帶有金屬化側(cè)墻的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括至少部分透明的襯底、所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、絕緣層以及金屬層。襯底包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻。所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面面向襯底的第二表面。絕緣層包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的至少一部分。金屬層包圍絕緣層的至少一部分。所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻是呈錐形，并且所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分具有與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分不同的錐度。
【專利說(shuō)明】帶有金屬化側(cè)墻的半導(dǎo)體發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本領(lǐng)域一般地涉及半導(dǎo)體器件，以及更具體地，涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，許多不同類型的半導(dǎo)體發(fā)光器件是已知的，包括表面發(fā)射激光器和發(fā)光二極管。這些器件中的一些利用氮化鎵(GaN)來(lái)形成用于產(chǎn)生光的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。基于GaN的表面發(fā)射激光器和發(fā)光二極管已經(jīng)在許多應(yīng)用中得到了廣泛的使用，包括交通燈和其他類型的固態(tài)照明、室內(nèi)和室外電子顯示器、用于液晶顯示器的背光以及許多其他應(yīng)用。這些基于GaN的器件具有許多顯著的優(yōu)點(diǎn)，例如優(yōu)異的光束特征以及易于成批制作和封裝。其他類型的半導(dǎo)體發(fā)光器件利用其他的半導(dǎo)體材料提供了類似的優(yōu)點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括至少部分透明的襯底，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，絕緣層以及金屬層。所述襯底包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻。所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面面向襯底的第二表面。所述絕緣層包圍有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的至少一部分。所述金屬層包圍絕緣層的至少一部分。所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻呈錐形，并且所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分具有與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分不同的錐度。
[0004]可以以表面發(fā)射激光器或發(fā)光二極管或其他的形式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0005]可以結(jié)合照明系統(tǒng)、電子顯示器或其他類型的系統(tǒng)或器件中關(guān)聯(lián)控制電路實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)表面發(fā)射激光器、發(fā)光二極管或其他半導(dǎo)體發(fā)光器件。作為一個(gè)更加具體的示例，可以以具有關(guān)聯(lián)控制電路的陣列形式組合，并且在照明系統(tǒng)、電子顯示器或其他類型的系統(tǒng)或器件中實(shí)現(xiàn)多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0006]本發(fā)明的其他實(shí)施例包括但不限于方法、裝置、集成電路以及處理器件。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是在說(shuō)明性的實(shí)施例中包括具有金屬化側(cè)墻的發(fā)光二極管的示例性半導(dǎo)體發(fā)光器件的橫截面圖。
[0008]圖2至11示出了形成圖1中的發(fā)光二極管的過(guò)程中的各個(gè)步驟。
[0009]圖12和13是在說(shuō)明性的實(shí)施例中對(duì)于發(fā)光二極管的不同可能結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0010]圖14-19示出了在說(shuō)明性的實(shí)施例中形成發(fā)光二極管陣列的過(guò)程中的各個(gè)步驟。
[0011]圖20是說(shuō)明性的實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0012]圖21示出了在說(shuō)明性的實(shí)施例中形成發(fā)光二極管的另一種陣列結(jié)構(gòu)的過(guò)程中的步驟。
[0013]圖22是在說(shuō)明性的實(shí)施例中帶有共用金屬化側(cè)墻的發(fā)光二極管的另一種陣列結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0014]圖23示出了在說(shuō)明性的實(shí)施例中具有金屬化側(cè)墻的發(fā)光二極管陣列。
[0015]圖24示出了在說(shuō)明性的實(shí)施例中帶有共用陣列反射器的圖23中的發(fā)光二極管陣列。
[0016]圖25示出了包括發(fā)光二極管陣列和關(guān)聯(lián)控制電路的集成電路。
[0017]圖26示出了包含圖25中的集成電路的處理器件。

【具體實(shí)施方式】
[0018]本發(fā)明的實(shí)施例在本文中將結(jié)合示例性的發(fā)光二極管(LED)示出。然而應(yīng)當(dāng)理解，能夠利用半導(dǎo)體發(fā)光器件(包括例如表面發(fā)射激光器(SEL))的各種可選類型和結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。
[0019]圖1以LED100的形式示出了示例性的半導(dǎo)體發(fā)光器件。LED100包括藍(lán)寶石襯底102和有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。如圖1中所示，有源半導(dǎo)體襯底104的表面面向藍(lán)寶石襯底102的表面。在圖1中，面向襯底102的有源半導(dǎo)體襯底104表面在本文中稱為頂表面或第一表面。在圖1中，面向有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第一表面的襯底102的表面在本文中稱為底表面或第二表面。
