互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板及其制作方法、顯示面板；該互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，包括：在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層，并形成P型半導(dǎo)體有源層；在下半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層；在柵絕緣層上設(shè)置下電極層，并形成P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極；在下電極層上設(shè)置上半導(dǎo)體層，并形成像素電極和N型半導(dǎo)體有源層；在上半導(dǎo)體層上設(shè)置隔離絕緣保護(hù)層，并形成接觸孔和保護(hù)單元；在隔離絕緣保護(hù)層上設(shè)置上電極層，并形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極；在上電極層上設(shè)置像素定義層，并形成像素連接口。
【專利說明】互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板及其制作方法、顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板及其制作方法、顯不面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平的提高，人們對顯示質(zhì)量的要求也越來越高，液晶顯示器(LCD)已經(jīng)非常成熟，手機(jī)、相機(jī)、電腦、電視等都可見LCD的身影。人們對顯示產(chǎn)品的大量需求，客觀上推動了顯示技術(shù)的發(fā)展，新的顯示技術(shù)不斷出現(xiàn)，如低溫多晶硅、有機(jī)顯示等。有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(AMOLED)被稱為下一代顯示技術(shù)，包括三星電子、LG、飛利浦都十分重視這項新的顯示技術(shù)。目前除了三星電子與LG、飛利浦以發(fā)展大尺寸有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板產(chǎn)品為主要方向外，三星SD1、友達(dá)等都是以中小尺寸為發(fā)展方向。因為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板不管在畫質(zhì)、效能及成本上，先天表現(xiàn)都較TFT LCD優(yōu)勢很多。但是現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，特別是用于驅(qū)動面板顯像的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其制作工藝主要是通過構(gòu)圖工藝在其內(nèi)的各薄膜層上形成如薄膜晶體管等器件所需的圖形，這就需要進(jìn)行多次構(gòu)圖工藝，通常需要十一次的掩膜光刻工藝以及三次摻雜工藝才能制作完成，而每次供圖工藝所需的資金很昂貴；因此對于互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作而言，減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)、簡化制作步驟是制約其發(fā)展的難題；并且為適應(yīng)有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板更輕更薄的發(fā)展需求，如何合理的減小其厚度也是急需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板及其制作方法、顯示面板；以實現(xiàn)簡化制作步驟，節(jié)約制作成本的目的。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，包括如下步驟:
[0005]在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層，并形成P型半導(dǎo)體有源層；
[0006]在下半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層；
[0007]在柵絕緣層上設(shè)置下電極層，并形成P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極；所述P型晶體管柵極位于所述P型半導(dǎo)體有源層的上方；
[0008]利用氧化物半導(dǎo)體材料在下電極層上設(shè)置上半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和N型半導(dǎo)體有源層；所述N型半導(dǎo)體有源層的兩端分別與所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極搭接；
[0009]對所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化物半導(dǎo)體材料進(jìn)行等離子體處理；
[0010]在上半導(dǎo)體層上設(shè)置隔離絕緣保護(hù)層，并形成保護(hù)單元和位于所述P型半導(dǎo)體有源層兩端和所述像素電極對應(yīng)區(qū)域的接觸孔；
[0011]在隔離絕緣保護(hù)層上設(shè)置上電極層，并形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極；所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極分別通過所述接觸孔與所述P型半導(dǎo)體有源層的兩端相連，所述N型晶體管柵極位于所述N型半導(dǎo)體有源層的上方；
[0012]在上電極層上設(shè)置像素定義層，并形成像素連接口。
[0013]進(jìn)一步地，所述在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層包括:在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層；
[0014]在所述緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜；
[0015]對非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理；
[0016]對非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的下半導(dǎo)體層。
[0017]進(jìn)一步地，通過掩膜光刻工藝在下半導(dǎo)體層上形成多個P型半導(dǎo)體有源層；
[0018]所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)；
