掩模及其制造方法、半導體裝置制造方法
【專利摘要】一種掩模（MSK），該掩模具有襯底（SB）、有效像素形成用區(qū)域和基準用圖案形成用區(qū)域。在有效像素形成用區(qū)域中配置有用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件的像素用圖案（PTN1m）。在基準用圖案形成用區(qū)域中配置有用于表示基準位置的基準用圖案（PTN21m～PTN28m），該基準位置是本來在有效像素形成用區(qū)域中配置像素用圖案（PTN1m）的位置。像素用圖案（PTN1m）以比基準位置偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式配置。
【專利說明】掩模及其制造方法、半導體裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及掩模及其制造方法、半導體裝置，尤其涉及具有所謂收縮區(qū)域的半導體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在形成半導體裝置時，從對重疊形成不同的兩個圖案的工序中的重疊位置的偏差進行抑制的觀點來看，有時采用用于驗證偏差量的圖案。作為這種圖案，例如有在日本特開平10 — 335205號公報、日本特開平9 一 17715號公報、日本特開平11 一 145047號公報、以及日本特開2008 - 205312號公報中公開的所謂游標卡尺圖案。
[0003]例如，在CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器中，優(yōu)選在配置有多個像素的有效像素區(qū)域中，構(gòu)成該多個像素的遮光膜等配置為，與有效像素區(qū)域的外側(cè)的有效外部區(qū)域的遮光膜等相比偏向有效像素區(qū)域的中央側(cè)。由此，遮光膜僅對將要進入到除了期望的像素以外的像素中的光等應該遮光的光進行遮擋，從而提高對將要進入到期望的像素中的光的遮擋進行抑制的效果，其結(jié)果是使遮光膜進行適當遮光的效率提高。
[0004]但是，目前現(xiàn)狀是高精度地表示在有效像素區(qū)域中應該配置像素的位置的方法還沒有確定?？紤]過應用上述各專利文獻所示的游標卡尺圖案的思路來管理在分別形成有效像素區(qū)域和有效像素區(qū)域外部的區(qū)域時的重疊的偏差量，但是上述各專利文獻中的任一個都只不過是管理不同的兩個圖案之間的偏差的相對量的方法。
[0005]因此，根據(jù)上述各專利文獻所公開的方法，即使能夠高精度地管理上述重疊的偏差量，也不能驗證相對于分別應該形成有效像素區(qū)域及其外部區(qū)域的基準位置的偏差量。具體地講，例如在兩個圖案的位置雙方都以成為相同相位的方式產(chǎn)生偏差的情況下，存在產(chǎn)生好像能夠?qū)崿F(xiàn)重疊精度極高的加工的錯覺的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)一個實施方式，掩模具有襯底、有效像素形成用區(qū)域、和基準用圖案形成用區(qū)域。在基準用圖案形成用區(qū)域中配置基準用圖案，用于表示在有效像素形成用區(qū)域中本來配置像素用圖案的基準位置。像素用圖案以比基準位置偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式進行配置。
[0007]根據(jù)另一個實施方式，半導體裝置具有半導體襯底、有效像素區(qū)域、和基準部配置區(qū)域。在基準部配置區(qū)域中配置基準部，用于表示在有效像素區(qū)域中本來配置像素構(gòu)成部件的基準位置。像素構(gòu)成部件以比基準位置偏向有效像素區(qū)域的中央側(cè)的方式進行配置。
[0008]根據(jù)另一個實施方式的掩模的制造方法，首先準備具有主表面的襯底。準備被描畫于第一層的第一數(shù)據(jù)，用于在襯底的主表面中形成有像素用圖案的有效像素形成用區(qū)域中描畫像素用圖案，該像素用圖案用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件。準備被描畫于與第一層不同的第二層的第二數(shù)據(jù)，用于在包圍有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案，該基準用圖案用于表示在有效像素形成用區(qū)域中本來配置像素用圖案的基準位置。進行使用第一數(shù)據(jù)的描畫。使用第二數(shù)據(jù)在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案。
