硅通孔的形成方法
【專利摘要】一種硅通孔的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，采用第一偏置頻率；進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于1MHz。本發(fā)明的方法進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)的第二偏置頻率小于第一刻蝕步驟時(shí)的第一偏置頻率，第二偏置頻率對(duì)等離子體的加速時(shí)間增長(zhǎng)、加速作用增強(qiáng)，使得更多的等離子體到達(dá)第一刻蝕孔的底部，繼續(xù)對(duì)第一刻蝕孔底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，提高了刻蝕的效率和穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】硅通孔的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種硅通孔的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，目前半導(dǎo)體器件的特征尺寸已經(jīng)變得非常小，希望在二維的封裝結(jié)構(gòu)中增加半導(dǎo)體器件的數(shù)量變得越來(lái)越困難，因此三維封裝成為一種能有效提高芯片集成度的方法。目前的三維封裝包括基于金線鍵合的芯片堆疊(Die Stacking)、封裝堆疊(Package Stacking)和基于娃通孔(Through Silicon Via, TSV)的三維(3D)堆疊。其中，利用硅通孔的三維堆疊技術(shù)具有以下三個(gè)優(yōu)點(diǎn):(1)高密度集成；(2)大幅地縮短電互連的長(zhǎng)度，從而可以很好地解決出現(xiàn)在二維系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC)技術(shù)中的信號(hào)延遲等問(wèn)題；(3)利用硅通孔技術(shù)，可以把具有不同功能的芯片(如射頻、內(nèi)存、邏輯、MEMS等)集成在一起來(lái)實(shí)現(xiàn)封裝芯片的多功能。因此，所述利用硅通孔互連結(jié)構(gòu)的三維堆疊技術(shù)日益成為一種較為流行的芯片封裝技術(shù)。
[0003]在硅通孔技術(shù)應(yīng)用中，通常要對(duì)硅等材料進(jìn)行深通孔刻蝕，通過(guò)刻蝕形成的深通孔在芯片和芯片之間、硅片與硅片之間制作垂直導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)芯片和芯片之間的互連。在大多數(shù)情況下，硅通孔制作都需要打通不同的材料層，而由此形成的通孔必須滿足輪廓控制要求(如側(cè)壁垂直度和粗糙度等)，因此硅通孔刻蝕工藝成為硅通孔制作技術(shù)的關(guān)鍵。
[0004]但是現(xiàn)有的硅通孔刻蝕工藝的穩(wěn)定性仍有待提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問(wèn)題是怎樣提高硅通孔刻蝕工藝的穩(wěn)定性。
[0006]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種硅通孔的形成方法，包括:
[0007]提供半導(dǎo)體襯底；
[0008]進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，采用第一偏置頻率；
[0009]進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于IMHz。
[0010]可選的，所述第一偏置頻率大于等于13MHz。
[0011]可選的，所述第二偏置頻率為400KHZ?600KHZ。
[0012]可選的，進(jìn)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟時(shí)的工藝為Bosch刻蝕工藝，所述Bosch刻蝕工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟。
[0013]可選的，在進(jìn)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟時(shí)，通入處理腔室的氣體包括刻蝕氣體和沉積氣體，所述刻蝕氣體為SF6，所述沉積氣體為CF4、C4F8或CHF3，刻蝕氣體的流速范圍60?600ml/min，沉積氣體的流速范圍50?400ml/min，處理腔室的壓力范圍為10毫托?1.5托，源射頻源的功率為800?3000瓦，處理腔室的溫度范圍為300?700攝氏度。[0014]可選的，所述硅通孔的深度為30?100微米。
[0015]可選的，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，刻蝕形成的第一刻蝕孔的深度大于硅通孔深度的80%。
[0016]可選的，所述半導(dǎo)體襯底上還形成有掩膜層，所述掩膜層中具有暴露半導(dǎo)體襯底表面的開(kāi)口。
[0017]可選的，刻蝕時(shí)采用的刻蝕系統(tǒng)為雙頻刻蝕系統(tǒng)，所述雙頻刻蝕系統(tǒng)包括第一偏置射頻源和第二偏置射頻源，所述第一偏置射頻源用于提供第一偏置頻率，第二偏置射頻源用于提供第二偏置頻率，第一偏置射頻源和第二偏置射頻源通過(guò)匹配隔離單元連接至刻蝕腔內(nèi)的基座上。
