自整流rram存儲單元結(jié)構(gòu)及其3d交錯陣列的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)及其3D交錯陣列，該存儲單元結(jié)構(gòu)包含：一第一電極層，由一第一金屬元素形成；一第二電極層，由一與該第一金屬元素不同的第二金屬元素形成；一第一電阻轉(zhuǎn)換層及一第二電阻轉(zhuǎn)換層夾設(shè)于該第一電極層及該第二電極層之間，其中該第一電阻轉(zhuǎn)換層及該第二電阻轉(zhuǎn)換層形成一歐姆接觸，且該第一電阻轉(zhuǎn)換層具有一第一能隙，該第二電阻轉(zhuǎn)換層具有一第二能隙，該第一能隙小于該第二能隙。通過本發(fā)明可較好的解決非易失性存儲器在制造上的問題，尤其是3D交錯陣列，使得3D交錯陣列更易于實際應(yīng)用。
【專利說明】 自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)及其3D交錯陣列
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例關(guān)于一種存儲器裝置，且特別關(guān)于一種電阻式隨機存取存儲器及前述的3D交錯陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路功能性的增加，對存儲器的需求亦隨的增加。設(shè)計者已著眼于減少存儲器元件的尺寸，并于單位區(qū)域內(nèi)堆疊更多的存儲器元件，以達到更多的容量并使每位元所需的成本更低。在最近幾十年中，由于微影技術(shù)的進步，快閃存儲器已廣泛用作大容量且不昂貴的非易失性存儲器，其可在電源關(guān)閉時仍存儲數(shù)據(jù)。此外，快閃存儲器可通過3D交錯陣列來達到高密度，例如使用垂直NAND存儲單元堆疊。然而，已發(fā)現(xiàn)的是，快閃存儲器的尺寸微縮會隨成本增高而受限。
[0003]設(shè)計者正在尋找下一代的非易失性存儲器，例如磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)、相變化隨機存取存儲器(Phase ChangeRandom Access Memory, PCRAM)、導(dǎo)電橋接式隨機存取存儲器(Conductive BridgingRandom Access Memory, CBRAM)及電阻式隨機存取存儲器(Resistive Random AccessMemory, RRAM)，以增加寫入速度及減少功耗。在上述種類的非易失性存儲器中，RRAM的結(jié)構(gòu)簡單、且具有簡單的交錯陣列及可于低溫制造，使得RRAM具有最佳的潛力來取代現(xiàn)有的快閃存儲器。RRAM的單位元件僅由一絕緣體及兩金屬電極組成。
[0004]雖然RRAM交錯陣列的結(jié)構(gòu)簡單，但在制造上仍有許多問題待解決，特別是其3D交錯陣列。如無法形成3D交錯陣列，就高容量的數(shù)據(jù)存儲裝置來說，RRAM的每位元成本有可能無法與3D NAND存儲器競爭。
[0005]RRAM交錯陣列理論上可容許4F2的最小單元胞尺寸(其中F為最小元件尺寸)，且低溫工藝可容許存儲器陣列的堆疊達到前所未有的集成密度。然而，在IR結(jié)構(gòu)中(僅具有一電阻元件)，會有潛電流(sneak current)通過相鄰未被選擇的存儲單元,而嚴重地影響讀取裕量(read margin)，且限制交錯陣列的最大尺寸低于64位元。此問題可通過增加非線性選擇裝置與這些電阻轉(zhuǎn)換元件串聯(lián)予以解決。例如，已發(fā)展出一二極管搭配一電阻(IDlR)、一選擇器搭配一電阻(ISlR)、一雙極性接面晶體管搭配一電阻(IBJTlR)、一MOSFET晶體管搭配一電阻(ITlR)等存儲單元結(jié)構(gòu)。在上述存儲單元結(jié)構(gòu)中，IBJTlR結(jié)構(gòu)及ITlR結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜且需高溫工藝而較不適用，且互補式電阻轉(zhuǎn)換元件(CRS)存儲單元結(jié)構(gòu)亦有破壞性讀出的問題。因此，IDlR結(jié)構(gòu)及ISlR結(jié)構(gòu)較適合3D交錯陣列的運用。
[0006]然而，IDlR及ISlR的3D交錯陣列仍不易于制造。IDlR及ISlR存儲單元結(jié)構(gòu)基本上由一金屬-絕緣體-金屬-絕緣體-金屬(ΜΠΟΜ)結(jié)構(gòu)形成。圖1顯示一由IDlR或ISlR存儲單元堆疊結(jié)構(gòu)所形成的理想RRAM3D交錯陣列。IDlR及ISlR存儲單元結(jié)構(gòu)的ΜΠΟΜ結(jié)構(gòu)形成于導(dǎo)線102及104之間并沿一水平軸106延伸，此水平軸106垂直于導(dǎo)線102及104的側(cè)壁。然而，RRAM3D交錯陣列通常形成于半導(dǎo)體基材中。在形成導(dǎo)線102之后，微影工藝僅能自方向110進行。自方向110進行的微影工藝可能無法形成如第I圖所示的圖案化金屬層108，因而使得IDlR及ISlR存儲單元結(jié)構(gòu)的3D交錯陣列無法被實際應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種電阻式隨機存取存儲器及前述的3D交錯陣列，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