[0009]根據(jù)另一個實施方式的掩模的制造方法，首先準備具有主表面的襯底。準備用于在有效像素形成用區(qū)域中描畫像素用圖案的第一數(shù)據(jù)。準備用于在包圍有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案的第二數(shù)據(jù)，該基準用圖案用于表示在有效像素形成用區(qū)域中本來配置像素用圖案的基準位置。準備用于辨別有效像素形成用區(qū)域和基準用圖案形成用區(qū)域的辨別數(shù)據(jù)。在將辨別數(shù)據(jù)重疊在第一數(shù)據(jù)上的狀態(tài)下進行使用第一數(shù)據(jù)的描畫。使用第二數(shù)據(jù)在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案。
[0010]根據(jù)另一個實施方式的掩模的制造方法，與上述掩模的制造方法相同地首先準備襯底。準備被描畫在第一單元中的第一數(shù)據(jù)，用于在有效像素形成用區(qū)域中描畫像素用圖案，準備被描畫在第二單元中的第二數(shù)據(jù)，用于在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案。使用第二數(shù)據(jù)在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案。第一單元和第二單元被描畫于同一個層。
[0011]根據(jù)另一個實施方式的掩模的制造方法，與上述的掩模的制造方法相同地首先準備襯底，確定有效像素形成用區(qū)域和基準用圖案形成用區(qū)域在襯底的主表面中的坐標的范圍。準備用于在有效像素形成用區(qū)域中描畫像素用圖案的第一數(shù)據(jù)、和用于在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案的第二數(shù)據(jù)。確定坐標的范圍并進行使用第一數(shù)據(jù)的描畫。確定坐標的范圍并使用第二數(shù)據(jù)在基準用圖案形成用區(qū)域中描畫基準用圖案。
[0012]根據(jù)一個實施方式能夠提供一種掩模，該掩模能夠根據(jù)基準用圖案而更高精度地管理像素用圖案相對于基準位置的偏差量。
[0013]根據(jù)另一個實施方式能夠提供一種半導體裝置，該半導體裝置能夠根據(jù)基準部而更高精度地管理像素構(gòu)成部件相對于基準位置的偏差量。
[0014]進而根據(jù)另一個實施方式的掩模的制造方法能夠提供一種掩模，該掩模能夠根據(jù)基準用圖案而更高精度地管理像素用圖案相對于基準位置的偏差量。其它各實施方式的掩模的制造方法基本上帶來與上述的掩模的制造方法相同的效果。
[0015]本發(fā)明的上述及其他目的、特征、方面和優(yōu)點在關(guān)于與附圖相關(guān)聯(lián)地進行理解的本發(fā)明的以下詳細說明的基礎(chǔ)上將更加明確。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是實施方式I的掩模的概要俯視圖。
[0017]圖2是用于對實施方式I的掩模的有效像素形成用區(qū)域相對于基準用圖案形成用區(qū)域的位置的偏差進行說明的概要俯視圖。
[0018]圖3是使用實施方式I的掩模而形成的半導體芯片的概要俯視圖。
[0019]圖4是表示光入射到半導體芯片的有效像素區(qū)域的狀態(tài)的概要剖視圖。
[0020]圖5是實施方式2的掩模的第一例的概要俯視圖。
[0021]圖6是實施方式2的掩模的第二例的概要俯視圖。
[0022]圖7是用于對實施方式2 (圖5)的掩模的有效像素形成用區(qū)域相對于基準用圖案形成用區(qū)域的位置的偏差進行說明的概要俯視圖。
[0023]圖8是實施方式2的掩模的第三例的概要俯視圖。
[0024]圖9是使用實施方式2 (圖5)的掩模而形成的半導體芯片的概要俯視圖。
[0025]圖10是用于對在實施方式3的制造方法中使用的、用于形成實施方式I的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0026]圖11是用于對在實施方式3的制造方法中使用的、用于形成實施方式2的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0027]圖12是用于說明實施方式3的制造方法的流程圖。
[0028]圖13是用于對在實施方式4的制造方法中使用的、用于形成實施方式I的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0029]圖14是用于對在實施方式4的制造方法中使用的、用于形成實施方式2的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0030]圖15是用于說明實施方式4的制造方法的流程圖。
