與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置制造方法

文檔序號：7015902閱讀：237來源：國知局

與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置制造方法
【專利摘要】在一個一般方面中，一種方法可包括使用第一電鍍工藝在基板上形成重新分布層以及使用第二電鍍工藝在所述重新分布層上形成導電柱。所述方法可包括將半導體管芯耦合至所述重新分布層，并且可包括形成對所述重新分布層的至少一部分以及所述導電柱的至少一部分進行包封的模塑層。
【專利說明】與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置
[0001] 相關申請
[0002] 本申請要求在2013年11月27日提交的、名稱為"Methods and Apparatus Related to an Improved Package Including a Semiconductor Die，'(與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置)的美國專利申請No. 14/092, 485的優(yōu)先權及權益，美國專利申請No. 14/092,485要求在2013年4月18日提交的、名稱為"Methods and Apparatus Related to an Improved Package Including a Semiconductor Die，'（與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置)的美國臨時申請No. 61/813, 514的優(yōu)先權及權益，所述兩項美國專利申請全文均以引用方式并入本文中。

【技術領域】
[0003] 本說明書涉及與包括半導體管芯的改進封裝件相關的方法和裝置。

【背景技術】
[0004] 隨著電子行業(yè)朝更小尺寸、更高效率以及更低成本的趨勢發(fā)展，在包括電源管理空間在內的多種空間中，非常需要采用集成技術來制造更小、更智能且更有效率的產(chǎn)品。最高性能的器件(例如，電源器件)通常被分立地制造，而不是在集成電路（1C)工藝中被集成。生產(chǎn)這樣的分立器件的成本可能是使用這樣的復雜工藝生產(chǎn)的成本的一部分，因為分立器件中使用的掩模層通常是更復雜1C工藝中使用的掩模層的數(shù)量的一部分(例如，一半、三分之一)。許多已知的方法使用了例如引線框架封裝件和銅夾來實現(xiàn)集成，但是此類封裝件的缺點是成本較高、導熱性能較差、電感系數(shù)較高、尺寸較大并且通常集成度較低。因此，需要解決現(xiàn)有技術的缺點并提供其他新的及創(chuàng)新性特征的系統(tǒng)、方法和裝置。

【發(fā)明內容】

[0005] 在一個一般方面中，一種方法可包括使用第一電鍍工藝在基板上形成重新分布層以及使用第二電鍍工藝在重新分布層上形成導電柱。所述方法可包括將半導體管芯耦合至重新分布層，并且可包括形成對重新分布層的至少一部分以及導電柱的至少一部分進行包封的模塑層。
[0006] 在附圖和以下描述中闡述了一個或多個具體實施的細節(jié)。其他特征將從描述及附圖中以及從權利要求中顯而易見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1為示意圖，示出了包括集成到封裝件中的若干不同部件的器件的側剖視圖。
[0008] 圖2A為根據(jù)一個具體實施的器件或其一部分的側剖視圖。
[0009] 圖2B為根據(jù)一個具體實施的圖2A所示器件的變型或其一部分的側剖視圖。
[0010] 圖2C為根據(jù)一個具體實施的圖2A所示器件的另一變型或其一部分的側剖視圖。
[0011] 圖3A為根據(jù)一個具體實施的另一器件或其一部分的側剖視圖。
[0012] 圖3B為根據(jù)一個具體實施的圖3A所示器件的變型或其一部分的側剖視圖。
[0013] 圖3C為根據(jù)一個具體實施的圖3A所示器件的另一變型或其一部分的側剖視圖。
[0014] 圖4A為電感部件的繞組內的導體的俯視圖。
[0015] 圖4B為電感部件的另一繞組內的導體的俯視圖。
[0016] 圖5A為根據(jù)一個具體實施的又一器件或其一部分的側剖視圖。
[0017] 圖5B為示意圖，示出了圖5A所示電容部件及半導體管芯的等效電路。
[0018] 圖5C為圖5A所示器件的一部分的變型的側剖視圖。
[0019] 圖6A到6G為側剖視圖，示出了根據(jù)一個具體實施的例如圖3A到3C所示器件的形成。
[0020] 圖7為示意圖，示出了圖3A和3B所示器件的變型。
[0021] 圖8A到8H為示意圖，示出了器件的形成的立體圖。
[0022] 圖9A和9B示出了圖8E所示器件的剖視圖。
[0023] 圖10為流程圖，示出了用于形成本文所述的一個或多個器件的方法。
[0024] 圖11A為示意圖，示出了耦合至外部塊的器件的側剖視圖。
[0025] 圖11B為圖11A所示器件的仰視圖。
[0026] 圖12為示意圖，示出了圖1所示器件的變型的側剖視圖。
[0027] 圖13A為示意圖，示出了根據(jù)一個具體實施的器件或其一部分的立體圖。
[0028] 圖13B為示意圖，示出了根據(jù)一個具體實施的具有附加工藝層的圖13A所示器件的立體圖。
[0029] 圖14A為示意圖，示出了圖13A和13B所示器件的布局視圖。
[0030] 圖14B示出了圖14A所示器件的沿一條線的側剖視圖。
[0031] 圖14C示出了圖14A所示器件的沿另一條線的側剖視圖。
[0032] 圖15為示意圖，示出了包括在計算設備中的例如圖1所示的器件。

【具體實施方式】
[0033] 圖1為示意圖，示出了包括集成到封裝件中的若干不同部件的器件100的側剖視圖。在一些具體實施中，器件100可稱為封裝器件或可稱為封裝件。器件100可耦合至外部塊190 (例如，印刷電路板、引線框架）或另一器件(未示出）。
[0034] 如圖1所示，器件100包括設置在模塑層120與模塑層140之間的基板130。在一些具體實施中，由于基板130設置在兩個不同的模塑層120U40之間，因此基板130可稱為模塑間基板。在一些具體實施中，基板130可用作模塑層120、140之間的絕緣體。在一些具體實施中，基板130可用作器件100的結構部件。在該具體實施中，若干半導體管芯 142U44設置在模塑層140內。在一些具體實施中，模塑層120U40可各自稱為模塑件(沒有"層"字）和/或可稱為模塑材料。在一些具體實施中，模塑材料可包括，或可為，模塑復合物。因此，模塑層120、140中的一個或多個可包括模塑材料中的不止一種類型的材料(例如，塑料、樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂硬化劑、二氧化硅材料、顏料等)。
[0035] 如圖1所示，模塑層120、基板130、模塑層140和外部塊190沿著方向Al(還可稱為堅直方向)堆疊。模塑層120、基板130、模塑層140和外部塊190可稱為被包括在堅直疊堆中。
[0036] 模塑層120、基板130、模塑層140和外部塊190中的每一個沿著與方向A1大致正交的方向A2 (還可稱為水平方向或橫向方向）找平（align)。方向A2沿著平面A4找平或與平面A4平行，模塑層120、140、半導體管芯142、144、基板130和外部塊190也沿著平面 A4找平。在一些具體實施中，器件100的一部分，或遠離外部塊190的方向（大致沿著方向 A1)，可稱為頂部或向上方向。在一些具體實施中，器件100的一部分，或朝向外部塊190的方向（大致沿著方向A1)，可稱為底部或向下方向。垂直于紙面向內的方向A3 (示為圓點）沿著平面A4找平或與平面A4平行并且與方向A1和A2正交。在本文所述的具體實施中，堅直方向垂直于如下平面：基板130沿所述平面找平(例如，平面A4)。為簡單起見，在所有圖中描述的具體實施的所有各個視圖中均使用方向A1、A2、A3以及平面A4。
[0037] 在圖1所示的該具體實施中，器件100包括被包括在模塑層120的至少一部分中的無源部件區(qū)域125 (還可稱為無源器件區(qū)域)、耦合至基板130的至少一部分(例如，使用基板130的至少一部分、位于其上、至少部分地設置在其內、嵌入在其內）的無源部件區(qū)域 135 (還可稱為無源器件區(qū)域)，以及被包括在模塑層140的至少一部分中的互連區(qū)域145。在無源部件區(qū)域125U35中的一個或多個中可包括的一個或多個部件(例如，無源器件）可包括例如電容部件(例如，電容器)、電感部件(例如，電感器、變壓器)、電阻部件(例如，電阻器）和/或諸如此類。
[0038] 作為一個具體例子，在電容部件的構造或形成中，可使用基板130的至少一部分作為集成元件(例如，電介質)來形成電容部件(未示出）。又如，電容部件(例如，薄膜電容部件、包括共燒電介質的電容部件）的至少一部分可嵌入在基板130中。
[0039] 作為又一個具體例子，一個或多個電感部件(未示出）可形成在模塑層120的無源部件區(qū)域125中。因此，在器件100的頂部中可包括一個或多個電感部件。在一些具體實施中，模塑層120可包括，或可為，磁性物質的至少一部分。因此，一個或多個導體可與磁性物質組合以形成一個或多個電感部件。在一些具體實施中，在模塑層120中集成包括磁性物質的一個或多個部件可稱為磁集成。
[0040] 盡管圖1未示出，但使用一個或多個導體的一個或多個電連接(例如，過孔)可穿過基板130形成到達例如包括在模塑層120的無源部件區(qū)域125中的電感部件。例如，可使用穿過基板130的一個或多個過孔將形成在模塑層120的無源部件區(qū)域125中的電感部件電連接至半導體管芯142、144、包括在無源部件區(qū)域135中的一個或多個部件和/或外部塊 190中的一個或多個。
[0041] 又如，可使用基板130在無源部件區(qū)域135中形成一個或多個電容部件(未示出）。因此，一個或多個電容部件的至少一些部分可設置在模塑層120和/或模塑層140中。作為一個具體例子，電容部件可包括設置在模塑層120中的在基板130的第一側上的第一電容板(例如，由銅制成的導電板)，并且可包括設置在模塑層140中的在與基板130的第一側相對的基板130的第二側上的第二電容板。設置在第一電容板與第二電容板之間的基板130 的至少一部分可用作電容部件的電介質。
[0042] 在一些具體實施中，使用基板130形成在無源部件區(qū)域135中的一個或多個部件可用于各種功能。例如，使用基板130形成在無源部件區(qū)域135中的電容部件可用于對包括在器件100中的半導體器件之間的通信信號進行隔離。在一些具體實施中，針對通信隔離(例如，在相對較高電壓下的隔離）使用基板130的一個或多個部件的集成可稱為隔離通信集成。
[0043] 在一些具體實施中，基板130可由被配置為在相對較高電壓(例如，100V、1000V、 10,000V)下用作電介質的材料制成。在一些具體實施中，基板可為，或可包括，有機基板、聚合物、玻璃和/或諸如此類。在一些具體實施中，基板130可為，或可包括，陶瓷材料。在一些具體實施中，基板130可為，或可包括，例如氮化鋁（A1N)、氮化硅（Si 3N4)、氧化鋁（A1203) 或其衍生物、FR4、鈦酸鋇（BaTi0 3)和/或諸如此類。與例如純硅相比，陶瓷材料可具有有利的熱膨脹系數(shù)（CTE)。例如，陶瓷材料(或其他基板材料）的熱膨脹系數(shù)可與硅的熱膨脹系數(shù)類似，使得在相對較高的溫度下器件100內的應力可得以減小。
[0044] 盡管圖1未示出，但使用一個或多個導體的一個或多個電連接(例如，過孔)可穿過基板130形成到達例如包括在模塑層120的無源部件區(qū)域135中的電容部件。例如，可使用穿過基板130的一個或多個過孔將形成在無源部件區(qū)域135中的電容部件電連接至半導體管芯142、144、包括在無源部件區(qū)域125中的一個或多個部件和/或外部塊190中的一個或多個。
[0045] 互連區(qū)域145可包括一個或多個互連部件，所述互連部件可為，或可包括，可用于對器件100的多個部分進行電互連的導電部件的組合?；ミB區(qū)域145可包括例如一個或多個重新分布層（RDL)(未示出）以及耦合至一個或多個重新分布層的一個或多個導電柱(未示出）。一個或多個重新分布層和/或一個或多個導電柱可使用多種加工技術(包括沉積加工技術、電鍍加工技術、非電鍍加工技術和/或諸如此類）來形成。包括在互連區(qū)域145中的互連部件可耦合至器件100的一個或多個輸入引腳和/或一個或多個輸出引腳。
[0046] 如上所述，包括在互連區(qū)域145中的互連部件可用于對器件100的多個部分(例如，包括在半導體管芯142U44中的一個或多個中的半導體器件）進行電互連。半導體管芯142、144中的一個或多個可經(jīng)由包括在互連區(qū)域145中的一個或多個導電部件電耦合至包括在無源部件區(qū)域125、135中的一個或多個中的一個或多個無源部件。在一些具體實施中，包括在互連區(qū)域145中的一個或多個導電部件可用于將包括在無源部件區(qū)域125U35 中的一個或多個中的一個或多個無源部件與外部塊190電耦合。
[0047] 在一些具體實施中，半導體管芯142、144中的一個或多個可包括多種半導體器件。例如，半導體管芯142U44中的一個或多個可為，或可包括，分立半導體器件。特別地，半導體管芯142、144中的一個或多個可為，或可包括，橫向取向的晶體管器件(例如，橫向金屬氧化物半導體場效應晶體管（M0SFET)器件)和/或縱向取向的晶體管器件(例如，縱向 M0SFET器件)。在一些具體實施中，半導體管芯142U44中的一個或多個可為，或可包括，雙極結型晶體管（BJT)器件、二極管器件、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)器件和/或諸如此類。在一些具體實施中，半導體管芯142、144中的一個或多個可為，或可包括，電路，例如濾波電路、控制器電路、驅動電路、通信電路(例如，接收器和/或發(fā)射器)和/或諸如此類。在一些具體實施中，半導體管芯142U44中的一個或多個可為，或可包括，專用邏輯電路、組合邏輯、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA)、專用集成電路（ASIC)。盡管圖1未示出，但在一些具體實施中，模塑層120中可包括一個或多個半導體管芯(類似于半導體管芯142、144中的一個或多個)。在一些具體實施中，半導體管芯142和/或半導體管芯144可替代地為模組(例如，分立器件模組、封裝器件模組)。
[0048] 在一些具體實施中，器件100可用于許多不同類型的系統(tǒng)，例如電源管理系統(tǒng)、射頻（RF)系統(tǒng)、控制器系統(tǒng)、計算系統(tǒng)、數(shù)字和/或模擬系統(tǒng)等。在一些具體實施中，器件100 還可用于提供成本低且有效的扇出，在該扇出中，引腳的數(shù)量超出了硅管芯尺寸及所需間距（pitch)所能容納的范圍。
