半導體發(fā)光元件和發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明使來自經面朝上安裝而使用的半導體發(fā)光元件的光的輸出增加。一種半導體發(fā)光元件（1），具有：n型半導體層（120）、發(fā)光層（130）、p型半導體層（140）；連接于p型半導體層（140）的p側供電部（150）；和連接于n型半導體層（120）的n側供電部（160）。p側供電部（150）中的p側供電電極（152）以及n側供電部（160）中的n側供電電極（162），從發(fā)光層（130）觀察設在p型半導體層（140）的背面?zhèn)?，在p型半導體層（140）與這些p側供電電極（152）以及n側供電電極（162）之間，形成有容易反射來自發(fā)光層（130）的光的被設定為第1厚度的供電絕緣層（170），在這些電極不存在的部位，除了形成有供電絕緣層（170）以外還形成有被設定為第2厚度的保護絕緣層（180），由此被設定成容易使來自發(fā)光層（130）的光透射的第3厚度。
【專利說明】半導體發(fā)光元件和發(fā)光裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及半導體發(fā)光元件和發(fā)光裝置。
【背景技術】
[0002]使用GalnN、AlInGaP, GaAlAs等的發(fā)光層的半導體發(fā)光元件，被利用作為發(fā)光效率高的發(fā)光二極管。例如，使用GaInN等III族氮化物半導體的半導體發(fā)光元件，例如在藍寶石等的基板上形成包含發(fā)光層的III族氮化物半導體層而構成。而且，存在下述的結構:通過以面朝上的方式對配線基板安裝半導體發(fā)光元件，將從發(fā)光層輸出的光射出到外部。
[0003]作為公報記載的現(xiàn)有技術，存在一種半導體發(fā)光元件，其構成為，在基板上層疊η型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層，在成為與基板相反側的P型半導體層上形成P電極，并且，在通過部分除去P型半導體層和發(fā)光層兩者而在與基板相反的一側露出的η型半導體層上形成η電極(參照專利文獻I)。
[0004]在先技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2012-28495號公報
【發(fā)明內容】

[0007]但是，為了形成η電極，而采用通過除去P型半導體層和發(fā)光層兩者而使η型半導體層露出的構成的情況下，半導體發(fā)光元件中的發(fā)光層的面積減少，有相應地來自半導體發(fā)光兀件的光輸出降低之虞。
[0008]另外，在采用不除去P型半導體層和發(fā)光層兩者、且在與發(fā)光層對向的部位配置η電極的構成的情況下，從發(fā)光層輸出的光會被η電極吸收,其結果，存在來自半導體發(fā)光兀件的光輸出變得難以增加之虞。
[0009]
【發(fā)明內容】

[0010]本發(fā)明的目的是使來自通過面朝上安裝而使用的半導體發(fā)光元件的光的輸出增加。
[0011]本發(fā)明的半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備:由具有第I導電類型的化合物半導體構成的第I半導體層；在所述第I半導體層上與該第I半導體層接觸地設置，由化合物半導體構成且通過通電而發(fā)光的發(fā)光層；在所述發(fā)光層上與該發(fā)光層接觸地設置，由具有與所述第I導電類型不同的第2導電類型的化合物半導體構成的第2半導體層；從所述發(fā)光層觀察設在所述第2半導體層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第I厚度的第I透明絕緣層；從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成且與所述第I半導體層電連接的第I供電電極；從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成且與所述第2半導體層電連接的第2供電電極；和從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第2厚度的第2透明絕緣層，[0012]將所述第I厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被反射的大小，將所述第I厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被透射的大小。
[0013]在這樣的半導體發(fā)光元件中，能夠使其特征在于，還具有:經由貫穿所述第I透明絕緣層、所述第2半導體層以及所述發(fā)光層的孔而與所述第I半導體層電連接的第I連接電極；和從該發(fā)光層觀察設在該第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，將該第I連接電極和所述第I供電電極電連接的第I輔助電極，所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第I輔助電極的方式設置。
[0014]另外，能夠使其特征在于，還具有:經由貫穿所述第I透明絕緣層的孔而與所述第2半導體層電連接的第2連接電極；和從所述發(fā)光層觀察設在該第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，將該?連接電極和所述第2供電電極電連接的第2輔助電極，所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第2輔助電極的方式設置。
[0015]進而，能夠使其特征在于，所述第I透明絕緣層和所述第2透明絕緣層由相同材料構成。
[0016]進而，能夠使其特征在于，所述化合物半導體包含III族氮化物半導體，所述第I半導體層直接或介由其他的層層疊在基板之上。
[0017]另外，從其他的觀點考慮，本發(fā)明的發(fā)光裝置，其特征在于，包括:形成有第I配線以及第2配線的基部；和針對該基部面朝上連接的半導體發(fā)光元件，