[0031]圖16是用于對在實施方式5的制造方法中使用的、用于形成實施方式I的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0032]圖17是用于對在實施方式5的制造方法中使用的、用于形成實施方式2的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0033]圖18是用于說明實施方式5的制造方法的流程圖。
[0034]圖19是用于對在實施方式6的制造方法中使用的、用于形成實施方式I的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0035]圖20是用于對在實施方式6的制造方法中使用的、用于形成實施方式2的掩模的層進行說明的概要俯視圖。
[0036]圖21是用于說明實施方式6的制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0037]下面，根據(jù)附圖來說明一個實施方式。
[0038](實施方式I)
[0039]首先，使用圖1、圖2說明在一個實施方式的半導體裝置的加工中使用的掩模的結(jié)構(gòu)。
[0040]參照圖1，一個實施方式的掩模MSK例如是被用來形成CMOS圖像傳感器的掩模。掩模MSK例如被用來形成用于構(gòu)成在CMOS圖像傳感器形成的光電二極管等的像素的遮光膜、內(nèi)透鏡或濾色片的薄膜。
[0041]掩模MSK具有如下結(jié)構(gòu):在利用通常公知的材料(玻璃等)形成的襯底SB的一個主表面上，配置用于形成上述的遮光膜或內(nèi)透鏡、濾色片等的多個圖案。
[0042]具體地講，掩模MSK的主表面是所謂像素形成用區(qū)域，是用于形成CMOS圖像傳感器的像素區(qū)域的區(qū)域。在像素形成用區(qū)域中具有有效像素形成用區(qū)域和基準用圖案形成用區(qū)域。
[0043]有效像素形成用區(qū)域是用于形成有效像素區(qū)域的區(qū)域，在該有效像素區(qū)域中形成有構(gòu)成CMOS圖像傳感器的實際的像素。例如，在掩模MSK具有矩形的平面形狀的情況下，在該矩形的主表面的中央部配置有效像素形成用區(qū)域。
[0044]基準用圖案形成用區(qū)域配置為在襯底SB的主表面上包圍有效像素形成用區(qū)域，換言之，配置為在襯底SB的主表面上的有效像素形成用區(qū)域的外周部。有效像素形成用區(qū)域與基準用圖案形成用區(qū)域的邊界是作為有效像素形成用區(qū)域的外周線的邊界線BLlm、BL2m、BL3m、BL4m,以被形成這些邊界線BLlm?BL4m的矩形包圍的方式配置有效像素形成用區(qū)域，在這些邊界線BLlm?BL4m的外側(cè)分別配置基準用圖案形成用區(qū)域。
[0045]在有效像素形成用區(qū)域中配置有多個像素用圖案PTNlm。在此，作為像素用圖案PTNlm例如是用于形成構(gòu)成遮光膜等的像素的像素構(gòu)成部件的圖案，該圖案是將利用通常公知的材料(鉻等)形成的物質(zhì)呈矩陣狀配置多個而形成的。利用該像素用圖案PTNlm形成CMOS圖像傳感器的像素構(gòu)成部件。
[0046]在基準用圖案形成用區(qū)域中配置有多個非像素用圖案PTN2m。非像素用圖案PTN2m是除了像素用圖案PTNlm以外的圖案，是用于形成除了像素構(gòu)成部件以外的部件(例如后述的基準部等)的圖案。
[0047]非像素用圖案PTN2m配置在面對邊界線BLlm?BL4m的兩端附近的區(qū)域中，換言之，在分別面對各邊界線BLlm?BL4m的區(qū)域中配置各兩處非像素用圖案PTN2m的組，合計為八處。
[0048]非像素用圖案PTN2m的組由一個基準用圖案PTN21m?PTN28m和多個(此處為5個)虛設(shè)形成用圖案DMm構(gòu)成。
[0049]基準用圖案PTN2 lm、PTN22m配置在面對邊界線BLlm的區(qū)域中，基準用圖案PTN23m、PTN24m配置在面對邊界線BL2m的區(qū)域中。并且，基準用圖案PTN25m、PTN26m配置在面對邊界線BL3m的區(qū)域中，基準用圖案PTN27m、PTN28m配置在面對邊界線BL4m的區(qū)域中。即，基準用圖案PTN21m?PTN28m以隔著有效像素形成用區(qū)域的邊界線BLlm?BL4m與像素用圖案PTNlm面對的方式配置。
[0050]在圖1中示出了有效像素形成用區(qū)域的多個像素用圖案PTNlm彼此的間隔、與基準用圖案形成用區(qū)域的非像素用圖案PTN2m彼此的間隔基本相同的狀態(tài)。并且，像素用圖案PTNlm和非像素用圖案PTN2m在平面上的尺寸全部相同，而且以使隔著邊界線BLlm?BL4m相互面對的像素用圖案PTNlm和非像素用圖案PTN2m彼此高度相同的方式(在沿著邊界線BLlm?BL4m的方向上的坐標彼此相同的方式)配置。