[0049] 如圖1所示，在無源部件區(qū)域125、135、互連區(qū)域145及器件100的其他部分內，多種封裝工藝和技術混雜地集成到器件100中。無源部件可集成到器件100中并在器件100 內運作，以得到改進的電/熱性能以及減小的總尺寸、成本和封裝阻抗。
[0050] 無源部件區(qū)域125、135和/或互連區(qū)域145中的一個或多個僅以舉例的方式被示出為被包括在器件100的具體部分中。在一些具體實施中，器件100內可包括另外的無源部件區(qū)域和/或互連區(qū)域。在一些具體實施中，可電耦合和/或使用一個或多個絕緣體來隔離無源部件區(qū)域和/或互連區(qū)域。
[0051] 因此，無源部件區(qū)域125、135和/或互連區(qū)域145中的一個或多個可包括在器件 100內的不同位置中。例如，無源部件區(qū)域125可設置在無源部件區(qū)域135上方。在一些具體實施中，互連區(qū)域145可設置在半導體管芯142與半導體管芯144之間。在一些具體實施中，模塑層120中可包括互連區(qū)域145 (或另外的互連區(qū)域)。
[0052] 如下文更詳細討論的，器件100中可包括集成的多種組合。在一些具體實施中，器件100可不包括一種或多種不同類型的集成。例如，器件100的變型可包括無源部件區(qū)域 135和互連區(qū)域145,但不包括無源部件區(qū)域125。又如，器件100的變型可包括無源部件區(qū) 域125和互連區(qū)域145,但可不包括無源部件區(qū)域135。再如，器件100的變型可包括無源部件區(qū)域125,但不包括無源部件區(qū)域135和互連區(qū)域145。
[0053] 如上指出的，外部塊190可為例如引線框架、封裝件和/或諸如此類。在一些具體實施中，器件100 (以及下文所述的其變型)可耦合至多種其他部件。例如，器件100可耦合至與器件100類似的另一器件。在一些具體實施中，器件100可模塑到另一部件或電路中。在一些具體實施中，器件100可經(jīng)由一根或多根接合線或其他導電部件耦合至外部塊190。
[0054] 圖1所示的器件100可使用多種加工技術來制成。例如，基板130的一側上所包括的元件可與基板130的另一側上所包括的元件同時制成。例如，無源部件區(qū)域125的一個或多個部分可與互連區(qū)域145和/或無源部件區(qū)域135的一個或多個部分同時形成。相比之下，無源部件區(qū)域125的一個或多個部分可在互連區(qū)域145和/或無源部件區(qū)域135 的一個或多個部分形成之前或之后形成。下文結合例如圖6A到圖6G、圖8A到圖8H和諸如此類討論了與可用于制成器件100 (和/或其變型）的處理操作相關的更多細節(jié)。結合圖 2A到圖14C示出并描述了與圖1所示的器件100及其變型相關的更多細節(jié)。
[0055] 圖2A為根據(jù)一個具體實施的器件200或其一部分的側剖視圖。如圖2A所示，器件200包括耦合至基板230的多個互連部件250。在該具體實施中，互連部件250中的若干個由重新分布層252的部分(其可稱為重新分布層部分，或重新分布層的觸點）及導電柱 254限定。在該具體實施中，重新分布層252設置在基板230與導電柱254 (其可稱為導電柱層）之間?；ミB部件250的一個或多個部分可被包括在互連區(qū)域(例如，圖1所示的互連區(qū)域145)內。在該具體實施中，盡管橫截面是沿著方向A2切割的，但這些特征中的一個或多個可被包括在沿著方向A3切割的橫截面中。
[0056] 如圖2A所示，互連部件250及半導體管芯242、244和246設置在器件200的模塑層240內。換句話講，互連部件250 (或其部分）及半導體管芯242、244和246至少部分地設置在模塑層240內。在一些具體實施中，互連部件250和/或半導體管芯242、244和/或 246可完全設置在或者包封在模塑層240內。模塑層240為相對(或大致）平坦的層，該層具有沿著平面B1找平(例如，沿著平面B1大致找平）的表面241以及沿著平面B2找平(例如，沿著平面B2大致找平）的表面243 (例如，相對表面)。在一些具體實施中，半導體管芯 242、244和/或246中的一個或多個可替代地為模組(例如，分立模組、封裝模組)。
[0057] 在該具體實施中，表面覆鍍層256沿著平面B1設置。表面覆鍍層256的部分(其可稱為表面覆鍍層部分)設置在互連部件250 (例如，互連部件250的末端)與外部塊290之間。另外，表面覆鍍層256的部分設置在半導體管芯244與外部塊290之間。在一些具體實施中，表面覆鍍層256的部分可在互連部件250和/或半導體管芯244與外部塊290之間用作界面或耦合導體。在該示例性具體實施中，由模塑層240將表面覆鍍層256與半導體管芯242絕緣。
[0058] 在該具體實施中，互連部件250包括至少互連部件250A到250F。與互連部件250 中的每一個關聯(lián)的重新分布層252、導電柱254、表面覆鍍層256和/或諸如此類的部分通 ?？蓸擞袠俗R符A到F。例如，互連部件250C包括耦合至基板230的重新分布層部分252C，還包括耦合至重新分布層部分252C的導電柱254C。因此，導電柱254C設置在基板230與重新分布層部分252C之間。
[0059] 如圖2A所示，重新分布層252具有堅直尺寸B3 (沿著堅直方向），導電柱254具有堅直尺寸Μ (沿著堅直方向）。在該具體實施中，重新分布層252的堅直尺寸B3小于(例如，薄于）導電柱254中的一個或多個的堅直尺寸M。在一些具體實施中，重新分布層252 的堅直尺寸Β3可等于或大于(例如，厚于）導電柱254中的一個或多個的堅直尺寸M。在一些具體實施中，堅直尺寸還可稱為高度或厚度。在一些具體實施中，導電柱254中的一個或多個可稱為在外部塊290與重新分布層252之間用作電互連。
[0060] 互連部件250可具有多種配置及功能。例如，互連部件250Α包括耦合至一對導電柱254Α-1和254Α-2的重新分布層部分252Α。重新分布層部分252Α具有橫向尺寸（其可沿著方向Α2測量且通常可稱為水平尺寸、寬度或長度)，該橫向尺寸大于導電柱254Α-1和 254Α-2中的每一個的橫向尺寸(其可沿著方向Α2測量)。在該具體實施中，重新分布層部分 252Α的橫向尺寸以及導電柱254Α-1和254Α-2中的每一個的橫向尺寸可沿著堅直方向Α1 大致一致(例如，恒定)。在一些具體實施中，重新分布層部分252Α的沿著方向A3的橫向尺寸可不同于導電柱254Α-1和254Α-2中的一個或多個的沿著方向A3的橫向尺寸。
[0061] 互連部件250Α在平面Β1與平面Β2之間延伸，使得互連部件250Α具有直接耦合至基板230的第一末端以及直接耦合至表面覆鍍層256的第二末端。如圖2Α所示，互連部件250中的若干個在平面Β1與平面Β2之間延伸，使得互連部件250的第一末端直接耦合至基板230,其第二末端直接耦合至表面覆鍍層256。
[0062] 又如，互連部件250Β包括耦合至導電柱254Β的重新分布層部分252Β。在該互連部件250Β中，重新分布層部分252Β的橫向尺寸大約等于導電柱254Β的橫向尺寸。因此，互連部件250Β沿著堅直方向Α1具有大致一致(例如，恒定）的橫向尺寸。在一些具體實施中，互連部件250Β的橫向尺寸可沿著堅直方向從平面Β1到平面Β2變化(例如，逐漸變小)，或者反之亦然。
[0063] 又如，互連部件250C包括耦合至導電柱254C的重新分布層部分252C。在該互連部件250C中，重新分布層部分252C(或其一部分)的橫向尺寸(例如，寬度)大于導電柱254C 的橫向尺寸。
[0064] 如圖2A所示，互連部件250D包括重新分布層部分252D?；ミB部件250D直接耦合至半導體管芯246。特別地，互連部件250D可耦合至包括在半導體管芯246中的一個或多個導體。在該實施方案中，除互連部件250D外，還有多個互連部件也耦合至半導體管芯 246 (例如，設置在半導體管芯246與基板230之間）。
[0065] 互連部件250E包括重新分布層部分252E及導電柱254E。導電柱254E耦合至表面覆鍍層部分256E。如圖2A所示，除耦合至互連部件250E外，表面覆鍍層部分256E還耦合至半導體管芯244的底部表面(例如，半導體管芯244的底部)。在一些具體實施中，耦合至表面覆鍍層部分256E的半導體管芯244的底部表面可與包括在半導體管芯244中的縱向半導體器件(例如，縱向M0SFET器件)的漏極部分相關聯(lián)。因此，互連部件250E可經(jīng)由表面覆鍍層部分256E電耦合至縱向半導體器件的漏極部分（或觸點）。縱向半導體器件的源極部分(或觸點）可設置在半導體管芯244的相對側(例如，頂部表面）上。
[0066] 互連部件250F包括重新分布層部分252F及導電柱254F。如圖2A所示，除耦合至互連部件250E外，重新分布層部分252F還耦合至半導體管芯242的頂部表面。在一些具體實施中，重新分布層部分252F可電耦合至包括在半導體管芯242中的半導體器件(例如，橫向取向的半導體器件(例如橫向式M0SFET器件)）。在該具體實施中，外部塊290 (或其一部分)可經(jīng)由互連部件250F電耦合至與半導體管芯242的底部表面相對的半導體管芯242 的頂部表面，所述底部表面面向外部塊290。
[0067] 在一些具體實施中，重新分布層252、導電柱254和/或表面覆鍍層256可由金屬 (例如鈦、銅、鋁和/或諸如此類)形成。在一些具體實施中，導電柱254可包括例如納米粒子銅焊接合，或者可使用例如納米粒子銅焊接合來形成。在一些具體實施中，重新分布層252 和/或導電柱254中的一個或多個可使用例如電鍍工藝來形成。相似地，表面覆鍍層256 可由金屬形成，并可使用電鍍工藝來形成。在一些具體實施中，表面覆鍍層256可使用例如濺射工藝(例如，鈦/銅濺射工藝）來形成。
[0068] 如圖2A所示，使用兩層導體--重新分布層252和導電柱254--來形成互連部件250。在一些具體實施中，互連部件250中的一個或多個可使用不止兩層導體來形成。例如，互連部件可包括重新分布層、耦合至重新分布層的第一導電柱層以及耦合至第一導電柱層的第二導電柱層，使得第一導電柱層設置在重新分布層與第二導電柱層之間。
[0069] 圖2B為圖2A所示器件200的變型或其一部分的側剖視圖。在該具體實施中，重新分布層252為第一重新分布層252,器件200包括第二重新分布層253。第一重新分布層 252的部分可稱為第一重新分布層部分(例如，第一重新分布層部分252G)，第二重新分布層252的部分可相似地稱為第二重新分布層部分。在該具體實施中，第二重新分布層253 包括第二重新分布層部分253A以及第二重新分布層部分253B。在一些具體實施中，第二重新分布層部分253A可為第二重新分布層253的第一部分253A，第二重新分布層部分253B 可為第二重新分布層253的第二部分253B。
[0070] 第二重新分布層253可具有不同于(例如，小于、大于)第一重新分布層252的表面積(例如，在平面圖中觀察或沿著方向A1觀察時的覆蓋面積或外部輪廓）的表面積(例如，在平面圖中觀察或沿著方向A1觀察時的覆蓋面積或外部輪廓)。在一些具體實施中，第二重新分布層253可具有與第一重新分布層252的表面積(或覆蓋面積）等同或相同的表面積(或覆蓋面積)。在一些具體實施中，第二重新分布層253可具有不同于第一重新分布層 252的圖案(例如，相比于第一重新分布層252的圖案具有更高的密度、在一些尺寸上偏移、具有更低的密度、具有不同的形狀）的圖案。在一些具體實施中，第二重新分布層253可具有與第一重新分布層252的圖案等同或相同的圖案。
[0071] 如圖2B所示，第二重新分布層部分253B設置在第一重新分布層252與半導體管芯244之間。在該具體實施中，第二重新分布層部分253A設置在第一重新分布層部分252E 與導電柱254E之間。因此，第二重新分布層253 (或其一部分)設置在第一重新分布層252 與導電柱254之間。
[0072] 在該具體實施中，第二重新分布層部分253B與器件200的特定元件相關聯(lián)。特別地，第二重新分布層部分253B與半導體管芯244以及與第一重新分布層部分252G相關聯(lián)。相似地，第二重新分布層部分253A與器件200的特定元件相關聯(lián)。特別地，第二重新分布層部分253A與導電柱254E以及第一重新分布層部分252E相關聯(lián)。
[0073] 在一些具體實施中，第二重新分布層253或其一部分可與不止一個或不止兩個元件(例如，管芯和導電柱)相關聯(lián)。在一些具體實施中，第二重新分布層253的多個部分可與單個元件(例如，管芯、模組、柱）相關聯(lián)。
[0074] 如圖2B所不，第一重新分布層部分252E、第二重新分布層部分253A和導電柱 254E (以及表面覆鍍層部分256E)限定疊堆(例如，堅直疊堆)。相比之下，第一重新分布層部分252F和導電柱254F限定疊堆(例如，堅直疊堆)，而無需居間的第二重新分布層或其部分。
[0075] 在該具體實施中，第一重新分布層252和第二重新分布層部分253B可具有大于第一重新分布層252自身的堅直尺寸B3的堅直尺寸B5(或厚度)。在一些具體實施中，第一重新分布層252的一部分的堅直尺寸可不同于第一重新分布層252的另一部分的堅直尺寸。因此，盡管未示出，但在一些具體實施中，例如重新分布層部分252D的堅直尺寸B3可等于或大于重新分布層部分252F與第二重新分布層部分253B的組合的堅直尺寸B5。
[0076] 在一些具體實施中，第二重新分布層253不是恒定或一致的，而是可具有第一部分，所述第一部分具有不同于(例如，小于、大于）第二重新分布層253的第二部分的堅直尺寸。例如，第二重新分布層部分253A可具有不同于第二重新分布層部分253B的堅直尺寸的堅直尺寸。
[0077] 在該具體實施中，第二重新分布層253的堅直尺寸B6小于第一重新分布層252的堅直尺寸B3。在一些具體實施中，第二重新分布層253的堅直尺寸B6可大于或等于第一重新分布層252的堅直尺寸B3。
[0078] 在一些具體實施中，一個重新分布層的堅直尺寸可被限定，使得元件的表面相對于基板230的距離可被限定。例如，重新分布層253的堅直尺寸B6可被限定，使得組合堅直尺寸B5導致半導體管芯244的一個表面(例如，底部表面、頂部表面）與基板230相距指定距離。因此，重新分布層253的堅直尺寸B6可被限定，使得組合堅直尺寸B5導致半導體管芯244的該表面與基板230相距更遠或者與外部塊290相距更近。
[0079] 在一些具體實施中，多個重新分布層的堅直尺寸(或厚度）可被限定，使得第一元件的表面相對于基板230的第一距離可相對于第二元件的表面相對于基板230的第二距離被限定。例如，如圖2B所不，包括第一分布層部分252G、第二分布層部分253B和半導體管芯244的疊堆可具有大于包括第一分布層部分252F和半導體管芯242的疊堆的堅直尺寸 (未標記）的堅直尺寸（或厚度）（未標記)。因此，較之于不具有第二分布層部分253B的情況下可能的，半導體管芯244的底部表面可與基板230相距更遠(并且半導體管芯244可更薄)。
