電致發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型實施例公開了一種電致發(fā)光裝置，涉及顯示領(lǐng)域，在保證薄膜晶體管與第二電極電連接可靠性的同時，還可使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，從而提高生產(chǎn)效率。本實用新型提供的電致發(fā)光裝置，包括：陣列基板；所述陣列基板包括：基板，依次設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，覆蓋于所述薄膜晶體管之上的保護層，以及設(shè)置在所述保護層之上的連接電極；所述連接電極下方的保護層向遠離基板的一側(cè)凸起，形成凸臺；所述保護層在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置設(shè)置有保護層過孔，所述連接電極通過所述保護層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
【專利說明】電致發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及ー種電致發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED),又稱有機電激光顯示(Organic Electroluminescence Display, 0ELD),由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程簡單等優(yōu)異特性，近來已普遍應(yīng)用于移動通信終端、個人數(shù)字助理(PDA )、掌上電腦等。
[0003]如圖1所示，一種現(xiàn)有有源矩陣型OLED顯示裝置，包括:彩膜基板20和陣列基板10，其中，陣列基板10包括:基板11，依次設(shè)置在基板11上的薄膜晶體管12陣列、保護層13和連接電極14，連接電極14通過保護層過孔與薄膜晶體管12的漏極連接；彩膜基板20包括:第二基板21，依次設(shè)置在第二基板21上的彩色濾光層(包括黑矩陣221和由黑矩陣221分隔開的色阻塊222R/G/B)、平坦層23、第一電極24、有機發(fā)光層(OrganicElectro-Luminescence,有機EL)25和第二電極26,制備時,先分別形成陣列基板10和彩膜基板20，然后，在陣列基板10或彩膜基板20的邊緣涂敷封框膠30，將陣列基板10與彩膜基板20對盒，使第二電極26與陣列基板10上的連接電極14 一一對應(yīng)接觸，實現(xiàn)電連接。
[0004]為了使對盒后連接電極14和第二電極26充分接觸，提升薄膜晶體管12和第二電極26電連接的可靠性，連接電極14通常制備得比較厚(一般為2-3微米)，但這會導(dǎo)致ー是制備時形成薄膜的過程耗時長，ニ是刻蝕薄膜以形成連接電極14時出現(xiàn)刻蝕困難。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的實施例提供ー種電致發(fā)光裝置，在保證薄膜晶體管與第二電極電連接可靠性的同時，還可使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，從而提高生
產(chǎn)效率。
[0006]為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本實用新型的實施例提供ー種電致發(fā)光裝置，包括:陣列基板；所述陣列基板包括:基板，依次設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，覆蓋于所述薄膜晶體管之上的保護層，以及設(shè)置在所述保護層之上的連接電扱；所述連接電極下方的保護層向遠離基板的ー側(cè)凸起，形成凸臺；所述保護層在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置設(shè)置有保護層過孔，所述連接電極通過所述保護層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
[0008]可選地，所述保護層過孔位于所述凸臺上。
[0009]可選地，所述保護層過孔位于所述凸臺的ー側(cè)，所述連接電極覆蓋所述凸臺及所述保護層過孔。
[0010]優(yōu)選地，所述連接電極的厚度為0.3?I微米。
[0011]優(yōu)選地，所述保護層的總厚度為2?4微米，所述凸臺的臺階高度為1.5?2.5微米。[0012]可選地，所述連接電極選用下述材料中一種或幾種制成:
[0013]銅、鑰、錫、鋁、銀。
[0014]可選地，所述保護層選用下述材料中一種或幾種制成:
[0015]氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂。
[0016]進ー步地，所述電致發(fā)光裝置還包括:彩膜基板；所述彩膜基板包括:第二基板，依次設(shè)置于所述第二基板上的彩色濾光層，平坦層，第一電極、有機發(fā)光層和第二電極；所述第二電極與所述連接電極接觸且電連接。
[0017]本實用新型實施例提供的電致發(fā)光裝置，通過將連接電極下方的保護層設(shè)計成凸臺形狀，墊高連接電極，可使得連接電極的厚度進ー步減薄(本實用新型連接電極的厚度可減至0.3?I微米)，從而使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，進而提高生產(chǎn)效率；同時將連接電極墊高，還可保證薄膜晶體管與第二電極電連接的可靠性，同時避免對盒過程中及對盒后彩膜基板與陣列基板相互擠壓或摩擦對薄膜晶體管陣列造成損傷，提聞良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有有源矩陣型OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2(a)為本實用新型實施例一提供的電致發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖ー；
[0021]圖2(b)為本實用新型實施例一提供的電致發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖ニ ；
[0022]圖3為本實用新型實施例ニ電致發(fā)光顯示裝置的制備方法中陣列基板制程流程圖；
[0023]圖4為本實用新型實施例ニ提供的多階曝光エ藝形成保護層的流程圖；
[0024]圖5(a)為本實用新型實施例ニ中多階曝光的示意圖；
[0025]圖5(b)為本實用新型實施例ニ中保護層上形成的光刻膠圖案示意圖；
[0026]圖5(c)為本實用新型實施例ニ中第一次刻蝕后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5(d)為本實用新型實施例ニ中灰化處理后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5(e)為本實用新型實施例ニ中第二次刻蝕后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5(f)為本實用新型實施例ニ中去除剩余光刻膠后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6(a)為本實用新型實施例ニ中采用常規(guī)的掩模板曝光的示意圖；
[0031]圖6(b)為本實用新型實施例ニ中第一次構(gòu)圖エ藝后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6(c)為本實用新型實施例ニ中第二次構(gòu)圖エ藝后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]附圖標記
[0034]10-陣列基板，11-基板，12-薄膜晶體管，13-保護層，131-凸臺，
[0035]132-保護層過孔，14-連接電極；
[0036]20-彩膜基板，21-第二基板，221-黑矩陣，222-色阻塊，23-平坦層，
[0037]24-第一電極,25-有機發(fā)光層,26-第二電極；[0038]30-封框膠，40-光刻膠，50-多階調(diào)掩模板。
【具體實施方式】
[0039]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0040]實施例一
[0041]本實用新型實施例提供ー種電致發(fā)光裝置，如圖2(a)和圖2(b)所示，該裝置包括:陣列基板10 ;陣列基板10包括:基板11，依次設(shè)置于基板11上的薄膜晶體管12，覆蓋于薄膜晶體管12之上的保護層13，以及設(shè)置在保護層13之上的連接電極14 ;連接電極14下方的保護層13向遠離基板11的ー側(cè)凸起，形成凸臺131 ;保護層13在對應(yīng)薄膜晶體管12漏極的位置設(shè)置有保護層過孔132，連接電極14通過保護層過孔132與薄膜晶體管12的漏極連接。