[0051]例如，基準用圖案PTN21m和隔著邊界線BLlm與基準用圖案PTN21m面對的像素用圖案PTNlm(像素用圖案PTNlIm)，以使在沿著邊界線BLlm的圖中的左右方向上的坐標相同的方式配置。像素用圖案PTNllm (基準用圖案PTN21m)例如配置在圖1中沿橫向排列九行得到的像素用圖案PTNlm中的從左端起第二行的位置。其它基準用圖案PTN22m?PTN28m同樣地配置在例如坐標與從像素用圖案PTNlm的行(或列)的左端起第二行(或列)相同的位置。
[0052]但是，實際上相鄰的像素用圖案PTNlm彼此的間隔和相鄰的非像素用圖案PTN2m彼此的(沿著圖中的行方向或者列方向的)間隔不同。具體地講，參照圖2，像素用圖案PTNlm以相對于非像素用圖案PTN2m整體上偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式(集中于中央側(cè)的方式)配置。即，相鄰的一對像素用圖案PTNlm彼此的間隔比相鄰的一對非像素用圖案PTN2m彼此的間隔短。其結(jié)果是，例如基準用圖案PTN21m、和隔著邊界線BLlm與基準用圖案PTN21m面對的像素用圖案PTNllm在沿著邊界線BLlm的圖中的左右方向上的坐標不同。
[0053]基準用圖案PTN21m?PTN28m分別以示出基準位置的方式配置，該基準位置是指本來在沿著邊界線BLlm?BL4m的方向上、配置分別隔著邊界線BLlm?BL4m而面對的有效像素形成用區(qū)域的像素用圖案PTNl Im?PTN18m的位置。具體地講，例如基準用圖案PTN21m被配置在與本來在沿著邊界線BLlm的圖中的左右方向上配置像素用圖案PTNl Im的基準位置相同的位置。此處所謂本來配置的基準位置，是指不需要考慮有效像素形成用區(qū)域的像素用圖案PTNlm相對于(隔著邊界線而面對的)非像素用圖案PTN2m的位置的偏差(像素用圖案PTNlm完全不存在偏差)時的像素用圖案PTNlm的配置位置。因此，圖1中的像素用圖案PTNl Im?PTN18m以比其本來應該所處的基準位置(配置有基準用圖案PTN21m?PTN28m的位置)偏向中央側(cè)集中的方式配置。
[0054]在基準用圖案形成用區(qū)域中，在基準用圖案PTN21m?PTN28m的周圍，與基準用圖案PTN21m?PTN28m隔開間隔地形成有虛設(shè)形成用圖案DMm。在此虛設(shè)形成用圖案DMm被配置在俯視視角中的基準用圖案PTN21m?PTN28m的第一方向(例如圖中的行方向)、第二方向(例如圖中的列方向)和第三方向(例如圖中的傾斜約45°的方向)。但是，基準用圖案PTN21m?PTN28m以與分別隔著邊界線BLlm?BL4m而面對的像素用圖案PTNllm?PTN18m在與邊界線BLlm?BL4m相交的方向上的間隔、和相鄰的一對像素用圖案PTNlm的間隔大致相同的方式配置。由此，在各基準用圖案PTN21m?PTN28m的邊界線BLlm?BL4m側(cè)沒有配置虛設(shè)形成用圖案DMm的空間，不配置虛設(shè)形成用圖案DMm。其結(jié)果是，此處，在各基準用圖案的周圍配置五個虛設(shè)形成用圖案DMm。但是不限于此，也可以配置數(shù)量更多的虛設(shè)形成用圖案DMm。
[0055]虛設(shè)形成用圖案DMm與基準用圖案在上述第一或者第二方向上的間隔，比相鄰的一對像素用圖案PTNlm在上述第一或者第二方向上的間隔長，并且是與像素用圖案PTNlm以相對于基準用圖案完全不偏差的方式配置時相同的間隔。
[0056]像素用圖案PTNllm?PTN18m相對于基準用圖案PTN21m?PTN28m的位置偏差是由以下兩個原因產(chǎn)生的。第一個原因是如上所述像素用圖案PTNlm以相對于非像素用圖案PTN2m整體上偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式配置。由于以整體上偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式進行配置，因此各像素用圖案PTNlm的間隔例如比各非像素用圖案PTN2m的間隔小。
[0057]多個像素用圖案PTNlm以整體上偏向有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式配置，因此與有效像素形成用區(qū)域不這樣偏向中央側(cè)的情況相比，看起來好像是在襯底SB的主表面的中央側(cè)收縮。由此，以后將像素用圖案PTNlm集中于中央側(cè)的狀態(tài)稱為收縮。
[0058]位置偏差的第二個原因是，根據(jù)加工的精度，在形成有效像素形成用區(qū)域的像素用圖案PTNlm時，產(chǎn)生相對于非像素用圖案PTN2m的位置的誤差。這是由于手工作業(yè)和設(shè)備的尺寸精度等多種原因此產(chǎn)生的。如圖2所示，通過將這些原因結(jié)合在一起，在有效像素形成用區(qū)域中，例如本來位置在Cl的點朝向c2沿圖中的右方向位置偏差z。
