一種功率型cob集成封裝led光源的制作方法
【專利摘要】一種功率型COB集成封裝LED光源，包括襯底、散熱板、LED芯片、電極、絕緣層、反光腔；所述散熱板與襯底一體設(shè)置；所述散熱板為銅基線路板，該散熱板中間位置設(shè)有反光腔，反光腔為圓形凹槽狀；所述散熱板正面設(shè)有絕緣層，該絕緣層為導(dǎo)熱膠層；所述LED芯片設(shè)置在該反光腔內(nèi)，該LED芯片通過共晶焊接在散熱板的正面。本實(shí)用新型的特點(diǎn)是用銅基線路板替代鋁基線路板，同時(shí)將LED芯片直接固定在散熱板上，使LED芯片與散熱板直接接觸，使導(dǎo)熱路徑縮短至最短，絕緣層采用導(dǎo)熱膠替代玻璃纖維，熱阻更小，導(dǎo)熱速度快，單位面積封裝LED的數(shù)量和功率都可相應(yīng)增加。
【專利說明】—種功率型COB集成封裝LED光源
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED光源【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種功率型COB集成封裝LED光源。
【背景技術(shù)】
[0002]LED是一種發(fā)光的半導(dǎo)體元件，由于其可控性好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小巧，色彩純正、豐富，耐沖擊，耐振動(dòng)，響應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，被公認(rèn)是21世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)產(chǎn)品之一，在引發(fā)照明革命的同時(shí)，也為推動(dòng)節(jié)能減排、環(huán)境保護(hù)做出重大貢獻(xiàn)。
[0003]目前，大功率LED也已推出，并逐步走向市場(chǎng)。這使得超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。公知的技術(shù)中，基于鋁、氧化鋁、氮化鋁等襯底的COB封裝技術(shù)已被半導(dǎo)體照明業(yè)界所廣為采用，一般的COB封裝都是將芯片邦定在鋁基線路板上，熱阻比較大，單位面積所做的封裝功率相對(duì)較小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種功率型COB集成封裝LED光源，用以解決上述技術(shù)問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種功率型COB集成封裝LED光源，包括襯底、散熱板、LED芯片、電極、絕緣層、反光腔；所述散熱板與襯底一體設(shè)置；所述散熱板為銅基線路板，該散熱板中間位置設(shè)有反光腔，反光腔為圓形凹槽狀；所述散熱板正面設(shè)有絕緣層，該絕緣層為導(dǎo)熱膠層；所述LED芯片設(shè)置在該反光腔內(nèi)，該LED芯片通過共晶焊接在散熱板的正面；所述LED芯片包括多個(gè)串聯(lián)的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片，其中串聯(lián)后的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片并聯(lián)設(shè)置。
[0006]作為優(yōu)選，所述LED芯片為雙電極LED芯片，其中串聯(lián)后的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片分別與電極電性連接。
[0007]作為優(yōu)選，所述反光腔內(nèi)的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片的數(shù)量相等。
[0008]作為優(yōu)選，所述紅光芯片和綠光芯片交錯(cuò)設(shè)置，且呈環(huán)形分布；所述藍(lán)光芯片呈環(huán)形等距分布，并設(shè)置在紅光芯片和綠光芯片組成的列陣內(nèi)圈。
[0009]本實(shí)用新型的特點(diǎn)是用銅基線路板替代鋁基線路板，同時(shí)將LED芯片直接固定在散熱板上，使LED芯片與散熱板直接接觸，使導(dǎo)熱路徑縮短至最短，絕緣層采用導(dǎo)熱膠替代玻璃纖維，熱阻更小，導(dǎo)熱速度快，單位面積封裝LED的數(shù)量和功率都可相應(yīng)增加。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:1)用銅基板替代鋁基板，熱阻小，導(dǎo)熱速度快。
[0011]2)絕緣層采用導(dǎo)熱膠替代玻璃纖維，減小熱阻。