[0018]所述半導體發(fā)光元件具備:由具有第I導電類型的化合物半導體構成的第I半導體層；在所述第I半導體層上與該第I半導體層接觸地設置，由化合物半導體構成且通過通電而發(fā)光的發(fā)光層；在所述發(fā)光層上與該發(fā)光層接觸地設置，由具有與所述第I導電類型不同的第2導電類型的化合物半導體構成的第2半導體層；從所述發(fā)光層觀察設在所述第2半導體層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第I厚度的第I透明絕緣層；從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成且與所述第I半導體層電連接、而且與設在所述基部的所述第I配線電連接的第I供電電極；從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)龋山饘贅嫵汕遗c所述第2半導體層電連接、而且與設在所述基部的所述第2配線電連接的第2供電電極；和從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，且被設定為第2厚度的第2透明絕緣層，
[0019]將所述第I厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被反射的大小，將所述第I厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被透射的大小。
[0020]根據(jù)本發(fā)明，能夠使來自通過面朝上安裝而使用的半導體發(fā)光元件的光的輸出增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1表示實施方式I中的半導體發(fā)光元件的俯視圖的一例。
[0022]圖2是圖1中的I1-1I截面圖。
[0023]圖3是圖1中的II1-1II截面圖。
[0024]圖4是圖1中的IV-1V截面圖。[0025]圖5是表示實施方式I中的P側供電部的構成的一例的圖。
[0026]圖6是表示實施方式I中的η側供電部的構成的一例的圖。
[0027]圖7是表示供電絕緣層以及保護絕緣層的構成的一例的圖。
[0028]圖8是表示搭載了半導體發(fā)光元件的發(fā)光裝置的構成的一例的圖。
【具體實施方式】
[0029]以下，參照附圖，詳細說明本發(fā)明的實施方式。此外，以下的說明中參照的附圖中的各部分的大小、厚度等存在與實際的半導體發(fā)光元件等的尺寸不同的情況。
[0030]圖1是實施方式I中的半導體發(fā)光元件I的俯視圖的一例。另外，圖2是圖1中的I1-1I截面圖，圖3是圖1中的II1-1II截面圖，圖4是圖1中的IV-1V截面圖。這里，本實施方式的半導體發(fā)光元件1，例如如圖1所示，從上方觀察時呈長方形形狀，圖中的縱向為短邊側，圖中的橫向為長邊側。此外，在以下的說明中，根據(jù)需要，將圖1中的縱向稱作短邊方向，將圖1中的橫向稱作長邊方向。
[0031](半導體發(fā)光元件)
[0032]本實施方式的半導體發(fā)光元件I，具備:基板110、層疊在基板110上的η型半導體層120、層疊在η型半導體層120上的發(fā)光層130、和層疊在發(fā)光層130上的ρ型半導體層140。此外，在以下的說明中，根據(jù)需要，將這些η型半導體層120、發(fā)光層130以及ρ型半導體層140匯總地稱作疊層半導體層100。另外，在基板110和η型半導體層120之間，根據(jù)需要，也可以設置中間層(未圖示)和/或基底層(未圖示)。
[0033]這里，η型半導體層120，具有:層疊在基板110上的η接觸層121、和層疊在η接觸層121上且成為發(fā)光層130的層疊對象的η覆蓋層122。此外，這里雖未對詳細情況進行說明，但關于P型半導體層140，也能夠設為:包括層疊在發(fā)光層130上的ρ覆蓋層(未圖示)、和層疊在P覆蓋層上的P接觸層(未圖示)的構成。
[0034]另外，半導體發(fā)光元件1，具備:與P型半導體層140電連接的P側供電部150、和與η型半導體層120電連接的η側供電部160。而且，半導體發(fā)光元件1，在ρ側供電部150和η側供電部160之間具有:將這些ρ側供電部150以及η側供電部160電絕緣的供電絕緣層170 ;和從要從外部向半導體發(fā)光元件I的內部進入的水分保護發(fā)光層130等，且將ρ側供電部150和η側供電部160電絕緣的保護絕緣層180。
[0035]在這里，ρ側供電部150具有:層疊在ρ型半導體層140上且成為供電絕緣層170的層疊對象的P側透明導電層151 ;形成在供電絕緣層170上的P側供電電極152以及ρ偵_助電極153 ;和經由貫穿供電絕緣層170的孔，將ρ側透明導電層151、和ρ側供電電極152或ρ側輔助電極153電連接的多個(在本例中為7個)ρ側連接電極154。
[0036]在本實施方式的ρ側供電部150中，ρ側透明導電層151以覆蓋P型半導體層140的上表面之中的、除了周緣部以外的大致整個面的方式形成。
[0037]另外，在本實施方式的ρ側供電部150中，作為第2供電電極的一例的ρ側供電電極152，配置在半導體發(fā)光元件I的上表面之中的、長邊方向的一端側(圖1中為右側)且短邊方向的中央部，從上表面?zhèn)扔^察時呈圓形形狀。在P側供電電極152的上表面，沒有層疊保護絕緣層180 (例如參照圖3)，ρ側供電電極152向外部露出。而且，P側供電電極152，被用于使用未圖示的接合線等的與外部的電連接。[0038]而且，在本實施方式的p側供電部150中，作為第2輔助電極的一例的P側輔助電極153,具有:一端側與P側供電電極152—體化、且另一端側沿半導體發(fā)光兀件I的長邊方向延伸的L字狀的P側第I輔助電極153a ;和一端側與p側供電電極152 —體化、且另一端側沿半導體發(fā)光元件I的長邊方向延伸的L字狀的P側第2輔助電極153b。在這里，本實施方式中，P側第I輔助電極153a偏在于半導體發(fā)光兀件I的短邊方向一端側(圖1中的上部側)，并且，P側第2輔助電極153b偏在于半導體發(fā)光元件I的短邊方向的另一端側(圖1中的下部側)而配置，由此，P側第I輔助電極153a和P側第2輔助電極153b不會直接接觸。而且，在這些P側第I輔助電極153a以及P側第2輔助電極153b的上表面層疊有保護絕緣層180(例如參照圖2、圖4)。另外，本實施方式中，作為第2連接電極的一例的P側連接電極154,在P側供電電極152的下方設有一個,在P側第I輔助電極153a的下方設有三個，在P側第2輔助電極153b的下方設有三個。