[0020]在該實(shí)施例中的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104示意性的包括GaN LED結(jié)構(gòu)，但是可以在其他的實(shí)施例中使用許多其他的半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)。GaN LED結(jié)構(gòu)可以外延生長(zhǎng)或者另行利用公知的技術(shù)形成在藍(lán)寶石襯底上。
[0021]藍(lán)寶石襯底102在由有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光的一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)處是基本上透明的，并且是在本文中更一般地稱為“至少部分透明的襯底”的示例。上述襯底對(duì)于包括由有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光的典型波長(zhǎng)的特定波長(zhǎng)范圍可以是基本上透明的?？梢栽谄渌膶?shí)施例中使用各種不同類型的襯底。因此，藍(lán)寶石的使用并不是必須的。
[0022]絕緣層108形成在襯底102的側(cè)墻、有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻以及有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的部分底表面或第二表面的周圍。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的沒有被絕緣層108包圍的底表面或第二表面的剩余部分可以形成用于P-接觸110的區(qū)域。金屬層112包圍絕緣層 108。
[0023]在LED100中通過(guò)有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的有源區(qū)106產(chǎn)生光，但是可以在其他的實(shí)施例中使用許多其他的光產(chǎn)生裝置。由有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的至少部分光從襯底的底表面或第二表面經(jīng)過(guò)襯底102發(fā)射到襯底102的頂表面或第一表面。例如，從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104發(fā)射的部分光可以沿著光路163和164通過(guò)襯底102的底表面或第二表面發(fā)射到襯底102的頂表面或第一表面的外面。從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光的其他部分可以沿著光路161、162和165向有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻或者襯底102的側(cè)墻發(fā)射。
[0024]有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104及襯底102的側(cè)墻可以是錐形的，使得從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104向有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻或襯底102的側(cè)墻發(fā)射的光被反射遠(yuǎn)離側(cè)墻并射向襯底102的頂表面或第一表面。如圖1所示，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻可以是從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一或頂表面向內(nèi)呈錐形。
[0025]絕緣層108在由有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光的一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)處可以是至少部分透明的。絕緣層還可以或可選地包括鈍化的抗反射絕緣體。絕緣層進(jìn)一步被配置為阻止由有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光的表面吸收。絕緣層104可以包括S12，但是可以使用各種其他材料。包圍絕緣層108的金屬層112可以包括鋁、金、銀、鉬、鈦或各種其他金屬及合金。
[0026]如圖1中所示，從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104產(chǎn)生的光沿著光路161、162和165經(jīng)過(guò)絕緣層108發(fā)射到金屬層112，并且經(jīng)過(guò)有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104和/或襯底102向襯底102的頂表面或第一表面反射。
[0027]如圖1中所示，襯底102和有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻呈錐形以便以期望的方向反射在有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104中產(chǎn)生的光。在圖1中，光的期望或主要方向是通過(guò)襯底102的頂表面或第一表面向外。然而應(yīng)該理解，對(duì)于特定實(shí)施例可以選擇各種其他期望的方向。另外，可以選擇有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的至少一個(gè)側(cè)墻的呈錐形的量或錐形輪廓以實(shí)現(xiàn)期望的反射特性。
[0028]在圖1中，襯底102的側(cè)墻是從襯底102的頂表面或第一表面向內(nèi)呈錐形。類似地，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻是從有源半導(dǎo)體104的頂表面或第一表面向內(nèi)呈錐形。重要的是，注意到雖然圖1示出了呈錐形的襯底102和有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的整個(gè)長(zhǎng)度，但是實(shí)施例并不僅限于該布置。在一些實(shí)施例中，襯底102和/或有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的一部分可以基本上垂直于襯底102的頂表面或第一表面和/或有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的頂表面或第一表面。在其他的實(shí)施例中，襯底可以根本就不是呈錐形的。