[0080] 盡管未示出，但在一些具體實施中，第二重新分布層可被限定(例如，在第一重新分布層252與半導體管芯242之間），使得較之于不具有第二分布層253 (或其部分）的情況，半導體管芯242的底部表面與基板230之間的距離可更接近半導體管芯244的底部表面與基板230之間的距離。盡管半導體管芯242和半導體管芯244的堅直尺寸(或厚度)存在差異，但依然可實現(xiàn)這一點。在一些具體實施中，第二重新分布層253的使用可使得能實現(xiàn)半導體管芯242和半導體管芯244 (或其他部件)的堅直尺寸(或厚度)的差異。這種對距離的操縱可方便封裝過程以及使用例如模塑層240的包封或至少部分包覆(或四周包覆)。
[0081] 在一些具體實施中，重新分布層的堅直尺寸可被限定，使得元件的厚度(相對于另一個元件)可被限定。例如，半導體管芯244的堅直尺寸或厚度可被限定，使得圖2B所示的半導體管芯244的堅直尺寸或厚度可小于圖2A所示的半導體管芯244的堅直尺寸或厚度。另外，第二重新分布層253的使用可使得能實現(xiàn)圖2B所示的半導體管芯244的厚度的減小，而半導體管芯244仍與表面覆鍍層256接觸(或暴露于表面覆鍍層256)?？稍谄骷?00 的總厚度保持不變且半導體管芯244的表面覆鍍有表面覆鍍層256的情況下，實現(xiàn)這一點。換句話講，第二重新分布層253可用作墊片，該墊片可補償(或允許)更薄的半導體管芯244 (其可為分立器件，例如M0SFET器件)。出于半導體管芯244的性能目的，可能希望更薄的半導體管芯244。在一些具體實施中，半導體管芯244的堅直尺寸或厚度可小于或等于半導體管芯242 (其在該具體實施中為埋設的）的堅直尺寸或厚度。在一些具體實施中，半導體管芯244的堅直尺寸或厚度可大于半導體管芯242的堅直尺寸或厚度。
[0082] 盡管圖2B未示出，但器件200中可包括不止兩個重新分布層。所述不止兩個重新分布層中的兩個或更多個可具有相同或不同的堅直尺寸或厚度。
[0083] 圖2C為根據(jù)一個具體實施的圖2A所示器件200的另一變型或其一部分的側剖視圖。如圖2C所示，重新分布層252為第一重新分布層252,器件200包括第二重新分布層 257。第一重新分布層252的部分可稱為第一重新分布層部分(例如，第一重新分布層部分 252F)，第二重新分布層257的部分可相似地稱為第二重新分布層部分。在該具體實施中，第二重新分布層257包括第二重新分布層部分257A到257E。
[0084] 在器件200的這種變型中，第一重新分布層部分257C到257E耦合至第二重新分布層部分252D。因此，第二重新分布層部分257C到257E中的每一個的寬度(或橫向尺寸(例如，橫向橫截面尺寸））小于第一重新分布層部分252D的寬度。第一重新分布層部分257A 到257E可被配置為與半導體管芯246的觸點圖案相匹配或對應。
[0085] 第二重新分布層257可被限定以方便半導體管芯246在器件200內的耦合(例如，接合)。例如，部分257A到257E的縱橫比(或尺寸)可被配置為方便半導體管芯246到第二重新分布層257的焊接(通過焊料的表面張力）。在一些具體實施中，第二重新分布層部分 257A到257E的相對較小的縱橫比(或尺寸)可使得能在部分257A到257E之間不短路的情況下實現(xiàn)焊接。第一重新分布層252可具有倘若第二重新分布層部分257A到257E的尺寸可相對較小(且為電阻性的）便可促進電流或電流傳導(例如，低電阻）的尺寸。
[0086] 此外，第一重新分布層252的堅直尺寸B3 (或厚度）可大于第二重新分布層257 的堅直尺寸B7 (或厚度)。第一重新分布層252的堅直尺寸B3可大于第二重新分布層257 的堅直尺寸B7以促進與第二重新分布層257相關的電流(例如，低電阻)。在一些具體實施中，第一重新分布層252的堅直尺寸B3可小于或等于第二重新分布層257的堅直尺寸B7。 [0087] 第二重新分布層257可被限定以消除與半導體管芯246相關的晶片級處理。例如，在一些具體實施中，半導體管芯246在晶片級處理期間可包括多個不同的層，所述多個不同的層包括例如焊料和導電柱。在第一重新分布層252上形成第二重新分布層257可消除(或降低)在晶片級形成所述多個不同的層中的一個或多個(包括例如導電柱)的需求。在一些具體實施中，圖2B示出的特征可與圖2C中包括的特征相組合。
[0088] 在一些具體實施中，堅直尺寸B3和/或堅直尺寸B7可相對較薄以容納相對較厚的半導體管芯。例如，第一重新分布層252的堅直尺寸B3和/或第二重新分布層254的堅直尺寸B7可相對較薄，使得半導體管芯246可厚于例如圖2A到2C所示的。
[0089] 圖3A為根據(jù)一個具體實施的另一器件300或其一部分的側剖視圖。如圖3A所不，器件300包括設置在位于基板330的側C1 (例如，第一側）上的模塑層360內的電感部件370?；ミB部件350和半導體管芯342、344設置在位于器件300的基板330的側C2 (例如，第二側)上的模塑層340內。因此，器件300包括基板330的側C1上的磁集成以及基板 330的側C2上的互連集成。在一些具體實施中，可不包括互連集成，使得獨立式電感部件可使用磁集成來形成。
[0090] 器件300內的磁集成的使用可以所希望的方式降低器件300的總尺寸和復雜度。在一些功率轉換電路中，例如諸如電感器和變壓器的電感部件(例如，磁性部件）的使用相對常見。但是，通過如本文所述提供集成在器件300內的封裝內磁性件，整體解決方案尺寸得以減小，同時性能、成本和復雜度均可以所希望的方式得以改進。
[0091] 器件300中的互連部件350中的若干個由重新分布層352的部分(其可稱為重新分布層部分)及導電柱354限定?；ミB部件350的一個或多個部分可被包括在互連區(qū)域(例如，圖1所示的互連區(qū)域145)內。在圖3A中，表面覆鍍層356設置在器件300與外部塊 390之間。
[0092] 電感部件370可包括若干層嵌入到模塑層360內的導體。特別地，電感部件370 可包括底部重新分布層372、導電柱374 (其可稱為導電柱層）以及頂部重新分布層376。因此，導電柱374可設置在底部重新分布層372與頂部重新分布層376之間。底部重新分布層372、導電柱374以及頂部重新分布層376可共同限定電感部件370的繞組371。電感部件370的繞組371的處于器件300的橫截面平面的平面之外的部分在該實施方案中以虛線示出。
[0093] 模塑層360的至少一部分361可包括磁性物質，該磁性物質用作電感部件370的磁芯。在一些具體實施中，用作磁芯的模塑層360的部分361可稱為磁芯部分。因此，由電感部件370限定的繞組371可繞著模塑層360的磁芯部分設置。
[0094] 模塑層360的部分361 (其用作磁芯）中包括的磁性物質可包括例如鐵磁材料、磁化的納米粒子材料、金屬(例如，鐵、鋅、鈷、錳）和/或諸如此類。在一些具體實施中，磁性物質可嵌入到模塑層360內（例如，懸浮于模塑層360內）。在一些具體實施中，如果使用納米粒子材料，則納米粒子可涂覆在絕緣材料(例如碳）中，使得納米粒子中的每一個可與其他納米粒子大致隔離。在一些具體實施中，納米粒子可具有大約10納米（nm)至lOOnm(例如，40nm、50nm、75nm)的尺寸(例如，平均尺寸、目標尺寸)。在一些具體實施中，納米粒子可具有小于l〇nm和/或大于lOOnm的尺寸(例如，平均尺寸、目標尺寸）。
[0095] 納米粒子可用于形成相對高效的磁芯。在一些具體實施中，用作磁芯的納米粒子可在能量密度方面優(yōu)于例如常規(guī)鐵氧體材料。這可通過在繞組371內使用相對較多的匝數(shù)，在小體積內得到相對較大的電感。繞組371可將相對較多的匝數(shù)與相對較低的阻抗相結合，這可導致相對高效的電感器和/或變壓器。
[0096] 在一些具體實施中，模塑層360的部分361可使用溉射技術、沉積技術、模塑技術、蒸發(fā)物質、包括納米粒子的液體混合物和/或諸如此類來形成。在一些具體實施中，磁力可用于對用于形成模塑層360的部分361的物質(例如，磁性物質或混合物）進行分離。
[0097] 在一些具體實施中，磁性物質可在沉積室(例如濺射室）中形成為納米粒子。在一些具體實施中，納米粒子可為用于形成模塑層360的部分361的磁性物質的起始結構基礎。
[0098] 在一些具體實施中，模塑層360的部分361可包括多種濃度的磁性物質(例如，納米粒子)。例如，模塑層360的部分361可包括具有隨深度(沿著堅直方向A1)變化或者沿著水平方向（沿著水平方向A2和/或A3)變化的濃度(例如，漸變濃度）的磁性物質。在一些具體實施中，部分361內的磁性物質的濃度可大于或等于50% (例如，60%、75%、90%、99%、 100%)。在一些具體實施中，模塑層360的部分361內的納米粒子的濃度可小于50%。
[0099] 在一些具體實施中，模塑層360的部分361可包括材料的多個層(例如，子層)。例如，部分361可包括磁性材料(例如，包括磁性物質的材料）和非磁性材料(例如，隔離層）的交替層(或交錯層)。在一些具體實施中，通過將模塑層360的部分361遞增地形成于磁性層之間具有隔離層的層中，可顯著降低在形成期間可產(chǎn)生的渦電流。
[0100] 如上所述，模塑層360可包括模塑件的多個層（或子層）或者模塑層360的多個部分。例如，底部重新分布層372可設置在模塑層360的第一部分(或第一子層）內，導電柱 374可設置在模塑層360的第二部分（或第二子層）中，頂部重新分布層376可設置在模塑層360的第三部分(或第三子層)中。在一些具體實施中，模塑層360的第一部分、第二部分和/或第三部分可由相同材料制成。在一些具體實施中，模塑層360的第一部分、第二部分或第三部分中的一個或多個可由不同材料制成。在一些具體實施中，模塑層360的第一部分、第二部分或第三部分中的一個或多個可使用不同方法和/或使用不同處理步驟形成。
[0101] 例如，模塑層360的第一部分可由不包括磁性物質的材料在第一處理步驟期間形成，模塑層360的第二部分可由包括磁性物質的材料在第二處理步驟期間（繼第一處理步驟之后）形成。模塑層360的第三部分可由第一部分或第二部分的相同材料在第三處理步驟期間形成。在一些具體實施中，模塑層360的第三部分可由與第一部分和/或第二部分所使用的材料不同的材料形成。
[0102] 在一些具體實施中，模塑層360的第一、第二和第三部分可以順次的方式形成。例如，模塑層360的第一部分可連同底部重新分布層372的形成一起形成，模塑層360的第二部分可連同導電柱374的形成一起形成，模塑層360的第三部分可連同頂部重新分布層376 的形成一起形成。下文討論了與電感部件的形成相關的更多細節(jié)。
[0103] 圖4A為電感部件的繞組471內的導體的俯視圖。繞組471被示出為不具有繞著繞組471設置的模塑層，使得繞組471中包括的導體可易于示出。圖4A所示的繞組471可與圖3A或圖3B所示的繞組371類似。如圖4A所示，繞組471包括在底部重新分布層462 (以交叉影線示出）內所包括的導體、導電柱464以及在頂部重新分布層466 (以斜線示出）內所包括的導體。
[0104] 多種配置的繞組可形成在不同于圖4A所示的電感部件的電感部件內。例如，繞組可使用一個重新分布層內的導體來形成，所述導體具有一個或多個直角、一個或多個彎曲部分和/或諸如此類。在一些具體實施中，繞組沿著縱軸(例如沿著圖3A或圖3B所示的方向A1)和/或橫軸(沿著圖3A或圖3B所示的方向A2或A3)可具有蝸旋形狀或螺旋形狀。
[0105] 重新參見圖3A，在一些具體實施中，模塑層360的部分361可具有大于繞組371的橫向尺寸(沿著方向A2和/或八3)的總橫向尺寸(沿著方向A2和/或八3)。在一些具體實施中，模塑層360的部分361可具有小于或等于繞組371的橫向尺寸（沿著方向A2和/或 A3)的橫向尺寸(沿著方向A2和/或八3)。在部分361在橫向尺寸上延伸超出繞組371的具體實施中，磁回路可閉合并且磁通線可保持在部分361內，這可能是所希望的。
[0106] 盡管圖3A未示出，但在一些具體實施中，模塑層360內可形成不止一個繞組(與繞組371類似)。在一些具體實施中，所述多個繞組可彼此電耦合。在一些具體實施中，繞組可 (例如，經(jīng)由磁通量)磁耦合以形成例如變壓器。繞組可繞著相鄰磁芯部分彼此相鄰放置，使得分別與繞組相關的磁通線可通過彼此而同時相對地電隔離。在一些具體實施中，繞組可彼此既電絕緣又磁絕緣。盡管未示出，但在一些具體實施中，繞組之間的電隔離可通過將第一繞組(及磁芯）設置在基板330的側C1上以及將第二繞組(及磁芯）設置在基板330的側 C2上來實現(xiàn)。因此，來自例如第一繞組的磁通線可通過基板330并且可通過第二繞組(及磁芯)。
[0107] 在一些具體實施中，可形成多個繞組，使得繞組的至少一些部分在相同水平面(例如，平面A4)內位于彼此側面。在一些具體實施中，多個繞組可堅直地一個疊一個地形成，使得所述多個繞組沿著堅直方向A1堅直地堆疊。
[0108] 在圖3A所示的該具體實施中，繞組371通過基板過孔331和基板過孔332 (還可稱為導電過孔)電耦合至互連部件350A和互連部件350B?；暹^孔331、332穿過基板330 而形成?；暹^孔331和基板過孔332可包括導電材料(例如金屬）。在該具體實施中，繞組371使用互連部件350A、350B以及基板過孔331、332電耦合至外部塊390。在一些具體實施中，繞組371可電耦合至在模塑層340和/或模塑層360中所包括的一個或多個部件。例如，在一些具體實施中，繞組371可電耦合至在模塑層340和/或模塑層360中所包括的一個或多個半導體管芯。
[0109] 導電柱374可具有堅直尺寸C3 (沿著堅直方向A1)，堅直尺寸C3可稱為厚度或高度，大于底部重新分布層372的堅直尺寸C4以及大于頂部重新分布層376的堅直尺寸C5。在一些具體實施中，堅直尺寸C3可等于或小于堅直尺寸C4和/或等于或小于堅直尺寸C5。底部重新分布層372的堅直尺寸C4和/或頂部重新分布層376的堅直尺寸C5可與重新分布層352的堅直尺寸C6相同或不同(例如，大于、小于)。導電柱374的堅直尺寸C3可與導電柱354的堅直尺寸C7相同或不同(例如，大于、小于)。
[0110] 在一些具體實施中，如果器件300包括多個繞組，則所述多個繞組中的兩個或更多個可具有相同或不同的匝數(shù)。例如，第一繞組可具有第一匝數(shù)，第二繞組可具有不同于第一匝數(shù)的第二匝數(shù)。另外，所述多個繞組中的兩個或更多個可具有相同或不同的尺寸(例如，高度(總高度)、橫向尺寸（總橫向尺寸)、長度(總長度)、導體橫截面尺寸、芯尺寸(或體積）等)。
[0111] 在一些具體實施中，底部重新分布層372、導電柱374和/或頂部重新分布層376 可由金屬(例如銅、鋁和/或諸如此類）形成。在一些具體實施中，底部重新分布層372、導電柱374和/或頂部重新分布層376可使用例如電鍍工藝來形成。
[0112] 如圖3A所示，繞組371使用三層導體--底部重新分布層372、導電柱374和頂部重新分布層376--來形成。在一些具體實施中，一個或多個繞組(例如，繞組371)可使用不止三層導體來形成。在一些具體實施中，如果器件300包括多個繞組，則所述多個繞組中的兩個或更多個可包括相同或不同層的導體(還可稱為導體層）。