[0039]另一方面，η側供電部160具有:形成在供電絕緣層170上的η側供電電極162以及η側輔助電極163 ;和經由貫穿供電絕緣層170、ρ側供電部150中的ρ側透明導電層151、P型半導體層140、發(fā)光層130以及η型半導體層120中的η覆蓋層122的孔，將η型半導體層120中的η接觸層121、和η側供電電極162或η側輔助電極163電連接的多個(本例中為3個)η側連接電極164。
[0040]在本實施方式的η側供電部160中，作為第I供電電極的一例的η側供電電極162，配置在半導體發(fā)光元件I的上表面中的、長邊方向的另一端側(圖1中左側)且短邊方向的中央部，從上表面?zhèn)扔^察時呈半圓形狀。另外，在η側供電電極162的上表面沒有層疊保護絕緣層180 (例如參照圖3)，η側供電電極162向外部露出。而且，η側供電電極162被用于介由未圖示的接合線等的與外部的電連接。
[0041]另外，在本實施方式的η側供電部160中，作為第I輔助電極的一例的η側輔助電極163,只設有一個,其一端側與η側供電電極162—體化、且另一端側沿半導體發(fā)光兀件I的長邊方向、且朝向P側供電電極152延伸。由此，η側輔助電極163被配置在由ρ側供電部150中的ρ側第I輔助電極153a和ρ側第2輔助電極153b夾持的區(qū)域。而且,在η側輔助電極163的上表面層疊有保護絕緣層180 (例如參照圖3)。另外，本實施方式中，作為第I連接電極的一例的η側連接電極164,在η側供電電極162的下方設置一個,在η側輔助電極163的下方設置兩個。
[0042]在這里，在與各η側連接電極164對應地設置的多個孔的各自的側壁，設有上述的供電絕緣層170。由此，各η側連接電極164至少不與ρ側透明導電層151、ρ型半導體層140以及發(fā)光層130直接接觸。另一方面，在這些多個孔的各自的下端部，沒有設置供電絕緣層170，各η側連接電極164與η接觸層121直接接觸。
[0043]而且，本實施方式中，例如如圖1所示，從上表面?zhèn)扔^察時，兩個P側連接電極154和一個η側連接電極164以呈三角形狀的方式配置，或者，一個P側連接電極154和兩個η側連接電極164以呈三角形狀的方式配置。此外，在半導體發(fā)光元件I中，P側供電部150(P側透明導電層151、ρ側供電電極152、ρ側輔助電極153以及ρ側連接電極154)和η側供電部160 (η側供電電極162、η側輔助電極163以及η側連接電極164)，其配置被確定以使得兩者不會直接接觸。
[0044]另外，供電絕緣層170，覆蓋著除了 ρ側連接電極154的形成部位(7個部位)以外的、P側透明導電層151的上表面。而且，供電絕緣層170，如上所述，也覆蓋著與各η側連接電極164對應地設置的多個孔的各自的側壁。
[0045]而且，保護絕緣層180，覆蓋著除了 ρ側供電部150中的P側供電電極152以及η側供電部160中的η側供電電極162以外的半導體發(fā)光元件I的上表面。
[0046]此外，在本實施方式的半導體發(fā)光元件I中，例如如圖2~圖4所示，供電絕緣層170以及保護絕緣層180也覆蓋著發(fā)光層130以及ρ型半導體層140的側面。
[0047]在這里，在本實施方式中，供電絕緣層170位于構成ρ側供電部150的P側供電電極152和ρ側輔助電極153 (但是,除了 ρ側連接電極154的形成部位以外)、以及構成η側供電部160的η側供電電極162和η側輔助電極163(但是，除了 η側連接電極164的形成部位以外)的下方(朝向發(fā)光層130 —側)。
[0048]另一方面，本實施方式中，供電絕緣層170以及保護絕緣層180以連續(xù)地一體化的狀態(tài)位于不存在這些P側供電電極152、Ρ側輔助電極153、η側供電電極162以及η側輔助電極163的部位。
[0049]在該半導體發(fā)光元件I中，通過使P側供電部150中的ρ側供電電極152為正極，且使η側供電部160中的η側供電電極162為負極，流通從ρ側供電電極152朝向η側供電電極162的電流，由此,使發(fā)光層130發(fā)光。
[0050]本實施方式的半導體發(fā)光元件I，是從形成有P側供電部150以及η側供電部160的一側取出從發(fā)光層130輸出的光的、面朝上型的發(fā)光二極管。在這里，在本實施方式的半導體發(fā)光元件I中，構成P側供電部150的ρ側透明導電層151、ρ側供電電極152、ρ側輔助電極153以及ρ側連接電極 154和構成η側供電部160的η側供電電極162以及η側輔助電極163，在從發(fā)光層130觀察時，被配置在相比于ρ型半導體層140靠里側。另外，從其他的觀點考慮，在本實施方式的半導體發(fā)光元件I中，在構成P側供電部150的ρ側透明導電層151、ρ側供電電極152、ρ側輔助電極153以及ρ側連接電極154的下方、以及構成η側供電部160的η側供電電極162以及η側輔助電極163的下方(但是，除了 η側連接電極164的形成部位的下方以外)也存在發(fā)光層130。
[0051]下面邊參照圖1~圖4邊對半導體發(fā)光元件I的各構成要素進行詳細說明。
[0052]此外，在以下的說明中，關于作為化合物半導體以及III族氮化物半導體的一例的AlGaN、GaN, GaInN,有時以省略各元素的組成比的形式進行記述。
[0053]〈基板〉
[0054]作為基板110，只要是能在表面外延生長III族氮化物半導體結晶的基板，則沒有特別限定，能夠選擇各種基板材料來使用。例如，能夠使用由藍寶石、SiC, GaN、硅等構成的基板材料。
[0055]另外，在上述基板材料之中，優(yōu)選透明基板，尤其是，在品質、成本方面，優(yōu)選將以C面為主面的藍寶石用于基板110。在使用藍寶石作為基板110的情況下，優(yōu)選在藍寶石的C面上對表面實施凹凸加工，并形成中間層(緩沖層)。
