多層嵌埋結(jié)構(gòu)GaSb量子點(diǎn)材料的液相外延制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種多層嵌埋結(jié)構(gòu)GaSb量子點(diǎn)材料的液相外延制備方法。本發(fā)明包括在具有(100)取向的GaAs襯底上生長(zhǎng)一層GaSb量子點(diǎn)材料，然后再生長(zhǎng)一層GaAs蓋帽層將GaSb量子點(diǎn)層鈍化保護(hù)起來(lái),重復(fù)上述周期結(jié)構(gòu)三次以上，以形成多層嵌埋結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)材料。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：其一采用的液相外延技術(shù)相比其他生長(zhǎng)技術(shù)具有成本低廉，操作簡(jiǎn)便的優(yōu)勢(shì)；其二多層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)相比單層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其量子點(diǎn)PL發(fā)光性能大大改善，半峰寬減小，發(fā)光曲線光滑。
【專利說(shuō)明】多層嵌埋結(jié)構(gòu)GaSb量子點(diǎn)材料的液相外延制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有光致發(fā)光特性的多層結(jié)構(gòu)銻化鎵量子點(diǎn)材料的制備方法，具體涉及一種多層銻化鎵量子點(diǎn)的液相外延制備方法，它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能器件，信息功能器件等方面。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)人們一直尋求能更有效提高太陽(yáng)能電池效率的材料體系，理論計(jì)算表明GaAs/GaSb量子點(diǎn)/GaAs復(fù)合結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池效率可達(dá)44.5%。因此GaSb量子點(diǎn)復(fù)合太陽(yáng)能電池引起了人們極大的關(guān)注。GaSb量子點(diǎn)材料的制備目前國(guó)際上主要采用分子束外延(MBE)和低壓-有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(LP-MOCVD)以及液相外延技術(shù)等方法:
[0003](I)分子束外延法生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)
[0004]分子束外延法生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)技術(shù)是利用量子點(diǎn)材料與襯底材料的晶格失配，利用分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)，使量子點(diǎn)材料以一定模式在襯底上生長(zhǎng)而形成納米尺寸的島狀結(jié)構(gòu)。該方法是目前國(guó)際上生長(zhǎng)量子點(diǎn)材料的主要方法，生長(zhǎng)的量子點(diǎn)材料具有尺寸均勻，密度高的優(yōu)點(diǎn)。但存在分子束外延設(shè)備昂貴，生長(zhǎng)工藝復(fù)雜，材料生長(zhǎng)成本高的缺點(diǎn)。因此采用該方法制備GaSb量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池材料成本會(huì)比較高，與目前科技界主流大力發(fā)展低成本太陽(yáng)能電池材料的努力方向相矛盾的。有關(guān)用分子束外延法生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)材料的具體文獻(xiàn)可參看:
[0005][I] Diego Alonso-Alvarez, Benito Alen, Jorge M.Garci a, and Jose
M.Ripalda.“Optical investigation of type II GaSb/GaAs self-assembled quantumdots”.Applied Physics letters91,263103,2007
[0006][2]Chao Jiang, Hiroyuki Sakaki.“Controlling anisotropy of GaSb(As)/GaAsquantum dots by self-assembled molecular beam epitaxy，，.Physica E32, 17-20，2006.[0007](2)低壓-有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)
[0008]低壓-有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(LP-MOCVD)生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)技術(shù)所用的設(shè)備為有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，利用三甲基銻(TMSb)為Sb源，三甲基鎵(TMGa)為鎵源，將載流氣體通過(guò)有機(jī)金屬反應(yīng)源的容器，將反應(yīng)源的飽和蒸汽帶至反應(yīng)腔中與其他反應(yīng)氣體混合，然后在被加熱的基板上面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)促成GaSb量子點(diǎn)的生長(zhǎng)。由于使用的原材料均是有毒的有機(jī)金屬源，且易于侵入人體，所以使用該方法制備GaSb量子點(diǎn)需要非常注意操作者的健康防護(hù)工作。詳細(xì)制備方法可參考文獻(xiàn):