[0113] 在一些具體實施中，半導體管芯342、344中的一個或多個可為模組(例如，分立器件模組、封裝器件模組)。因此，模組可接合至(例如，耦合至）重新分布層352。
[0114] 圖3B為根據(jù)一個具體實施的圖3A所示器件300的變型或其一部分的側剖視圖。電感部件370的處于橫截面平面之外的元件以虛線示出。
[0115] 在該具體實施中，從圖3A所示的電感部件改造了電感部件370。電感部件370不使用導電柱374和頂部重新分布層376來形成，而是使用若干線材377來形成。如圖3B所示，重新分布層372 (在結合圖3A所示的具體實施進行討論時，其稱為底部重新分布層）限定或包括焊盤372A、372B，線材377中的至少一些可耦合(例如，接合、焊接）至焊盤372A、 372B。因此，線材377和重新分布層372共同限定電感部件370的繞組371。
[0116] 在一些具體實施中，線材377可為例如接合線、盤繞線、銅夾和/或諸如此類。在一些具體實施中，線材377中的一個或多個可限定一個或多個回路。在一些具體實施中，線材377中的一個或多個可具有與圖3B所示不同的形狀。在一些具體實施中，線材377中的一個可具有與圖3B所示的線材377中的另一個不同的形狀或橫截面。
[0117] 在一些具體實施中，重新分布層372中可包括比圖3B所示更多的焊盤或更少的焊盤。在一些具體實施中，焊盤372A、372B可具有相同或不同的表面積(例如，覆蓋面積，外部輪廓）和/或體積。在一些具體實施中，可將一個或多個另外的重新分布層（未示出）堆疊 (例如，堅直地堆疊）在重新分布層372的一個或多個部分上。
[0118] 在一些具體實施中，不同的無源元件(例如，電阻元件）可代替(或連同）電感部件 370被包括在器件300中。在此類具體實施中，所述不同的無源元件可使用多種材料(例如線材、銅夾、接合材料、多晶硅和/或諸如此類）來形成。
[0119] 圖4B為電感部件的繞組471B內的導體的俯視圖。繞組471B被示出為不具有繞著繞組471B設置的模塑層，使得繞組471B中包括的導體可易于示出。圖4B所示的繞組471B 可與圖3A或圖3B所示的繞組371類似。如圖4B所示，繞組471B包括在重新分布層472B (例如，底部重新分布層）（以交叉影線示出）中所包括的導體以及線材477B (例如，線狀導體）（以斜線示出）。
[0120] 多種配置的繞組可形成在不同于圖4B所示的電感部件的電感部件內。例如，繞組可使用一個重新分布層內的導體來形成，所述導體具有一個或多個直角、一個或多個彎曲部分和/或諸如此類。在一些具體實施中，線材477B沿縱軸和/或橫軸可具有多種蝸旋形狀和/或螺旋形狀。
[0121] 圖3C為根據(jù)一個具體實施的圖3A所示器件的另一變型或其一部分的側剖視圖。在該具體實施中，第一芯片378 (還可稱為第一模組)和第二芯片379 (還可稱為第二模組）被包括在器件300的側C1上。第一芯片378耦合至(例如，接合至）重新分布層373,第二芯片耦合至(例如，接合至）重新分布層372。重新分布層372包括焊盤372C、焊盤372D和焊盤372E。重新分布層373包括焊盤373A和焊盤373B。重新分布層373設置在重新分布層372上，使得重新分布層372設置在重新分布層373與基板330之間。焊盤373A設置在焊盤372C上(或耦合至焊盤372C)，焊盤373B耦合至焊盤372D。
[0122] 在該具體實施中，第一芯片378具有小于第二芯片379的厚度的厚度。在一些具體實施中，第一芯片378的厚度可與第二芯片379的厚度相同。在一些具體實施中，第一芯片378的尺寸可與第二芯片379的尺寸不同或相同。在一些具體實施中，模塑層360(或其至少一部分）可任選地從圖3C所示的器件300中省去。
[0123] 在一些具體實施中，少于兩個的芯片可耦合至側C1上的一個或多個重新分布層 (例如，重新分布層372)。在一些具體實施中，第一芯片378和/或第二芯片379可為，或可包括，模組。在一些具體實施中，第一芯片378和/或第二芯片379可為，或可包括，分立器件(例如，M0SFET器件、電感器、無源部件和/或諸如此類)。
[0124] 圖5A為根據(jù)一個具體實施的又一器件500或其一部分的側剖視圖。如圖5A所示，器件500包括電容部件580,電容部件580具有設置在基板530的側E1 (例如，第一側）上的模塑層560內的電容板582?；ミB部件550和半導體管芯542、544設置在器件500的基板530的側E2 (例如，第二側）上的模塑層540內。在一些具體實施中，電容板582可為形成在基板530的側E1上的重新分布層的(例如，該重新分布層中所包括的）一部分。
[0125] 圖5A中的互連部件550中的若干個由重新分布層552的部分(其可稱為重新分布層部分）及導電柱554限定?；ミB部件550的一個或多個部分可被包括在互連區(qū)域(例如，圖1中所不的互連區(qū)域145)內。表面覆鍍層556可設置在器件500與外部塊590之間。
[0126] 如圖5A所示，電容部件580包括由電容板582、重新分布層部分552A以及設置在電容板582與重新分布層部分552A之間的基板530限定的電容器CAP1。電容板582用作電容器CAP1的第一電容板，重新分布層部分552A用作電容器CAP1的第二電容板，基板530 用作電容器CAP 1的電介質。因此，電容器CAP 1將基板530用作電介質，且具有設置在基板 530的一側(例如，側E1)上的至少一部分以及設置在基板530的相對側(例如，側E2)上的另一部分。
[0127] 在該具體實施中，電容部件580包括由電容板582、重新分布層部分552B以及設置在電容板582與重新分布層部分552B之間的基板530 (以類似于CAP1的方式)限定的電容器CAP2 (S卩，第二電容器)。因此，電容器CAP2將基板530用作電介質，且具有設置在基板 530的一側(例如，側E1)上的至少一部分以及設置在基板530的相對側(例如，側E2)上的另一部分。
[0128] 在該具體實施中，電容器CAP1和電容器CAP2共用電容板582。換句話講，電容器 CAP1和電容器CAP2包括共同的電容板一電容板582。盡管圖5A未示出，但在一些具體實施中，電容器CAP1和電容器CAP2可包括位于基板530的側E1上的不同電容板。
[0129] 圖5B為示意圖，示出了圖5A所示電容部件580及半導體管芯542、544的等效電路。如圖5B所示，包括串聯(lián)的電容器CAP1和電容器CAP2的電容部件580設置在半導體管芯542與半導體管芯544之間。該示意圖還示出了與電容器CAP1和CAP2并聯(lián)的第二組電容器CAP3和CAP4。
[0130] 電容部件580可用于半導體管芯542與半導體管芯544之間的信號隔離。換句話講，電容部件580可用于隔離半導體管芯542、544之間的信號。在一些具體實施中，信號可包括信號脈沖、模擬信號(使用抽取技術生成)、相對較高頻率的信號、相對較低頻率的信號和/或諸如此類。在一些具體實施中，用于信號隔離的一個或多個電容部件的集成可稱為隔離集成。
[0131] 在一些具體實施中，半導體管芯542和/或半導體管芯544可包括多種半導體器件和/或電路。在一些具體實施中，半導體管芯542可包括例如驅動電路，半導體管芯544 可包括例如比較器電路。驅動電路可被配置為使用單向通信經(jīng)由電容部件580與比較器電路通信。在一些具體實施中，器件500的變型中可包括經(jīng)由類似于電容部件580的一個或多個電容部件的雙向通信。換句話講，在一些具體實施中，器件500中可包括并聯(lián)及串聯(lián)的多個電容器。
[0132] 重新參見圖5A，在一些具體實施中，基板530可為，或可包括，例如氮化鋁（A1N)、氮化硅（Si 3N4)、氧化鋁（A1203)或其衍生物、FR4和/或諸如此類。在一些具體實施中，基板 530的可稱為厚度或高度的堅直尺寸D1 (沿著堅直方向A1)可小于(例如，薄于)模塑層540 的堅直尺寸D2和/或模塑層560的堅直尺寸D3。在一些具體實施中，可針對電容器CAP1、電容器CAP2和/或電容器CAP1與電容器CAP2的組合電容的目標電容值來配置基板530的堅直尺寸D1。在一些具體實施中，基板530的堅直尺寸D1可大約等于或小于堅直尺寸D2 和/或堅直尺寸D3。在一些具體實施中，基板530可具有可針對目標電容值而減薄或增大的堅直尺寸。
[0133] 盡管在該實施方案中被不出為包括串聯(lián)電容器，但形成在器件500內的一個或多個電容部件可包括并聯(lián)的兩個或更多個電容器和/或串聯(lián)的兩個或更多個電容器。盡管圖 5A中未示出，但器件500可包括在基板530的側E1和/或側E2上的磁集成。在此類具體實施中，電容部件580 (或其變型）可使用例如重新分布層、一個或多個導電柱和/或諸如此類來電耦合至基板530的側E1上和/或側E2上的磁性部件。在一些具體實施中，器件 500可包括在基板530的側E1上的互連集成。在一些具體實施中，器件500可使例如基板 530的側E2不包括互連集成。
[0134] 盡管圖5A中未示出，但在一些具體實施中，包括在器件500中的電容部件可被配置為具有通過導電過孔耦合至重新分布層552的電容器(例如，單個電容器)。在此類具體實施中，電容器CAP1或電容器CAP2可被去除。在此類具體實施中，形成在基板530內（例如，穿過基板530形成）的導電過孔可具有耦合至(例如，直接耦合至）電容板582的第一末端并且可具有耦合至(例如，直接耦合至）重新分布層552的第二末端。
[0135] 盡管圖5A或5B中未示出，但在一些具體實施中，電容部件580 (或其變型）可用于包括在器件500中的半導體器件(例如，電路)與器件500外部的半導體器件(例如包括在外部塊590中或耦合至外部塊590的電路)之間的信號隔離。在此類具體實施中，穿過模塑層540的整體設置的互連部件(例如圖3A到3C所示的互連部件350B)可電耦合至電容部件 580。
[0136] 盡管圖5A中未示出，但在一些具體實施中，可形成多個電容部件，使得所述電容部件的至少一些部分在相同水平面(例如，平面A4)內位于彼此側面。在一些具體實施中，多個電容部件可堅直地一個疊一個地形成，使得電容部件沿著堅直方向A1堅直地堆疊。
[0137] 在一些具體實施中，電容板582、導電柱554和/或重新分布層552可由金屬(例如銅、鋁和/或諸如此類)形成。在一些具體實施中，電容板582、導電柱554和/或重新分布層552可使用例如電鍍工藝來形成。
[0138] 圖5C為圖5A所示器件500的一部分的變型的側剖視圖。如圖5A所示，器件500 包括具有嵌入到基板內的至少一部分的電容部件CAPM。盡管未標記，但電容部件CAPM包括多個(至少一對）電容板(還可稱為電極）以及設置在電容板之間的電介質(還可稱為電介質層)。電容部件CAPM的電容板和電介質設置在基板530內。在該具體實施中，電容部件 CAPM使用過孔599來電耦合至器件500內的其他部件。電容部件CAPM使用過孔599中的一個來耦合至基板530的側E1上的重新分布層部分552A，并且使用過孔599中的另一個來耦合至側E2上的電極582A (其可為重新分布層的部分)。電容部件CAPM可用于例如信號完整性(去耦）應用。
[0139] 盡管未示出，但在一些具體實施中，電容部件CAPM可具有暴露的至少一部分。例如，電容部件CAPM的至少一部分(例如，電容板、電介質的至少一部分)可位于基板530的外部(或暴露于基板530的外部)(例如，位于基板的側E1或側E2上)。盡管未不出，但在一些具體實施中，電容部件(例如電容部件CAPM)可耦合至基板530的表面(例如，頂部表面、底部表面)。
[0140] 圖6A到6G為側剖視圖，示出了根據(jù)一個具體實施的圖3A所示器件300的形成。圖6A到6G所示形成環(huán)節(jié)中的多個可用于形成圖3B和3C的部分。下文還描述了與這些變型相關的說明。
[0141] 在該具體實施中，器件300包括磁集成和互連集成兩者，因此對基板330的兩側執(zhí) 行針對多個層的處理。在一些具體實施中，器件300還可包括隔離集成。在一些實施方案中，器件300可不包括磁集成和/或互連集成。在一些具體實施中，處理步驟中的一個或多個可作為成批處理(與其他器件一起）或作為連續(xù)處理執(zhí)行。在一些具體實施中，還可在成批處理中（與其他器件一起)執(zhí)行最終測試以降低測試成本并縮減制造周期時間。在最終測試之后，可將器件300從其他器件(例如，其他相連接或成組的器件)分切成圖3A到3C所示的單獨器件。
[0142] 在一些具體實施中，一個或多個處理步驟可同時地、連續(xù)地或以交錯的方式執(zhí)行。例如，在一些具體實施中，可對基板330的側C1執(zhí)行處理(例如，覆鍍、沉積)，然后可對基板 330的側C2執(zhí)行處理。在一些具體實施中，可對基板330的側C1和側C2同時地執(zhí)行處理 (例如，蝕刻)。下文將結合處理步驟描述與處理順序相關的更多細節(jié)。
[0143] 圖6A為示出了基板330的示意圖。如圖6A所示，基板過孔(或開口）331、332形成于(例如，使用蝕刻或機械工藝(例如，鉆孔處理）形成于）基板330內。在一些具體實施中，基板可包括上述的基板材料中的任何材料?；?30可具有如下的形狀(例如，堅直尺寸、面積）：該形狀便于與器件300類似的大量單獨器件(例如，封裝件）的組裝。
[0144] 圖6A所示的基板330可以金屬（例如銅）接晶種(在側C1上以及在側C2上)，作為底部重新分布層372和重新分布層352的電鍍的準備。盡管6A或6B未示出，但在接晶種處理已執(zhí)行之后，可將可用作用于重新分布層形成的光致抗蝕劑層的感光材料(例如，干膜)設置在種子層中的每一個上。在一些具體實施中，用于重新分布層形成的光致抗蝕劑層可各自稱為重新分布光致抗蝕劑層。
[0145] 通過使用光刻處理，重新分布光致抗蝕劑層(位于基板330的每一側上）可一起或單獨地被圖案化以便去除要電鍍的區(qū)域。重新分布光致抗蝕劑層中的間隙或開口經(jīng)電鍍形成圖6B所示的底部重新分布層372和重新分布層352。在一些具體實施中，CMP用于拋光 /去除電鍍層。圖6B示出了在重新分布光致抗蝕劑層已去除之后的器件300。
[0146] 在一些具體實施中，可首先電鍍基板330的兩側的整個表面(使用一個或多個處理步驟)。隨后，可使用一個或多個重新分布光致抗蝕劑層、光刻處理及蝕刻處理來去除電鍍區(qū)域的部分，以形成底部重新分布層372和重新分布層352。
[0147] 盡管圖6A到6G中未示出，但重新分布層352和/或重新分布層372可與電容器件相關聯(lián)。換句話講，重新分布層352和/或重新分布層372可與隔離集成相關聯(lián)。在一些具體實施中，導電過孔(例如導電過孔331、332)可形成為電容部件的部分。
[0148] 在重新分布層352、372已形成之后，可在基板330的每一側上形成用于導電柱的形成的光致抗蝕劑層。在一些具體實施中，用于導電柱的形成的光致抗蝕劑層可各自稱為導電柱光致抗蝕劑層。導電柱光致抗蝕劑層可使用光刻技術(例如，光刻處理、蝕刻處理)來圖案化。特別地，通過使用光刻處理，導電柱光致抗蝕劑層(位于基板330的每一側上)可被圖案化以便去除要電鍍的區(qū)域。然后，導電柱光致抗蝕劑層中的間隙或開口可經(jīng)電鍍形成圖6C所示的導電柱654和導電柱664。圖6C示出了在導電柱光致抗蝕劑層已去除之后的器件300。