[0056]<中間層>
[0057]中間層，優(yōu)選為包含多晶的AlxGa1J (O ^ x ^ I)的層，更優(yōu)選為單晶的AlxGapxN(O≤X≤I)層，例如，能夠設為包含多晶的AlxGa1J (O≤x≤I)的厚度10~500nm的中間層。再者，中間層具有下述作用:緩和基板110和后述的基底層的晶格常數(shù)的差異，在基板110的(0001)面(C面)上使C軸取向的單晶層的形成容易。因此，若在中間層上層疊單晶的基底層，則能夠形成結晶性更好的疊層半導體層100。
[0058]〈基底層〉
[0059]作為基底層，能夠使用AlxGayInzN (O^x^ l,0^y^ Ι,Ο^ζ^ I, x+y+z =1)，但若使用AlxGa1J (O ^ X < 1)，則容易形成結晶性好的基底層。
[0060]基底層的膜厚優(yōu)選為0.Ιμπι以上，形成為該膜厚以上容易得到結晶性良好的AlxGahN層。優(yōu)選為填埋凹凸加工基板的凹凸而平坦化的厚度。另外，基底層的膜厚優(yōu)選為10 μ m以下。
[0061]<疊層半導體層>
[0062]包含III族氮化物半導體而構成的疊層半導體層100，例如如圖2~圖4所示，是在基板110上，η型半導體層120、發(fā)光層130以及ρ型半導體層140的各層按此順序被層疊而構成的。另外，η型半導體層120、發(fā)光層130以及ρ型半導體層140的各層，分別可以由多個半導體層構成。
[0063]在這里，作為第I半導體層的一例的η型半導體層120，是將電子作為載流子進行電傳導的半導體層，作為第2半導體層的一例的ρ型半導體層140，是將空穴作為載流子進行電傳導的半導體層。在該例中，將電子作為載流子的η型對應于第I導電類型，將空穴作為載流子的P型對應于第2導電類型。
[0064]< η型半導體層〉
[0065]η型半導體層120，由層疊在基板110側(本例中為基底層)的η接觸層121、和層疊于η接觸層121的η覆蓋層122構成。但是，η接觸層121也能夠兼作為η覆蓋層122。另外，也可以將前述的基底層包含于η型半導體層120。
[0066]η接觸層121，是用于設置η側供電部160 (更具體而言，為η側連接電極164)的層。作為η接觸層121，可以使用AlxGa1J層(O ^ χ < 1，優(yōu)選O≤χ ( 0.5，更優(yōu)選O < X < 0.1)。
[0067]η覆蓋層122，是進行載流子(這里為電子)向發(fā)光層130的注入和載流子的封入(關入)的層。η覆蓋層122能夠采用AlGaN、GaN, GaInN等形成。另外，也可以設為這些結構的異質結或層疊多次的超晶格結構。在由GaInN形成η覆蓋層122的情況下，優(yōu)選比后述的發(fā)光層130的GaInN的帶隙大。
[0068]再者，在將η覆蓋層122設為包含超晶格結構的層的情況下，可以設為包含下述結構，該結構是層疊有具有IOnm以下的膜厚的包含III族氮化物半導體的η側第I覆蓋層、和組成與η側第I覆蓋層不同且具有IOnm以下的膜厚的包含III族氮化物半導體的η側
第2覆蓋層。
[0069]另外，η覆蓋層122，也可以是包含η側第I覆蓋層和η側第2覆蓋層交替地反復層疊而成的結構的層，該情況下，優(yōu)選為GaInN與GaN的交替結構或組成不同的GaInN彼此的交替結構。
[0070]〈發(fā)光層〉
[0071]作為發(fā)光層130，能夠采用單量子阱結構或多量子阱結構等。
[0072]作為量子阱結構的阱層，通常可使用包含Ga^InyN (O < y < 0.4)的III族氮化物半導體層。作為阱層的膜厚，可設為能夠得到量子效應的程度的膜厚、例如I~10nm，從發(fā)光輸出方面考慮，優(yōu)選為2~6nm。
[0073]另外，在多量子阱結構的發(fā)光層130的情況下，以上述Gai_yInyNS阱層，以帶隙能量比阱層大的AlzGa1=N (O≤z < 0.3)為勢壘層。在阱層以及勢壘層中，可以摻雜雜質，也可以不慘雜雜質。
[0074]<p型半導體層〉
[0075]ρ型半導體層140，優(yōu)選由層疊在發(fā)光層130上的ρ覆蓋層和層疊在ρ覆蓋層上的P接觸層構成。但是，P接觸層也能夠兼作為P覆蓋層。[0076]ρ覆蓋層，是用于進行載流子(這里為空穴)向發(fā)光層130的封入(關入)和載流子的注入的層。作為P覆蓋層，只要是比發(fā)光層130的帶隙能量大的組成，能夠進行載流子向發(fā)光層130的封入的層則沒有特別限定，能夠使用例如AlxGa^N (O < x ^ 0.4)。
[0077]ρ覆蓋層，若包含這樣的AlGaN，則從載流子向發(fā)光層130的封入方面考慮是優(yōu)選的。P覆蓋層的膜厚，沒有特別的限定，但優(yōu)選為I~400nm，更優(yōu)選為5~lOOnm。
[0078]另外，ρ覆蓋層，與上述的η覆蓋層122同樣地，可以為層疊多次的超晶格結構，在該情況下，優(yōu)選為AlGaN和組成不同的AlGaN的交替結構、或AlGaN和GaN的交替結構。
[0079]ρ接觸層，是用于設置ρ側供電部150 (更具體而言，為P側透明導電層151)的層。P接觸層優(yōu)選設為AlxGahN (O≤X≤0.4)。若ρ接觸層中的Al組成為上述范圍，則從能夠維持良好的結晶性以及維持與P側透明導電層151的良好的歐姆接觸方面考慮是優(yōu)選的。
[0080]ρ接觸層的膜厚沒有特別的限定，但優(yōu)選為10~500nm，更優(yōu)選為50~200nm。若使P接觸層的膜厚在該范圍內，則在能夠降低正向電壓Vf方面是優(yōu)選的。
[0081]<p側供電部〉
[0082]圖5是表示實施方式I中的P側供電部150的構成的一例的圖。在這里，圖5表示圖3所示的區(qū)域V即ρ側供電電極152和ρ側連接電極154的邊界部的放大截面圖。但是，與P側供電電極152以及ρ側連接電極154 —起構成ρ側供電部150的ρ側輔助電極153 (ρ側第I輔助電極153a以及ρ側第2輔助電極153b)、以及設在ρ側輔助電極153側的P側連接電極154 (參照圖2)也具有與這些電極共同的構成。
[0083][P側透明導電層]
[0084]ρ側透明導電層151以覆蓋ρ型半導體層140的上表面之中的、除了周緣部以外的大致整個面的方式形成。