[0008]本發(fā)明提供一種自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其包含:一第一電極層，由一第一金屬兀素形成；一第二電極層，由一該與第一金屬兀素不同的第二金屬兀素形成；一第一電阻轉(zhuǎn)換層及一第二電阻轉(zhuǎn)換層夾設(shè)于該第一電極層及該第二電極層之間，其中該第一電阻轉(zhuǎn)換層及該第二電阻轉(zhuǎn)換層形成一歐姆接觸，且該第一電阻轉(zhuǎn)換層具有一第一能隙，該第二電阻轉(zhuǎn)換層具有一第二能隙，該第一能隙小于該第二能隙。
[0009]本發(fā)明實施例還提供一種RRAM3D交錯陣列，其包含:一組彼此平行的垂直導(dǎo)線，由一第一金屬元素形成；一組彼此平行的水平導(dǎo)線，由一與該第一金屬元素不同的第二金屬元素形成；一第一電阻轉(zhuǎn)換層，形成于該組彼此平行的垂直導(dǎo)線的側(cè)壁上；以及一第二電阻轉(zhuǎn)換層，形成于該組彼此平行的水平導(dǎo)線的側(cè)壁上，其中該第一電阻轉(zhuǎn)換層及該第二電阻轉(zhuǎn)換層形成歐姆接觸于該組彼此平行的垂直導(dǎo)線及該組彼此平行的水平導(dǎo)線的交會處，且該第一電阻轉(zhuǎn)換層具有一第一能隙，該第二電阻轉(zhuǎn)換層具有一第二能隙，該第一能隙小于該第二能隙。
[0010]通過本發(fā)明可較好的解決非易失性存儲器在制造上的問題，尤其是3D交錯陣列，使得3D交錯陣列更易于實際應(yīng)用。
[0011]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1顯示一具有IDlR或ISlR存儲單元結(jié)構(gòu)的理想RRAM 3D交錯陣列的示意圖。
[0013]圖2顯示一 RRAM的本發(fā)明實施例的存儲單元結(jié)構(gòu)。
[0014]圖3顯示依照本發(fā)明一實施例的用于3D交錯陣列的RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的應(yīng)用的示意圖。
[0015]圖4顯示依照本發(fā)明一實施列的RRAM的電流對電壓的圖示。
[0016]主要元件標號說明
[0017]102導(dǎo)線104導(dǎo)線
[0018]108圖案化金屬層110微影工藝
[0019]202第一電極層204第一電阻轉(zhuǎn)換層
[0020]206第二電阻 轉(zhuǎn)換層208第二電極層
[0021]302相互平行的水平導(dǎo)線304第一電阻轉(zhuǎn)換層
[0022]306第二電阻轉(zhuǎn)換層308相互平行的垂直導(dǎo)線
【具體實施方式】
[0023]以下將詳述本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此技藝人士自本發(fā)明的申請專利范圍中所能推及的所有實施方式皆屬本發(fā)明所欲揭露的內(nèi)容。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標號或標示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或的上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0024]本發(fā)明提供一 RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其不具有選擇器，但可表現(xiàn)出類似于IDlR或ISlR存儲單元結(jié)構(gòu)的自整流及自選擇的特性。此外，本發(fā)明的RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于RRAM3D交錯陣列
[0025]圖2顯示為依照本發(fā)明的電阻式隨機存取存儲器(RRAM)的存儲單元結(jié)構(gòu)。此RRAM的存儲單元包含一第一電極層202、一第一電阻轉(zhuǎn)換層204、一第二電阻轉(zhuǎn)換層206及一第二電極層208。第一電阻轉(zhuǎn)換層204及第二電阻轉(zhuǎn)換層206可夾設(shè)于第一電極層202及第二電極層208之間。在某些實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層204可鄰接第一電極層202，且第二電阻轉(zhuǎn)換層206可鄰接第二電極層208。第一電阻轉(zhuǎn)換層204可與第二電阻轉(zhuǎn)換層206直接接觸，并形成歐姆接觸。
[0026]第一電極層202可包含一金屬兀素。在一實施例中，第一電極層202的金屬兀素的氧化物可為能隙相對較小的絕緣材料。第二電極層208可包含另一金屬元素(不同于第一電極層202的金屬兀素)。在一實施例中，第二電極層208的金屬兀素的氧化物可為能隙相對較大的絕緣材料。第一電極層202及第二電極層208的金屬元素可擇自下列組成的族群:T1、Ta、N1、Cu、W、Hf、Zr、Nb、Y、Zn、Co、Al、S1、Ge 及前述的合金。例如，在一實施例中，第一電極層202可為Ti層，且第二電極層208可為Ta層。在另一實施例中，第一電極層202可為Ta層，且弟二電極層208可為Hf層。
