發(fā)光裝置的制造方法和光源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置的制造方法，該發(fā)光裝置包括LED芯片和位于該LED芯片發(fā)光面的波長轉(zhuǎn)換層，波長轉(zhuǎn)換層內(nèi)包括波長轉(zhuǎn)換顆粒和粘結(jié)劑，包括以下步驟：A3、將波長轉(zhuǎn)換顆粒與粘結(jié)劑均勻混合得到波長轉(zhuǎn)換漿料；A4、將波長轉(zhuǎn)換漿料滴在LED芯片的發(fā)光面上；B、利用加速度生成裝置，使LED芯片及其上的波長轉(zhuǎn)換漿料具有加速度a，加速度a至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于LED芯片的發(fā)光面且該分量的方向是從LED芯片指向波長轉(zhuǎn)換漿料；C、固化粘結(jié)劑。利用本發(fā)明的制造方法制造的發(fā)光裝置中，加速度a使得每個波長轉(zhuǎn)換顆粒產(chǎn)生了向指向LED芯片的力，從而使得波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的距離縮短了，進(jìn)而提高了波長轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱效果。
【專利說明】發(fā)光裝置的制造方法和光源
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種發(fā)光裝置的制造方法以及使用該方法的光源。
[0003]
【背景技術(shù)】
[0004]目前在發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，使用激發(fā)光激發(fā)波長轉(zhuǎn)換顆粒(例如熒光粉)已經(jīng)成為普遍應(yīng)用的技術(shù)。然而隨著對發(fā)光功率的要求越來越高，激發(fā)光的功率越來越強(qiáng)，熒光粉的散熱問題已經(jīng)越來越成為制約這種發(fā)光技術(shù)的瓶頸。
[0005]在傳統(tǒng)做法中，將波長轉(zhuǎn)換顆粒(例如熒光粉)與硅膠或環(huán)氧樹脂等透明膠體混合，成型后固化形成波長轉(zhuǎn)換體或波長轉(zhuǎn)換層。這樣，每一顆熒光粉被硅膠或環(huán)氧樹脂等膠體所包裹，熒光粉所發(fā)出的熱量主要被其周圍的膠體吸收，而這些膠體的導(dǎo)熱性能很差，不足以將熒光粉發(fā)出的熱量傳導(dǎo)出去，這樣就形成了熱量在整個結(jié)構(gòu)內(nèi)部的積累。當(dāng)激發(fā)光功率很高時，波長轉(zhuǎn)換體或?qū)又械臏囟确浅８?，這樣不僅造成熒光粉效率的下降，還會造成膠體的快速老化、發(fā)黃，影響整個發(fā)光器件的性能和壽命。
[0006]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置的制造方法，該發(fā)光裝置包括LED芯片和位于該LED芯片發(fā)光面的波長轉(zhuǎn)換層，波長轉(zhuǎn)換層內(nèi)包括波長轉(zhuǎn)換顆粒和粘結(jié)劑，包括以下步驟:
A3、將波長轉(zhuǎn)換顆粒與粘結(jié)劑均勻混合得到波長轉(zhuǎn)換漿料；
A4、將波長轉(zhuǎn)換漿料滴在LED芯片的發(fā)光面上；
B、利用加速度生成裝置，使LED芯片及其上的波長轉(zhuǎn)換漿料具有加速度a，加速度a至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于LED芯片的發(fā)光面且該分量的方向是從LED芯片指向波長轉(zhuǎn)換漿料；
C、固化粘結(jié)劑。
[0008]本發(fā)明還提出一種光源，該光源包括使用上述的方法制造的發(fā)光裝置。
[0009]利用本發(fā)明的制造方法制造的發(fā)光裝置中，加速度a使得每個波長轉(zhuǎn)換顆粒產(chǎn)生了向指向LED芯片的力，從而使得波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的距離縮短了，進(jìn)而提高了波長轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱效果。
[0010]
【具體實(shí)施方式】