[0149] 在一些具體實施中，當在器件300上形成導電柱光致抗蝕劑層中的一個或多個時重新分布光致抗蝕劑層中的一個或多個可保留在器件300上。在一些具體實施中，在形成導電柱光致抗蝕劑層中的一個或多個之前，可拋光(例如，使用化學機械拋光（CMP)處理來拋光）和/或清潔重新分布光致抗蝕劑層中的一個或多個。
[0150] 在導電柱354、364已形成之后，將半導體管芯342、344和/或其他部件(例如，其他無源部件）（未示出）耦合至(例如，設置在其上、熔接至）形成在如圖6D所示的重新分布層352內的一個或多個導體(例如，焊盤)。盡管圖6D未示出，但在一些具體實施中，可將一個或多個半導體管芯和/或其他部件耦合至底部重新分布層372的一部分。
[0151] 在一些具體實施中，一種或多種處理可用于將半導體管芯342、344 (和/或其他部件)耦合至重新分布層352。例如，可使用導電環(huán)氧樹脂、焊接、金屬對金屬接合(例如，銅對銅接合)、使用納米粒子銀或其他材料的接合和/或諸如此類來執(zhí)行耦合(例如，經(jīng)由耦合層)。在一些具體實施中，半導體管芯342、344 (和/或其他部件)可被機械改造(例如，使用 CMP處理拋光、使用磨削處理改造）以具有大約等于導電柱354的堅直尺寸C7的堅直尺寸，使得半導體管芯342、344 (和/或其他部件)可至少部分地設置在或包封在模塑層340 (圖 6D中未示出）內。
[0152] 在一些具體實施中，半導體管芯342、344 (和/或其他部件）中的一個或多個的堅直尺寸可小于(例如，薄于)導電柱354的堅直尺寸C7。在一些具體實施中，半導體管芯342、 344 (和/或其他部件）的堅直尺寸可大于(例如，厚于）導電柱354的堅直尺寸C7。在此類具體實施中，半導體管芯342、344 (和/或其他部件）中的一個或多個可在耦合至重新分布層352之后被機械改造。
[0153] 在半導體管芯342、344 (和/或其他部件）耦合至重新分布層352之后，模塑層可形成在如圖6E所示的器件300內。特別地，模塑層360的子層362可形成在器件300的側 C1上，模塑層340可形成在器件300的側C2上。在一些具體實施中，模塑層360的子層362 可包括部分361，所述部分361包括磁性物質。
[0154] 還存在多種選擇可被利用來形成模塑層340和/或模塑層360 (或其部分)，例如傳遞模塑、加壓模塑層和諸如此類。在一些具體實施中，側C2上的模塑層340的堅直尺寸可以稍大于互連部件350 (包括導電柱354)的高度和半導體管芯342的高度(包括重新分布層部分352D的堅直尺寸)為目標。相似地，側C1上的模塑層360的子層362的堅直尺寸可以稍大于導電柱354的高度(包括底部重新分布層372的堅直尺寸）為目標。
[0155] 在模塑層340以及模塑層360的子層362已初步形成之后，可使用機械改造工藝 (例如，磨削處理、拋光處理)來去除模塑層340和/或模塑層360的子層362的至少一部分，以暴露導電柱354的末端以及暴露導電柱374的末端。還可使用機械改造工藝來暴露半導體管芯342的一部分。在一些具體實施中，暴露的半導體管芯342的部分可為包括在半導體管芯342中的半導體器件的漏極部分、源極部分和/或柵極部分。
[0156] 在一些具體實施中，機械改造工藝可包括側C1和/或側C2的減薄。側C1的減薄可包括去除例如半導體管芯342 (和/或半導體管芯344)、導電柱354、模塑層340和/或諸如此類的部分。側C2的減薄可包括去除例如導電柱374、模塑層360和/或諸如此類的部分。因此，器件300的總堅直尺寸(或厚度）可被減小超出例如圖6E所示的限度。
[0157] 如圖6F所示，在處理流程的變型中，可在重新分布層352 (還可稱為第一重新分布層）與例如半導體管芯342之間形成(例如，設置）另外的重新分布層358 (還可稱為第二重新分布層）（或其部分)。在此類具體實施中，機械改造工藝可導致對半導體管芯342減薄。特別地，由于重新分布層352與半導體管芯342之間設置的另外的重新分布層358,機械改造工藝可用于去除半導體管芯342的部分342X (其被示出為虛線）并且將半導體管芯342 減薄超出圖6E所示的限度。
[0158] 在側C2上的機械改造工藝之后，可如圖6G所示形成表面覆鍍層356。表面覆鍍層356可包括至暴露的半導體管芯342和互連部件350的導體(例如，金屬連接)。在一些具體實施中，表面覆鍍層356可具有延伸至器件300的一個或多個邊緣的表面積；提供用于連接的相對較大的表面積；可具有導體，所述導體可提供至例如外部塊390內的位置的電連接或跡線；和/或諸如此類。例如，在一些具體實施中，表面覆鍍層356的一部分可具有大于半導體管芯342的暴露部分的表面積的表面積。表面覆鍍層356的該部分可具有相對較大的表面積，該表面積可用作用于外部塊390的一部分的便利電連接。在一些具體實施中，表面覆鍍層356的一部分可具有等于或小于半導體管芯342的暴露部分的表面積的表面積。具有小于半導體管芯的暴露部分的表面積的表面積的表面覆鍍層的例子結合至少圖 11A和11B進行討論。
[0159] 在一些具體實施中，表面覆鍍層356可使用多種覆鍍工藝來形成。例如，在一些具體實施中，鈦銀晶種可使用光刻工藝來沉積并圖案化。這些處理之后可執(zhí)行焊鍍工藝以形成最終涂飾層。
[0160] 在該具體實施中，頂部重新分布層376可在表面覆鍍層356形成之前或之后形成。在一些具體實施中，頂部重新分布層376的至少一些部分可與表面覆鍍層356同時形成。在頂部重新分布層376形成后，就形成繞組371。
[0161] 另外，如圖6G所示，頂部重新分布層376被包封在模塑層360的子層363內。在一些具體實施中，子層363可不包括磁性物質，或者可由與子層362 (其包括磁性物質）相同的材料制成。模塑層360的子層363可使用一種或多種模塑工藝來形成，和/或可在表面覆鍍層356形成之前或之后形成。在一些具體實施中，子層363可為，或可包括，例如鈍化層。
[0162] 在一些具體實施中，可針對若干變型來修改圖6A到6G所示的處理流程。例如，為形成例如圖3B和3C所示的具體實施，可省去導電柱374的形成。相反，無源器件、導電線圈(例如，使用線材(例如，圖3B所示的線材377)形成的導電線圈）和/或諸如此類可耦合至底部重新分布層372 (其可用于形成焊盤)，模塑層340可形成在無源器件、導電線圈和/ 或諸如此類之上。在一些具體實施中，基板330上的底部重新分布層372的圖案可不同于例如圖6B所示的圖案以容納無源器件、導電線圈和/或諸如此類。
[0163] 如果器件300以側C1上無磁集成的方式制成，則可使用機械工藝(例如，磨削處理、拋光處理)將基板330部分地去除(例如，減薄)或完全地去除。在此類實施方案中，模塑層340可用作器件300的主要結構部件。鈍化層（例如，層合層）可用于在基板330已去除之后密封器件300。這種類型的結構的例子在圖7中示出，其為圖3A到3C所示的器件300 的變型。在此類具體實施中，相對較低成本的基板330作為中間載體的使用可在制造期間使用。
[0164] 在基板330去除之后，將如圖7所示的覆蓋件396 (例如，層合層、蓋、鈍化層)設置至IJ (例如，耦合至）器件300的至少頂部表面上，以包封或覆蓋器件300的至少一些部分(例如，包括在重新分布層352中的暴露導體)。在一些具體實施中，基板330的至少一部分可作為覆蓋件保持在器件300的頂部表面上。在一些具體實施中，可將類似于覆蓋件396的覆蓋件設置在或耦合至器件300的其他表面(例如，側表面）上。
[0165] 在一些具體實施中以及如上所討論的，獨立式磁性部件/器件和/或獨立式電容部件/器件可使用上述技術來形成。在此類具體實施中，例如，電感部件可形成在具有或不具有互連集成和/或不具有(例如，不包括)器件中所包括的半導體管芯的基板上。又如，在此類具體實施中，電容部件可形成在具有或不具有互連集成和/或不具有(例如，不包括)器件中所包括的半導體管芯的基板周圍。
[0166] 如上結合圖6A到6G所述，在一些具體實施中，一個或多個處理步驟(例如，種子層步驟、電鍍步驟、光致抗蝕劑步驟、蝕刻步驟等）可同時地、連續(xù)地或以交錯的方式執(zhí)行。例如，在一些具體實施中，一側上的重新分布層(例如，側C1上的底部重新分布層372)可在另一側上的重新分布層(例如，側C2上的重新分布層352)形成之前形成。
[0167] 在一些具體實施中，側C1上的底部重新分布層372的一個或多個部分可與側C2 上的重新分布層352以交錯的方式形成。換句話講，與側C1相關的處理步驟可在與側C2 相關的處理步驟之間執(zhí)行(或者反之亦然)。例如，底部重新分布層372的種子層可在重新分布層352的種子層形成之前形成。在針對底部重新分布層372和重新分布層352均進行電鍍之后，限定底部重新分布層372的圖案可被蝕刻，之后，限定重新分布層352的圖案可被蝕刻。
[0168] 在一些具體實施中，基板330的側C2上的結構可在結構的至少一些在基板330的側Cl上形成之前形成，或者反之亦然。在此類具體實施中，結構可形成在基板330的一側上，基板330 (及結構）可翻轉以在基板330的另一側上形成另外的結構。在此類實施方案中，基板330可在結構形成在側C2上之后，但是在結構形成在基板的側C1上之前，被至少部分地去除(例如，減薄)，或者反之亦然。
[0169] 圖8A到8H為示意圖，示出了器件800的形成的立體圖。盡管這些示意圖示出了互連集成的形成，但圖8A到8H所示的處理步驟中的多個步驟可連同磁集成和/或隔離集成一起使用。
[0170] 圖8A為示意圖，示出了具有正方形形狀或輪廓的基板830。在一些具體實施中，基板830可具有矩形形狀或者可具有不同的形狀(或輪廓)。
[0171] 如圖8B所示，重新分布層852使用電鍍工藝來形成，所述電鍍工藝可包括例如接晶種、光刻、蝕刻和/或諸如此類。重新分布層852的部分可具有多種形狀。例如，重新分布層852可包括焊盤857和/或連接器858,連接器858可耦合至一個或多個半導體管芯 841、842和/或843 (例如圖8C和8E所示）。
[0172] 如圖8C所示，導電柱854形成在重新分布層852上。導電柱854包括部分854A 至lj 854C，部分854A到854C可各自稱為導電柱部分854A到854C。如圖8C所示，導電柱854 可具有多種橫向尺寸和長度。在一些具體實施中，導電柱854中的一個或多個可用作在半導體管芯841、842、843 (例如圖8E所示）中的一個或多個中所包括的一個或多個半導體器件的輸入引腳和/或輸出引腳。如圖8C所示，導電柱854以及重新分布層852的部分具有多種形狀、縱橫比和橫截面輪廓。
[0173] 如圖8D所示，接合劑862 (例如，導電環(huán)氧樹脂、焊料）的部分設置在重新分布層 852的至少一些部分上，使得半導體管芯841到843中的一個或多個可耦合至重新分布層 852,如圖8E所示。在一些具體實施中，可使用除接合劑862之外另外還有的或替代接合劑 862的材料來將半導體管芯耦合至重新分布層852。在一些具體實施中，回流焊接工藝可在半導體管芯841到843已耦合至重新分布層852之后執(zhí)行。
[0174] 在一些具體實施中，半導體管芯841到843中的每一個可包括多種半導體器件。例如，在一些具體實施中，半導體管芯841可為，或可包括，低側M0SFET器件，并且半導體管芯 841可為，或可包括，高側M0SFET器件。半導體管芯843可為，或可包括，集成電路，該集成電路包括驅動設備。
[0175] 沿著線G1和線G2切割的剖視圖分別在圖9A和圖9B中示出。器件800的相對尺寸中的一些在圖9A和圖9B中示出。模塑層840的頂部表面(在圖9A和圖9B中未示出但在圖8F到8H中示出）被示出為虛線II。
[0176] 如圖9A所示，半導體管芯841與接合劑862的組合堅直尺寸(或高度)大約等于導電柱部分854C的堅直尺寸H1。半導體管芯841具有堅直尺寸H2,接合劑862具有堅直尺寸H3。相似地，半導體管芯842 (其具有堅直尺寸H4)與接合劑862的組合堅直尺寸大約等于導電柱854的導電柱部分854C的堅直尺寸H1。在該具體實施中，導電柱部分854C和半導體管芯841、842設置在重新分布層852上。因此，包括導電柱部分854C和重新分布層 857的疊堆具有大約等于包括半導體管芯841 (或半導體管芯842)、接合劑862和重新分布層852的疊堆的堅直尺寸的堅直尺寸(或高度)。
[0177] 相比之下，如圖9B所示，設置在重新分布層852上且與半導體管芯843相關聯(lián)的疊堆(例如，堅直疊堆）具有小于例如導電柱854的導電柱部分854A中的一個(和/或導電柱部分854C)的堅直尺寸H9的堅直尺寸H5。與半導體管芯843相關聯(lián)(沿著線12)的疊堆包括接合劑862、導電柱854的一部分以及半導體管芯843。導電柱854的該部分設置在接合劑862與半導體管芯843之間。另外，在一些具體實施中，該疊堆可包括重新分布層852 的至少一部分，使得接合劑862和導電柱854的該部分設置在半導體管芯843與重新分布層852的該部分之間。
[0178] 如圖9B所不，半導體管芯843具有低于例如半導體管芯841的頂部表面的頂部表面，半導體管芯841的頂部表面大致與由虛線II示出的模塑層840 (在圖9B中未示出，但在圖8F到8H中示出）的頂部表面對應。半導體管芯843的頂部表面具有與虛線II相距的距離H6。在一些具體實施中，距離H6可小于半導體管芯843的堅直尺寸H7。在一些具體實施中，堅直尺寸H6可大約等于或大于半導體管芯843的堅直尺寸H7。
[0179] 在一些具體實施中，導電柱的堅直尺寸H1可在大約幾微米和幾千微米之間（例如，10 微米（μπι)、50μπι、125μπι、1000μπι、2000μπι)。如圖 9A 所示，接合劑 862 的堅直尺寸Η3小于半導體管芯841的堅直尺寸Η2和/或半導體管芯842的堅直尺寸Η4。在一些具體實施中，接合劑862的堅直尺寸Η3可大約在幾微米和幾百微米之間(例如，10 μ m、25 μ m、 100 μ m、200 μ m)。相似地，在一些具體實施中，重新分布層852可具有大約在幾微米和幾百微米之間（例如，10 μ m、25 μ m、40 μ m、100 μ m、200 μ m)的堅直尺寸H8。
[0180] 在一些具體實施中，半導體管芯841、842、843中的一個或多個的堅直尺寸可大約在幾微米和幾千微米之間（例如，10 μ m、50 μ m、125 μ m、1000 μ m、2000 μ m)。在一些具體實施中，基板830可具有大約在幾微米和幾千微米之間（例如，10 μ m、50 μ m、125 μ m、600 μ m、 1000 μ m、2000 μ m)的堅直尺寸 H10。