[0029]如圖1中所示，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的各部分具有不同的錐度。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的從有源區(qū)106延伸到有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面的指定部分具有與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的剩余部分不同的錐度。然而，重要的是注意到，所述指定部分不必從有源區(qū)106延伸到有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面。相反，例如，所述指定部分可以包括有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的鄰近有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面的側(cè)墻部分，該部分不包括包圍有源區(qū)106的側(cè)墻或者僅包括包圍有源區(qū)106的側(cè)墻部分。
[0030]可以選擇有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的至少一個(gè)側(cè)墻的錐度以減少有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的拐角或邊緣處的應(yīng)力點(diǎn)，在該處有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的至少一個(gè)側(cè)墻交匯。在一些實(shí)施例中，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被形成為使得有源區(qū)域帶106距離半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面僅幾微米。因此，在有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的拐角或邊緣處的引起絕緣層108中的開裂或其他間斷的應(yīng)力點(diǎn)可能會(huì)通過(guò)使金屬層112接觸到有源區(qū)106而使LED100短路。在本發(fā)明的實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光器件可以具有帶有變化錐度的側(cè)墻部分以便減少這些應(yīng)力點(diǎn)。此外，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的各種其他部分可以是呈錐形以便減少其他的應(yīng)力集中區(qū)域。
[0031]利用各種技術(shù)包括選擇性刻蝕或激光切片、離子研磨和/或選擇性區(qū)域生長(zhǎng)技術(shù)，有源區(qū)106也可以是隔離的。這些技術(shù)能夠允許更好地控制有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)墻的錐度，并且阻止例如短路的危害。
[0032]可以依據(jù)斜率描述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的錐度，所述斜率是相對(duì)于大體上平行于有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面的X-軸和垂直于X-軸的y_軸來(lái)限定的。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的從有源區(qū)106延伸到有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面的指定部分的斜率(即AyZ^x)具有小于側(cè)墻的剩余部分的大小。因此，側(cè)墻與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面的拐角的角度可以比有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的剩余部分相對(duì)于有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面的角度是更大的鈍角。
[0033]應(yīng)理解，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的指定部分不必具有均勻的或恒定的斜率。相反，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的指定部分可以包括一個(gè)或多個(gè)變化斜率的線性段。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的指定部分還可以是弧形，使得它們與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面形成圓形的邊緣。在其他的實(shí)施例中，可以對(duì)有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻部分使用各種其他的錐形外形和布置。
[0034]所述LED100進(jìn)一步包括子基底114，所述子基底114被配置為支持有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104及其相關(guān)襯底102。子基底114的上表面的一部分位于有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102的有源區(qū)106下。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102、襯底104和子基底114的這種布置是LED的倒裝芯片結(jié)構(gòu)的示例。盡管這種倒裝芯片結(jié)構(gòu)能夠提供增強(qiáng)的熱管理和光發(fā)射的光學(xué)耦合，但是也能夠使用半導(dǎo)體發(fā)光器件組件的其他類型和布置。
[0035]正如上面指明的，子基底114支持有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104和襯底102。在子基底114的上表面上形成子基底接合焊盤116及焊料凸塊118，以用于耦合有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面上的P-接觸110。所述P-接觸110可以與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的反射器整體形成，或者另行與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的反射器相關(guān)聯(lián)地形成。