[0011]經(jīng)過對現(xiàn)有技術(shù)的深入研究發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，造成波長轉(zhuǎn)換顆粒溫度過高的本質(zhì)原因在于，雖然波長轉(zhuǎn)換顆粒本身的導(dǎo)熱性并不差，有些甚至還比較高，但是波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的空隙比較大，這些空隙主要被不導(dǎo)熱的膠體或空氣填充，因此每一顆波長轉(zhuǎn)換顆粒所產(chǎn)生的熱量無法傳遞到相鄰的其它波長轉(zhuǎn)換顆粒上，更無法傳遞到波長轉(zhuǎn)換層的表面。為了解決這個問題，發(fā)明人嘗試提高波長轉(zhuǎn)換顆粒與膠體的比例，使得其混合物的固含量盡量的大，以減小波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的間距。然而這樣的問題在于，當(dāng)膠體的比例很低時，波長轉(zhuǎn)換顆粒與膠體的混合物就不再具有流動性而成為粘稠的膏狀，而且波長轉(zhuǎn)換顆粒所占的比例越高該混合物的粘度越大，這樣不利于對該混合物進(jìn)行涂覆等操作。當(dāng)這個混合物到達(dá)可以操作的粘度極限時，實(shí)驗(yàn)證明，其波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的間距仍然較大，每一顆波長轉(zhuǎn)換顆粒的散熱效果很不好。
[0012]發(fā)明人還嘗試了其它方法。一種方法是利用水玻璃作為粘結(jié)劑形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層。具體做法是將波長轉(zhuǎn)換顆粒倒入水玻璃溶液使其沉淀，沉淀后再將上層的溶液倒掉，再烘干形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層。理論上波長轉(zhuǎn)換顆粒會由于重力的原因自然相互靠近，然而實(shí)際上，每一顆波長轉(zhuǎn)換顆粒的形態(tài)都不是標(biāo)準(zhǔn)的球形，而是一些不規(guī)則的形狀，這些不規(guī)則的形狀相互交織使得相鄰波長轉(zhuǎn)換顆粒的間距較大。依靠重力的自然堆積并不能使得顆粒間的間距達(dá)到最小。
[0013]另一種方法是利用低熔點(diǎn)玻璃或陶瓷作為波長轉(zhuǎn)換顆粒的承載體，但這種工藝難度很高，發(fā)明人反復(fù)嘗試都難以得到理想的效果。
[0014]經(jīng)過上述的嘗試和經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)，發(fā)明人提出一種全新的發(fā)光裝置的制造方法能夠解決以上問題，該波長轉(zhuǎn)換層包括基底和位于基底表面的波長轉(zhuǎn)換層，波長轉(zhuǎn)換層內(nèi)包括波長轉(zhuǎn)換顆粒(例如但不限于熒光粉)。該制造方法包括以下步驟:
A、在基底上涂覆波長轉(zhuǎn)換顆粒，形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層；
B、利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度a，加速度a至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且該分量的方向從基底指向波長轉(zhuǎn)換顆粒層。
[0015]首先利用步驟A形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層，此時其內(nèi)部的波長轉(zhuǎn)換顆粒為疏松的分布，間距較大。在步驟B中，波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度a，即每一個波長轉(zhuǎn)換顆粒都具有該加速度a，加速度a至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且該分量的方向從基底指向波長轉(zhuǎn)換顆粒層，這使得每一個波長轉(zhuǎn)換顆粒上都產(chǎn)生一個力，該力至少有一個不小于該顆粒重量的1.5倍的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且其方向是從波長轉(zhuǎn)換顆粒層指向基底。因此在加速度a的作用下，波長轉(zhuǎn)換顆粒層中的每一個波長轉(zhuǎn)換顆粒有向基底方向運(yùn)動的趨勢，各波長轉(zhuǎn)換顆粒在這個趨勢的作用下趨向于向基底方向壓縮，顆粒之間的間距變小。