[0027]第一電阻轉(zhuǎn)換層204可由一具有第一能隙的絕緣體形成。第二電阻轉(zhuǎn)換層206可由一具有第二能隙的絕緣體形成，且第二能隙較第一能隙大。在一實施例中，第一能隙及第二能隙可為約IeV至約9eV。在某些實施例中，第二能隙可較第一能隙大至少約0.5eV。
[0028]在某些實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層204可由第一電極層202的金屬元素的氧化物形成，且第二電阻轉(zhuǎn)換層206可由第二電極層208的金屬元素的氧化物形成。例如，在一實施例中，當?shù)谝浑姌O層202由Ti形成時，第一電阻轉(zhuǎn)換層204由TiO2形成，且當?shù)诙姌O層208由Ta形成時，第二電阻轉(zhuǎn)換層206由Ta2O5形成。在另一實施例中，當?shù)谝浑姌O層202由Ta形成時，第一電阻轉(zhuǎn)換層204由Ta2O5形成，且當?shù)诙姌O層208由Hf形成時，第二電阻轉(zhuǎn)換層206由HfO2形成。此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的各膜層的各種材料皆可使用目前于工業(yè)上廣泛應(yīng)用的材料。
[0029]在一實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層204可由直接氧化第一電極層202的外部部分形成。例如，第一電阻轉(zhuǎn)換層204可直接通過熱氧化法或激光氧化法自第一電極層202形成。在其他實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層204可由任意沉積方法形成，例如原子層沉積(ALD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)、有機金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、物理氣相沉積(PVD)或其他合適沉積方式。第二電阻轉(zhuǎn)換層206可由任意合適的沉積方法形成，例如原子層沉積(ALD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)、有機金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、物理氣相沉積(PVD)或其他合適沉積方式。在某些實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層204的厚度可為約Inm至約80nm。第二電阻轉(zhuǎn)換層206的厚度可為約Inm至約80nm
[0030]此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可為一雙極型(bipolar)的RRAM。在施予一約IV的最小非負偏壓時，此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可位于設(shè)定狀態(tài)(set state),且當施予一約-1V的最小負偏壓時，此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可位于重設(shè)狀態(tài)(reset state)。
[0031]此外,本發(fā)明所述的RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)具有自限流(self-compliance)及自整流(self-rectifying)的特性。電流在正極性時被重整，有效抑制潛電流。例如，本發(fā)明所述的RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可具有一小于約10-4的電流限制極限(current compliance limitlevel) o在偏壓約±2V時,此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可具有一大于約105整流比(currentrectification ratio)(例如限流水平對整流水平的比例)。在某些實施例中，由于第二電阻轉(zhuǎn)換層206的能隙較第一電阻轉(zhuǎn)換層204的能隙大，流向第二電極層208的電流流經(jīng)第二電阻轉(zhuǎn)換層206時，會被第二電阻轉(zhuǎn)換層206重整。流向第一電阻轉(zhuǎn)換層204的電流則可輕易通過第一電阻轉(zhuǎn)換層204。
[0032]因此，此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可僅為IR存儲單元結(jié)構(gòu)，且顯現(xiàn)類于似傳統(tǒng)與非線性選擇器連接的電阻器(例如1T1R、1D1R、1S1R、1BJT1R)的性質(zhì)。此外，此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可免去初始形成步驟(forming-free),即此RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可不需初始形成電壓以作活化。通常而言，初始形成電壓的電壓較大，有時會傷害RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)。此可免去初始形成步驟的RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)因而具有較佳的可靠度。