[0085]P側透明導電層151，優(yōu)選使用能取得與ρ型半導體層140的歐姆接觸，而且與ρ型半導體層140的接觸電阻小的透明導電層。另外，在該半導體發(fā)光元件I中，由于經由P側透明導電層151從保護絕緣層180側取出來自發(fā)光層130的光，所以，ρ側透明導電層151優(yōu)選使用光透射性優(yōu)異的透明導電層。而且，為了使電流在P型半導體層140的整個面范圍內均勻地擴散，P側透明導電層151優(yōu)選使用具有優(yōu)異的導電性、且電阻分布少的透明導電層。
[0086]再者，P側透明導電層151的厚度，能夠從2nm~500nm的范圍中選擇。在這里，若P側透明導電層151的厚度比2nm薄，則存在難以取得與ρ型半導體層140的歐姆接觸的情況，另外，若P側透明導電層151的厚度比500nm厚，則有在相對于從發(fā)光層130輸出的光的透光性方面不優(yōu)選的情況。[0087]作為ρ側透明導電層151，能夠使用下述材料，所述材料例如為氧化物的導電性材料，相對于從發(fā)光層130射出的波長的光的透光性好。相對于從發(fā)光層130輸出的波長的光的透射率為90%以上即可，優(yōu)選為95%以上。尤其是，含有In的氧化物的一部分，與其他的透明導電膜比較，透光性以及導電性兩者都優(yōu)異因而優(yōu)選。作為含有In的導電性的氧化物，能夠列舉例如IZO (氧化銦鋅(Ιη203-Ζη0))、ΙΤ0 (氧化銦錫(In2O3-SnO2))、IGO (氧化銦鎵(In203-Ga203))、ICO (氧化銦鈰(In2O3-CeO2))等。再者，在這些物質中，也可以添加有例如氟等的摻雜劑(摻雜物:dopant)。另外，也可以使用例如不含In的氧化物、例如摻雜了載流子的Sn02、ZnO2, TiO2等的導電性材料。
[0088]通過采用本【技術領域】熟知的慣用手段設置這些材料，能夠形成P側透明導電層151。而且，在形成ρ側透明導電層151后，通過實施熱處理促進結晶化，ρ側透明導電層151的光透射率提高，且表面電阻(薄膜電阻=Sheet resistor)降低，由此容易取得歐姆接觸。
[0089]本實施方式中，ρ側透明導電層151可以使用已結晶化的結構的層，尤其是能夠優(yōu)選使用包含具有六方晶結構或紅綠柱石結構的In2O3晶體的透光性材料(例如ΙΖ0、ΙΤ0等)。
[0090]另外，作為用于ρ側透明導電層151的膜，優(yōu)選使用比電阻低的組成。例如，IZO中的ZnO濃度優(yōu)選為I?20質量％，更優(yōu)選為5?15質量％的范圍，特別優(yōu)選為10質量％。
[0091]而且，若從提高得到的膜的密著性的觀點考慮，則ρ側透明導電層151優(yōu)選通過例如濺射法形成。
[0092][ρ側供電電極、ρ側輔助電極以及ρ側連接電極]
[0093]ρ側供電部150中的P側供電電極152、ρ側輔助電極153以及P側連接電極154，通過從接近于成為連接對象的P側透明導電層151的一側開始順序地層疊P側第I供電層1501、ρ側第2供電層1502、ρ側第3供電層1503而構成。本實施方式中，P側第I供電層1501由TaN構成，ρ側第2供電層1502由Pt構成，ρ側第3供電層1503由Au構成。另外，P側第I供電層1501的膜厚為Inm左右，ρ側第2供電層1502的膜厚為IOOnm左右，ρ側第3供電層1503的膜厚為IOOOnm左右。
[0094]其中，P側第I供電層1501具有導電性，并且，作為用于提高與供電絕緣層170的密著性的密著層而發(fā)揮功能。另外，P側第2供電層1502具有導電性，作為防止構成P側第I供電層1501的TaN向ρ側第3供電層1503側擴散、且防止構成ρ側第3供電層1503的Au向ρ側第I供電層1501側擴散的防止擴散層發(fā)揮功能。而且，ρ側第3供電層1503具有導電性，具有化學穩(wěn)定性，并且作為例如在P側供電電極152中用于與外部的電連接的表面層而發(fā)揮功能。
[0095]另外，本實施方式中，P側連接電極154，在從上方觀察時呈圓形形狀(參照圖1)，其直徑為約IOym,具有隨著接近ρ側透明導電層151直徑變小的錐狀的截面形狀。而且，P側連接電極154的側壁的傾斜角度為約80°。
[0096]< η側供電部〉
[0097]圖6是表不實施方式I中的η側供電部160的構成的一例的圖。再者，圖6表不圖3所示的區(qū)域VI即η側供電電極162和η側連接電極164的邊界部的放大截面圖。但是，與η側供電電極162以及η側連接電極164 —起構成η側供電部160的η側輔助電極163、設在η側輔助電極163側的η側連接電極164 (參照圖3)也具有與這些電極共同的構成。[0098][η側供電電極、η側輔助電極以及η側連接電極]
[0099]η側供電部160中的η側供電電極162、η側輔助電極163以及η側連接電極164，通過從接近于成為連接對象的η型半導體層120中的η接觸層121的一側開始順序地層疊η側第I供電層1601、η側第2供電層1602、和η側第3供電層1603而構成。本實施方式中，η側第I供電層1601由TaN構成，η側第2供電層1602由Pt構成，η側第3供電層1603由Au構成。另外，η側第I供電層1601的膜厚為Inm左右，η側第2供電層1602的厚度為IOOnm左右，η側第3供電層1603的厚度為IOOOnm左右。
[0100]其中，η側第I供電層1601具有導電性，并且作為用于提高與供電絕緣層170的密著性的密著層而發(fā)揮功能。另外，η側第2供電層1602具有導電性，作為防止構成η側第I供電層1601的TaN向η側第3供電層1603側擴散、且防止構成η側第3供電層1603的Au向η側第I供電層1601側擴散的防止擴散層發(fā)揮功能。而且，η側第3供電層1603具有導電性，具有化學穩(wěn)定性，且作為例如在η側供電電極162中用于與外部的電連接的表面層而發(fā)揮功能。
[0101]這樣，本實施方式中，P側供電部150中的P側供電電極152、ρ側輔助電極153以及P側連接電極154、和η側供電部160中的η側供電電極162、η側輔助電極163以及η側連接電極164具有共同的構成。