[0012]3)在IOmm的小直徑內(nèi)可實(shí)現(xiàn)30瓦的封裝功率。
[0013]4)可實(shí)現(xiàn)小面積內(nèi)高亮LED全彩變化。
[0014]5)可照射面積更大，使用范圍更廣?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體說明。
[0017]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖1可知，一種功率型COB集成封裝LED光源，主要由襯底10、散熱板4、LED芯片、電極、絕緣層7、反光腔9等組成，其中散熱板4與襯底10 —體設(shè)置。散熱板4為銅基線路板，該散熱板4中間位置設(shè)有反光腔9，反光腔9為圓形凹槽狀；所述散熱板4正面設(shè)有絕緣層7，該絕緣層7為導(dǎo)熱膠層；所述LED芯片設(shè)置在該反光腔9內(nèi)，該LED芯片通過共晶焊接在散熱板4的正面。所述光反腔9為倒錐臺(tái)形，并且在所述反光腔9內(nèi)壁上設(shè)置有反光層，能夠?qū)ED芯片的出射光向上反射，從而提高光效。該反光層可以為鍍鋁、銀層，并經(jīng)過變色保護(hù)，以防止其在長(zhǎng)期使用中使反射光的顏色發(fā)生變化。
[0018]LED芯片包括多個(gè)串聯(lián)的紅光芯片5、藍(lán)光芯片8、綠光芯片6，所述紅光芯片5、藍(lán)光芯片8、綠光芯片6的數(shù)量相等；其中串聯(lián)后的紅光芯片5、藍(lán)光芯片8、綠光芯片6并聯(lián)設(shè)置。LED芯片為雙電極LED芯片，其中串聯(lián)后的紅光芯片5、藍(lán)光芯片8、綠光芯片6分別與之相對(duì)應(yīng)的紅光芯片電極3、藍(lán)光芯片電極1、綠光芯片電極2電性連接。紅光芯片5和綠光芯片6交錯(cuò)設(shè)置，且呈環(huán)形分布在光反腔9內(nèi)，藍(lán)光芯片8呈環(huán)形等距分布，并設(shè)置在紅光芯片5和綠光芯片6組成的列陣內(nèi)圈。通過控制紅光芯片5、藍(lán)光芯片8、綠光芯片6不同的配比，使LED光源顯色性指數(shù)提高到95%以上，并且可以實(shí)現(xiàn)小面積內(nèi)高亮LED全彩變化。
[0019]本實(shí)用新型的特點(diǎn)是用銅基線路板替代鋁基線路板，同時(shí)將LED芯片直接固定在散熱板上，使LED芯片與散熱板直接接觸，使導(dǎo)熱路徑縮短至最短，絕緣層采用導(dǎo)熱膠替代玻璃纖維，熱阻更小，導(dǎo)熱速度快，單位面積封裝LED的數(shù)量和功率都可相應(yīng)增加。
【權(quán)利要求】
1.一種功率型COB集成封裝LED光源，包括襯底、散熱板、LED芯片、電極、絕緣層、反光腔；其特征是，所述散熱板與襯底一體設(shè)置；所述散熱板為銅基線路板，該散熱板中間位置設(shè)有反光腔，反光腔為圓形凹槽狀；所述散熱板正面設(shè)有絕緣層，該絕緣層為導(dǎo)熱膠層；所述LED芯片設(shè)置在該反光腔內(nèi)，該LED芯片通過共晶焊接在散熱板的正面；所述LED芯片包括多個(gè)串聯(lián)的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片，其中串聯(lián)后的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片并聯(lián)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率型COB集成封裝LED光源，其特征是，所述LED芯片為雙電極LED芯片，其中串聯(lián)后的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片分別與電極電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率型COB集成封裝LED光源，其特征是，所述反光腔內(nèi)的紅光芯片、藍(lán)光芯片、綠光芯片的數(shù)量相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率型COB集成封裝LED光源，其特征是，所述紅光芯片和綠光芯片交錯(cuò)設(shè)置，且呈環(huán)形分布；所述藍(lán)光芯片呈環(huán)形等距分布，并設(shè)置在紅光芯片和綠光芯片組成的列陣內(nèi)圈。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK203631547SQ201320786705
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月4日
【發(fā)明者】陳立有 申請(qǐng)人:深圳市久和光電有限公司