[0016]隨著a的增大，顆粒之間的間距會進(jìn)一步的被壓縮；當(dāng)a增大到一定程度時，顆粒之間形成了緊密的接觸從而相互的支撐，顆粒之間的距離不再發(fā)生變化，達(dá)到最為緊密的狀態(tài)。因此，只要加速度a存在，就會縮短顆粒之間的距離，從而達(dá)到提高散熱能力的作用。在實(shí)際中，a的數(shù)值可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)確定，但只要不小于15m/s2，相對于波長轉(zhuǎn)換顆粒本身的重力加速度g (g約等于lOm/s2)來說比較大，這樣就會有效的縮短顆粒之間的距離。
[0017]容易理解，優(yōu)選的，加速度a本身就垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且其方向是從基底指向波長轉(zhuǎn)換顆粒層，此時在每一個顆粒上產(chǎn)生的作用力最大。例如在實(shí)驗(yàn)中，發(fā)明人嘗試采用100 m/s2和1000 m/s2的a，都明顯的提升了波長轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱性能。
[0018]實(shí)現(xiàn)加速度a的加速度生成裝置有很多種，最典型的就是離心裝置，該裝置使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層圍繞一個軸心旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生向心加速度a。在這個離心裝置中，波長轉(zhuǎn)換顆粒層相對于基底更為靠近軸心，這樣產(chǎn)生的加速度a的方向就會滿足上述的要求，波長轉(zhuǎn)換顆粒相應(yīng)的受到離心力的作用會有向基底運(yùn)動的趨勢。另外，線性運(yùn)動的加速度生成裝置也是現(xiàn)有的設(shè)備。本發(fā)明對于產(chǎn)生加速度a的設(shè)備和原理并不構(gòu)成限制。
[0019]為了實(shí)現(xiàn)步驟A則有多種方法，且都屬于現(xiàn)有的顆粒涂覆技術(shù)，下面分別予以說明。
[0020]例如，可以使用硅膠或環(huán)氧樹脂等有機(jī)粘結(jié)劑。此時步驟A包括以下兩個子步驟: A3、將波長轉(zhuǎn)換顆粒與粘結(jié)劑均勻混合得到波長轉(zhuǎn)換漿料；
A4、將波長轉(zhuǎn)換漿料涂覆在基底上。
[0021]A4步驟中將波長轉(zhuǎn)換漿料涂覆在基底上有多種做法，例如但不限于絲網(wǎng)印刷，或者直接刷在基底上，或者使用噴槍將波長轉(zhuǎn)換漿料噴涂在基底上。在將波長轉(zhuǎn)換漿料涂覆在基底上后，漿料中的波長轉(zhuǎn)換顆粒大多數(shù)是懸浮在漿料中的。如前所述的，為了實(shí)現(xiàn)涂覆工藝，在波長轉(zhuǎn)換漿料中粘結(jié)劑的比例不能太低，這就導(dǎo)致了漿料中的波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的間距較大。接著進(jìn)行步驟B后，波長轉(zhuǎn)換顆粒會克服粘結(jié)劑的浮力而向基底靠攏，顆粒間距被大大壓縮。接下來還需要步驟C，固化粘結(jié)劑。固化粘結(jié)劑的手段根據(jù)粘結(jié)劑的不同而不同，可能是加熱固化，常溫放置固化，紫外固化，也可能是紫外和加熱的混合固化。
[0022]有機(jī)粘結(jié)劑還可能是一種在某種情況下可分解或降解的有機(jī)液體，例如硅油。此時在步驟B后，還包括步驟C，去除粘結(jié)劑。對于硅油來說，可以在高溫下使其氧化變成氣體飄散。值得注意的是，這種有機(jī)粘接劑在步驟C中并不一定要全部分解掉，如果剩余的殘留物對光不吸收也是可以的。因此步驟C中的去除粘接劑指的是將其大部分去除，去除后呈固態(tài)，且剩余物不吸收光。
[0023]除了有機(jī)粘結(jié)劑外，還可以使用無機(jī)粘結(jié)劑，例如水玻璃。由上述的描述可知，此處的“粘結(jié)劑”并不一定都具有粘結(jié)作用，更多的是起到了對波長轉(zhuǎn)換顆粒的載體的作用。