[0009][I]竹敏，宋航，蔣紅，繆國(guó)慶，黎大兵，李志明，孫曉娟，陳一仁?！岸鄬覩aSb(QDs)/GaAs生長(zhǎng)中量子點(diǎn)的聚集及發(fā)光特性”。發(fā)光學(xué)報(bào)，Vol.31，N0.6，2010.[0010][2] L.Miiller-Kirsch, R.Heitz, U.ff.Pohl, D.Bimberg, 1.HailSler, H.Kirmse, andW.Neumann.“Temporal evolution of GaSb/GaAs quantum dot formation”.AppliedPhysics Letter79, 1027, 2001.[0011](3)液相外延技術(shù)法生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)
[0012]采用液相外延技術(shù)生長(zhǎng)的GaSb量子點(diǎn)方面的研究目前也僅限于本課題小組，研究也僅限于單層GaSb量子點(diǎn)材料的生長(zhǎng)[1-3](已獲授權(quán)專利:胡淑紅，戴寧“銻化鎵量子點(diǎn)的液相外延制備方法”。專利號(hào):ZL 2011 I 0316126.6)。而有關(guān)多層結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)液相外延方法的研究還未見(jiàn)相關(guān)報(bào)道。
[0013][1]F.Qiu, Y.F.Lv, J.H.Guo, et al., “Growth and Raman spectra of GaSbquantum dots in GaAs matrices by liquid phase epitaxy，，，Chinese OpticsLetters, vol.10, pp.S21603, 2012.[0014][2]胡淑紅，邱鋒，呂英飛，“GaSb量子點(diǎn)液相外延生長(zhǎng)研究”，紅外與毫米波學(xué)報(bào)，vol.32 (3), pp.204, 2013.[0015][3]F.Qiu, Y.Zhang, Y.F.Lv, et a 1., “Growth, structureand optical properties of GaSb quantum dot by liquid phaseepitaxy t e chn i qu e，，，Nano e I e c t r on i c s Conference(INEC).1EEE 5 thInternational, pp.203-204，2013.
【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明的目的在于提供了一種工藝更為簡(jiǎn)便，成本更為低廉的多層銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)材料的制備方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)高成本和高毒性的問(wèn)題。多層GaSb量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，相比單層量子點(diǎn)，其量子點(diǎn)PL發(fā)光性能大大改善，半峰寬減少，發(fā)光曲線光滑，因此多層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)具有很大的物理研究空間。
[0017]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的制備方法采用液相外延技術(shù)制備上述多層結(jié)構(gòu)銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)材料，其具體步驟如下:
[0018]I)先在(100)取向的GaAs襯底之上，生長(zhǎng)一層GaAs緩沖層，然后再生長(zhǎng)多層嵌埋結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)材料:
[0019]采用液相外延技術(shù)生長(zhǎng)GaAs緩沖層的生長(zhǎng)源為鎵(Ga)金屬和砷化鎵(GaAs)單晶。根據(jù)砷化鎵(GaAs) 二元化合物相圖確定砷化鎵(GaAs)緩沖層的生長(zhǎng)溫度為600-5800C，生長(zhǎng)源組分配比為Ga/GaAs(質(zhì)量比)為320.38-534.61。
[0020]2)單層周期結(jié)構(gòu)為在GaSb量子點(diǎn)層上加GaAs蓋帽層，重復(fù)生長(zhǎng)該周期3次以上:
[0021]采用液相外延技術(shù)生長(zhǎng)GaSb量子點(diǎn)的生長(zhǎng)源為鎵(Ga)和銻(Sb)金屬。GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)源分別為鎵(Ga)和砷化鎵(GaAs)單晶。根據(jù)銻化鎵(GaSb) 二元化合物相圖確定銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度為600-580°C生長(zhǎng)源組分配比為Ga/Sb (質(zhì)量比)為3.8-5.8;砷化鎵(GaAs)蓋帽層的生長(zhǎng)溫度為580_530°C，生長(zhǎng)源組分配比為534.61-1376.23。