[0036]上面指出的反射器通常被布置為使得將在有源區(qū)106中產(chǎn)生的光反射遠(yuǎn)離有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面并且反射返回朝向襯底102。
[0037]η-接觸120也被形成用于連接至襯底102的第一表面或頂表面。在襯底102中提供至少一個(gè)通孔用于使η-接觸120連接到有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。
[0038]此外，所述LED100僅是示例性的，并且可以使用其他類型的LED結(jié)構(gòu)或者更一般的半導(dǎo)體發(fā)光器件。例如，如前面指出的，在其他的實(shí)施例中可以用其他類型的LED結(jié)構(gòu)和SEL結(jié)構(gòu)替代圖1中用作有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的特定的LED結(jié)構(gòu)。
[0039]參考圖2-11現(xiàn)在將描述LED100的形成。
[0040]圖2不出了具有第一表面的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104,所述第一表面面向藍(lán)寶石襯底102的第二表面。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第一表面對(duì)應(yīng)于圖1中所示的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的頂表面，并且襯底102的第二表面對(duì)應(yīng)于圖1中所不的襯底102的底表面。
[0041]所述藍(lán)寶石襯底102具有特定的初始厚度，該厚度可以例如大約400微米(μ m)。假設(shè)利用金屬有機(jī)氣相沉積(MOCVD)在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)多個(gè)GaN層來(lái)形成GaN LED結(jié)構(gòu)。類似的技術(shù)可以用于形成其他類型的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如LED結(jié)構(gòu)。所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104具有在其中形成的有源區(qū)域帶106。
[0042]安裝帶201貼到襯底102的第一表面用于形成LED100的進(jìn)一步處理步驟。各種膜和其他材料可以用于安裝帶201。選擇特定的膜或黏性材料可以取決于許多因素，包括例如隨后處理步驟需要的黏性強(qiáng)度，諸如研磨襯底102至期望的厚度，以及易于拾取、放置和釋放結(jié)構(gòu)以用于接合成封裝。在一些實(shí)施例中，使用UV帶或熱分解帶。UV帶和熱分解帶提供足夠的黏性強(qiáng)度用于鋸切和研磨處理，同時(shí)也提供可重復(fù)且低的釋放強(qiáng)度用于拾取、放置和釋放該結(jié)構(gòu)。
[0043]接下來(lái)，如圖3中所示，用有斜面的金剛石刀片301預(yù)鋸切所述結(jié)構(gòu)到預(yù)定深度。所述預(yù)鋸切過(guò)程建立了個(gè)體管芯尺寸，管芯厚度，以及有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104和襯底102的側(cè)墻的呈錐形部分。可以基于有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104和襯底102的側(cè)墻的各部分的期望錐度選擇所述有斜面的金剛石刀片301的尺寸和形狀。
[0044]可以使用各種其他的工藝技術(shù)建立個(gè)體管芯尺寸、管芯厚度以及有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102和襯底102的各部分的錐度。例如，可以使用激光切片、離子研磨或其他的微機(jī)械技術(shù)代替所述有斜面的金剛石刀片301或者與所述有斜面的金剛石刀片301結(jié)合使用。
[0045]在一些實(shí)施例中，可以在有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第二表面上形成刻蝕掩模層。所述刻蝕掩模層可以用光刻膠涂覆并且被圖案化以暴露掩模將被去除的區(qū)域。隨后，用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)或濕法刻蝕能夠刻蝕所述刻蝕掩模材料并且去除所述光刻膠，以暴露有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的各部分并且留下圖案化的掩模。然后有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的被暴露的各部分能夠被刻蝕以得到所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和/或所述襯底的側(cè)墻的期望的錐度。
[0046]在其他的實(shí)施例中，用生長(zhǎng)掩?？梢栽诒槐┞兜囊r底部分上面生長(zhǎng)有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)?？梢允褂眠x擇區(qū)域生長(zhǎng)技術(shù)用于形成有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)使其側(cè)墻具有期望的錐度。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解可以使用各種其他的工藝。
[0047]圖4示出了在有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的各部分上形成的后處理刻蝕。后處理刻蝕用于提供圓形邊緣，在所述圓形邊緣處，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第二表面與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)墻交匯。如上面描述的，所述后處理刻蝕能夠有利地成形或形成具有不同錐度的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)墻的各部分，以減少沿著邊緣的應(yīng)力點(diǎn)，在那里有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面交匯。如上注意，側(cè)墻上的應(yīng)力點(diǎn)可以導(dǎo)致所述鈍化或絕緣層108的開裂。在一些實(shí)施例中，有源區(qū)106在有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第二表面幾微米范圍內(nèi)，并且因此所述結(jié)構(gòu)由于鈍化或絕緣層沿著邊緣開裂而可能容易發(fā)生短路，在所述邊緣處，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的底表面交匯。
