圓裸露在空氣中,避免空氣中的氧氣與所述晶圓進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),從而改善晶圓背面發(fā)霧色的情況。
[0063]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本實(shí)用新型,任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾,因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,包括一殼體,所述殼體內(nèi)形成一晶圓放置腔,所述殼體具有一開口,所述開口用于向所述晶圓放置腔內(nèi)取放晶圓,所述殼體上還設(shè)置有至少一用于向所述晶圓放置腔內(nèi)通入保護(hù)氣體的氣體通道。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述晶圓保護(hù)裝置還包括一過濾裝置,所述氣體通道向所述過濾裝置通入保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾裝置后,均勻地進(jìn)入所述晶圓放置腔。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述過濾裝置為一過濾層,所述過濾層與所述殼體之間形成一氣體緩沖區(qū),所述氣體通道向所述氣體緩沖區(qū)內(nèi)通入所述保護(hù)氣體,所述保護(hù)氣體經(jīng)所述過濾層后,進(jìn)入所述晶圓放置腔。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述過濾層為實(shí)體板,所述過濾層上具有氣體孔,所述保護(hù)氣體通過所述氣體孔進(jìn)入所述晶圓放置腔。
5.如權(quán)利要求3所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述過濾層為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)板,所述過濾層上具有孔眼,所述保護(hù)氣體通過所述孔眼進(jìn)入所述晶圓放置腔。
6.如權(quán)利要求2所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述過濾裝置為蜂窩狀過濾器。
7.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述殼體為一長方體,所述開口位于所述殼體的頂面,所述氣體通道位于所述殼體的側(cè)面。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述氣體通道位于所述側(cè)面的高度的四分之一以下。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述氣體通道內(nèi)保護(hù)氣體的流量為10磅/平方英尺?30磅/平方英尺。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓保護(hù)裝置,其特征在于,所述保護(hù)氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
【文檔編號(hào)】H01L21/673GK203631514SQ201320813962
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】楊亞峰, 朱岸雄, 李春雷, 徐文豐, 封國齊 申請(qǐng)人:杭州士蘭集成電路有限公司
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