[0059]另外，如圖2所示，像素用圖案PTNllm的左側(cè)的邊緣部相對于基準用圖案PTN21m沿圖中的右方向偏差a，像素用圖案PTNl 2m的右側(cè)的邊緣部相對于基準用圖案PTN22m沿圖中的右方向偏差b。[0060]將基準用圖案PTN21m的左側(cè)的邊緣部與基準用圖案PTN22m的右側(cè)的邊緣部在圖中的左右方向上的距離設(shè)為L。此時，將收縮率設(shè)為S，可得到
[0061]【數(shù)式I】
【權(quán)利要求】
1.一種掩模,包括: 襯底，具有主表面； 有效像素形成用區(qū)域，配置在所述襯底的所述主表面上；以及 基準用圖案形成用區(qū)域，在所述主表面中包圍所述有效像素形成用區(qū)域， 在所述有效像素形成用區(qū)域中配置有用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件的像素用圖案， 在所述基準用圖案形成用區(qū)域中配置有用于表示基準位置的基準用圖案，該基準位置是在所述有效像素形成用區(qū)域中本來配置所述像素用圖案的位置， 所述像素用圖案以比所述基準位置偏向所述有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中， 所述基準用圖案以隔著所述有效像素形成用區(qū)域的外周線與所述像素用圖案相對的方式配置， 所述基準用圖案以表示所述基準位置的方式配置，該基準位置是本來配置與所述基準用圖案相對的所述像素用圖案的、沿著所述外周線的方向的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中， 在所述基準用圖案形成用區(qū)域中，在所述基準用圖案的周圍與所述基準用圖案隔開間隔地形成有虛設(shè)形成用圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模，其中， 所述基準用圖案具有在所述主表面中將與所述外周線垂直地延伸的假想直線作為對稱線而對稱的平面形狀。
5.一種半導體裝置，包括: 半導體襯底，具有主表面； 有效像素區(qū)域，配置在所述半導體襯底的所述主表面上；以及 基準部配置區(qū)域，在所述主表面中包圍所述有效像素區(qū)域， 在所述有效像素區(qū)域中配置有構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件， 在所述基準部配置區(qū)域中配置有用于表示基準位置的基準部，該基準位置是在所述有效像素區(qū)域中本來配置所述像素構(gòu)成部件的位置， 所述像素構(gòu)成部件以比所述基準位置偏向所述有效像素區(qū)域的中央側(cè)的方式配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中， 所述基準部以隔著所述有效像素區(qū)域的外周線與所述像素構(gòu)成部件相對的方式配置，所述基準部以表示所述基準位置的方式配置，該基準位置是本來配置與所述基準部相對的所述像素構(gòu)成部件的、沿著所述外周線的方向的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中， 在所述基準部配置區(qū)域中，在所述基準部的周圍與所述基準部隔開間隔地形成有虛設(shè)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體裝置，其中， 所述基準部具有在所述主表面中將與所述外周線垂直地延伸的假想直線作為對稱線而對稱的平面形狀。
9.一種掩模的制造方法，包括以下工序: 準備具有主表面的襯底； 準備被描畫在第一層中的第一數(shù)據(jù)，用于在所述襯底的所述主表面中形成有像素用圖案的有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案，該像素用圖案用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件； 準備被描畫在與第一層不同的第二層中的第二數(shù)據(jù)，用于在所述襯底的所述主表面中包圍所述有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案，該基準用圖案用于表示在所述有效像素形成用區(qū)域中本來配置所述像素用圖案的基準位置； 以使所述像素用圖案比所述基準位置偏向所述有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式，使用所述第一數(shù)據(jù)在所述有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案；以及使用所述第二數(shù)據(jù)在所述基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案。