[0048]如圖5中所示，然后形成絕緣層108。利用圖3和4中示出的預(yù)鋸切和后處理刻蝕工藝，在所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的第二表面上以及所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104和襯底102的側(cè)墻上形成絕緣層108?？梢岳迷訉映练e(ALD)來(lái)沉積絕緣層108?？蛇x地可以利用許多其他的技術(shù)沉積絕緣層108，包括例如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。絕緣層108的厚度可以是大約1.0至2.0 μ m，并且絕緣層108可以由二氧化硅(S12)形成，但是能夠利用其他的厚度和材料。利用這種厚度大約1.0至2.0 μ m的薄絕緣層108的實(shí)施例能夠提供增強(qiáng)的反射。對(duì)于薄絕緣層108，從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104發(fā)射的光在被金屬層112反射向襯底102的頂表面之前不需要傳播如此遠(yuǎn)。
[0049]如圖6中所示，然后在絕緣層108上形成共形光刻膠層601?？梢允褂脟娡考夹g(shù)沉積光刻膠層601，但是可以使用各種其他的技術(shù)。接下來(lái)，曝光并圖案化光刻膠層601以形成圖7中所示的開口 701。例如，這可以涉及利用濕法刻蝕技術(shù)(如氧化層刻蝕緩沖(BOE)工藝)將絕緣層108刻蝕成條形掩模。然后在開口 701中形成P-接觸110。如圖8中所示，利用RIE或濕法刻蝕以去除剩余的光刻膠層601以及被開口 701暴露的絕緣層108部分。
[0050]如圖9中所示，然后在絕緣層108上以及在被開口 701暴露的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104部分上沉積反光金屬化的共形層。反光金屬化的共形層形成P-接觸110和金屬層112?？梢允褂肁LD沉積反光金屬化的共形層，但是也可以使用其他合適的技術(shù)。
[0051]如圖10中所示，然后執(zhí)行帶到帶轉(zhuǎn)移以暴露襯底102的第一表面。從襯底102的第一表面去除安裝帶201并且放置安裝帶1001以保護(hù)P-接觸110，金屬層112和結(jié)構(gòu)形貌。
[0052]如圖11中所示，執(zhí)行背面研磨以將晶片分離成單個(gè)管芯。使用研磨工具1101來(lái)研磨襯底102至期望的厚度。如上所述，襯底102的初始厚度可以是400 μ m，而襯底102可以被向下研磨到大約200 μ m。
[0053]盡管本示例中的期望厚度是大約200μπι，但是還可以使用許多其他的厚度。因此應(yīng)當(dāng)理解，本文中涉及的厚度和其他尺寸僅是示例性的?；谝r底102的側(cè)墻的錐度和/或有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的錐度，可以選擇襯底102的厚度用于在特定應(yīng)用中獲得期望的反射特性。還可以選擇期望的厚度以減少平均自由行程并且改善從有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的有源區(qū)106的光提取。而且，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102的GaN緩沖層可以用作刻蝕停止以額外地降低平均自由行程。
[0054]一旦晶片被分離成如圖11中所示的單個(gè)管芯，管芯就能夠被拾取和放置，使得P-接觸110和金屬層112被安裝在如圖1中所示的焊料凸塊118上。光刻和濕法刻蝕工藝能夠用于限定焊料凸塊118的圖案。焊料凸塊118可以包括電鍍到P-接觸110上的錫(Sn)。
[0055]在一些實(shí)施例中，可以利用向下研磨到有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104，研磨工藝可以完全去除襯底102以將晶片分離成單個(gè)管芯。單個(gè)管芯能夠從安裝帶直接拾取和放置用于接合到子基底。因此，應(yīng)理解，在一些實(shí)施例中，類似于圖1中所示的LED100地形成LED，但沒有襯底 102。
[0056]在其他的實(shí)施例中，激光剝離技術(shù)被使用，代替向下研磨襯底102和/或有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。在激光剝離技術(shù)中，激光照射襯底102的第二表面。有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104中的犧牲層能夠從襯底102分離，或者有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104中的一定數(shù)量的鎵(Ga)能夠溶解導(dǎo)致有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104從襯底102分離。
[0057]假設(shè)將在晶片級(jí)執(zhí)行上述處理操作，并且被處理的晶片然后分成了單獨(dú)的集成電路。如前面所述，通過(guò)接合到子基底114將集成電路中的指定一個(gè)布置成倒裝芯片封裝。
[0058]重要的是注意到，本發(fā)明的實(shí)施例并不僅限于將晶片分離成單個(gè)管芯(如圖11中所示)。相反，正如下面進(jìn)一步詳細(xì)描述的，晶片的許多管芯可以組成陣列，其中在晶片上的管芯陣列的側(cè)墻周圍形成金屬層。
[0059]圖12和13示出了對(duì)于圖1的LED100中示出的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻、絕緣層108和金屬層112的不同的可能結(jié)構(gòu)的橫截面圖。圖12和13中的類似參考數(shù)字符號(hào)指代圖1中的類似的部件。
[0060]圖12示出了 LED1200，其中絕緣層1208具有非均勻的厚度，絕緣層1208包圍襯底102的側(cè)墻、有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻以及有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面的一部分。如上討論的，邊緣能夠形成應(yīng)力點(diǎn)，在邊緣處，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面或第二表面交匯。在應(yīng)力點(diǎn)處的絕緣層1208的開裂可能會(huì)造成金屬層1212使得LED1200短路。如圖12中所示，在該應(yīng)力點(diǎn)處的絕緣層1208要厚于有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻剩余部分上的絕緣層1208的厚度，以幫助避免使LED1200短路。例如，在該應(yīng)力點(diǎn)處的絕緣層108的厚度是剩余部分絕緣層108的厚度的兩倍，但是可以使用各種其他的厚度配置。作為進(jìn)一步的示例，在應(yīng)力點(diǎn)處的絕緣層108的厚度與側(cè)墻的剩余部分的厚度之比可以是3:2或3:1。