[0102]另外，本實施方式中，η側連接電極164，從上方觀察時呈大致半圓形狀(參照圖1 )，其半圓部的直徑約為10 μ m，具有隨著接近η接觸層121其直徑變小的錐狀的截面形狀。而且，η側連接電極164的側壁的傾斜角度為約80°。
[0103]<供電絕緣層>
[0104]本實施方式中，作為第I透明絕緣層的一例的供電絕緣層170，具有相對于從發(fā)光層130輸出的光的透射性以及將ρ側供電部150和η側供電部160電絕緣的絕緣性。作為構成供電絕緣層170的材料，能夠使用例如SiO2 (氧化硅)、MgF2 (氟化鎂)、CaF2 (氟化鈣)、Si3N4 (氮化硅)、A1203 (氧化鋁)。再者，在本例中，作為供電絕緣層170，使用了絕緣性高、折射率小(1.4?1.5)、而且耐濕性優(yōu)異的SiO2 (二氧化硅)。
[0105]另外，本實施方式的供電絕緣層170，不僅將ρ側供電部150和η側供電部160電絕緣，還具有將P型半導體層140以及發(fā)光層130和η側供電部160電絕緣的功能。而且，供電絕緣層170還具有使從ρ側供電部150對ρ型半導體層140的供電位置分散的功能。
[0106]<保護絕緣層>
[0107]本實施方式中，作為第2透明絕緣層的一例的保護絕緣層180，與供電絕緣層170同樣地，具有相對于從發(fā)光層130輸出的光的透射性、以及將ρ側供電部150和η側供電部160電絕緣的絕緣性。作為構成保護絕緣層180的材料，能夠使用例如SiO2 (氧化硅)、MgF2(氟化鎂)、CaF2 (氟化鈣)、Si3N4 (氮化硅)、Al2O3 (氧化鋁)。再者，在本例中，作為保護絕緣層180，使用了與供電絕緣層170相同的SiO2 (二氧化硅)。
[0108]圖7是表示供電絕緣層170以及保護絕緣層180的構成的一例的圖。
[0109]在這里，圖7 (a)是圖3中的區(qū)域VIIa的放大截面圖，表示層疊在ρ側透明導電層151之上且η側輔助電極163之下的供電絕緣層170。再者，圖7 (a)例示了成為η側輔助電極163的下側的位置，但ρ側透明導電層151與ρ側供電電極152或ρ側輔助電極153之間，以及P側透明導電層151與η側供電電極162之間也成為與圖7 (a)相同的結構。[0110]另一方面，圖7 (b)是圖3中的區(qū)域VIIb的放大截面圖，表示在P側透明導電層151之上的、沒有形成ρ側供電電極152、ρ側輔助電極153、η側供電電極162以及η側輔助電極163的部位連續(xù)地層疊的供電絕緣層170以及保護絕緣層180。再者，圖7 (b)中，保護絕緣層180之上成為半導體發(fā)光元件I的外部(例如大氣或后述的發(fā)光裝置30的封裝(封止)部34等)。
[0111]在這里，將供電絕緣層170的厚度記為第I厚度tl，將保護絕緣層180的厚度記為第2厚度t2，將第I厚度tl和第2厚度t2的和記為第3厚度t3(= tl+t2)。本實施方式中，第I厚度tl，從在由發(fā)光層130輸出的光的波長下容易發(fā)生全反射的值中選擇。與此相對，第3厚度t3從在由發(fā)光層130輸出的光的波長下難以發(fā)生全反射的值中選擇，基于所選擇的第3厚度t3和第I厚度tl的差，設定第2厚度t2的值。因此，本實施方式中，第I厚度tl和第3厚度t3必定具有tl < t3的關系。再者，本實施方式中，通過從發(fā)光層130輸出的光的波長為450nm，以及，供電絕緣層170以及保護絕緣層180具有上述的折射率，第I厚度tl被設定為390nm,第3厚度t3被設定為468nm。因此,第2厚度t2為78nm。
[0112](發(fā)光裝置)
[0113]圖8是表示搭載了圖1等所示的半導體發(fā)光元件I的發(fā)光裝置30的構成的一例的圖。這里，圖8 (a)表示發(fā)光裝置30的俯視圖，圖8 (b)為圖8 (a)的VIIIB-VIIIB截面圖。再者，圖8所示的發(fā)光裝置30有時被稱作“發(fā)光芯片”或“燈”。
[0114]該發(fā)光裝置30具有:在一方側形成有凹部31a的筐體31 ;由形成在筐體31上的引線框構成的P引線部32以及η引線部33 ;安裝在凹部31a的底面的半導體發(fā)光元件I ;和以覆蓋凹部31a的方式設置的封裝部34。再者，圖8 (a)中，省略了封裝部34的記載。
[0115]作為基部的一例的筐體31，是通過在包含作為第2配線的一例的ρ引線部32以及作為第I配線的一例的η引線部33的金屬引線部將白色的熱塑性樹脂進行注射成型而形成的。
[0116]ρ引線部32以及η引線部33是具有0.1?0.5mm左右的厚度的金屬板，是以作為可加工性、熱傳導性優(yōu)異的金屬的例如鐵/銅合金為基體，在其上作為鍍層層疊數(shù)μπι的鎳、鈦、金、銀等而構成的。而且，本實施方式中，P引線部32以及η引線部33的一部分，在凹部31a的底面露出。另外，ρ引線部32以及η引線部33的一端部側向筐體31的外側露出，且從筐體31的外壁面向背面?zhèn)日矍?br> [0117]另外，半導體發(fā)光元件1，介由基板110(參照圖2)，通過粘結等安裝在凹部31a的底部的中央部。而且，P引線部32和半導體發(fā)光元件I中的P側供電電極152(參照圖1)，利用未圖示的接合線電連接，η引線部33和半導體發(fā)光元件I中的η側供電電極162 (參照圖1)，利用未圖示的接合線電連接。
[0118]而且，封裝部34，由在可視區(qū)域的波長下光透射率高的透明樹脂構成。作為構成封裝部34的滿足耐熱性、耐氣候性及機械強度高的特性的樹脂，能夠使用例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂。而且，本實施方式中，在構成封裝部34的透明樹脂中含有使從半導體發(fā)光元件I射出的光的一部分變換成綠色光以及紅色光的熒光體。再者，也可以代替這樣的熒光體，含有將藍色光的一部分變換成黃色光的熒光體、或將藍色光的一部分變換成黃色光以及紅色光的熒光體。另外，作為封裝部34，也可以使用不含有熒光體的透明樹脂。
[0119]再者，組裝有本實施方式的發(fā)光裝置30的背光源、便攜式電話機、顯示器、各種面板類、計算機、游戲機、照明等的電子設備、組裝有這些電子設備的汽車等的機械裝置，具備具有優(yōu)異的發(fā)光特性的半導體發(fā)光元件I。尤其是在背光源、便攜式電話機、顯示器、游戲機、照明等的電池驅動的電子設備方面，能夠提供具備具有優(yōu)異的發(fā)光特性的半導體發(fā)光元件I的產品，因此優(yōu)選。另外，具備半導體發(fā)光元件I的發(fā)光裝置30的構成，不限于圖8所示的結構，例如也可以是采用了被稱作炮彈型的封裝(package)構成的結構。