[0019]通過離子注入工藝對P型半導(dǎo)體有源層進(jìn)行摻雜劑注入；在注入過程中，通過P型晶體管柵極作為掩模，將摻雜劑分別注入源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)；
[0020]通過活化工藝將摻雜劑高度活化。
[0021 ] 進(jìn)一步地，所述接觸孔位于P型晶體管柵極兩側(cè)，并貫穿隔離絕緣保護(hù)層直至P型半導(dǎo)體有源層的源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)；所述像素連接口設(shè)置在所述像素電極上。
[0022]進(jìn)一步地，所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；
[0023]所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；所述N型半導(dǎo)體有源層連接在所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極之間。
[0024]進(jìn)一步地，所述上半導(dǎo)體層采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中一種。
[0025]一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，由如上述中所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法制成。
[0026]進(jìn)一步地，包括襯底基體，在該襯底基板上依次設(shè)置包括多個P型半導(dǎo)體有源層的下半導(dǎo)體層；
[0027]柵絕緣層；
[0028]包括多個P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的下電極層；
[0029]包括多個像素電極和N型半導(dǎo)體有源層的上半導(dǎo)體層；
[0030]包括多個接觸孔和保護(hù)單元的隔離絕緣保護(hù)層；
[0031]包括P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的上電極層；
[0032]以及包括像素連接口的像素定義層。
[0033]進(jìn)一步地，所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)；所述P型晶體管柵極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層的上方所述P型晶體管源極深入接觸孔與所述源極接觸區(qū)連接；所述P型晶體管漏極深入接觸孔與所述漏極接觸區(qū)連接。
[0034]進(jìn)一步地，所述像素電極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層與所述N型半導(dǎo)體有源層之間；所述N型晶體管源極與所述N型晶體管漏極通過所述N型半導(dǎo)體有源層連接；所述N型晶體管柵極設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體有源層的上方。[0035]進(jìn)一步地，所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接。
[0036]進(jìn)一步地，位于所述P型晶體管柵極上的所述保護(hù)單元右端置于所述像素單元左端之上；位于所述N型晶體管柵極與所述N型半導(dǎo)體有源層之間的所述保護(hù)單元，其左端置于所述像素單元右端之上。
[0037]進(jìn)一步地，所述像素連接口設(shè)置在所述像素電極上。
[0038]進(jìn)一步地，所述像素電極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極均采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中一種制成。
[0039]一種顯示面板，包括如上述中所述的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板。
[0040]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點:
[0041]1、本發(fā)明采用在同一下電極層上一次形成同金屬材質(zhì)的P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的步驟以及在同一上半導(dǎo)體層上一次形成像素電極和N型半導(dǎo)體有源層的步驟；將現(xiàn)有N型晶體管源極和材料為半導(dǎo)體材料的源極接觸區(qū)合并為一個金屬材質(zhì)的N型晶體管源極；相應(yīng)的，將現(xiàn)有N型晶體管漏極和材料為半導(dǎo)體材料的漏極接觸區(qū)合并為一個金屬材質(zhì)的N型晶體管漏極；并采用N型半導(dǎo)體有源層將N型晶體管源極和N型晶體管漏極連接，以替代現(xiàn)有N型晶體管的有源層連接區(qū)；以此省去現(xiàn)有技術(shù)中對于N型晶體管源極接觸區(qū)、N型晶體管漏極接觸區(qū)以及N型半導(dǎo)體有源層的摻雜步驟；有效簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0042]2、本發(fā)明采用同一隔離絕緣保護(hù)層上一次形成接觸孔和保護(hù)單元的步驟，將保護(hù)單元分別用作P型晶體管柵極上的層間電介質(zhì)層以及用作N型晶體管柵極的柵絕緣層，以實現(xiàn)將現(xiàn)有技術(shù)中層間電介質(zhì)層和柵絕緣層合并為一層結(jié)構(gòu)的目的，并通過一次掩膜光刻工藝即可形成，減少了互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的厚度；且簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0043]3、本發(fā)明采用在同一上電極層一次形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的步驟；使三者具有同樣的金屬材料，可省去現(xiàn)有技術(shù)中需要對N型晶體管柵極單獨通過掩膜光刻工藝形成的步驟；簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0044]4、本發(fā)明采用將所述像素電極設(shè)置在相鄰兩保護(hù)單元之間的設(shè)計；在不改變互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板本身結(jié)構(gòu)特性的前提下，合理的將像素電極置于P型晶體管與N型晶體管之間的空間，并采用像素電極與P型半導(dǎo)體有源層通過一次掩膜光刻工藝同時形成的方法，省去了現(xiàn)有技術(shù)中需要對像素電極單獨通過掩膜光刻工藝形成的步驟，且可有效減小互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的整體厚度；有效簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0046]圖1是本發(fā)明中所述制作方法的步驟框圖；