[0181] 如圖9A所示，導電柱部分854C與半導體管芯842之間的距離HI 1大約等于導電柱部分854C的橫向尺寸H12。在一些具體實施中，導電柱部分854C與半導體管芯842之間的距離H11可小于或大于導電柱部分854C的橫向尺寸H12。相似地，如圖9B所示，導電柱部分854A與半導體管芯841之間的距離H13大約等于導電柱部分854A的橫向尺寸H14。在一些具體實施中，導電柱部分854A與半導體管芯841之間的距離H13可不同于(例如，小于或大于)導電柱部分854A的橫向尺寸H14。在一些具體實施中，導電柱部分854C的橫向尺寸H12和/或導電柱部分854A的橫向尺寸H14可大約在幾微米和幾千微米之間（例如， 10 μ m、50 μ m、125 μ m、1000 μ m、2000 μ m)。
[0182] 如圖9A所示，重新分布層852的部分（以及設置在其上的特征)之間的距離H15可小于導電柱部分854C的橫向尺寸H12。相似地，如圖9B所不，半導體管芯843與半導體管芯 841之間的距離H16可小于導電柱部分854A的橫向尺寸H14。在一些具體實施中，距離H15 和/或距離H16可大約在幾十微米和幾千微米之間（例如，10 μ m、50 μ m、125 μ m、1000 μ m、 2000μπι)。半導體管芯841、842和/或843可小于或等于1mm2。
[0183] 現(xiàn)在參見圖8F，在半導體管芯841到843經(jīng)由接合劑862耦合至重新分布層852 之后，將模塑層設置在器件800上以包封器件800的部分。模塑層840以及包括在器件800 中的其他部件可被機械改造(例如，被拋光、使用磨削工藝改造)，使得部件中的至少一些穿過模塑層840而暴露。在該具體實施中，半導體管芯841的至少一部分(例如，表面)以及半導體管芯842的至少一部分(例如，表面）穿過模塑層840而暴露。另外，導電柱854 (標記為導電柱部分854A、854B和854C)的至少一些部分(例如，表面)可穿過模塑層840而暴露。
[0184] 包括部分870A到870D的表面覆鍍層870如圖8G所示形成在導電柱854的導電柱部分854A到854C的暴露部分以及半導體管芯841、842的暴露部分之上。在該具體實施中，表面覆鍍層870的部分具有的表面積通常大于表面覆鍍層870的部分所耦合至的導電柱854的對應表面積。
[0185] 例如，表面覆鍍層870的部分870D設置在導電柱部分854A的暴露部分之上并且耦合至導電柱部分854A的暴露部分。在該具體實施中，部分870D中的每一個具有大于導電柱部分854A中的每一個的表面積的表面積。另外，在該具體實施中，表面覆鍍層870的部分870A的表面積大于部分870A所耦合至的半導體管芯841的暴露部分的表面積。另外，在該具體實施中，設置在導電柱部分854B之上的表面覆鍍層870的部分870B的表面積大于導電柱部分854B的表面積。
[0186] 部分870C設置在半導體管芯842和導電柱部分854C的暴露部分之上。在該具體實施中，部分870C具有大于半導體管芯842的暴露部分與導電柱854的導電柱部分854C 的組合表面積的表面積。因此，在該具體實施中，部分870C具有的表面積大于半導體管芯 842的暴露部分的表面積并且大于導電柱854的導電柱部分854C的暴露部分的表面積。
[0187] 盡管圖8G未不出，但在一些具體實施中，表面覆鍍層870的部分的表面積可大約等于或小于半導體管芯841、842中的一個或多個的暴露部分和/或設置在表面覆鍍層870 的該部分下方（并且耦合至表面覆鍍層870的該部分）的導電柱854的導電柱部分854A到 854C的暴露部分中的一個或多個。
[0188] 圖8H示出了經(jīng)由表面覆鍍層870(圖8H中未示出)耦合至外部塊890的器件800。如圖8H所示，模塑層840設置在基板830與外部塊890之間。
[0189] 由于器件800以無磁集成的方式制成，因此在一些具體實施中，基板830可通過化學工藝和/或機械工藝(例如，磨削處理、拋光處理、蝕刻處理)部分地或完全地去除(在耦合至外部塊890之前)。在此類實施方案中，模塑層840可用作器件800的主要結構部件。
[0190] 圖10為流程圖，示出了用于形成本文所述的一個或多個器件的方法。例如，該流程圖可示出用于形成圖3A到3C所示的一個或多個器件300的方法。
[0191] 可將第一重新分布層形成在基板的第一側上，其中第一重新分布層可包括第一重新分布層部分和第二重新分布層部分(方框1010)。第一重新分布層可為例如圖2A到2C所示的重新分布層252、圖3所示的重新分布層352、圖5A所示的重新分布層552和諸如此類。
[0192] 使用電鍍工藝將導電柱形成在第一重新分布層部分上(方框1020 )。導電柱可為例如圖2A到2C所示的導電柱254中的一個、圖3A到3C所示的導電柱354中的一個、圖5A 所示的導電柱554中的一個和諸如此類。
[0193] 將包括半導體器件的半導體管芯耦合至第二重新分布層部分(方框1030)。半導體管芯可為例如圖2A到2C所示的半導體管芯244、圖3所示的半導體管芯344和諸如此類。在一些具體實施中，半導體管芯可使用例如導電環(huán)氧樹脂、焊接元件和諸如此類來耦合至第二重新分布層部分。
[0194] 將第二重新分布層形成在基板的第二側上，其中第二重新分布層包括電容部件的電容板或電感部件的一部分中的至少一個(方框1040)。在一些具體實施中，電容部件可為例如圖5A所示的電容部件580。在一些具體實施中，電感部件可為例如圖3所示的電感部件 370。
[0195] 形成第一模塑層，該第一模塑層包封基板的第一側上的半導體管芯的至少一部分以及包封第一重新分布層的至少一部分(方框1050)。第一模塑層可為例如圖2A到2C所示的模塑層240、圖3所示的模塑層340、圖5A所示的模塑層540和諸如此類。
[0196] 形成第二模塑層，該第二模塑層設置在基板的第二側上(方框1060)。第二模塑層可為例如圖2A到2C所示的模塑層260、圖3A到3C所示的模塑層360、圖5A所示的模塑層 560和諸如此類。
[0197] 盡管上述方法描述了電容部件或電感部件中的至少一個的形成，但在一些具體實施中，電容部件或電感部件中的至少一個的形成可為任選的。在此類具體實施中，第二模塑層可任選地形成。在一些具體實施中，在形成電容部件或電感部件的任何部分之前，可去除基板的至少一部分。在不形成電容部件和電感部件的具體實施中，可去除基板的至少一部分。
[0198] 用于制造本文所述器件(例如，器件100、器件200、器件300、器件500、器件800和諸如此類）的至少一部分的可能的處理流程可總結如下：（1)沉積種子層，（2)形成抗蝕材料(例如，干膜材料）的第一層，（3)將第一抗蝕材料圖案化，（4)覆鍍重新分布層，（5)形成抗蝕材料的第二層，（6)將第二抗蝕材料圖案化，（7)覆鍍導電柱，（8)去除第一和第二抗蝕材料層，（9)執(zhí)行犧牲蝕刻以去除種子層，（10)設置一個或多個半導體管芯，（11)執(zhí)行回流焊接工藝，（12)填充環(huán)氧樹脂并固化，（13)執(zhí)行機械改造工藝(例如，端面磨削）和/或化學清潔工藝(例如，用以去除二氧化硅的清潔工藝)，（14)執(zhí)行覆鍍工藝，以及（15)形成焊接涂飾。在一些具體實施中，可在器件中形成不止一個重新分布層。
[0199] 用于制造本文所述器件(例如，器件100、器件200、器件300、器件500、器件800和諸如此類)的至少一部分的另一種可能的處理流程可總結如下：（1)鉆孔以獲得穿過基板的過孔，（2)為第一重新分布層在孔中沉積第一種子層，（3)形成(例如，附連）抗蝕材料的第一層，（4)形成(例如，覆鍍)第一重新分布層，（5)形成抗蝕材料的第二層(例如，導電柱層)， (6)將抗蝕材料的第二層圖案化，（7)形成(例如，覆鍍）導電柱層，（8)去除抗蝕材料的第一層和第二層，（9)執(zhí)行犧牲蝕刻以去除第一種子層，（10)沉積磁性材料，（11)沉積第二種子層，（12)形成(例如，附連）抗蝕材料的第三層，（13)形成(例如，覆鍍）第二重新分布層， (14)形成最終涂層，以及（15)執(zhí)行標記(例如，劃線標記、激光標記)。
[0200] 圖11A為示意圖，示出了耦合至外部塊1190的器件1100的剖視圖。圖11A是沿著圖11B所示器件1100的仰視圖的線J15剖切的。圖11B所示器件1100的仰視圖沿著平面J1。
[0201] 如圖11A所示，基板1130耦合至模塑層1140。半導體管芯1142和半導體管芯 1145設置在模塑層1140內。為簡單起見，在該實施方案中，僅示出互連集成的部分(例如，至半導體管芯1142U145的觸點1131)。在該器件1100的變型中可包括磁集成和/或隔離集成。
[0202] 如圖11A所示，表面覆鍍層部分1144設置在半導體管芯1142與外部塊1190之間。相似地，表面覆鍍層部分1146設置在半導體管芯1145與外部塊1190之間。表面覆鍍層部分1144和表面覆鍍層部分1146可使用相同的表面覆鍍層形成工藝來形成。
[0203] 另外，如圖11A所不，絕緣體1143設置在表面覆鍍層部分1144與表面覆鍍層部分 1146之間。特別地，絕緣體1143沿著平面J1設置在表面覆鍍層部分1144、1146之間，平面 J1沿著模塑層1140的表面找平。因此，絕緣體1143和表面覆鍍層部分1144U146沿著平面J1找平。此外，半導體管芯1142U145中的每一個的底部表面沿著平面J1找平。
[0204] 絕緣體1143具有沿著方向A2的橫向尺寸J3 (例如，長度、寬度)，橫向尺寸J3大于半導體管芯1142與半導體管芯1145之間的距離J2 (還可稱為間距或間隙)。特別地，距離J2可介于半導體管芯1142的側壁與半導體管芯1145的側壁之間（例如，可為這兩者之間的最小距離)。換句話講，半導體管芯1142U145之間的距離J2小于絕緣體1143的橫向尺寸J3。距離J2可與設置在半導體管芯1142U145之間的模塑層1140的一部分的橫向尺寸對應。橫向尺寸J3與表面覆鍍層部分1144和表面覆鍍層部分1146之間的距離大致對應。在一些具體實施中，半導體管芯1142的側壁與半導體管芯1145的側壁可平行或不平行。
[0205] 圖11A所示的配置在高電壓應用中可尤其重要，在高電壓應用中，尺寸J3可具有被限定以防止例如器件1100中所包括的部件之間的擊穿的最小尺寸。包括層1143的該配置可用于在保持部件(例如，半導體管芯1142和1145)之間的最小距離的同時減小器件 1100的總尺寸。在此類實施方案中，電鍍層1144不覆蓋例如半導體管芯1142的整個底部表面。
[0206] 如圖11A所不，表面覆鍍層部分1146的橫向尺寸J4小于半導體管芯1145的橫向尺寸J5。相似地，表面覆鍍層部分1144的橫向尺寸J6小于半導體管芯1142的橫向尺寸 J7。
[0207] 在一些具體實施中，表面覆鍍層部分之間的最小距離可被限定，使得可避免短路、不良污染和/或其他問題。例如，如果第一表面覆鍍層部分距離第二表面覆鍍層部分太近，則第一表面覆鍍層部分可經(jīng)由污染、未對準和/或諸如此類而意外地電短接至第二表面覆鍍層部分。
[0208] 在該具體實施中，絕緣體1143形成在表面覆鍍層部分1144與表面覆鍍層部分 1146之間，使得表面覆鍍層部分1144、1146之間的最小希望距離（例如，距離要求）可得到滿足。該最小距離可得到滿足，同時在半導體管芯1142與半導體管芯1145之間的距離J2 小于該最小距離。因此，較之于表面覆鍍層的表面覆鍍層部分之間的間距的最小距離，半導體管芯1142和半導體管芯1145可彼此相距更近。
[0209] 如圖11A所示，表面覆鍍層部分1144的至少一部分設置在半導體管芯1142的第一部分與外部塊1190之間，絕緣體1143的至少一部分設置在半導體管芯1142的第二部分與外部塊1190之間。因此，表面覆鍍層的至少一部分耦合至半導體管芯1142的第一表面 (沿著平面J1)，絕緣體1143的至少一部分耦合至半導體管芯1142的第二表面(沿著平面 J1)。
[0210] 如圖11B所不，表面覆鍍層部分1144具有小于半導體管芯1142的表面積的表面積。相似地，表面覆鍍層部分1146具有小于半導體管芯1145的表面積的表面積。換句話講，表面覆鍍層部分1144的周邊的至少一部分設置在半導體管芯1142的表面積的周邊的至少一部分內或者與半導體管芯1142的表面積的周邊的至少一部分重合。
[0211] 在一些具體實施中，表面覆鍍層部分可具有大于其上耦合該表面覆鍍層部分的半導體管芯的橫向尺寸的橫向尺寸(例如，寬度、長度)。例如，即使表面覆鍍層部分1144的橫向尺寸J6小于半導體管芯1142的對應(或平行)橫向尺寸J7,表面覆鍍層部分1144仍可具有大于半導體管芯1142的對應(或平行)橫向尺寸的橫向尺寸J10。因此，表面覆鍍層部分 1144的周邊的至少一部分可與半導體管芯1142的表面積的周邊的至少一部分相交。換言之，表面覆鍍層部分1144的周邊的至少第一部分可設置在半導體管芯1142的表面積的至少周邊之外，并且表面覆鍍層部分1144的周邊的至少第二部分可設置在半導體管芯1142 的表面積的周邊內。
[0212] 盡管圖11A或11B中未示出，但在一些具體實施中，絕緣體1143可耦合至半導體管芯1142U145中的僅一個的底部表面。在此類具體實施中，底部表面可完全地或至少部分地被表面覆鍍層部分覆蓋。
[0213] 絕緣體1143 (其可稱為絕緣層或被包括在絕緣層中）可基于上述半導體處理的變型來形成。在一些具體實施中，絕緣層(未示出)可在表面覆鍍層形成(例如，圖8G所示的表面覆鍍層870的形成、圖6G所示的表面覆鍍層356的形成）之前形成在(例如，設置在）平面J1上。
[0214] 在一些具體實施中，絕緣層可在已執(zhí)行模塑層1140的部分的去除以暴露半導體管芯1142U145的底部表面之前設置在器件1100上。在替代形式的具體實施中，絕緣層可在半導體管芯1142、1145的底部表面已暴露之后形成在模塑層1140以及半導體管芯1142、 1145的底部表面中的每一個上。
[0215] 在絕緣層已設置在器件1100上之后，絕緣層可通過化學處理(例如，蝕刻）和/或機械處理(例如，磨削、拋光)被圖案化，以形成絕緣層1143。在絕緣體1143已形成之后，可形成表面覆鍍層部分1144、1146。由絕緣體1143和表面覆鍍層部分1144、1146限定的表面可被化學地和/或機械地處理，直到該表面為平的(例如，大致平的)。
[0216] 圖12為示意圖，示出了器件100的變型的側剖視圖。在一些具體實施中，器件100 可稱為封裝器件或可稱為封裝件。如圖12所示，器件100耦合至包括在引線框架(還可稱為引線框架結構）中的導體183、184。
[0217] 在一些具體實施中，器件100可經(jīng)由引線框架耦合至例如外部塊(例如，印刷電路板)。在一些具體實施中，引線框架的導體183、184可為，或可被視為，外部塊(例如圖1所示的外部塊190)的部分。在一些具體實施中，引線框架的導體183、184可被視為器件100 的部分。在一些具體實施中，導體183、184中的一個或多個可由導電材料(例如金屬或金屬合金）制成。
[0218] 在一些具體實施中，導體183、184中的一個或多個可經(jīng)由表面覆鍍層耦合至器件 100的一個或多個部分。在一些具體實施中，導體183、184中的一個或多個可經(jīng)由表面覆鍍層(例如上述的表面覆鍍層）耦合至器件100的一個或多個部分。