[0120] 下面，對圖8所示的發(fā)光裝置30以及組裝在發(fā)光裝置30中的本實施方式的半導體發(fā)光元件I的發(fā)光動作進行說明。
[0121 ] 在發(fā)光裝置30中，若對半導體發(fā)光元件I流通從P引線部32朝向η引線部33的電流，則在半導體發(fā)光元件I中，從P側供電部150經由ρ型半導體層140、發(fā)光層130以及η型半導體層120 (從η覆蓋層122向η接觸層121)流通朝向η側供電部160的電流。此時，在P側供電部150中，電流從ρ側供電電極152直接或經由ρ側輔助電極153 (ρ側第I輔助電極153a以及ρ側第2輔助電極153b)向7個ρ側連接電極154供給，電流從各ρ側連接電極154經由ρ側透明導電層151向ρ型半導體層140流動。另一方面，在η側供電部160中，電流從η型半導體層120中的η接觸層121向3個η側連接電極164流動，且電流從這其中的兩個η側連接電極164經由η側輔助電極163，以及從剩余的一個η側連接電極164直接地向η側供電電極162流動。與此相伴，發(fā)光層130輸出與其組成相應的光(例如藍色光)。
[0122]而且,從發(fā)光層130輸出的光,被向半導體發(fā)光兀件I的外部輸出，其一部分被封裝部34中所包含的熒光體變換成其他顏色(紅色以及綠色)。其后，包含藍色光、綠色光以及紅色光的光，直接或者由設在筐體31的凹部31a的內壁面反射后從封裝部34的上表面向發(fā)光裝置30的外部輸出。
[0123]接下來，對在圖1等所示的半導體發(fā)光元件I中，從發(fā)光層130輸出的光的動作進行說明。
[0124]在半導體發(fā)光元件I中，主要從發(fā)光層130輸出朝向ρ型半導體層140側的光和朝向η型半導體層120側的光。
[0125]其中，從發(fā)光層130朝向η型半導體層120側的光，例如在η接觸層121 (實際為基底層)和基板110的邊界部，由于兩者的折射率的不同而被反射。另外，進入到基板110內的光，在基板110與P引線部32、η引線部33的邊界部被反射。而且，這些反射的光經由發(fā)光層130朝向ρ型半導體層140側。
[0126]另外，從發(fā)光層130朝向ρ型半導體層140側的光，經由ρ型半導體層140以及ρ側透明導電層151而到達供電絕緣層170。這里，到達成為ρ側供電電極152以及ρ側輔助電極153的下方的部位以外的光，通過由相同材料構成的供電絕緣層170以及保護絕緣層180而向外部射出。與此相對，到達成為ρ側供電電極152以及ρ側輔助電極153的下方的部位的光，被供電絕緣層170反射，并經由ρ側透明導電層151以及ρ型半導體層140而朝向發(fā)光層130側。而且，通過被供電絕緣層170反射而到達發(fā)光層130的光，與從發(fā)光層130朝向η型半導體層120的光一起朝向基板110側行進，然后，在上述那樣的過程中被反射，再次經由發(fā)光層130朝向ρ型半導體層140側行進，經由ρ側透明導電層151、供電絕緣層170以及保護絕緣層180向外部射出。
[0127]這里，本實施方式中，在η側供電部160中，η側供電電極162和η接觸層121經由貫穿發(fā)光層130而設置的多個η側連接電極164被連接并由此導通。此時，將多個η側連接電極164電連接的η側輔助電極163以及η側供電電極162，從發(fā)光層130觀察設在ρ型半導體層140的背面?zhèn)?，因此，在η側輔助電極163的下方以及η側供電電極162的下方的整體范圍內，無需削掉發(fā)光層130。因此，能夠抑制相同面積的半導體發(fā)光元件I中的發(fā)光層130的面積的減少，作為結果，能夠抑制輸出的光量的降低。
[0128]而且，本實施方式中，在P型半導體層140的上方，在P側供電部150中的ρ側供電電極152以及ρ側輔助電極153 (ρ側第I輔助電極153a以及ρ側第2輔助電極153b)的下方(但是，除了 P側連接電極154的形成部位以外)和η側供電部160中的η側供電電極162以及η側輔助電極163的下方(但是，除了 η側連接電極164的形成部位以外)上設置被設定為第I厚度tl的供電絕緣層170，由此，使從發(fā)光層130朝向上述各部分的光被供電絕緣層170反射。由此，從發(fā)光層130輸出的光難以被上述各部分吸收，能夠進一步抑制輸出的光量的減少。尤其是，本實施方式中，作為P側供電部150以及η側供電部160中的密著層(P側第I供電層1501以及η側第I供電層1601)使用呈茶褐色或黑色的TaN，容易吸收從發(fā)光層130輸出的光，因此，這樣的構成的應用很有效。
[0129]而且，本實施方式中，在ρ型半導體層140的上方，在不成為P側供電電極152、ρ側輔助電極153、η側供電電極162以及η側輔助電極163的下方的部位，連續(xù)層疊供電絕緣層170以及保護絕緣層180而成為第3厚度t3，由此，使從發(fā)光層130朝向這些部位的光透過這些供電絕緣層170以及保護絕緣層180。由此，從發(fā)光層130輸出的光容易向外部輸出，能夠進一步抑制輸出的光量的降低。
[0130]此外，本實施方式中，以作為化合物半導體包含III族氮化物半導體的半導體發(fā)光元件I為例進行了說明 ，但不限于此，也可以為包含II1-V族半導體或I1-VI族半導體的元件。
[0131]另外，本實施方式中，供電絕緣層170以及保護絕緣層180使用相同的材料(SiO2(二氧化硅))，但也可以使用分別不同的材料。該情況下，在供電絕緣層170和保護絕緣層180直接重疊的區(qū)域(參照圖7 (b))中，分別從難以發(fā)生全反射的大小中選擇供電絕緣層170的第I厚度tl和保護絕緣層180的第2厚度t2即可。
[0132]附圖標記說明