[0047]圖2是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0048]圖3是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0049]圖4是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0050]圖5是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；[0051]圖6是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0052]圖7是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0053]圖8是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)；
[0054]圖9是本發(fā)明中所述制作方法的步驟示意圖(主剖視圖)。
【具體實施方式】
[0055]實施例一:
[0056]參見圖1所示，本實施例提供一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，包括如下步驟:
[0057]1、參見圖2所示，對襯底基板101進(jìn)行清洗處理，所述在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層包括:通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層102 ;其中，襯底基板由玻璃、硬質(zhì)透明塑料等透光率好的透明材料構(gòu)成；所述緩沖層由氧化硅結(jié)構(gòu)層和氮化硅結(jié)構(gòu)層依次設(shè)置而成，或氧化硅結(jié)構(gòu)層和氮化硅結(jié)構(gòu)層的復(fù)合層制成，氧化硅結(jié)構(gòu)層厚度為50-100納米，氮化硅結(jié)構(gòu)層厚度為100-300納米；
[0058]在緩沖層上設(shè)置下半導(dǎo)體層上；
[0059]具體地說，通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法在緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜厚度為40-50納米；將襯底基板送入高溫反應(yīng)爐中，對非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理；以達(dá)到減少非晶硅薄膜中氫含量的目的，一般將氫的含量控制在2%以內(nèi)；對非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的下半導(dǎo)體層。
[0060]通過掩膜光刻工藝在下半導(dǎo)體層上形成多個P型半導(dǎo)體有源層103 ;所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)104、漏極接觸區(qū)105以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)106。本發(fā)明中所述的掩膜光刻工藝包括光刻膠涂布、掩膜板設(shè)置、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序。
[0061]2、參見圖3所示，在下半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層107 ;通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法在下半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層；該柵絕緣層為氧化硅結(jié)構(gòu)層和氮化硅結(jié)構(gòu)層的復(fù)合層，氧化硅結(jié)構(gòu)層厚度為50-100納米，氮化硅結(jié)構(gòu)層厚度為40-80納米；該柵絕緣層用于阻隔P型半導(dǎo)體有源層與P型晶體管柵極，使兩者在工作時不會發(fā)生電信號串?dāng)_。
[0062]3、參見圖4所示，通過磁控濺射工藝在柵絕緣層上設(shè)置下電極層；
[0063]通過掩膜光刻工藝在下電極層上形成多個P型晶體管柵極108、多個N型晶體管源極109和多個N型晶體管漏極110 ;其中，所述P型晶體管柵極位于所述P型半導(dǎo)體有源層的上方；所述下電極層采用鑰、鎢、鈦或鉻中任意一種金屬制成。
[0064]通過離子注入工藝對P型半導(dǎo)體有源層進(jìn)行摻雜；具體如下:
[0065]在注入過程中，通過位于有源層連接區(qū)上方的P型晶體管柵極作為掩模，實現(xiàn)自對準(zhǔn)；將摻雜劑分別注入源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)中；形成具有摻雜劑的源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)。
[0066]通過活化工藝將源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)中的摻雜劑高度活化；以使活化后的離子形態(tài)的摻雜劑具有更高的移動能力，使之在所述源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)中自動填補到合適的位置，用以修復(fù)其內(nèi)的晶格缺陷。[0067]4、參見圖5所示，利用氧化物半導(dǎo)體材料通過磁控濺射工藝在下電極層上設(shè)置上半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖工藝在上半導(dǎo)體層上形成像素電極111和N型半導(dǎo)體有源層112 ;所述N型半導(dǎo)體有源層的兩端分別與所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極搭接；
[0068]再對所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化物半導(dǎo)體材料進(jìn)行等離子體處理；
[0069]所述上半導(dǎo)體層采用如銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物等透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料中一種。
[0070]5、參見圖6所示，通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝在上半導(dǎo)體層上設(shè)置隔離絕緣保護(hù)層113 ;該隔離絕緣保護(hù)層為氧化硅結(jié)構(gòu)層和氮化硅結(jié)構(gòu)層的復(fù)合層。