[0018]可選的，所述刻蝕系統(tǒng)還包括源射頻源，所述源射頻源為容性耦合射頻源或感性耦合射頻源。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0020]本發(fā)明的硅通孔的刻蝕方法，進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，采用第一偏置頻率；進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于1MHz。隨著第一刻蝕孔深度的增加，在第一偏置頻率的作用下，到達(dá)第一刻蝕孔底部的等離子體會(huì)逐漸減少，在第一刻蝕步驟后，進(jìn)行第二刻蝕步驟，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)的第二偏置頻率小于第一刻蝕步驟時(shí)的第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于1MHz，第二偏置頻率對(duì)等離子體的加速時(shí)間增長(zhǎng)、加速作用增強(qiáng)，使得更多的等離子體沿著第一刻蝕孔運(yùn)動(dòng)到第一刻蝕孔的底部，繼續(xù)對(duì)第一刻蝕孔底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)刻蝕，使得形成的硅通孔達(dá)到預(yù)定的深度，并提高了刻蝕的效率和穩(wěn)定性。
[0021]進(jìn)一步，所述第二偏置頻率為400KHz?600KHz，在進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)采用Bosch刻蝕工藝,所述Bosch刻蝕工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟,通入處理腔室的氣體包括刻蝕氣體和沉積氣體，所述刻蝕氣體為SF6，所述沉積氣體為CF4、C4F8或CHF3,刻蝕氣體的流速范圍60?600ml/min,沉積氣體的流速范圍50?400ml/min,處理腔室的壓力范圍為10毫托?1.5托，源射頻源的功率為800?3000瓦，處理腔室的溫度范圍為300?700攝氏度，第二偏置頻率很小，從而對(duì)刻蝕腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體的加速時(shí)間加長(zhǎng)，等離子體獲得的能量更大，使得處理腔室中產(chǎn)生的等離子體能獲得更大的能量，使得更多的等離子體能到達(dá)第一刻蝕孔的底部，繼續(xù)對(duì)第一刻蝕孔底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)刻蝕，使得形成的硅通孔達(dá)到預(yù)定的深度，防止最終形成的硅通孔的底部底角(notch)缺陷的產(chǎn)生，刻蝕的效率和穩(wěn)定性更佳。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例硅通孔形成方法的流程示意圖；
[0023]圖2?圖4為本發(fā)明實(shí)施例的硅通孔形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行硅通孔刻蝕時(shí)采用等離子體刻蝕工藝，在硅通孔的刻蝕過(guò)程中，一般情況下等離子刻蝕工藝的刻蝕參數(shù)是(比如刻蝕過(guò)程中的源射頻頻率和偏置射頻頻率)不會(huì)發(fā)生改變或者變化很小，但是在深硅通孔的刻蝕過(guò)程中，隨著刻蝕過(guò)程的進(jìn)行，硅通孔深度的不斷增加，進(jìn)入硅通孔底部的等離子體會(huì)越來(lái)越小，使得刻蝕的速率越來(lái)越慢，刻蝕的時(shí)間不斷的增長(zhǎng)，硅通孔底部的形貌變差(比如會(huì)產(chǎn)生底角(notch)缺陷)，甚至硅通孔的深度不能滿足工藝的要求，硅通孔刻蝕工藝的穩(wěn)定性受到嚴(yán)重的影響。
[0025]為此，本發(fā)明提供了一種硅通孔的刻蝕方法，進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，然后進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用的較小的第二偏置頻率，且第二偏置功率小于1MHz，因而刻蝕過(guò)程中的等離子體被加速的時(shí)間加長(zhǎng)，使得更多的等離子體被加速到達(dá)第一刻蝕孔的底部，繼續(xù)對(duì)第一刻蝕孔底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，從而使形成的硅通孔的深度和形貌滿足工藝的要求，提高了硅通孔刻蝕供應(yīng)的穩(wěn)定性。
[0026]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0027]圖1為本發(fā)明實(shí)施的例硅通孔形成方法的流程示意圖，所述硅通孔的形成方法，包括:
[0028]步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層，所述掩膜層中具有暴露半導(dǎo)體襯底表面的開(kāi)口；
[0029]步驟S102，進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，采用第一偏置頻率；
[0030]步驟S103，進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于IMHz。
[0031]下面將結(jié)合附圖2?圖4對(duì)上述方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0032]首先，請(qǐng)參考圖2，提供半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成掩膜層201，所述掩膜層201中具有暴露半導(dǎo)體襯底200表面的開(kāi)口 204。
[0033]本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200的材料為單晶硅，后續(xù)在半導(dǎo)體襯底200中形成娃通孔。
[0034]所述掩膜層201作為后續(xù)刻蝕半導(dǎo)體襯底時(shí)的掩膜，本實(shí)施例中所述掩膜層201包括位于半導(dǎo)體襯底200上的硬掩膜層202和位于硬掩膜層202上的圖形化的光刻膠層203。
[0035]所述硬掩膜層202的材料為氧化硅或氮化硅等。