[0133]I…半導體發(fā)光元件，30...發(fā)光裝置，110...基板，120...η型半導體層，121...η接觸層，122…η覆蓋層，130…發(fā)光層，140-ρ型半導體層，150...ρ側供電部，151...ρ側透明導電層，152...ρ側供電電極，153...ρ側輔助電極，153a…ρ側第I輔助電極，153b…ρ側第2輔助電極，154...ρ側連接電極,160...η側供電部，162...η側供電電極,163...η側輔助電極，164…η側連接電極，170…供電絕緣層，180…保護絕緣層，1501...ρ側第I供電層，1502...P側第2供電層，1503...ρ側第3供電層，1601...η側第I供電層，1602...η側第2供電層，1603…η側第3供電層，tl…第I厚度，t2…第2厚度，t3…第3厚度。
【權利要求】
1.一種半導體發(fā)光元件，其特征在于，具備: 由具有第1導電類型的化合物半導體構成的第I半導體層； 在所述第1半導體層上與該第1半導體層接觸地設置，由化合物半導體構成并且通過通電而發(fā)光的發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上與該發(fā)光層接觸地設置，由具有與所述第I導電類型不同的第2導電類型的化合物半導體構成的第2半導體層； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第2半導體層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，被設定為第1厚度的第1透明絕緣層； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成并且與所述第I半導體層電連接的第I供電電極； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成并且與所述第2半導體層電連接的第2供電電極；和 從所述發(fā)光層觀察設在所述第1透明絕緣層的背面?zhèn)龋蓪τ趶脑摪l(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，被設定為第2厚度的第2透明絕緣層， 將所述第1厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被反射的大小， 將所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被透射的大小。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，還具有: 經由貫穿所述第1透明絕緣層、所述第2半導體層以及所述發(fā)光層的孔而與所述第1半導體層電連接的第1連接電極；和 從該發(fā)光層觀察設在該第1透明絕緣層的背面?zhèn)?，將該?連接電極和所述第I供電電極電連接的第1輔助電極， 所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第1輔助電極的方式設置。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，還具有: 經由貫穿所述第1透明絕緣層的孔而與所述第2半導體層電連接的第2連接電極；和從所述發(fā)光層觀察設在該第1透明絕緣層的背面?zhèn)龋瑢⒃摰?連接電極和所述第2供電電極電連接的第2輔助電極， 所述第2透明絕緣層以覆蓋所述第2輔助電極的方式設置。
4.根據(jù)權利要求1~3的任一項所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，所述第I透明絕緣層以及所述第2透明絕緣層由相同材料構成。
5.根據(jù)權利要求1~4的任一項所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于，所述化合物半導體包括III族氮化物半導體， 所述第1半導體層直接或隔著其他的層層疊在基板之上。
6.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 形成有第I配線以及第2配線的基部；和 針對該基部面朝上連接的半導體發(fā)光元件， 所述半導體發(fā)光元件，具備: 由具有第I導電類型的化合物半導體構成的第I半導體層； 在所述第I半導體層上與該第1半導體層接觸地設置，由化合物半導體構成并且通過通電而發(fā)光的發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上與該發(fā)光層接觸地設置，由具有與所述第I導電類型不同的第2導電類型的化合物半導體構成的第2半導體層； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第2半導體層的背面?zhèn)?，由對于從該發(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，被設定為第I厚度的第I透明絕緣層； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成并且與所述第I半導體層電連接、而且與設在所述基部的所述第I配線電連接的第I供電電極； 從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)?，由金屬構成并且與所述第2半導體層電連接、而且與設在所述基部的所述第2配線電連接的第2供電電極；和 從所述發(fā)光層觀察設在所述第I透明絕緣層的背面?zhèn)龋蓪τ趶脑摪l(fā)光層輸出的波長的光具有透射性的絕緣材料構成，被設定為第2厚度的第2透明絕緣層， 將所述第1厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被反射的大小， 將所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度設定為從所述發(fā)光層輸出的波長的光容易被透射的大小。
【文檔編號】H01L33/36GK103811617SQ201310561694
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月12日 優(yōu)先權日:2012年11月14日
【發(fā)明者】篠原裕直 申請人:豐田合成株式會社