[0071]6、參見圖7所示，通過掩膜光刻工藝在隔離絕緣保護(hù)層上形成N型晶體管柵極與N型半導(dǎo)體有源層之間的保護(hù)單元115和位于所述P型半導(dǎo)體有源層兩端和所述像素電極對應(yīng)區(qū)域的接觸孔114 ;所述接觸孔貫穿所述隔離絕緣保護(hù)層直至P型半導(dǎo)體有源層的源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)。
[0072]7、參見圖8所示，通過磁控濺射工藝在隔離絕緣保護(hù)層上設(shè)置上電極層；該上電極層采用鋁、鈦或銀中任意一種金屬制成或任意幾種金屬組成的合金制成。通過掩膜光刻工藝在上電極層上形成P型晶體管源極116、P型晶體管漏極117和N型晶體管柵極118 ；所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極均通過所述接觸孔與所述P型半導(dǎo)體有源層的兩端相連，所述P型晶體管漏極還與所述像素電極連接；所述N型晶體管柵極位于所述N型半導(dǎo)體有源層的上方；至此，P型晶體管和N型晶體管制作完畢；所述P型晶體管包括P型半導(dǎo)體有源層、P型晶體管柵極、P型晶體管源極和P型晶體管漏極；所述N型晶體管包括N型半導(dǎo)體有源層、N型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極。
[0073]8、參加圖9所示，通過旋涂工藝在上電極層上設(shè)置像素定義層119 ;通過掩膜光刻工藝在像素定義層上形成像素連接口 120 ;所述像素連接口設(shè)置在相鄰兩保護(hù)單元之間的像素電極上；至此，互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板制作完畢。所述的像素連接口用于有機(jī)電致發(fā)光基板中的有機(jī)發(fā)光層與所述像素電極對應(yīng)安裝，以實現(xiàn)互補性薄膜晶體管驅(qū)動背板對于有機(jī)電致發(fā)光基板的發(fā)光驅(qū)動；本實施例中所述的像素單元即為有機(jī)電致發(fā)光基板中陽極的一部分。
[0074]本發(fā)明中所述的掩膜光刻工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、活化工藝、離子注入工藝、準(zhǔn)分子激光退火處理、磁控濺射工藝和脫氫處理均是常規(guī)工藝；因此，本發(fā)明不再對上述各工藝進(jìn)行具體贅述。
[0075]本發(fā)明的制作方法采用在同一下電極層上一次形成同金屬材質(zhì)的P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的步驟以及在同一上半導(dǎo)體層上一次形成像素電極和N型半導(dǎo)體有源層的步驟；將現(xiàn)有N型晶體管源極和材料為半導(dǎo)體材料的源極接觸區(qū)合并為一個金屬材質(zhì)的N型晶體管源極；相應(yīng)的，將現(xiàn)有N型晶體管漏極和材料為半導(dǎo)體材料的漏極接觸區(qū)合并為一個金屬材質(zhì)的N型晶體管漏極；并采用N型半導(dǎo)體有源層將N型晶體管源極和N型晶體管漏極連接，以替代現(xiàn)有N型晶體管的有源層連接區(qū)；以此省去現(xiàn)有技術(shù)中對于N型晶體管源極接觸區(qū)、N型晶體管漏極接觸區(qū)以及N型半導(dǎo)體有源層的摻雜步驟；有效簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0076]本發(fā)明的制作方法采用同一隔離絕緣保護(hù)層上一次形成接觸孔和保護(hù)單元的步驟，將保護(hù)單元分別用作P型晶體管柵極上的層間電介質(zhì)層以及用作N型晶體管柵極的柵絕緣層，以實現(xiàn)將現(xiàn)有技術(shù)中層間電介質(zhì)層和柵絕緣層合并為一層結(jié)構(gòu)的目的，并通過一次掩膜光刻工藝即可形成，減少了互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的厚度；且簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0077]本發(fā)明的制作方法采用在同一上電極層一次形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的步驟；使三者具有同樣的金屬材料，可省去現(xiàn)有技術(shù)中需要對N型晶體管柵極單獨通過掩膜光刻工藝形成的步驟；簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0078]本發(fā)明的制作方法只需進(jìn)行六次掩膜光刻工藝即可制成互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板；與現(xiàn)有制作方法相比減少了至少五次掩膜光刻工藝，大大節(jié)省了制作成本；同時制作出的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板與現(xiàn)有技術(shù)中的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板相比更加輕薄。
[0079]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所有P型晶體管源極、P型晶體管漏極不做區(qū)分，相應(yīng)的N型晶體管源極、N型晶體管漏極也不做區(qū)分，例如，P型晶體管源極也可以叫P型晶體管漏極，相應(yīng)地，此時P型晶體管漏極也可以叫P型晶體管源極。
[0080]實施例二:
[0081 ] 本實施例中的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板是由實施例一中所述的制作方法制成的，因此，實施例一中公開的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實施例一公開的內(nèi)容也屬于本實施例公開的內(nèi)容。
[0082]參見圖9所示，本實施例提供一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，由如實施例一中所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法制成。
[0083]本實施例中所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板包括襯底基體，在該襯底基板上由下至上依次設(shè)置緩沖層；包括多個P型半導(dǎo)體有源層的下半導(dǎo)體層；柵絕緣層；包括多個P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的下電極層；包括多個像素電極和N型半導(dǎo)體有源層的上半導(dǎo)體層；包括多個接觸孔和保護(hù)單元的隔離絕緣保護(hù)層；包括P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的上電極層；以及設(shè)置在上電極層上的包括像素連接口的像素定義層；所述像素連接口設(shè)置在相鄰兩保護(hù)單元之間。