[0042]陣列基板10上設(shè)置有TFT電路(驅(qū)動電路)，用以對OELD實現(xiàn)驅(qū)動和補償作用。所述驅(qū)動電路的實現(xiàn)方式存在多種，但驅(qū)動電路至少包括一用以驅(qū)動的薄膜晶體管，本實施例中的薄膜晶體管12即指驅(qū)動電路中用以驅(qū)動的薄膜晶體管。薄膜晶體管12的漏極通過連接電極14引出，對盒時連接電極14和OELD的第二電極26接觸，從而實現(xiàn)驅(qū)動電路和發(fā)光器件的電連接。
[0043]需要說明的是，驅(qū)動電路的具體實現(xiàn)方式與本實用新型并無直接關(guān)系，也不影響本實用新型的實施效果，因此，本實用新型實施例對驅(qū)動電路的具體實現(xiàn)方式不做限定，可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意實現(xiàn)方式。
[0044]本實施例將連接電極14下方的保護層13設(shè)計成凸臺，將連接電極14墊高,使連接電極14的厚度可進ー步減薄，從而使連接電極14制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，生產(chǎn)效率提高；同時將連接電極14墊高，可保證薄膜晶體管22與第二電極26電連接可靠性，還可避免對盒過程中及對盒后彩膜基板20與陣列基板10相互擠壓或摩擦對薄膜晶體管陣列造成損傷，提聞良品率。
[0045]本實施例中第一種優(yōu)選的實施方式如圖2 (a)所示，保護層過孔132位于凸臺131上，連接電極14通過其下的保護層過孔132與薄膜晶體管12的漏極連接。此時，凸臺131與薄膜晶體管12的漏極在位置上有交疊。
[0046]本實施例中第二種優(yōu)選的實施方式如圖2 (b)所示，保護層過孔132位于凸臺131的ー側(cè)，連接電極14覆蓋凸臺131及保護層過孔132，連接電極14通過保護層過孔132與薄膜晶體管12的漏極連接。此時，凸臺131與薄膜晶體管12的漏極在位置上沒有交疊。
[0047]其中，本實施例所述連接電極14可選用銅、鑰、錫、鋁、銀中ー種或幾種材料制成，連接電極14的厚度優(yōu)選為0.3?I微米。與現(xiàn)有技術(shù)中的2?3微米相比，本實施例連接電極14的厚度大大減小，從而節(jié)省了沉積連接電極14的時間，在后續(xù)刻蝕中簡化工藝，降低刻蝕難度，提高生產(chǎn)效率。
[0048]其中，本實施例中所述保護層13可選用下述材料中一種或幾種制成:氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂，可以是由其中ー種材料形成的単一膜層，也可以是由其中兩種或兩種以上材料形成的復(fù)合膜層。例如，可先形成氮化硅膜層，再在氮化硅膜層上形成氧化硅膜層，氮化硅膜層和氧化硅膜層共同構(gòu)成保護層13。但優(yōu)選地，所述保護層13采用感光樹脂材料，只需經(jīng)過曝光、顯影既可形成本實施例所述帶有凸臺131的保護層13。其中，所述感光樹脂可為:聚丙烯酸類樹脂，或者聚酰亞胺類樹脂，或者聚酰胺類樹脂。進ー步地，形成的保護層13的總厚度d2優(yōu)選為2?4微米，保護層13經(jīng)刻蝕形成凸臺131后，所述凸臺131的臺階高度dl為1.5?2.5微米。
[0049]進ー步地，所述電致發(fā)光裝置還包括:彩膜基板20 ;彩膜基板20包括:第二基板
21,依次設(shè)置于第二基板21上的彩色濾光層,平坦層23,第一電極24、有機發(fā)光層15和第ニ電極26 ;第ニ電極26與連接電極14接觸且電連接。
[0050]本實施例所述電致發(fā)光裝置，連接電極的厚度可進ー步減薄，從而使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，生產(chǎn)效率提高；同時將連接電極墊高，可保證薄膜晶體管與第二電極電連接可靠性，還可避免對盒過程中及對盒后彩膜基板與陣列基板相互擠壓或摩擦對薄膜晶體管陣列造成損傷，提高良品率。
[0051]本實施例所述電致顯示裝置可以為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0052]實施例ニ
[0053]本實用新型實施例還提供ー種電致發(fā)光裝置的制備方法，該制備方法包括:彩膜基板制程，陣列基板制程，彩膜基板和陣列基板對盒制程，其中，如圖3所示，所述陣列基板制程包括:
[0054]步驟101、在基板11上形成薄膜晶體管12 ；
[0055]步驟102、在形成有薄膜晶體管12的基板上形成保護層13，并通過構(gòu)圖エ藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺131，在對應(yīng)薄膜晶體管12漏極的位置形成保護層過孔 132 ；
[0056]步驟103、在保護層13之上形成連接電極14，連接電極14通過保護層過孔132與薄膜晶體管12的漏極相連。