[0219] 例如，如圖12所示，導體183可耦合至(例如，電耦合至)包括在互連區(qū)域145中的一個或多個互連部件。互連部件可用于將導體183電耦合至一個或多個部件(例如，包括在無源部件區(qū)域125中的部件、包括在無源部件區(qū)域135中的部件)。又如，如圖12所示，導體183可耦合至(例如，電耦合至）半導體管芯144。
[0220] 如圖12所示，導體183、184中的每一個具有相對較平的橫截面輪廓或形狀。在一些具體實施中，導體183、184中的一個或多個可具有不同的形狀或輪廓。例如，導體183、 184中的一個或多個可具有彎曲部分、凹陷部分、凸起、彎折部分、正交取向部分、錐形部分、凹口部分和/或諸如此類。在一些具體實施中，引線框架可包括比圖12所示更多的導體，或者比圖12所示更少的導體。導體可具有與圖12所示的導體183U84不同的厚度、長度和/或寬度。
[0221] 上述的具體實施(其可為圖1的變型）中的任一個可相似地耦合至包括導體(例如圖12所示的導體)的引線框架。例如，如本文所公開的電感部件(其可為獨立式的或可包括互連集成）可耦合至如本文所述的引線框架。又如，如本文所公開的電容部件(其可為獨立式的或可包括互連集成）可耦合至如本文所述的引線框架。
[0222] 圖13A為示意圖，示出了根據(jù)一個具體實施的器件1300或其一部分的立體圖。如圖13A所示，器件1300包括耦合至基板1330的多個互連部件。在該具體實施中，所述互連部件中的若干個由重新分布層1352的部分(其可稱為重新分布層部分，或重新分布層的觸點）及導電柱1354限定。在該具體實施中，僅標記了重新分布層1352的部分(或結構）以及導電柱1354的部分(或結構)。在該具體實施中，重新分布層1352設置在基板1330與導電柱1354 (其可稱為導電柱層）之間。
[0223] 如圖13A所示，互連部件及半導體管芯1342和1344耦合至重新分布層1352。在該圖示中，未示出模塑層、表面覆鍍層、外部塊和諸如此類。
[0224] 如圖13A所示，板1360 (還可稱為散熱板）耦合至半導體管芯1344。在一些具體實施中，板1360可稱為散熱塊。板1360沿著平面(例如，圖1所示的平面A4)找平，該平面平行于半導體管芯1344所沿著找平的平面。在一些具體實施中，板1360可使用焊料(例如，焊料層)、導電環(huán)氧樹脂和/或諸如此類來耦合至半導體管芯1344。在一些具體實施中，板 1360可使用例如電鍍工藝、沉積工藝和/或諸如此類來沉積到半導體管芯1344上。
[0225] 板1360可被配置為將熱量傳遞遠離(例如，將熱量散出、將熱量傳導遠離）半導體管芯1344。換句話講，板1360可用作半導體管芯1344的至少一部分的散熱器。在一些具體實施中，可使用板1360將熱量傳導遠離半導體管芯1344到例如板1360所耦合至的PCB 板。在一些具體實施中，可將熱量在第一方向上從半導體器件1344散出（或傳遞）穿過板 1360并且在第二方向上(與第一方向相反）從半導體器件1344朝基板1330散出（或傳遞)。
[0226] 在一些具體實施中，板1360可具有幾微米和幾毫米（mm)之間(例如，lmm、2mm)的厚度(或堅直尺寸)。在一些具體實施中，半導體管芯1344可具有相對較薄的厚度(或堅直尺寸）。因此，板1360可耦合至半導體管芯1344以支撐半導體管芯1344 (或為半導體管芯 1344增加結構剛度)。
[0227] 在一些具體實施中，板1360可為導電板，該導電板可用于將一個或多個電信號從半導體管芯1344傳輸至另一個器件(未示出）。例如，板1360可用作源極觸點或焊盤，用作漏極觸點或焊盤，用作柵極觸點或焊盤，用作信號觸點或焊盤，或諸如此類。
[0228] 作為一個具體例子，板1360可用作半導體管芯1344的漏極。在一些具體實施中，板1360可用作包括在半導體管芯1344中的多個器件(例如，多個M0SFET器件)的共同漏極。例如，板1360可用作第一 M0SFET器件(例如，使用第一多個溝槽形成的第一縱向M0SFET) 的漏極，并且板1360可用作第二M0SFET器件(例如，使用第二多個溝槽形成的第二縱向 M0SFET器件）的漏極。
[0229] 在一些具體實施中，板1360可具有可連同器件1300內的多個不同管芯尺寸一起使用的尺寸。例如，第一板可具有可耦合至在第一器件中所包括的第一半導體管芯的尺寸。第二板可具有與第一板相同的尺寸，但可耦合至在第二器件中所包括的第二半導體管芯。因此，第一器件和第二器件可各自具有焊盤布局(基于第一板和第二板的相同尺寸）。
[0230] 在該具體實施中，板1360被不出為具有小于半導體管芯1344的表面積的表面積 (例如，覆蓋面積、外部輪廓）（即，部分覆蓋)。因此，半導體管芯1344的表面積的一部分不被板1360覆蓋。換句話講，半導體管芯1344的至少一部分被暴露(并可耦合至另一層，例如模塑層)。在一些具體實施中，板1360可具有等于或大于半導體管芯1344的表面積的表面積（即，完全覆蓋)。
[0231] 在一些具體實施中，不止一個板可耦合至半導體管芯(例如，半導體管芯1344)。在一些具體實施中，多個板可耦合至半導體管芯的相同側或表面(例如，平的表面)。在此類具體實施中，板可彼此熱隔絕和/或電絕緣。例如，耦合至半導體管芯的第一板可與耦合至半導體管芯的第二板熱隔絕和/或電絕緣。
[0232] 盡管圖13A中未示出，板(未示出）可耦合至半導體管芯1346。在此類具體實施中，耦合至半導體管芯1346的板可與板1360熱隔絕和/或電絕緣。在一些具體實施中，板 1360可被改造以使得其可耦合至半導體管芯1344和半導體管芯1346。
[0233] 在一些具體實施中，板1360可由傳導材料(例如，導電材料、導熱材料)例如銅、鋁、金、金屬合金和/或諸如此類制成。
[0234] 盡管示出具有矩形形狀的單個連續(xù)塊，但板1360可具有不同形狀。在一些具體實施中，板1360可使用一種或多種處理技術以具體圖案來圖案化。
[0235] 在一些具體實施中，板1360可在半導體管芯1344被包括在器件1300中之前耦合至半導體管芯1344。在一些具體實施中，板1360可在半導體管芯1344被包括在器件1300 中（例如，耦合至器件1300)之后耦合至半導體管芯1344。
[0236] 圖13B為示意圖，示出了根據(jù)一個具體實施的具有附加工藝層的圖13A所示的器件1300的立體圖。如圖13B所示，半導體管芯1344U346及互連部件被包封在(例如，完全地設置在)模塑層1320內。板1360的頂部表面穿過模塑層1320而暴露。在一些具體實施中，板1360的頂部表面可在例如機械拋光工藝之后被限定。
[0237] 如圖13B所示，表面覆鍍層1356 (或其部分)耦合至互連部件中的一個或多個。僅表面覆鍍層1356的一些部分被標記。表面覆鍍層1356可用作導體，其他部件(例如，器件、 PCB和/或諸如此類）可通過所述導體耦合。
[0238] 圖14A為示意圖，示出了圖13A和13B所示器件1300的布局視圖（或平面圖）。如圖14A所不，板1360具有小于半導體管芯1344的表面積的表面積。由于板1360具有小于半導體管芯1344的表面積的表面積，因此表面覆鍍層1356的部分1356AU356B中的每一個的表面積可相對較大。特別地，由于器件1300的表面上的空間的缺乏，表面覆鍍層1356 的部分1356AU356B中的每一個的表面積將較小，或者器件1300的總封裝尺寸(例如，覆蓋面積）將必須較大。這些特征在圖14C所示的側剖視圖中更清晰地示出。
[0239] 圖14C示出了圖14A所示器件1300的沿著線Z1的側剖視圖。如圖14C所示，表面覆鍍層1356的部分1356B設置在(例如，堅直地設置在）半導體管芯1344的至少一部分上方，使得模塑層1320的部分1320B設置在表面覆鍍層1356的部分1356B與半導體管芯 1344之間。由于板1360僅耦合至半導體管芯1344的一部分，因此這種配置是可能的。如圖14C所示，模塑層1320的部分1320A設置在(例如，橫向地設置在)板1360與表面覆鍍層 1356的部分1356B之間。如果板1360耦合至半導體管芯1344的更大部分，則表面覆鍍層 1356的部分1356B的尺寸(例如，從上方觀察時的表面積)將必須減小或在半導體器件1300 內橫向地移動，從而導致半導體器件1300的總尺寸增加。
[0240] 板1360具有從半導體管芯1344的邊緣1344A偏移(例如，橫向地偏移）的邊緣 1360A。在一些具體實施中，邊緣1360A可偏移到半導體管芯1344的表面積之外(在該圖中向左偏移)。在一些具體實施中，邊緣1360A可與半導體管芯1344的邊緣1344A對齊(例如，堅直地對齊)。
[0241] 如圖14C所示，模塑層1320、板1360和表面覆鍍層1356共同限定平的表面(例如，大致平的表面)。在一些具體實施中，平的表面可使用一種或多種機械改造工藝(例如，化學機械拋光工藝）來限定。在一些具體實施中，模塑層1320、板1360和/或表面覆鍍層1356 中的一個或多個可具有設置在與器件1300相關的平的表面上方或下方的表面。
[0242] 如圖14C所示，半導體管芯1344和半導體管芯1346經(jīng)由耦合層1380耦合至重新分布層1352的部分。相似地，板1360經(jīng)由耦合層1390耦合至半導體管芯1304。耦合層 1380和/或耦合層1390 (如上文結合上述圖所述）可包括焊料、導電環(huán)氧樹脂和諸如此類中的一個或多個。
[0243] 半導體管芯1344設置在板1360的至少一部分與重新分布層1352的至少一部分之間。如圖14C所示，模塑層1320的部分1320C設置在重新分布層1352的第一部分與重新分布層1352的第二部分之間。
[0244] 盡管圖14C未示出，但半導體管芯1346可具有不同于(例如，大于、小于）半導體管芯1344的堅直尺寸(例如，厚度)的堅直尺寸(例如，厚度)。在一些具體實施中，半導體管芯1346的堅直尺寸可等于半導體管芯1344的堅直尺寸。在一些具體實施中，板1360可具有不同于(例如，大于、小于）半導體管芯1346和/或半導體管芯1344的堅直尺寸的堅直尺寸。在一些具體實施中，板1360的堅直尺寸可等于半導體管芯1346和/或半導體管芯 1344的堅直尺寸。
[0245] 圖14B示出了圖14A所示器件1300的沿著線Z2的側剖視圖。如圖14B所示，半導體管芯1346經(jīng)由耦合層1380的部分耦合至重新分布層1352的若干部分。如圖14B和圖14C所示，導電柱1354設置在表面覆鍍層1356與重新分布層1352之間。
[0246] 圖13A到圖14所示的具體實施和特征可與結合例如圖1到12所示及所述的具體實施中的任一個相組合。
[0247] 本文所述的各種器件(例如，器件100、器件200、器件300、器件500、器件800和諸如此類)的具體實施(例如，封裝件)可被包括在多種設備或系統(tǒng)中。圖15為示意圖，示出了包括在電子設備1500中的例如圖1所示的器件100。電子設備1500可為，或可包括，例如具有傳統(tǒng)膝上型形狀因數(shù)的膝上型設備。在一些具體實施中，電子設備1500可為，或可包括，例如有線設備和/或無線設備(例如，Wi-Fi啟用設備)、計算實體(例如，個人計算設備)、服務器設備(例如，網(wǎng)絡服務器)、移動電話、音頻設備、電機控制設備、電源(例如，離線電源)、個人數(shù)字助理（PDA)、平板設備、電子閱讀器、電視、汽車和/或諸如此類。在一些具體實施中，電子設備1500可為，或可包括，例如顯示設備(例如，液晶顯示（LCD)監(jiān)視器，用于向用戶顯示信息)、鍵盤、指示設備(例如，鼠標、觸控板，通過其用戶可向計算機提供輸入)。
[0248] 在一些具體實施中，電子設備1500可為，或可包括，例如后端部件、數(shù)據(jù)服務器、中間件部件、應用服務器、前端部件、具有圖形用戶界面或萬維網(wǎng)瀏覽器的客戶端計算機 (用戶可通過該圖形用戶界面或萬維網(wǎng)瀏覽器與具體實施進行交互)，或者這樣的后端、中間件或前端部件的任何組合。本文所述的器件100 (和/或電子設備1500)可通過數(shù)字數(shù) 據(jù)通信的任何形式或媒介(例如，通信網(wǎng)絡）進行互連。通信網(wǎng)絡的例子包括局域網(wǎng)（LAN) 和廣域網(wǎng)（WAN)，例如因特網(wǎng)。
[0249] 在一些具體實施中，裝置可包括基板。該裝置可包括重新分布層，該重新分布層耦合至基板并包括第一重新分布層部分和第二重新分布層部分。該裝置可包括第一半導體管芯，該第一半導體管芯具有耦合至第一重新分布層部分的第一表面。該裝置還可包括第二半導體管芯，該第二半導體管芯具有耦合至第二重新分布層部分的第一表面，其中第一半導體管芯具有與第二半導體管芯的第二表面相隔最小距離的第二表面。該裝置還可包括耦合至第一半導體管芯的第三表面的第一導體，其中第一半導體管芯的第三表面位于與第一半導體管芯的第一表面相對的第一半導體管芯的側上，以及其中第一導體具有小于第一半導體管芯的第三表面的表面積的表面積。該裝置可包括耦合至第二半導體管芯的第三表面的第二導體，其中第二半導體管芯的第三表面位于與第二半導體管芯的第一表面相對的第二半導體管芯的側上。第一導體可與第二導體相隔大于所述最小距離的距離。
[0250] 在一些具體實施中，第一半導體管芯的第二表面可與第二半導體管芯的第二表面平行地對齊。該裝置可包括設置在第一半導體管芯的第三表面上的絕緣體，其中第一導體的表面積和該絕緣體的表面積具有大致等于第一半導體管芯的第三表面的表面積的組合表面積。
[0251] 在一些具體實施中，第一重新分布層部分可為電容部件的第一電容板，重新分布層可為耦合至基板的第一側的第一重新分布層。該裝置可包括第二重新分布層，該第二重新分布層包括所述電容部件的第二電容板。第一半導體管芯可包括第一半導體器件，該第一半導體器件電容耦合至包括在第二半導體器件中的第二半導體器件。在一些具體實施中，第一半導體管芯可包括高電壓半導體器件。
[0252] 在一個一般方面中，裝置可包括第一模塑層、第二模塑層以及設置在第一模塑層與第二模塑層之間的基板。該裝置可包括電感部件，該電感部件具有耦合至基板的至少一部分。該裝置可包括半導體管芯，該半導體管芯設置在第一模塑層中并包括半導體器件，該半導體器件電耦合至電容部件。
[0253] 在一些具體實施中，第二模塑層包括磁性物質。電感部件可包括導電元件并且可包括所述磁性物質的至少一部分。在一些具體實施中，該裝置可包括設置在基板的第一側上的第一模塑層中的第一電容板以及設置在基板的第二側上的第二模塑層中的第二電容板。
[0254] 在一些具體實施中，半導體管芯為第一半導體管芯并且半導體器件為第一半導體器件，第一電容板和第二電容板限定第一電容器的至少一部分。該裝置可包括設置在基板的第一側上的第一模塑層中的第三電容板，第二電容板和第三電容板限定第二電容器的至少一部分。該裝置可包括第二半導體器件，該第二半導體器件包括第二半導體器件，并且該第二半導體管芯可電耦合至第三電容板。
[0255] 在一些具體實施中，半導體管芯為第一半導體管芯并且半導體器件為第一半導體器件。該裝置可包括設置在第一模塑層中并包括第二半導體器件的第二半導體管芯，以及設置在基板中并且將第二半導體器件電耦合至第二電容板的導電過孔。