[0036]所述硬掩膜層202可以為單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。硬掩膜層202為多層堆疊結(jié)構(gòu)時(shí)，比如，所述硬掩膜層202可以包括氧化硅層和位于氧化硅層表面的氮化硅層。
[0037]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，為了提高刻蝕時(shí)的選擇比，所述硬掩膜層還可以為金屬硬掩膜，所述金屬硬掩膜的材料為金屬氧化物或金屬氮化物，比如:氮化鈦、氧化鈦、氮化鎢等。[0038]接著，請(qǐng)參考圖3，進(jìn)行第一刻蝕步驟，以所述掩膜層201為掩膜，沿開(kāi)口 204刻蝕所述半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200中形成第一刻蝕孔205，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，
米用第一偏置頻率。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例中，刻蝕過(guò)程包括第一刻蝕步驟和后續(xù)進(jìn)行的第二刻蝕步驟，第一刻蝕步驟時(shí)采用的第一偏置頻率大于第二刻蝕步驟時(shí)的第二偏置頻率，刻蝕過(guò)程中，第一偏置頻率和第二偏置頻率會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)變，為了保證刻蝕工藝的穩(wěn)定性，進(jìn)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟時(shí)采用的刻蝕系統(tǒng)為雙頻刻蝕系統(tǒng)，所述雙頻刻蝕系統(tǒng)包括第一偏置射頻源和第二偏置射頻源，所述第一偏置射頻源用于提供第一偏置頻率，第二偏置射頻源用于提供第二偏置頻率，第一偏置射頻源和第二偏置射頻源通過(guò)匹配隔離單元連接至刻蝕腔內(nèi)的基座上。本發(fā)明實(shí)施例中，采用雙頻刻蝕系統(tǒng)時(shí)，當(dāng)?shù)谝黄妙l率切換為第二偏置頻率時(shí)，切換時(shí)間很短，對(duì)刻蝕過(guò)程的干擾很小，提高了刻蝕工藝的穩(wěn)定性。
[0040]刻蝕系統(tǒng)還包括源射頻源，所述源射頻源用于產(chǎn)生源射頻功率和源射頻頻率,使得供入處理腔室的氣體在射頻能量的作用下形成等離子體。所述源射頻源可以為容性耦合射頻源(Capacitively Coupled Plasmas, CCP)或感性稱合射頻源(Inductive CouplePlasmas, ICP)。
[0041]進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，可以采用Bosch (博世)刻蝕工藝，所述Bosch刻蝕工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟，進(jìn)行刻蝕步驟時(shí)，其具體過(guò)程為:進(jìn)行刻蝕步驟，向刻蝕腔室中通入刻蝕氣體(比如:sf6)，刻蝕氣體被解離為等離子體，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，形成刻蝕孔；進(jìn)行沉積步驟，向刻蝕腔室中通入沉積氣體(比如:CF4、C4F8或CHF3)，沉積氣體被解離為等離子體，在刻蝕孔的側(cè)壁形成聚合物，所述聚合物在下一刻蝕步驟時(shí)保護(hù)已形成的刻蝕孔的側(cè)壁不會(huì)被刻蝕到，從而保證整個(gè)Bosch (博世)刻蝕過(guò)程的各向異性；重復(fù)上述刻蝕步驟和沉積步驟，直至在半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔。
[0042]進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，所述第一偏置頻率大于等于13MHz，通入處理腔室的氣體包括刻蝕氣體和沉積氣體，所述刻蝕氣體為SF6,所述沉積氣體為CF4X4F8或CHF3,刻蝕氣體的流速范圍60?600ml/min，沉積氣體的流速范圍50?400ml/min，處理腔室的壓力范圍為10毫托?1.5托，源射頻源的功率為800?3000瓦，處理腔室的溫度范圍為300?700攝氏度，刻蝕步驟時(shí)間為0.3?30秒，沉積步驟的時(shí)間為0.3?30秒，使得刻蝕的速率較快，刻蝕形成的第一刻蝕孔205的形貌較高。
[0043]本實(shí)施例中，最終形成的硅通孔的深度為30?100微米，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，刻蝕形成的第一刻蝕孔205的深度大于硅通孔深度的80%，第一刻蝕孔205的深度達(dá)到硅通孔的深度的80%后，第一偏置頻率對(duì)等離子體的加速作用明顯減弱，使得到達(dá)第一刻蝕孔205底部和吸附在第一刻蝕孔205的底部的半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的等離子體數(shù)量顯著減小，對(duì)半導(dǎo)體襯底的刻蝕速率明顯降低，若繼續(xù)采用第一偏置功率的第一刻蝕步驟刻蝕時(shí)，容易使得最終形成的硅通孔的底部產(chǎn)生底角(notch)缺陷，刻蝕工藝的穩(wěn)定性受到嚴(yán)重的影響，因而，在硅通孔在進(jìn)行第一刻蝕步驟后，需要進(jìn)行第二刻蝕步驟。
[0044]參考圖4，進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔205繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底200，在第一刻蝕孔205底部形成第二刻蝕孔206,第一刻蝕孔205和第二刻蝕孔206構(gòu)成娃通孔207，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于IMHz。[0045]所述形成的硅通孔207的深度為30?100微米。