[0084]本實施例中所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)；所述P型晶體管柵極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層的上方，并與所述有源層連接區(qū)位置相對應(yīng)；所述柵絕緣層設(shè)置在所述P型晶體管柵極與所述P型半導(dǎo)體有源層之間；所述P型晶體管柵極上設(shè)有所述保護(hù)單元，該保護(hù)單元將所述P型晶體管柵極完全包覆；所述P型晶體管源極上部設(shè)置在所述保護(hù)單元上，下部深入接觸孔與所述源極接觸區(qū)連接；所述P型晶體管漏極上部設(shè)置在所述保護(hù)單元上，下部深入接觸孔與所述漏極接觸區(qū)連接；所述像素定義層整體覆蓋于所述P型晶體管源極和所述P型晶體管漏極之上，并將位于所述P型晶體管柵極上的所述保護(hù)單元完全包覆。
[0085]本實施例中所述像素電極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層與所述N型半導(dǎo)體有源層之間的柵絕緣層上；所述N型晶體管源極與所述N型晶體管漏極通過所述N型半導(dǎo)體有源層連接；所述N型晶體管柵極設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體有源層的上方，并與該N型半導(dǎo)體有源層位置相對應(yīng)；在所述N型晶體管柵極與所述N型半導(dǎo)體有源層之間設(shè)置有所述保護(hù)單元，該保護(hù)單元將所述N型半導(dǎo)體有源層連同N型晶體管源極和N型晶體管漏極全部包覆；所述像素定義層整體覆蓋于所述N型晶體管柵極之上，并將位于所述N型晶體管柵極與所述N型半導(dǎo)體有源層之間的保護(hù)單元完全包覆。
[0086]本實施例中所述P型晶體管漏極的上部與所述像素電極連接。本實施例中位于所述P型晶體管柵極上的所述保護(hù)單元右端置于所述像素單元左端之上；位于所述N型晶體管柵極與所述N型半導(dǎo)體有源層之間的所述保護(hù)單元，其左端置于所述像素單元右端之上。本實施例中所述像素連接口貫穿所述像素定義層，所述像素連接口對應(yīng)設(shè)置在所述像素電極上。
[0087]本發(fā)明的驅(qū)動背板采用將所述像素電極設(shè)置在相鄰兩保護(hù)單元之間的設(shè)計；在不改變互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板本身結(jié)構(gòu)特性的前提下，合理的將像素電極置于P型晶體管與N型晶體管之間的空間，并采用像素電極與P型半導(dǎo)體有源層通過一次掩膜光刻工藝同時形成的方法，省去了現(xiàn)有技術(shù)中需要對像素電極單獨通過掩膜光刻工藝形成的步驟，且可有效減小互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的整體厚度；有效簡化了工藝步驟，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。
[0088]本實施例中所述P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極均采用鑰、鎢、鈦或鉻中任意一種金屬制成。
[0089]本實施例中所述像素電極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極均采用如銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物等透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料中一種制成。
[0090]本實施例中所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極和所述N型晶體管柵極均采用鋁、鈦或銀中任意一種金屬制成或任意幾種金屬組成的合金制成。
[0091]實施例三:
[0092]本實施例中的顯示面板是在實施例二中所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的基礎(chǔ)上改進(jìn)的，因此，實施例二中公開的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實施例二公開的內(nèi)容也屬于本實施例公開的內(nèi)容。
[0093]本實施例提供一種顯示面板，該顯示面板是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，該顯示面板包括如實施例二中所述的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，以及設(shè)置在該互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板上的有機(jī)電致發(fā)光基板；所述有機(jī)電致發(fā)光基板由下至上依次設(shè)有陽極層、有機(jī)發(fā)光層和陰極層；其中，所述有機(jī)發(fā)光層與所述像素電極對應(yīng)安裝，以實現(xiàn)互補性薄膜晶體管驅(qū)動背板對于有機(jī)電致發(fā)光基板的發(fā)光驅(qū)動；本實施例中所述的像素單元即為有機(jī)電致發(fā)光基板中陽極的一部分；本實施例中所述有機(jī)電致發(fā)光基板的具體結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再過多贅述。
【權(quán)利要求】
1.一種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于:包括如下步驟: 在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層，并形成P型半導(dǎo)體有源層； 在下半導(dǎo)體層上設(shè)置柵絕緣層； 在柵絕緣層上設(shè)置下電極層，并形成P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極；所述P型晶體管柵極位于所述P型半導(dǎo)體有源層的上方； 利用氧化物半導(dǎo)體材料在下電極層上設(shè)置上半導(dǎo)體層，并通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和N型半導(dǎo)體有源層；所述N型半導(dǎo)體有源層的兩端分別與所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極搭接； 對所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化物半導(dǎo)體材料進(jìn)行等離子體處理； 在上半導(dǎo)體層上設(shè)置隔離絕緣保護(hù)層，并形成保護(hù)單元和位于所述P型半導(dǎo)體有源層兩端和所述像素電極對應(yīng)區(qū)域的接觸孔； 在隔離絕緣保護(hù)層上設(shè)置上電極層，并形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極；所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極分別通過所述接觸孔與所述P型半導(dǎo)體有源層的兩端相連，所述N型晶體管柵極位于所述N型半導(dǎo)體有源層的上方； 在上電極層上設(shè)置像素定義層，并形成像素連接口。
