厚膜高頻微波衰減片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種厚膜高頻微波衰減片，包括陶瓷基片，陶瓷基片的中部安裝有一個或多個十字型的電阻片疊壓構(gòu)成的分布式集中網(wǎng)絡(luò)的電阻，電阻的上下左右支腳端部均設(shè)有由銀鈀漿料直接涂覆燒結(jié)成的端電極，端電極表面密布有波浪形條紋，端電極的表面間隔分布有焊接觸點(diǎn)，焊接觸點(diǎn)呈半球形。本實(shí)用新型采用一個或多個十字型的電阻片疊壓構(gòu)成的電阻，即分布式集中電阻網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，使用頻率更寬、衰減精度更高、駐波比更小、頻響曲線更平坦，同時，端電極材料的選擇和結(jié)構(gòu)的設(shè)計，使得可焊性耐焊性俱佳，焊接方便。
【專利說明】厚膜高頻微波衰減片
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及衰減片的加工，尤其涉及一種厚膜高頻微波衰減片。
【背景技術(shù)】:
[0002]傳統(tǒng)的厚膜高頻微波衰減片一般采用單一的T性或Pi型電阻網(wǎng)絡(luò)，使用頻率低于3GHz，結(jié)構(gòu)設(shè)計的不合理性，導(dǎo)致頻率更窄、衰減精度更低、駐波比更大、頻響曲線更波動性大，從而影響使用。
實(shí)用新型內(nèi)容:
[0003]為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種厚膜高頻微波衰減片，結(jié)構(gòu)設(shè)計新穎，頻率更寬、衰減精度更高、駐波比更小、頻響曲線更平坦。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]厚膜高頻微波衰減片，包括陶瓷基片，其特征在于:所述的陶瓷基片的中部安裝有一個或多個十字形的電阻片疊壓構(gòu)成的分布式集中網(wǎng)絡(luò)的電阻，所述的電阻的上下左右支腳端部均設(shè)有由銀鈀漿料直接涂覆燒結(jié)成的端電極，端電極表面密布有波浪形條紋，端電極的表面間隔分布有焊接觸點(diǎn)，焊接觸點(diǎn)呈半球形。
[0006]所述的厚膜高頻微波衰減片，其特征在于:所述的端電極的厚度不小于65 μ m。
[0007]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:
[0008]本實(shí)用新型采用一個或多個十字形的電阻片疊壓構(gòu)成的電阻，即分布式集中電阻網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，使用頻率更寬、衰減精度更高、駐波比更小、頻響曲線更平坦，同時，端電極材料的選擇和結(jié)構(gòu)的設(shè)計，使得可焊性耐焊性俱佳，焊接方便。
【專利附圖】

【附圖說明】:
[0009]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】:
[0010]參見圖1:
[0011]厚膜高頻微波衰減片，包括陶瓷基片1，陶瓷基片I的中部安裝有一個或多個十字形的電阻片疊壓構(gòu)成的分布式集中網(wǎng)絡(luò)的電阻2，改變了先前有幾塊電阻片組合構(gòu)成的電阻，影響實(shí)際使用效果，出現(xiàn)斷連現(xiàn)象，電阻2的上下左右支腳端部均設(shè)有由銀鈀漿料直接涂覆燒結(jié)成的端電極3，端電極3表面密布有波浪形條紋4，端電極3的表面間隔分布有焊接觸點(diǎn)5，焊接觸點(diǎn)5呈半球形。
[0012]端電極3的厚度不小于65μπι，可焊性耐焊性俱佳。
【權(quán)利要求】
1.一種厚膜高頻微波衰減片，包括陶瓷基片，其特征在于:所述的陶瓷基片的中部安裝有一個或多個十字形的電阻片疊壓構(gòu)成的分布式集中網(wǎng)絡(luò)的電阻，所述的電阻的上下左右支腳端部均設(shè)有由銀鈀漿料直接涂覆燒結(jié)成的端電極，端電極表面密布有波浪形條紋，端電極的表面間隔分布有焊接觸點(diǎn)，焊接觸點(diǎn)呈半球形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的厚膜高頻微波衰減片，其特征在于:所述的端電極的厚度不小于65 μ m0
【文檔編號】H01P1/22GK203644916SQ201320548929
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】徐勇軍, 王利, 陳啟玉, 曹維常 申請人:安徽斯邁爾電子科技有限公司