[0046]進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)的第二偏置頻率小于第一刻蝕步驟時(shí)的第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于1MHz，第二偏置頻率對(duì)等離子體的加速時(shí)間增長(zhǎng)、加速作用增強(qiáng)，使得更多的等離子體沿著第一刻蝕孔205運(yùn)動(dòng)到第一刻蝕孔205的底部，繼續(xù)對(duì)第一刻蝕孔205底部的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)刻蝕，使得形成的硅通孔207達(dá)到預(yù)定的深度，防止最終形成的硅通孔的底部底角(notch)缺陷的產(chǎn)生，并提高了刻蝕的效率和穩(wěn)定性。
[0047]在進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)采用Bosch刻蝕工藝，所述Bosch刻蝕工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟，在具體的工藝過(guò)程中，所述第二偏置頻率400KHz?600KHz，通入處理腔室的氣體包括刻蝕氣體和沉積氣體，所述刻蝕氣體為SF6，所述沉積氣體為CF4、C4F8或CHF3,刻蝕氣體的流速范圍60?600ml/min，沉積氣體的流速范圍50?400ml/min，處理腔室的壓力范圍為10毫托?1.5托，源射頻源的功率為800?3000瓦，處理腔室的溫度范圍為300?700攝氏度，第二刻蝕步驟中的第二偏置功率遠(yuǎn)小于第一刻蝕步驟中的第一偏置工藝，從而對(duì)刻蝕腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體的加速時(shí)間加長(zhǎng)，等離子體獲得的能量更大，使得更多的等離子體能到達(dá)第一刻蝕孔的底部，刻蝕的效率和穩(wěn)定性更佳，最終形成的硅通孔的底部的形貌更好。
[0048]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種硅通孔的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 進(jìn)行第一刻蝕步驟，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一刻蝕孔，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，采用第一偏置頻率； 進(jìn)行第二刻蝕步驟，沿第一刻蝕孔繼續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在第一刻蝕孔底部形成第二刻蝕孔，第一刻蝕孔和第二刻蝕孔構(gòu)成硅通孔，進(jìn)行第二刻蝕步驟時(shí)，采用第二偏置頻率，第二偏置頻率小于第一偏置頻率，且第二偏置頻率小于IMHz。
2.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第一偏置頻率大于等于13MHz ο
3.如權(quán)利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述第二偏置頻率為400KHz ?600KHz。
4.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，進(jìn)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟時(shí)的工藝為Bosch刻蝕工藝，所述Bosch刻蝕工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟。
5.如權(quán)利要求1或4所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟時(shí)，通入處理腔室的氣體包括刻蝕氣體和沉積氣體，所述刻蝕氣體為SF6,所述沉積氣體為CF4、C4F8或CHF3，刻蝕氣體的流速范圍60?600ml/min，沉積氣體的流速范圍50?400ml/min，處理腔室的壓力范圍為10毫托?1.5托，源射頻源的功率為800?3000瓦，處理腔室的溫度范圍為300?700攝氏度。
6.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述硅通孔的深度為30?100微米。
7.如權(quán)利要求6所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，進(jìn)行第一刻蝕步驟時(shí)，刻蝕形成的第一刻蝕孔的深度大于硅通孔深度的80%。
8.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底上還形成有掩膜層，所述掩膜層中具有暴露半導(dǎo)體襯底表面的開(kāi)口。
9.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，刻蝕時(shí)采用的刻蝕系統(tǒng)為雙頻刻蝕系統(tǒng)，所述雙頻刻蝕系統(tǒng)包括第一偏置射頻源和第二偏置射頻源，所述第一偏置射頻源用于提供第一偏置頻率，第二偏置射頻源用于提供第二偏置頻率，第一偏置射頻源和第二偏置射頻源通過(guò)匹配隔離單元連接至刻蝕腔內(nèi)的基座上。
10.如權(quán)利要求9所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述刻蝕系統(tǒng)還包括源射頻源，所述源射頻源為容性耦合射頻源或感性耦合射頻源。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103700622SQ201310743028
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】梁潔, 丁冬平, 羅偉義 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司