[0057]上述步驟可參照圖2(a)所示，本實施例步驟101中，在基板11上形成用以對OELD實現(xiàn)驅(qū)動和補償作用的TFT電路(驅(qū)動電路)，但驅(qū)動電路的具體實現(xiàn)方式與本實用新型并無直接關(guān)系，因此本實施例對此不再贅述。薄膜晶體管22為驅(qū)動電路中的驅(qū)動薄膜晶體管，薄膜晶體管22的漏極通過連接電極14引出，對盒時連接電極14和OELD的第二電極26接觸，從而實現(xiàn)驅(qū)動電路和發(fā)光器件的電連接。步驟102中將對應(yīng)第二電極26下面的保護層13做成凸臺的形狀，使第二電極26下面的保護層13高于其他位置的保護層，以此起到支撐連接電極14的作用。步驟103中在凸臺131上制備ー薄層的連接電極14(參考厚度:0.3?I微米)，通過保護層過孔132連接薄膜晶體管22，對盒后連接電極14的頂面與第二電極26接觸。
[0058]本實施例所述電致發(fā)光裝置的制備方法，將對應(yīng)第二電極26下面的保護層13做成凸臺的形狀，再在凸臺131上制備ー薄層的連接電極14 (連接電極厚度參考值為0.3?I微米)，從而使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，生產(chǎn)效率提高；同時將連接電極14墊高，可保證薄膜晶體管22與第二電極26電連接可靠性，還可避免對盒過程中及對盒后彩膜基板20與陣列基板10相互擠壓或摩擦對薄膜晶體管陣列造成損傷，提聞良品率。
[0059]在本實施例的第一種優(yōu)選的實施方式中，步驟102中在制備具有凸臺131的保護層13時，可采用多階曝光エ藝在后續(xù)形成連接電極14的預(yù)設(shè)位置形成凸臺131及保護層過孔132，使第二電極26下面的保護層13高于其他位置的保護層，以此起到支撐連接電極14的作用。
[0060]所述多階曝光エ藝，即多階調(diào)掩模エ藝，指在保護層上涂覆光刻膠后，利用多階調(diào)掩模板(MTM,Multi Tone Mask)進行曝光，由于多階掩模板各個部分透過的光強不同,會導(dǎo)致光刻膠相應(yīng)的各個部分曝光強度也不多，再經(jīng)過顯影，可以得到光刻膠厚度不同的光刻膠圖樣。
[0061]具體地，如圖4所示，步驟102采用多階曝光エ藝形成凸臺131及保護層過孔132，具體包括如下子步驟:
[0062]1021、形成保護層13，并在保護層13上涂覆光刻膠40 ；
[0063]1022、如圖5 Ca)所示，使用多階調(diào)掩模板50進行多階曝光，經(jīng)過顯影后，在保護層13上形成光刻膠圖案，使得所述光刻膠圖案中，
[0064]在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置保留第一厚度hi的光刻膠，在薄膜晶體管12漏極上方后續(xù)形成保護層過孔的預(yù)設(shè)位置不保留光刻膠，除連接電極的預(yù)設(shè)位置、保護層過孔的預(yù)設(shè)位置之外區(qū)域保留第二厚度h2的光刻膠，且第一厚度hi大于第二厚度h2，如圖5(b)所示；
[0065]1023、進行第一次刻蝕，去除后續(xù)形成保護層過孔的預(yù)設(shè)位置露出的保護層13，形成保護層過孔132，如圖5 (c)所示；
[0066]1024、進行第一次灰化處理，去除第二厚度對應(yīng)區(qū)域的光刻膠，如圖5 Cd)所示；
[0067]1025、進行第二次刻蝕，去除第二厚度對應(yīng)區(qū)域露出的保護層，形成凸臺131，如圖5 Ce)所示；
[0068]1026、剝離第一厚度對應(yīng)區(qū)域剰余的光刻膠，如圖5 Cf)所示，最終形成帶有凸臺131及保護層過孔132的保護層，且保護層過孔132位于薄膜晶體管22漏極的上方。
[0069]本實施方式中，采用了多階調(diào)掩膜エ藝，可減少陣列基板制備過程中構(gòu)圖エ藝的次數(shù)，從而有效降低制作成本，提高良品率。
[0070]在本實施例的第二種優(yōu)選的實施方式中，次選地，也可采用常規(guī)的掩模板，不過需要兩次構(gòu)圖エ藝，步驟2具體包括:
[0071]步驟一、在形成有薄膜晶體管12的基板上形成保護層13 ；
[0072]步驟ニ、在保護層13上涂覆光刻膠40，采用構(gòu)圖エ藝在保護層13上后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺131，如圖6 (a)、6 (b)所示；
[0073]步驟三、再次涂覆光刻膠40，第二次采用構(gòu)圖エ藝在薄膜晶體管漏極上方后續(xù)形成保護層過孔的預(yù)設(shè)位置形成保護層過孔132，如圖6 (c)所示。