[0022]按照1)，2)組分配比，分別稱量上述源材料。打開(kāi)石英管，將GaAs襯底和各組分的熔源快速放入石墨舟襯底槽和相應(yīng)的生長(zhǎng)源槽中；在氫氣氣氛下600°C下恒溫I小時(shí)使生長(zhǎng)源充分溶解和均勻混合；恒溫結(jié)束后，開(kāi)始執(zhí)行降溫生長(zhǎng)程序，電機(jī)按照程序設(shè)定好的運(yùn)動(dòng)程序拉動(dòng)石墨舟運(yùn)動(dòng)使各液槽中的熔源分別與襯底接觸:先生長(zhǎng)一層GaAs緩沖層，再生長(zhǎng)單層周期結(jié)構(gòu)=GaSb量子點(diǎn)層加GaAs蓋帽層，并重復(fù)該單層周期結(jié)構(gòu)3次以上以形成多層結(jié)構(gòu)。材料生長(zhǎng)完畢后，爐體斷電并退出石英管，開(kāi)啟電風(fēng)扇冷卻石英管。[0023]3)GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度需與GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度一致；GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度需比GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度低0-30°C，從而確保GaSb量子點(diǎn)層的穩(wěn)定固化，以防溶解。
[0024]GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度需與GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度一致，最佳生長(zhǎng)溫度范圍為600-580°C。GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度需比GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度低O - 30°C，其最佳生長(zhǎng)溫度范圍為580-530°C，從而確保GaSb量子點(diǎn)層的穩(wěn)定固化，以防溶解。
[0025]本發(fā)明的多層嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)材料的制備方法具有以下有益效果:
[0026]1、制備工藝簡(jiǎn)單,制作成本較低,有利于商業(yè)應(yīng)用。
[0027]2、確定了生長(zhǎng)源配置，提出了保證GaAs緩沖層、GaSb量子點(diǎn)層以及GaAs蓋帽層成功生長(zhǎng)溫度的確定以及合適的生長(zhǎng)源組分配比。制備的多層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光致熒光光譜性能研究表明，在90-190K之間，量子點(diǎn)中的熒光信號(hào)甚至超過(guò)GaAs基體的信號(hào)(圖5)，使其在太陽(yáng)能器件、信息電子器件等領(lǐng)域?qū)⒕哂袕V泛的應(yīng)用前景。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1單層非嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖2多層嵌埋鋪化鎵(GaSb)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖
[0030]圖3實(shí)施例1中三層嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)生長(zhǎng)過(guò)程爐溫曲線圖
[0031]圖4實(shí)施例3中七層嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)生長(zhǎng)過(guò)程電機(jī)運(yùn)動(dòng)軌跡程序示意圖
[0032]圖5實(shí)施例1中三層嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)與單層嵌埋銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)的PL光致發(fā)光性能的比較
[0033](注:從圖中可以明顯看除了來(lái)源于襯底GaAs基體的發(fā)光強(qiáng)度比較大外(對(duì)應(yīng)的兩個(gè)峰位為1.49eV和1.51eV,分別是電子與碳受主之間的躍遷和GaAs自由載流子之間的復(fù)合)，還有位于1.35eV的GaSb浸潤(rùn)層的發(fā)光峰。而位于1.17eV的峰位則是GaSb量子點(diǎn)的發(fā)光峰，從圖中可以明顯看出三層結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)的發(fā)光強(qiáng)度大于單層結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)材料，而且PL光譜曲線也更加光滑。)
【具體實(shí)施方式】
[0034]實(shí)施例1:
[0035]1、生長(zhǎng)源的配置