[0033]圖3顯示RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)依照本發(fā)明一實施例應(yīng)用至3D交錯陣列的示意圖。此RRAM3D交錯陣列可包含一組彼此平行的水平導(dǎo)線302 (例如朝圖3的Y軸延伸)及一組彼此平行的垂直導(dǎo)線308 (例如朝圖3的Z軸延伸)。RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的陣列形成于這些彼此平行的水平導(dǎo)線302及彼此平行的水平導(dǎo)線308的交錯點之間。每一 RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)可沿一水平方向設(shè)置(此水平方向垂直于導(dǎo)線302及導(dǎo)線308的延伸方向)。
[0034]在一實施例中，這些彼此平行的水平導(dǎo)線302可用作于RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的第一電極層，且這些彼此平行的垂直導(dǎo)線308可用作于RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的第二電極層。導(dǎo)線302及導(dǎo)線308可各自由與前述實施例的第一電極層202及第二電極層208相同或相似的材料形成?；蛘?，導(dǎo)線302及導(dǎo)線308可各自由與前述實施例的第二電極層208及第一電極層202相同或相似的材料形成。在一實施例中，導(dǎo)線302可作為位線，導(dǎo)線308可為字線，或反之亦可。
[0035]第一電阻轉(zhuǎn)換層304可形成于這些彼此平行的水平導(dǎo)線302上并可包覆該些水平導(dǎo)線302的側(cè)壁，且第二電阻轉(zhuǎn)換層306可形成于這些彼此平行的垂直導(dǎo)線308的側(cè)壁上并可包覆該些垂直導(dǎo)線308的側(cè)壁。易言之，每一 RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)形成于第一電阻轉(zhuǎn)換層304及第二電阻轉(zhuǎn)換層306所直接接觸之處。在一實施例中，第一電阻轉(zhuǎn)換層304及第二電阻轉(zhuǎn)換層306可各自由與前述實施例中的第一電阻轉(zhuǎn)換層204及第二電阻轉(zhuǎn)換層206由相同或相似的材料形成?；蛘撸谝浑娮柁D(zhuǎn)換層304及第二電阻轉(zhuǎn)換層306可各自由與前述實施例中的第二電阻轉(zhuǎn)換層206及第一電阻轉(zhuǎn)換層204由相同或相似的材料形成。在某些實施例中，RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)的3D交錯陣列形成于半導(dǎo)體基材中。
[0036]如圖3所示，RRAM3D交錯陣列僅包含IR存儲單元結(jié)構(gòu)。因為本發(fā)明的IR存儲單元結(jié)構(gòu)不需中間金屬層，故RRAM3D交錯陣列可被輕易制造。并且，由于在此所述的IR存儲單元結(jié)構(gòu)具有自限流及自整流的特性，其亦可解決傳統(tǒng)RRAM3D交錯陣列的IR存儲單元的潛電流的問題。因此，本發(fā)明所述的RRAM3D交錯陣列可用于下一代的非易失性存儲器，且具有極大的潛力可取代快閃式存儲器裝置。
[0037]圖4顯示依照本發(fā)明實施例的RRAM的電流對電壓圖。在此實施例中，此RRAM由一 Ti電極、一 TiO2層、一 Ta2O5層及一 Ta電極依續(xù)堆疊形成，其中TiO2層的厚度為60nm，且Ta2O5層的厚度為20nm。
[0038]如圖4所示，本發(fā)明實施例的RRAM可看出明顯的自整流特性。此外，該RRAM為一雙極型(bipolar)的RRAM,其可通過施予一正電壓而轉(zhuǎn)換至設(shè)定(set)狀態(tài),且通過施予一負電壓而轉(zhuǎn)換至重設(shè)(reset)狀態(tài)。該RRAM可被約+5V的最小電壓轉(zhuǎn)換至設(shè)定狀態(tài)及被約-4V的最小電壓轉(zhuǎn)換至重設(shè)狀態(tài)(+/-2V的電壓用以進行讀取而非用以設(shè)定或重設(shè)此裝置)。并且，當負電壓增加時(甚至增加至-4V)，本發(fā)明的RRAM可具有一小于約10_4的電'流限制極限(current compliance limit level)。
[0039]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作更動、替代與潤飾。再者，本發(fā)明的保護范圍并未局限于說明書內(nèi)所述特定實施例中的工藝、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法及步驟，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者可從本發(fā)明揭示內(nèi)容中理解現(xiàn)行或未來所發(fā)展出的工藝、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大體相同功能或獲得大體相同結(jié)果皆可使用于本發(fā)明中。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以較寬廣的范圍或意義來解讀。