[0074]上述的構(gòu)圖エ藝，指半導(dǎo)體制備エ藝中將預(yù)設(shè)圖形轉(zhuǎn)移到某一特定膜層上，使該膜層圖案化，呈現(xiàn)與預(yù)設(shè)圖形相同的圖樣，所述的構(gòu)圖エ藝包括但不限于普通意義上的光刻過程。
[0075]其中，所述保護層13可選用下述材料中一種或幾種制成:氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂。在本實施例的第三種優(yōu)選的實施方式中，選用感光樹脂制成保護層13吋，無需涂敷光刻膠，可直接進行曝光、顯影，顯影后也無需刻蝕エ藝，步驟2具體包括:
[0076]步驟一、在形成有薄膜晶體管的基板上，涂敷感光樹脂形成保護層13 ；
[0077]步驟ニ、通過多階曝光顯影或者兩次曝光顯影，在保護層13上后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺131，并在薄膜晶體管12漏極上方后續(xù)形成保護層過孔的預(yù)設(shè)位置形成保護層過孔132。
[0078]其中，步驟ニ中直接對保護層13進行多階曝光、然后顯影，形成圖2(a)所示設(shè)置有凸臺131和保護層過孔132的保護層13 ;所述的兩次曝光顯影，具體過程可參照第二種優(yōu)選的實施方式，只不過省去所有涂敷光刻膠的步驟，直接進行曝光、顯影，顯影后也無需刻蝕エ藝。
[0079]上述步驟可形成圖2 (a)和圖2 (b)所示的陣列基板，只是在形成保護層13過程中使用的掩模板有差別，如凸臺的位置和形狀等。
[0080]本實用新型實施例提供的電致發(fā)光裝置的制備方法，通過將連接電極下方的保護層設(shè)計成凸臺形狀，將連接電極墊高，使連接電極的厚度可進ー步減薄，從而使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，提高了生產(chǎn)效率；同時將連接電極墊高，可保證薄膜晶體管與第二電極電連接可靠性，還可避免對盒過程中及對盒后，彩膜基板與陣列基板相互擠壓或摩擦對薄膜晶體管陣列造成損傷，提高良品率。
[0081]需要注意的是，本實施例中的技術(shù)特征，在不沖突的情況下可以任意組合使用。
[0082]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.ー種電致發(fā)光裝置，包括:陣列基板；所述陣列基板包括:基板，依次設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，覆蓋于所述薄膜晶體管之上的保護層，以及設(shè)置在所述保護層之上的連接電極；其特征在于， 所述連接電極下方的保護層向遠離基板的ー側(cè)凸起，形成凸臺； 所述保護層在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置設(shè)置有保護層過孔，所述連接電極通過所述保護層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在干， 所述保護層過孔位于所述凸臺上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在干， 所述保護層過孔位于所述凸臺的ー側(cè)，所述連接電極覆蓋所述凸臺及所述保護層過孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述連接電極的厚度為0.3?I微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述保護層的總厚度為2?4微米，所述凸臺的臺階高度為1.5?2.5微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述連接電極選用下述材料中一種或幾種制成: 銅、鑰、錫、招、銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述保護層選用下述材料中ー種或幾種制成: 氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的裝置，其特征在于，還包括:彩膜基板；所述彩膜基板包括:第二基板，依次設(shè)置于所述第二基板上的彩色濾光層，平坦層，第一電極、有機發(fā)光層和第二電極； 所述第二電極與所述連接電極接觸且電連接。
【文檔編號】H01L27/32GK203456466SQ201320597543
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】程鴻飛, 張玉欣 申請人:京東方科技集團股份有限公司