10.一種掩模的制造方法，包括以下工序: 準備具有主表面的襯底； 準備第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，該第一數(shù)據(jù)用于在所述襯底的所述主表面中形成有像素用圖案的有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案，該像素用圖案用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件，該第二數(shù)據(jù)用于在所述襯底的所述主表面中包圍所述有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案，該基準用圖案用于表示在所述有效像素形成用區(qū)域中本來配置所述像素用圖案的基準位置； 準備用于辨別所述有效像素形成用區(qū)域和所述基準用圖案形成用區(qū)域的辨別數(shù)據(jù)； 在使所述辨別數(shù)據(jù)重疊在所述第一數(shù)據(jù)上的狀態(tài)下，以使所述像素用圖案比所述基準位置偏向所述有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式，使用所述第一數(shù)據(jù)在所述有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案；以及 使用所述第二數(shù)據(jù)在所述基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案。
11.一種掩模的制造方法，包括以下工序: 準備具有主表面的襯底； 準備被描畫在第一單元中的第一數(shù)據(jù)，用于在所述襯底的所述主表面中形成有像素用圖案的有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案，該像素用圖案用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件； 準備被描畫在與所述第一單元不同的第二單元中的第二數(shù)據(jù)，用于在所述襯底的所述主表面中包圍所述有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案，該基準用圖案用于表示在所述有效像素形成用區(qū)域中本來配置所述像素用圖案的基準位置； 以使所述像素用圖案比所述基準位置偏向所述有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式，使用所述第一數(shù)據(jù)在所述有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案；以及使用所述第二數(shù)據(jù)在所述基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案， 所述第一單元和所述第二單元被描畫于同一個層。
12.一種掩模的制造方法，包括以下工序: 準備具有主表面的襯底；確定有效像素形成用區(qū)域和基準用圖案形成用區(qū)域在所述襯底的所述主表面中的坐標的范圍，所述有效像素形成用區(qū)域是在所述襯底的所述主表面中形成有像素用圖案的區(qū)域，該像素用圖案用于形成構(gòu)成像素的像素構(gòu)成部件，所述基準用圖案形成用區(qū)域是在所述襯底的所述主表面中包圍所述有效像素形成用區(qū)域、并形成有基準用圖案的區(qū)域，該基準用圖案用于表示在所述有效像素形成用區(qū)域中本來配置所述像素用圖案的基準位置；準備第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，該第一數(shù)據(jù)用于在所述有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案，該第二數(shù)據(jù)用于在所述基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用圖案； 辨別所述坐標的范圍，并且以使所述像素用圖案比所述基準位置偏向所述有效像素形成用區(qū)域的中央側(cè)的方式，使用所述第一數(shù)據(jù)在所述有效像素形成用區(qū)域中描畫所述像素用圖案；以及 辨別所述坐標的范圍，并使用所述第二數(shù)據(jù)在所述基準用圖案形成用區(qū)域中描畫所述基準用 圖案。
【文檔編號】H01L27/146GK103839782SQ201310611389
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月27日
【發(fā)明者】百濃寬之 申請人:瑞薩電子株式會社