[0036](I)組分確定:本實(shí)施例中的GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度為585°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為490.5 ；GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度為585°C，Ga/Sb的質(zhì)量百分比為5.5 ；GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度為566°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為780.5。根據(jù)石墨液槽的大小以及上述生長(zhǎng)源的質(zhì)量百分比，得出所需的銻(Sb)量、鎵(Ga)量以及砷化鎵(GaAs)量。
[0037](2)生長(zhǎng)源的稱量:根據(jù)上述的計(jì)算，用微量天平準(zhǔn)確地稱出生長(zhǎng)所需的銻(Sb)、鎵(Ga)以及砷化鎵(GaAs)。所用的銻(Sb)源和鎵(Ga)源均為99.99999%(7N)的高純單質(zhì)源，砷化鎵(GaAs)為單晶材料。
[0038]2、外延生長(zhǎng)前的準(zhǔn)備工作
[0039](I)石墨舟處理。為避免生長(zhǎng)源玷污，舟要非常干凈，使用前要用王水浸泡24小時(shí)，去除雜質(zhì)，然后用沸騰地去離子水煮至酸堿度為中性，再在真空下進(jìn)行高溫烘烤，溫度在1000°C以上。
[0040](2)石英管處理。用王水浸泡24小時(shí)，再用去離子水反復(fù)沖洗后烘干待用。
[0041](3)設(shè)置爐溫。使用自動(dòng)控溫程序，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升溫、恒溫、降溫。
[0042](4)襯底準(zhǔn)備。本實(shí)施例中采用η型(100)雙面拋光GaAs襯底，解理面積為12X 12mm2,尺寸和厚度與石墨舟托板槽大小和深度相匹配。經(jīng)酒精、丙酮、去離子水反復(fù)清洗，用鹽酸腐蝕液(濃度25%)進(jìn)行表面化學(xué)腐蝕拋光，再用去離子水反復(fù)清洗后備用。
[0043]3、外延生長(zhǎng)
[0044](I)裝料。打開(kāi)石英反應(yīng)管，將處理好的GaAs襯底片及稱好的鎵(Ga)源和銻(Sb)源以及砷化鎵(GaAs)源快速裝入石墨舟襯底槽和相應(yīng)的生長(zhǎng)源槽中。要求快速裝源，以減少在空氣中的氧化和沾污。
[0045](2)外延生長(zhǎng)。生長(zhǎng)源裝好后，在氫氣氣氛下600°C恒溫下生長(zhǎng)源I小時(shí)，以保證熔源的充分溶解和均勻混合恒溫結(jié)束后，開(kāi)始執(zhí)行降溫生長(zhǎng)程序，降至586°C開(kāi)始生長(zhǎng)，電機(jī)按照程序設(shè)定好的運(yùn)動(dòng)程序拉動(dòng)石墨舟運(yùn)動(dòng)使各液槽中的熔源分別與襯底接觸。材料生長(zhǎng)完畢后，關(guān)閉黃金爐電源。在本實(shí)施例中重復(fù)單層周期結(jié)構(gòu)3次后。生長(zhǎng)完畢，爐體斷電并退出石英管，開(kāi)啟電風(fēng)扇冷卻石英管。
[0046](3)開(kāi)爐取片。
[0047]實(shí)施例2:
[0048]1、生長(zhǎng)源的配置
[0049](I)組分計(jì)算:本發(fā)明中的GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度為580°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為534.61 ；GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度為580°C，Ga/Sb的質(zhì)量百分比為5.8 ；GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度為580°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為534.61。根據(jù)石墨液槽的大小以及上述生長(zhǎng)源的質(zhì)量百分比，得出所需的銻(Sb)量、鎵(Ga)量以及砷化鎵(GaAs)量。
[0050](2)生長(zhǎng)源的稱量:根據(jù)上述的計(jì)算，用微量天平準(zhǔn)確地稱出生長(zhǎng)所需的銻(Sb)、鎵(Ga)以及砷化鎵(GaAs)。所用的銻(Sb)源和鎵(Ga)源均為99.99999%(7N)的高純單質(zhì)源，砷化鎵(GaAs)為單晶材料。
[0051]2、外延生長(zhǎng)前的準(zhǔn)備工作
[0052](I)石墨舟處理。為避免生長(zhǎng)源玷污，舟要非常干凈，使用前要用王水浸泡24小時(shí)，去除雜質(zhì)，然后用沸騰地去離子水煮至酸堿度為中性，再在真空下進(jìn)行高溫烘烤，溫度在1000°C以上。
[0053](2)石英管處理。用王水浸泡24小時(shí)，再用去離子水反復(fù)沖洗后烘干待用。
[0054](3)爐溫設(shè)定。爐溫設(shè)定。使用自動(dòng)控溫程序，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升溫、恒溫、降溫。
[0055](4)襯底準(zhǔn)備。本發(fā)明中采用η型(100)雙面拋光GaAs襯底，解理面積為12X 12mm2,尺寸和厚度與石墨舟托板槽大小和深度相匹配。經(jīng)酒精、丙酮、去離子水反復(fù)清洗，用鹽酸腐蝕液(濃度25%)進(jìn)行表面化學(xué)腐蝕拋光，再用去離子水反復(fù)清洗后備用。
[0056]3外延生長(zhǎng)