[0061]圖13示出了 LED1300，其中有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻的指定部分的錐度被成形以便相對(duì)有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面形成圓形邊緣。如圖13中所示，在該邊緣處的絕緣層1308是圓形的，減少了邊緣處的應(yīng)力點(diǎn)的嚴(yán)重程度，因此幫助防止金屬層1312短路LED1300，在所述邊緣處，有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的側(cè)墻與有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104的底表面交匯。除了具有圓形的邊緣，如以上關(guān)于LED1200所述的，LED1300在應(yīng)力點(diǎn)處還具有較厚的絕緣層。
[0062]如上所述，在一些實(shí)施例中，晶片沒有被物理地分離成單獨(dú)地被封裝的管芯。圖14-19示出了在這些實(shí)施例中的形成半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列的處理的各個(gè)步驟。
[0063]圖14示出了具有在絕緣層108上形成的平坦化的絕緣層1401的圖5的結(jié)構(gòu)的橫截面圖?？梢杂肁LD沉積平坦化的絕緣層1401，但是如上所述，可以利用許多其他的技術(shù)。應(yīng)理解，盡管圖14中示出平坦化的絕緣層1401沉積在分離三個(gè)單個(gè)管芯的絕緣層上，但是實(shí)施例并不僅限于該布置。相反，平坦化的絕緣層1401可以形成在具有兩個(gè)單個(gè)管芯或多于三個(gè)單個(gè)管芯的晶片上。
[0064]如圖15中所示，光刻膠層1501形成在平坦化絕緣層1401上?？梢允褂脟娡考夹g(shù)沉積光刻膠層1501，但是也可以使用各種其他的技術(shù)。接下來(lái)，光刻膠層1501被曝光并且圖案化以形成開口 1600。盡管圖16只示出了在單個(gè)管芯中的開口 1600，但是其他的開口可以以類似的方式形成在晶片的其他管芯中。如圖17中所示，P-接觸1710形成在開口 1600中。
[0065]重要的是注意到，雖然圖14-19示出了平坦化的絕緣層1401大體上填充了晶片中的相鄰管芯的側(cè)墻之間的空間，但是實(shí)施例并不僅限于該布置。相反，在一些實(shí)施例中，反射材料(例如金屬層)可以形成在晶片的相鄰管芯的側(cè)墻之間以代替至少部分的平坦化絕緣層1401。
[0066]如圖18所示，金屬層1812隨后形成在陣列的外側(cè)墻上。雖然圖18示出了具有連續(xù)的金屬層1812的兩個(gè)管芯陣列的橫截面圖，連續(xù)的金屬層1812形成在外側(cè)墻、平坦化絕緣層1401以及P-接觸1710上，但是實(shí)施例并不僅限于該布置。在其他的實(shí)施例中，陣列可以包括形成在單個(gè)晶片上的多于兩個(gè)管芯，管芯可以分組為陣列，具有包圍陣列側(cè)墻及平坦化絕緣層1401的金屬層1812。
[0067]在形成金屬層1812之后，可以執(zhí)行帶到帶轉(zhuǎn)移及研磨工藝以便形成圖19中示出的陣列1900?？梢允褂妙愃朴趫D9-11所述的技術(shù)執(zhí)行帶到帶轉(zhuǎn)移及研磨工藝。
[0068]如圖20中所示，圖19中示出的陣列1900可以隨后被拾取和安裝到子基底上以形成LED陣列2000。陣列被安裝在焊料凸塊2018上。焊料凸塊2018被安裝在子基底接合焊盤2016上，子基底接合焊盤2016被安置在子基底2014上。η-接觸2020被如圖20中所示地連接。在襯底102中提供相應(yīng)的通路用于將η-接觸2020連接到LED陣列2000中的每一個(gè)管芯中的有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)104。重要的是注意到，雖然圖20示出只有單個(gè)η-接觸2020，但實(shí)施例并不僅限于該布置。例如，LED陣列2020中的每一個(gè)管芯可以具有單獨(dú)地可尋址的η-接觸。
[0069]LED陣列2000中的每一個(gè)管芯的ρ_接觸1710都通過(guò)金屬層1812與彼此相連。因此，LED陣列2000中的單個(gè)管芯并不是通過(guò)各自的P-接觸1710而可以單獨(dú)尋址的。在其他的實(shí)施例中，陣列中的每一個(gè)管芯的P-接觸可以是與金屬層1812良好分離的鏡。圖21示出了這一布置的橫截面圖。個(gè)體P-接觸2110-1和2110-2被形成用于陣列2100的每一個(gè)管芯。P-接觸2110中的每一個(gè)可以是單獨(dú)可尋址的，使得陣列2100中的管芯的特定管芯可以單獨(dú)被激活。圖19中示出的陣列2100可以隨后被拾取并安裝到圖22中示出的子基底上，以用與關(guān)于圖20所述的類似的方式形成LED陣列2200。
[0070]在一些實(shí)施例中，LED陣列的子基底可以具有圖案化的接觸，以使得當(dāng)LED陣列被轉(zhuǎn)移或接合到子基底時(shí)，陣列的各部分能夠被分別連接。
[0071]還可以在兩個(gè)或多個(gè)LED的一個(gè)或多個(gè)堆(bank)中連接形成在單個(gè)晶片上的LED陣列的P-接觸和/或η-接觸。兩個(gè)或多個(gè)LED的每一個(gè)堆可以是單獨(dú)可尋址的。在一些實(shí)施例中，可以利用各LED的不同的堆來(lái)提供不同的光輸出特性，例如強(qiáng)度，圖案等等。在其他的實(shí)施例中，可以為了冗余的目的利用各LED的堆。一些堆可以是主堆而其他的是冗余堆。如果主堆故障，則可以靠激活冗余堆來(lái)替代主堆。可以為了可單獨(dú)尋址的LED陣列使用類似的冗余技術(shù)。還可以使用隔離或熔斷技術(shù)從堆中去除堆中的各LED中的被短路的特定LED。
[0072]圖23示出了具有金屬化側(cè)墻的半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列2300。陣列2300的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括具有金屬化側(cè)墻反射器2302-1的LED2301-1、具有金屬化側(cè)墻反射器2302-2的LED2301-2、具有金屬化側(cè)墻反射器2302-3的LED2301-3以及具有金屬化側(cè)墻反射器2302-4的LED2301-3。陣列2300中的各LED2301和各金屬化側(cè)墻反射器2302的每一個(gè)可以類似于前面關(guān)于圖1、圖12或圖13所描述的。重要的是注意到，雖然圖23示出了在方格布局中具有四個(gè)LED2301的陣列2300，但是實(shí)施例并不僅限于該布置。陣列可以包括在不同的形狀中布置的多于或少于四個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件。例如，陣列可以包括半導(dǎo)體發(fā)光器件構(gòu)成的線、半導(dǎo)體發(fā)光器件構(gòu)成的圓形等等。