【權(quán)利要求】
1.一種自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)包含: 一第一電極層，由一第一金屬兀素形成； 一第二電極層，由一與該第一金屬兀素不同的第二金屬兀素形成； 一第一電阻轉(zhuǎn)換層及一第二電阻轉(zhuǎn)換層夾設(shè)于該第一電極層及該第二電極層之間，其中該第一電阻轉(zhuǎn)換層及該第二電阻轉(zhuǎn)換層形成一歐姆接觸，且該第一電阻轉(zhuǎn)換層具有一第一能隙，該第二電阻轉(zhuǎn)換層具有一第二能隙，該第一能隙小于該第二能隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層由該第一金屬元素的氧化物形成，且該第二電阻轉(zhuǎn)換層由該第二金屬元素的氧化物形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層為該第一電極層的熱氧化產(chǎn)物或激光氧化產(chǎn)物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬元素及該第二金屬元素擇自下列組成的族群:T1、Ta、N1、Cu、W、Hf、Zr、Nb、Y、Zn、Co、Al、S1、Ge及前述的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)為一雙極型的RRAM。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二能隙較該第一能隙大至少約0.5eVo
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自整流RRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層為Ti層，該第二電阻轉(zhuǎn)換層為Ta層。
8.一種RRAM3D交錯陣列，其特征在于，所述RRAM3D交錯陣列包含:` 一組彼此平行的垂直導(dǎo)線，由一第一金屬元素形成； 一組彼此平行的水平導(dǎo)線，由一與該第一金屬元素不同的第二金屬元素形成； 一第一電阻轉(zhuǎn)換層，形成于該組彼此平行的垂直導(dǎo)線的側(cè)壁上；以及 一第二電阻轉(zhuǎn)換層，形成于該組彼此平行的水平導(dǎo)線的側(cè)壁上，其中該第一電阻轉(zhuǎn)換層及該第二電阻轉(zhuǎn)換層形成歐姆接觸于該組彼此平行的垂直導(dǎo)線及該組彼此平行的水平導(dǎo)線的交會處，且該第一電阻轉(zhuǎn)換層具有一第一能隙，該第二電阻轉(zhuǎn)換層具有一第二能隙，該第一能隙小于該第二能隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層由該第一金屬元素的氧化物形成，且該第二電阻轉(zhuǎn)換層由該第二金屬元素的氧化層形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層為熱氧化產(chǎn)物。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第一金屬元素及該第二金屬元素擇自下列組成的族群:T1、Ta、N1、Cu、W、Hf、Zr、Nb、Y、Zn、Co、Al、S1、Ge及前述的合金。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第二能隙較該第一能隙大至少約0.5eV0
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該組彼此平行的水平導(dǎo)線為位線，且該組彼此平行的垂直導(dǎo)線為字線。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該組彼此平行的水平導(dǎo)線為字線，且該組彼此平行的垂直導(dǎo)線為位線。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第一電阻轉(zhuǎn)換層包覆該組彼此平行的垂直導(dǎo)線的側(cè)壁，且該第二電阻轉(zhuǎn)換層包覆該組彼此平行的水平導(dǎo)線的側(cè)壁。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的RRAM3D交錯陣列，其特征在于，該第一金屬元素為Ti，該第二金屬元素 為Ta。
【文檔編號】H01L45/00GK103872245SQ201310597357
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年11月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】侯拓宏, 徐崇威, 王怡婷 申請人:華邦電子股份有限公司