[0057](I)裝料。打開(kāi)石英反應(yīng)管，將處理好的GaAs襯底片及稱好的鎵(Ga)源和銻(Sb)源快速裝入石墨舟相應(yīng)的襯底槽和生長(zhǎng)源槽中。要求快速裝源，以減少在空氣中的氧化和沾污。[0058](2)外延生長(zhǎng)。生長(zhǎng)源裝好后，在氫氣氣氛下600°C恒溫下生長(zhǎng)源I小時(shí)，以保證熔源的充分溶解和均勻混合恒溫結(jié)束后，開(kāi)始執(zhí)行降溫生長(zhǎng)程序，降至580°C開(kāi)始生長(zhǎng)，電機(jī)按照程序設(shè)定好的運(yùn)動(dòng)程序拉動(dòng)石墨舟運(yùn)動(dòng)使各液槽中的熔源分別與襯底接觸。材料生長(zhǎng)完畢后，關(guān)閉黃金爐電源。在本實(shí)施例中重復(fù)單層周期結(jié)構(gòu)5次后。生長(zhǎng)完畢，爐體斷電并退出石英管，開(kāi)啟電風(fēng)扇冷卻石英管。
[0059](3)開(kāi)爐取片。
[0060]實(shí)施例3:
[0061]1、生長(zhǎng)源的配置
[0062](I)組分計(jì)算:本發(fā)明中的GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度為572°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為560.71 ；GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度為572°C，Ga/Sb的質(zhì)量百分比為7.1 ；GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度為530°C，Ga/GaAs的質(zhì)量百分比為1376.23。根據(jù)石墨液槽的大小以及上述生長(zhǎng)源的質(zhì)量百分比，得出所需的銻(Sb)量、鎵(Ga)量以及砷化鎵(GaAs)量。
[0063](2)生長(zhǎng)源的稱量:根據(jù)上述的計(jì)算，用微量天平準(zhǔn)確地稱出生長(zhǎng)所需的銻(Sb)、鎵(Ga)以及砷化鎵(GaAs)。所用的銻(Sb)源和鎵(Ga)源均為99.99999%(7N)的高純單質(zhì)源，砷化鎵(GaAs)為單晶材料。
[0064]2、外延生長(zhǎng)前的準(zhǔn)備工作
[0065](I)石墨舟處理。為避免生長(zhǎng)源玷污，舟要非常干凈，使用前要用王水浸泡24小時(shí)，去除雜質(zhì)，然后用沸騰地去離子水煮至酸堿度為中性，再在真空下進(jìn)行高溫烘烤，溫度在1000°C以上。
[0066](2)反應(yīng)管處理。用王水浸泡24小時(shí)，再用去離子水反復(fù)沖洗后烘干待用。
[0067](3)設(shè)置爐溫。爐溫設(shè)定。使用自動(dòng)控溫程序，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升溫、恒溫、降溫。
[0068](4)襯底準(zhǔn)備。本發(fā)明中采用η型(100)雙面拋光GaAs襯底，解理面積為12X 12mm2,尺寸和厚度與石墨舟托板槽大小和深度相匹配。經(jīng)酒精、丙酮、去離子水反復(fù)清洗，用鹽酸腐蝕液(濃度25%)進(jìn)行表面化學(xué)腐蝕拋光，再用去離子水反復(fù)清洗后備用。
[0069]3、外延生長(zhǎng)
[0070](I)裝料。打開(kāi)石英反應(yīng)管，將處理好的GaAs襯底片及稱好的鎵(Ga)源和銻(Sb)源快速裝入石墨舟相應(yīng)的襯底槽和生長(zhǎng)源槽中。要求快速裝源，以減少在空氣中的氧化和沾污。
[0071](2)外延生長(zhǎng)。生長(zhǎng)源裝好后，在氫氣氣氛下600°C恒溫下生長(zhǎng)源I小時(shí)，以保證熔源的充分溶解和均勻混合恒溫結(jié)束后，開(kāi)始執(zhí)行降溫生長(zhǎng)程序，降至572°C開(kāi)始生長(zhǎng)，電機(jī)按照程序設(shè)定好的運(yùn)動(dòng)程序拉動(dòng)石墨舟運(yùn)動(dòng)使各液槽中的熔源分別與襯底接觸。材料生長(zhǎng)完畢后，關(guān)閉黃金爐電源。在本實(shí)施例中重復(fù)單層周期結(jié)構(gòu)7次。生長(zhǎng)完畢，爐體斷電并退出石英管，開(kāi)啟電風(fēng)扇冷卻石英管。
[0072](3)開(kāi)爐取片。
【權(quán)利要求】
1.一種多層結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)材料的液相外延生長(zhǎng)方法，其特征在于包括以下步驟: 1)在(100)取向的GaAs襯底之上，先生長(zhǎng)一層GaAs緩沖層，然后再生長(zhǎng)多層嵌埋結(jié)構(gòu)的GaSb量子點(diǎn)材料； 2)單層周期結(jié)構(gòu)為在GaSb量子點(diǎn)層上加GaAs蓋帽層，重復(fù)生長(zhǎng)該周期3次以上以形成多層結(jié)構(gòu)；3)GaAs緩沖層的生長(zhǎng)溫度需與GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度一致；GaAs蓋帽層的生長(zhǎng)溫度需比GaSb量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度低0-30°C，從而確保GaSb量子點(diǎn)層的穩(wěn)定固化，以防溶解。
【文檔編號(hào)】H01L21/208GK103681260SQ201310590931
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月21日
【發(fā)明者】胡淑紅, 邱鋒, 呂英飛, 王洋, 戴寧 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所