[0073]圖24示出了具有包圍各LED2301和各金屬化側(cè)墻2302的共用陣列反射器2400的圖23的陣列2300。共用陣列反射器2400能夠被成形為將從各LED2301發(fā)射的光引向期望的方向。
[0074]如前面提到的，可以以集成電路形式實(shí)現(xiàn)例如如上描述的那些的半導(dǎo)體發(fā)光器件。在特定的該集成電路實(shí)現(xiàn)中，相同的管芯通常以重復(fù)的圖案形成在半導(dǎo)體晶片的表面上。每一個(gè)管芯都包括如本文中描述的電路，并且可以包括其他的結(jié)構(gòu)或電路。單個(gè)管芯從晶片上被分割或切割，然后被封裝為集成電路。本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道如何切割晶片并封裝管芯以制成集成電路。這樣制作的集成電路被認(rèn)為是本發(fā)明的實(shí)施例。此外，如上所述的，在一些示例中可以形成器件，其中在晶片上兩個(gè)或多個(gè)單個(gè)管芯形成陣列結(jié)構(gòu)。
[0075]圖25示出了本發(fā)明的集成電路實(shí)施例的一個(gè)示例。在這個(gè)實(shí)施例中，集成電路2500包括LED100的陣列2502，其中每一個(gè)LED100配置為如前面結(jié)合圖1所描述的那樣。控制電路2504被耦合至LED的陣列2502并且被配置為控制由那些LED的光生成。集成電路2500可以被實(shí)現(xiàn)在照明系統(tǒng)、電子顯示器或其他類型的系統(tǒng)和器件中。
[0076]作為另一個(gè)示例，如圖26中所示，指定的發(fā)光器件集成電路2500可以被集成到處理器件2600中。這樣的處理器件可以包括筆記本電腦或臺(tái)式電腦、移動(dòng)電話、電子閱讀器或其他類型的利用一個(gè)或多個(gè)LED集成電路以提供背光或其他功能的處理器件。
[0077]在處理器件2600中，發(fā)光器件集成電路2500被耦合至處理器2610，處理器2610控制由相應(yīng)的LED陣列的光生成。
[0078]處理器2610可以包括例如微處理器、特定用途集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA )、中央處理單元(CPU )、算術(shù)邏輯單元(ALU )、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP )或者其他類似的處理設(shè)備組件，以及其他類型和布置的電路及其組合。
[0079]處理器2610被耦合至存儲(chǔ)器2612。存儲(chǔ)器2612儲(chǔ)存用于由處理器2610執(zhí)行的實(shí)現(xiàn)處理器件2600的各功能部分的軟件代碼。所給出的這種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存了用于由相應(yīng)的處理器執(zhí)行的軟件代碼，存儲(chǔ)器在本文中更一般地被稱為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或其他類型的在其中具有實(shí)現(xiàn)的計(jì)算機(jī)程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的示例，并且存儲(chǔ)器可以包括例如電子存儲(chǔ)器(例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或只讀存儲(chǔ)器(ROM))、磁存儲(chǔ)器、光存儲(chǔ)器或者其他類型的存儲(chǔ)設(shè)備及其組合。如上指出的，處理器可以包括微處理器、ASIC、FPGA、CPU、ALU、DSP或其他電路的部分或者組合。用于實(shí)現(xiàn)處理器的這種電路組件可以包括一個(gè)或多個(gè)集成電路。
[0080]圖25和26分別示出的集成電路2500和處理器件2600的特定結(jié)構(gòu)僅是示例性的，而在其他的實(shí)施例中，集成電路和處理器件可以包括除了具體示出的那些元件之外的其他元件，或者取代示出的那些元件的其他元件，包括在這些電路和器件的傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中可以找到的普通類型的一個(gè)或多個(gè)元件。
[0081]再次強(qiáng)調(diào)的是如本文中描述的本發(fā)明的實(shí)施例確定為僅是示例性的。例如，可以利用半導(dǎo)體發(fā)光器件、有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、襯底和側(cè)墻錐形外形(除了在本文中描述的具體的實(shí)施例中利用的那些)的各種各樣的不同的類型和布置，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的其他實(shí)施例。并且，特定的工藝流程操作和相關(guān)參數(shù)(如材料和厚度)僅是示例性的。此外，本文中在描述一些實(shí)施例的上下文中指定的特定的假設(shè)不必應(yīng)用在其他的實(shí)施例中。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的這些和許多其他可選的實(shí)施例將是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括: 至少部分透明的襯底，包括第一表面和第二表面； 有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面面向所述襯底的第二表面； 絕緣層，包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的至少一部分；以及 金屬層，包圍所述絕緣層的至少一部分； 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻呈錐形；以及 