[0256] 在一些具體實施中，半導體管芯為第一半導體管芯并且半導體器件為第一半導體器件。該裝置可包括第二半導體管芯，該第二半導體管芯包括第二半導體器件。第二半導體管芯可設置在第一模塑層中，并且第一半導體器件可經(jīng)由電容部件與第二半導體器件電隔離。
[0257] 在一些具體實施中，電感部件為第一電感部件。該裝置可包括設置在第二模塑層中的第二電感部件，并且第一電感部件和第二電感部件可共同限定變壓器。在一些具體實施中，第二模塑層包括第一模塑材料以及設置在第一模塑材料與基板之間的第二模塑材料。至少第一模塑材料可包括磁性物質。在一些具體實施中，基板包括陶瓷。
[0258] 在一些具體實施中，該裝置可包括耦合至半導體管芯的至少一部分的板。在一些具體實施中，電感部件包括線材。在一些具體實施中，該裝置可包括電子設備。
[0259] 在另一個一般方面中，裝置可包括設置在基板的第一側上的第一重新分布層，其中第一重新分布層包括第一重新分布層部分和第二重新分布層部分。該裝置可包括耦合至第一重新分布層的第一重新分布層部分的導電柱，并且半導體管芯可包括耦合至第一重新分布層的第二重新分布層部分的半導體器件。該裝置可包括設置在基板的第二側上的第二重新分布層，并且第二重新分布層可包括電容部件的電容板或電感部件的一部分中的至少一個。該裝置可包括第一模塑層和第二模塑層，該第一模塑層包封基板的第一側上的半導體管芯的至少一部分以及包封第一重新分布層的至少一部分，該第二模塑層設置在基板的第二側上。
[0260] 在一些具體實施中，第二模塑層包括磁性物質。在一些具體實施中，該裝置可包括表面覆鍍層，該表面覆鍍層具有沿著第一模塑層的表面找平的一部分。第一重新分布層和導電柱可具有大致等于基板與表面覆鍍層之間的第一模塑層的厚度的組合厚度。
[0261] 在一些具體實施中，該裝置可包括表面覆鍍層，該表面覆鍍層具有沿著第一模塑層的表面找平的一部分。第一重新分布層和導電柱可在基板與表面覆鍍層之間延伸。
[0262] 在一些具體實施中，電容板為電容部件的第一電容板，并且第一重新分布層可包括限定電容部件的第二電容板的一部分。基板可具有限定第一電容板與第二電容板之間的電介質的一部分。
[0263] 在一些具體實施中，電容板為第一電容板，并且第一重新分布層的第二重新分布層部分為第二電容板。在一些具體實施中，第二重新分布層包括限定電容板的第一部分以及限定電感部件的所述部分的第二部分。
[0264] 在一些具體實施中，導電柱為第一導電柱，第二重新分布層包括限定電感部件的所述部分的一部分。該裝置可包括耦合至第二重新分布層的第二導電柱以及包括耦合至第二導電柱的一部分的第三重新分布層。第二重新分布層的所述部分、第二導電柱以及第三重新分布層的所述部分共同可限定電感部件的所述部分。
[0265] 在另一個一般方面中，裝置可包括基板、設置在基板上的模塑層以及設置在模塑層內的第一半導體管芯。該裝置可包括設置在模塑層內的第二半導體管芯，其中第二半導體管芯具有與第一半導體管芯的側壁相隔第一距離的側壁。該裝置可包括第一導體，該第一導體耦合至第一半導體管芯的表面并且沿著一個平面找平。在一些具體實施中，第一半導體管芯的該表面可與第一半導體管芯的側壁大致正交。該裝置還可包括第二導體，該第二導體耦合至第二半導體管芯的表面并且沿著所述平面找平，其中第一導體可與第二導體相隔大于第一距離的第二距離。
[0266] 在一些具體實施中，第一半導體管芯的側壁面向第二半導體管芯的側壁的至少一部分。在一些具體實施中，該裝置可包括絕緣體，該絕緣體具有沿著所述平面找平的至少一部分并且設置在第一導體與第二導體之間。
[0267] 在一些具體實施中，第一距離為第一半導體管芯的側壁與第二半導體管芯的側壁之間的最小距離。該裝置可包括絕緣體，該絕緣體具有設置在第一導體與第二導體之間的一部分，并且第二距離可為該部分的最小寬度。
[0268] 在一些具體實施中，該裝置可包括耦合至基板的至少一個電容板。在一些具體實施中，該裝置可包括第一半導體管芯，該第一半導體管芯包括高電壓半導體器件。
[0269] 在又一個一般方面中，方法可包括使用第一電鍍工藝在基板上形成重新分布層以及使用第二電鍍工藝在重新分布層上形成導電柱。所述方法可包括將半導體管芯耦合至重新分布層，并且可包括形成對重新分布層的至少一部分以及導電柱的至少一部分進行包封的模塑層。
[0270] 在一些具體實施中，基板可具有矩形或正方形形狀并且為陶瓷基板。在一些具體實施中，重新分布層為形成在基板的第一側上并且包括第一電容板的第一重新分布層。所述方法可包括在基板的第二側上形成包括對應于第一電容板的第二電容板的第二重新分布層。
[0271] 在一些具體實施中，所述方法可包括在半導體管芯的至少一部分上以及在導電柱的至少一部分上形成表面覆鍍層。在一些具體實施中，所述方法可包括形成表面覆鍍層，該表面覆鍍層具有沿著模塑層的表面找平的一部分。重新分布層和導電柱可具有大致等于基板與表面覆鍍層之間的模塑層的厚度的組合厚度。
[0272] 在一些具體實施中，重新分布層為形成在基板的第一側上的第一重新分布層，并且模塑層為形成在基板的第一側上的第一模塑層。所述方法可包括在基板的第二側上形成第二重新分布層，以及形成對第二重新分布層的至少一部分進行包封的第二模塑層。
[0273] 在一些具體實施中，重新分布層為形成在基板的第一側上的第一重新分布層，并且模塑層為形成在基板的第一側上的第一模塑層。所述方法可包括在基板的第二側上形成第二重新分布層，以及形成對第二重新分布層的至少一部分進行包封的第二模塑層。第二模塑層可包括磁性物質。在一些具體實施中，模塑層的至少一部分包括磁性物質。在一些具體實施中，重新分布層為第一重新分布層，并且所述方法可包括在第一重新分布層上形成第二重新分布層，其中形成導電柱包括在第二重新分布層上形成導電柱。
[0274] 還可理解的是，在某一層被稱為位于另一層或基板上時，其可直接位于另一層或基板上，或者也可存在居間層。還將理解，在元件(例如層、區(qū)域或基板）被稱為位于另一個元件上或連接至、電連接至、耦合至或電耦合至另一個元件時，該元件可直接位于另一個元件上或連接或耦合至另一個元件，或者可存在一個或多個居間元件。相比之下，在元件被稱為直接位于另一個元件或層上或直接連接至或直接耦合至另一個元件或層時，不存在居間元件或居間層。盡管在整個【具體實施方式】部分中可能未使用術語"直接位于……上"、"直接連接至"或"直接耦合至"，但在圖中被示出為直接位于……上、直接連接或直接耦合的元件可被看作這樣的情況?？尚拚旧暾埖臋嗬螅躁愂稣f明書中所述或圖中所示的示例性關系。
[0275] -些具體實施可使用各種半導體處理和/或封裝技術來實現(xiàn)。一些具體實施可使用與半導體基板相關的各種類型的半導體處理技術來實現(xiàn)，這些半導體基板包括，但不限于，例如硅（Si)、砷化鎵（GaAs)、碳化硅（SiC)和/或諸如此類。
[0276] 雖然所述的具體實施的某些特征已如本文所述進行了說明，但本領域技術人員目前將會想到許多修改形式、替代形式、變更形式和等同形式。因此，應當理解，所附權利要求旨在涵蓋落入具體實施的范圍內的所有此類修改形式和變更形式。應當理解，它們僅以舉例的方式而非限制的方式被呈現(xiàn)，可在形式和細節(jié)方面進行各種變更。本文所述的裝置和/ 或方法的任何部分可以任何組合加以組合，但相互排斥的組合除外。本文所述的具體實施可包括所述的不同具體實施的功能、部件和/或特征的各種組合和/或子組合。
【權利要求】
1. 一種裝置，包括：第一模塑層；第二模塑層；基板，其設置在所述第一模塑層與所述第二模塑層之間；電感部件，其設置在所述第二模塑層中；電容部件，其具有耦合至所述基板的至少一部分；以及半導體管芯，其設置在所述第一模塑層中并包括半導體器件，所述半導體器件電耦合至所述電容部件。
2. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第二模塑層包括磁性物質，所述電感部件包括導電元件并且包括所述磁性物質的至少一部分。
3. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，還包括：第一電容板，其設置在所述基板的第一側上的所述第一模塑層中；以及，第二電容板，其設置在所述基板的第二側上的所述第二模塑層中。
4. 根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中所述半導體管芯為第一半導體管芯并且所述半導體器件為第一半導體器件，所述第一電容板和所述第二電容板限定第一電容器的至少一部分，所述裝置還包括：第三電容板，其設置在所述基板的所述第一側上的所述第一模塑層中，所述第二電容板和所述第三電容板限定第二電容器的至少一部分；以及第二半導體管芯，其包括第二半導體器件，所述第二半導體器件電耦合至所述第三電容板。
5. 根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中所述半導體管芯為第一半導體管芯并且所述半導體器件為第一半導體器件，所述裝置還包括：第二半導體管芯，其設置在所述第一模塑層中并且包括第二半導體器件；以及導電過孔，其設置在所述基板中并且將所述第二半導體器件電耦合至所述第二電容板。
6. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述半導體管芯為第一半導體管芯并且所述半導體器件為第一半導體器件，所述裝置還包括：第二半導體管芯，其包括第二半導體器件，所述第二半導體管芯設置在所述第一模塑層中，所述第一半導體器件經(jīng)由所述電容部件與所述第二半導體器件電隔離。
7. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述電感部件為第一電感部件，所述裝置還包括：第二電感部件，其設置在所述第二模塑層中，所述第一電感部件和所述第二電感部件共同限定變壓器。
8. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第二模塑層包括：第一模塑材料；以及第二模塑材料，其設置在所述第一模塑材料與所述基板之間，至少所述第一模塑材料包括磁性物質。
9. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述基板包括陶瓷。
10. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，還包括：板，其耦合至所述半導體管芯的至少一部分。
11. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述電感部件包括線材。
12. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述裝置被包括在電子設備中。
13. -種裝置，包括：第一重新分布層，其設置在基板的第一側上，所述第一重新分布層包括第一重新分布層部分和第二重新分布層部分；導電柱，其耦合至所述第一重新分布層的所述第一重新分布層部分；半導體管芯，其包括耦合至所述第一重新分布層的所述第二重新分布層部分的半導體器件；第二重新分布層，其設置在所述基板的第二側上，所述第二重新分布層包括電容部件的電容板或電感部件的一部分中的至少一個；第一模塑層，其包封所述基板的所述第一側上的所述半導體管芯的至少一部分以及包封所述第一重新分布層的至少一部分；以及第二模塑層，其設置在所述基板的所述第二側上。
14. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述第二模塑層包括磁性物質。
15. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，還包括：表面覆鍍層，其具有沿著所述第一模塑層的表面找平的一部分，所述第一重新分布層和所述導電柱具有大致等于在所述基板與所述表面覆鍍層之間的所述第一模塑層的厚度的組合厚度。
16. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，還包括：表面覆鍍層，其具有沿著所述第一模塑層的表面找平的一部分，所述第一重新分布層和所述導電柱在所述基板與所述表面覆鍍層之間延伸。
17. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述電容板為所述電容部件的第一電容板，所述第一重新分布層包括限定所述電容部件的第二電容板的一部分，所述基板具有限定所述第一電容板與所述第二電容板之間的電介質的一部分。
18. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述電容板為第一電容板，所述第一重新分布層的所述第二重新分布層部分為第二電容板。
19. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述第二重新分布層包括限定所述電容板的第一部分以及限定所述電感部件的所述部分的第二部分。
20. 根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述導電柱為第一導電柱，所述第二重新分布層包括限定所述電感部件的所述部分的一部分，所述裝置還包括：第二導電柱，其耦合至所述第二重新分布層；以及第三重新分布層，其包括耦合至所述第二導電柱的一部分，所述第二重新分布層的所述部分、所述第二導電柱以及所述第三重新分布層的所述部分共同限定所述電感部件的所述部分。
21. -種裝置，包括：基板；模塑層，其設置在所述基板上；第一半導體管芯，其設置在所述模塑層內；第二半導體管芯，其設置在所述模塑層內，所述第二半導體管芯具有與所述第一半導體管芯的側壁相隔第一距離的側壁；第一導體，其耦合至所述第一半導體管芯的表面并且沿著一個平面找平；以及第二導體，其耦合至所述第二半導體管芯的表面并且沿著所述平面找平，所述第一導體與所述第二導體相隔大于所述第一距離的第二距離。
22. 根據(jù)權利要求21所述的裝置，其中所述第一半導體管芯的所述側壁面向所述第二半導體管芯的所述側壁的至少一部分。
23. 根據(jù)權利要求21所述的裝置，還包括：絕緣體，其具有沿著所述平面找平的至少一部分并且設置在所述第一導體與所述第二導體之間。
24. 根據(jù)權利要求21所述的裝置，其中所述第一距離為所述第一半導體管芯的所述側壁與所述第二半導體管芯的所述側壁之間的最小距離，所述裝置還包括：絕緣體，其具有設置在所述第一導體與所述第二導體之間的一部分，所述第二距離為所述部分的最小寬度。
25. 根據(jù)權利要求21所述的裝置，還包括：至少一個電容板，其耦合至所述基板。
26. 根據(jù)權利要求21所述的裝置，其中所述第一半導體管芯包括高電壓半導體器件。
【文檔編號】H01L23/48GK104112727SQ201310740963
【公開日】2014年10月22日申請日期:2013年12月27日優(yōu)先權日:2013年4月18日
【發(fā)明者】A·R·阿什拉芙扎德, V·G·烏拉爾, J·江, D·金澤, M·M·杜比, 全五燮, 吳宗麟, M·C·伊斯塔西歐申請人:費查爾德半導體有限公司

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