專利名稱：用于制作磁瓦的基座的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及磁瓦的制備工具，具體為一種用于制備磁瓦的基座。
背景技術：
稀土就是化學元素周期表中鑭系元素一鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)，以及與鑭系的15個元素密切相關的元素一鈧(Sc)和釔(Y)共17種元素，稱為稀土元素?，F有的制備磁瓦的方法如下:通過成熟的燒結稀土-鐵-硼系永磁體制備方法，首先制備出具有磁力線β平行分布的磁塊M (如圖7所示)，然后通過線切割等機械加工工藝制備成瓦形，此方法制作的磁瓦的磁力線β仍然是平行分布，無法制造出磁力線β點點垂直于其圓弧面切平面方向的永磁瓦片。并且，缺乏一種制備磁瓦的模具。
發(fā)明內容本實用新型為了解決目前缺乏一種制備磁瓦的模具的問題，提供了一種用于制作磁瓦的基座。本實用新型是 采用如下技術方案實現的:一種用于制作磁瓦的基座，所述基座的頂部具有弧面，基座上位于所述弧面的下方形成有與弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上開有與所述弧形空腔聯通的、布滿弧面的通孔。工作時，上述基座用于下述方法中，一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢后，在熱處理爐內進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無污的目的。(2)、用不與磁塊M發(fā)生物理化學發(fā)應的材料制備基座，所述基座如上所述。(3)、將磁塊M置于基座的弧面上；所述基座的弧形空腔內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N是由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的80%以上；所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合(即占所述濺射靶材N總重量的范圍是:大于O且小于等于20%)。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座一同置于真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節(jié)壓力裝置300，所述可調節(jié)壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學發(fā)應的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置于所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。[0013](5)、分如下四階段實施熱處理工藝:a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至5000C，調節(jié)可調節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.1 0.5MPa，壓力件200在調節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持I 2h ;b、利用加熱系統升溫至500 600°C，調節(jié)可調節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至
0.5 IMPa，壓力件200在調節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2 5h ;C、利用加熱系統升溫至600 700°C，調節(jié)可調節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至I
1.5MPa，壓力件200在調節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2 5h ;d、利用加熱系統升溫至700 1000°C，調節(jié)可調節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至
1.5 2MPa，壓力件200在調節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4 24h ;通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座的弧面相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。工作時，實施熱處理工藝，在高溫作用下，基座內的濺射靶材通過其上通孔達到磁塊Μ，磁塊M充分吸收濺射靶材后發(fā)生膨脹，并且磁塊M下邊緣的膨脹速度大于其上邊緣，同時在壓力件的導向作用下，通過分階段逐步升溫、保溫，逐步加壓，逐步吸收濺射靶材，逐步膨脹，在基座的弧面模型作用下形成瓦狀。本實用新型設計合理、結構簡單，解決了目前缺乏一種制備磁瓦的模具的問題。

圖1是壓力件開始下壓磁塊的示意圖。圖2是壓力件壓制完成磁塊的示意圖。圖3是基座的結構不意圖。圖4是基座的正視圖。圖5是基座的俯視圖。圖6是制作方法的示意圖。圖7是具有磁力線β平行分布的磁塊M的示意圖。圖8是具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦的示意圖。圖中，1-保溫系統，2-加熱系統，3-真空機組，10-弧形空腔，20-通孔，30-弧面，100-基座，200-壓力件，300-可調節(jié)壓力裝置，400-磁瓦，M-磁塊，N-濺射靶材，β -磁力線。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的具體實施例進行詳細說明。如圖3、4、5所示，一種用于制作磁瓦的基座，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位于所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯通的、布滿弧面30的通孔20。具體使用時，所述基座100的弧形空腔10內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金，所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的80%以上；所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合。具體實施時，所述濺射靶材N呈顆粒狀，其中所述I類稀土材料優(yōu)先選用Pr、Nd、Dy、Ho的一種或幾種材料以任意比例混合，占濺射靶材N總重量的90%以上；所述II類金屬材料優(yōu)先選用Ga、Al、Cu的一種或幾種以任意比例混合(即占所述濺射靶材N總重量的范圍是:大于O且小于等于10%)。所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規(guī)則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，并且在溫度273K 1273K范圍內其膨脹系數低于10X10_6m/K。例如采用Mo、Hf、W、Ta、Nb、Zr的一種或以上幾種材料的合金，本發(fā)明采用Mo作為制作基座10·0的材料。
權利要求1.一種用于制作磁瓦的基座，其特征在于:所述基座(100)的頂部具有弧面(30)，基座(100)上位于所述弧面(30)的下方形成有與弧面(30)弧度相同的弧形空腔(10)，所述弧面(30)上開有與所述弧形空腔(10)聯通的、布滿弧面(30)的通孔(20)。
2.根據權利要求1所述的用于制作磁瓦的基座，其特征在于:所述基座(100)的弧面(30)上 的通孔(20)為方孔，所述方孔成排規(guī)則地布滿所述弧面(30)。
專利摘要本實用新型涉及磁瓦的制備工具，具體為一種用于制備磁瓦的基座，解決了目前缺乏一種制作磁瓦的模具的問題。一種用于制作磁瓦的基座，所述基座(100)的頂部具有弧面(30)，基座(100)上位于所述弧面(30)的下方形成有與弧面(30)弧度相同的弧形空腔(10)，所述弧面(30)上開有與所述弧形空腔(10)聯通的、布滿弧面(30)的通孔(20)。所述基座(100)的弧面(30)上的通孔(20)為方孔，所述方孔成排規(guī)則地布滿所述弧面(30)。本實用新型設計合理、結構簡單。
文檔編號H01F41/02GK203165664SQ20132020016
公開日2013年8月28日 申請日期2013年4月19日 優(yōu)先權日2013年4月19日
發(fā)明者徐建波, 祁三文, 張敏, 張鋒銳, 張燕慶 申請人:山西匯鏹磁性材料制作有限公司