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分具有與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分不同的錐度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻從所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面向內(nèi)呈錐形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分包括鄰近所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第二表面的部分，并且其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面形成圓形化的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分包括鄰近所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第二表面的部分，并且其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分包括一個(gè)或多個(gè)線性段，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分的一個(gè)或多個(gè)線性段相對(duì)于所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的斜率大小要小于所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分相對(duì)于所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的斜率大小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括鄰近所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面的有源區(qū)，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分從所述有源區(qū)延伸到所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)墻的第一部分的所述絕緣層的第一部分厚于包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分的所述絕緣層的第二部分。
7.一種方法，包括: 形成至少部分透明的襯底，所述襯底包括第一表面和第二表面； 形成有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面面向所述襯底的第二表面； 形成絕緣層，所述絕緣層包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的至少一部分；以及 形成金屬層，所述金屬層包圍所述絕緣層的至少一部分； 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻呈錐形；以及 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分具有與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分不同的錐度。
8.一種裝置，包括: 一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及 控制電路，耦合至所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，用于控制所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的光生成； 所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的至少指定的一個(gè)包括: 至少部分透明的襯底，包括第一表面和第二表面； 有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一表面、第二表面以及至少一個(gè)側(cè)墻，所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面面向所述襯底的第二表面； 絕緣層，包圍所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的至少一部分；以及 金屬層，包圍所述絕緣層的至少一部分； 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻呈錐形；以及 其中所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第一部分具有與所述有源半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一個(gè)側(cè)墻的第二部分不同的錐度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中: 所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件包括耦合至所述控制電路的半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列； 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列包括形成在單個(gè)晶片上的至少兩個(gè)指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及 其中所述至少兩個(gè)指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件的金屬層形成用于所述至少兩個(gè)指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件的單個(gè)P-接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中: 所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件包括耦合至所述控制電路的半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列； 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列包括形成在單個(gè)晶片上的至少兩個(gè)指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及 所述指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的第一半導(dǎo)體發(fā)光器件和第二半導(dǎo)體發(fā)光器件包括從金屬層分離的各自的單個(gè)P-接觸，使得所述指定的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的第一半導(dǎo)體發(fā)光器件和第二半導(dǎo)體發(fā)光器件中的每一個(gè)能夠被所述控制電路單獨(dú)激活。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK104241477SQ201310664614
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】J·M·弗羅因德, D·L·德賴弗斯 申請(qǐng)人:Lsi公司