2.如權(quán)利要求1所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上設(shè)置下半導(dǎo)體層 包括: 在所述襯底基板上設(shè)置緩沖層； 在所述緩沖層上設(shè)置非晶硅薄膜； 對非晶硅薄膜進(jìn)行脫氫處理； 對非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的下半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于，還包括: 通過掩膜光刻工藝在下半導(dǎo)體層上形成多個P型半導(dǎo)體有源層；所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)； 通過離子注入工藝對P型半導(dǎo)體有源層進(jìn)行摻雜劑注入；在注入過程中，通過P型晶體管柵極作為掩模，將摻雜劑分別注入源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)； 通過活化工藝將摻雜劑高度活化。
4.如權(quán)利要求3所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于: 所述接觸孔位于P型晶體管柵極兩側(cè)，并貫穿隔離絕緣保護(hù)層直至P型半導(dǎo)體有源層的源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)；所述像素連接口設(shè)置在所述像素電極上。
5.如權(quán)利要求4所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于: 所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；所述N型半導(dǎo)體有源層連接在所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極之間。
6.如權(quán)利要求5所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法，其特征在于: 所述上半導(dǎo)體層采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物、和銦錫鋅氧化物中一種。
7.—種互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于，由如權(quán)利要求1-6中任一所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板的制作方法制成。
8.如權(quán)利要求7所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:包括襯底基體，在該襯底基板上依次設(shè)置包括多個P型半導(dǎo)體有源層的下半導(dǎo)體層； 柵絕緣層； 包括多個P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的下電極層； 包括多個像素電極和N型半導(dǎo)體有源層的上半導(dǎo)體層； 包括多個接觸孔和保護(hù)單元的隔離絕緣保護(hù)層； 包括P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的上電極層； 以及包括像素連接口的像素定義層。
9.如權(quán)利要求8所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于: 所述P型半導(dǎo)體有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及設(shè)置在源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的有源層連接區(qū)；所述P型晶體管柵極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層的上方所述P型晶體管源極深入接觸孔與所述源極接觸區(qū)連接；所述P型晶體管漏極深入接觸孔與所述漏極接觸區(qū)連接。
10.如權(quán)利要求9所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:所述像素電極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體有源層與所述N型半導(dǎo)體有源層之間；所述N型晶體管源極與所述N型晶體管漏極通過所述N型半導(dǎo)體有源層連接；所述N型晶體管柵極設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體有源層的上方。
11.如權(quán)利要求10所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接。
12.如權(quán)利要求11所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:位于所述P型晶體管柵極上的所述保護(hù)單元右端置于所述像素單元左端之上；位于所述N型晶體管柵極與所述N型半導(dǎo)體有源層之間的所述保護(hù)單元，其左端置于所述像素單元右端之上。
13.如權(quán)利要求12所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:所述像素連接口設(shè)置在所述像素電極上。`
14.如權(quán)利要求13所述互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板，其特征在于:所述像素電極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極均采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中一種制成。
15.一種顯示面板，其特征在于:包括如權(quán)利要求7-14中任一所述的互補型薄膜晶體管驅(qū)動背板。
【文檔編號】H01L21/28GK103715147SQ201310742725
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】任章淳 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司