[0024]此處值得一提的是，在使用粘結(jié)劑的情況下，加速度a的另一個好處在于能夠促使波長轉(zhuǎn)換漿料中的氣泡從漿料中釋放出來，達(dá)到脫泡的目的。在實(shí)際操作中，能夠達(dá)到脫泡目的的加速度的數(shù)值可能低于使顆粒間距縮短的加速度的數(shù)值，因此在這種情況下，上述的步驟B中所施加的加速度a可能是一個從小到大的逐漸增大的過程，在這個過程中達(dá)到脫泡的目的，在達(dá)到最大值后維持一段時間以達(dá)到壓縮顆粒間距的作用。當(dāng)然也可能是分為兩段，第一段是施加較小的加速度，此時用于脫泡，然后再施加一個較大的加速度a，用于壓縮顆粒間距。
[0025]為了進(jìn)一步的提高波長轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱性能，在波長轉(zhuǎn)換層中還包括導(dǎo)熱顆粒。導(dǎo)熱顆?？梢允茄趸X、氮化鋁、金剛石等材料，這些材料不吸光且導(dǎo)熱性很好。進(jìn)一步的，波長轉(zhuǎn)換層中還可能包括石墨烯或碳纖維。石墨烯為片狀的導(dǎo)熱材料，它沿著片層的橫向?qū)崧史浅８?，而碳纖維是線狀導(dǎo)熱材料，沿著線的方向其導(dǎo)熱率非常高。石墨烯和碳纖維都是柔性的，容易在波長轉(zhuǎn)換顆?；?qū)犷w粒的作用下發(fā)生形變，這有助于它們將各固定形狀的顆粒連接在一起，減少顆粒之間的界面熱阻?？梢岳斫?，不加入導(dǎo)熱顆粒而直接加入石墨烯或碳纖維這樣的柔性的導(dǎo)熱材料顯然也是可以的。[0026]可以將這些導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料與波長轉(zhuǎn)換顆粒均勻混合后再在基底上進(jìn)行涂覆形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層。這樣原步驟A包括以下兩個子步驟:
Al、將導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料與波長轉(zhuǎn)換顆粒均勻混合形成混合顆粒；
A2、在基底上涂覆混合顆粒，形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層。
[0027]形成波長轉(zhuǎn)換顆粒層后再進(jìn)行步驟B，可以到達(dá)本發(fā)明的有益效果和目的。另外，增加導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料后也可以結(jié)合上面的使用粘結(jié)劑的方法，此時原步驟A包括以下兩個步驟:
A5、將波長轉(zhuǎn)換顆粒、導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料與粘結(jié)劑均勻混合得到波長轉(zhuǎn)換漿料；
A4、將波長轉(zhuǎn)換漿料涂覆在基底上。
[0028]其中步驟A5就是在上述的步驟A3中，將導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料與波長轉(zhuǎn)換顆粒和粘結(jié)劑均勻混合共同構(gòu)成波長轉(zhuǎn)換漿料。
[0029]在實(shí)驗(yàn)中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，至少部分導(dǎo)熱顆粒的粒徑小于波長轉(zhuǎn)換粒徑時波長轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱效果更好。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，這是因?yàn)楦〉膶?dǎo)熱顆粒填充于波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的空隙中，這樣的導(dǎo)熱效果最好。另外，適量的增加與波長轉(zhuǎn)換顆粒粒徑相近的導(dǎo)熱顆粒也可以提高整個波長轉(zhuǎn)換層的熱導(dǎo)率。進(jìn)一步的研究發(fā)現(xiàn)，在步驟B中，球形或橢球形的波長轉(zhuǎn)換顆粒的堆積效果最為致密，其導(dǎo)熱效果也最好，這可以解釋為球形或橢球形顆粒之間容易更為緊密的接觸。
[0030]在實(shí)驗(yàn)中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，若在步驟B后增加步驟D和步驟E，則顆粒之間的間距會更小，散熱效果更好:
D、利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度b，加速度b至少有一個不小于5m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且其方向是從波長轉(zhuǎn)換顆粒層指向基底；或者，利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度d，加速度d至少有一個不小于5m/s2的分量平行于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面；
E、利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度C，加速度c至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且其方向是從基底指向波長轉(zhuǎn)換顆粒層。
[0031]這是因?yàn)?，?jīng)過了步驟B后，波長轉(zhuǎn)換顆粒層中的顆粒已經(jīng)趨于緊湊，但是在有些局部顆粒之間相互的摩擦和位錯導(dǎo)致顆粒之間沒有更加緊密。步驟D使得顆粒有一個近乎于加速度a反向的加速度b，因此每一個顆粒會受到一個使其遠(yuǎn)離基底的力。這個力可以使局部顆粒之間的摩擦和位錯消除?；蛘?，步驟D使得顆粒有一個近乎平行于波長轉(zhuǎn)換顆粒層的力，這個力會使得局部的顆粒之間發(fā)生一定的橫向位錯。然后再經(jīng)過步驟E對波長轉(zhuǎn)換顆粒層施加加速度C，加速度c的作用與加速度a的作用相同，而此時局部顆粒之間的摩擦和位錯已經(jīng)由步驟D去除了，因此經(jīng)過加速度c后顆粒之間的間距就更小。
[0032]在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中提出一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置使用LED芯片作為基底，LED芯片的發(fā)光面作為基底的表面，并利用前述的方法將波長轉(zhuǎn)換層涂覆于LED芯片的發(fā)光面上。這樣做的好處在于:首先，LED芯片本身就是一個良好的導(dǎo)熱體，它可以幫助波長轉(zhuǎn)換層散熱。同時LED芯片本身就能夠發(fā)射激發(fā)光，例如LED芯片發(fā)射藍(lán)光，這可激發(fā)涂覆于LED芯片發(fā)光面上的黃色波長轉(zhuǎn)換層以產(chǎn)生黃光，該黃光與剩余的沒有被吸收的藍(lán)光混合將得到白光。
[0033]目前，LED芯片發(fā)射的光功率約為1W?2W，這樣即使其表面的波長轉(zhuǎn)換顆粒的間距不太小熱量也不會太大。但隨著LED技術(shù)的發(fā)展,在不遠(yuǎn)的將來LED發(fā)射的光功率可能達(dá)到5?10W，此時就必須使用本發(fā)明的方法來在LED表面涂覆波長轉(zhuǎn)換層，這樣才能有效的把其中的波長轉(zhuǎn)換顆粒所產(chǎn)生的大量的熱傳導(dǎo)到LED上并最終被LED芯片的導(dǎo)走。
[0034]值得一提的，若基底采用LED芯片，則需要采用有機(jī)粘結(jié)劑作為載體來承載波長轉(zhuǎn)換顆粒，這樣才能使得波長轉(zhuǎn)換層的折射率與LED芯片的折射率相匹配以提高亮度。這樣就需要前文描述的步驟A3和A4來實(shí)現(xiàn)步驟A。其中，步驟A4可以簡化為:將波長轉(zhuǎn)換漿料滴在基底表面(也就是LED芯片的發(fā)光面)。這是因?yàn)?，LED芯片的發(fā)光面很小，波長轉(zhuǎn)換漿料在其表面會形成一個液滴，這個液滴在步驟B中加速度a的作用下會鋪開而覆蓋整個LED芯片的發(fā)光面，而當(dāng)該液滴鋪開并到達(dá)LED芯片邊緣后會由于張力的作用停留在LED芯片的邊緣而不會流下LED芯片。而即使部分波長轉(zhuǎn)換漿料流下了 LED芯片，由于漿料中的波長轉(zhuǎn)換顆粒在加速度a的作用下快速的沉積在LED芯片的發(fā)光面上，因此流到LED芯片外部的波長轉(zhuǎn)換顆粒也不多。通過控制波長轉(zhuǎn)換漿料的粘度、加速度a的大小等工藝參數(shù)，可以控制波長轉(zhuǎn)換漿料均勻的覆蓋在整個LED芯片的發(fā)光面上，這樣可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光的高均勻性。
[0035]因此，由于波長轉(zhuǎn)換漿料在LED芯片發(fā)光面上在步驟B中能夠自己鋪開而覆蓋整個LED芯片發(fā)光面，這樣就不需要將波長轉(zhuǎn)換漿料涂在LED芯片發(fā)光面上以形成均勻的一層，而只需要將適量的漿料滴在LED芯片發(fā)光面表面即可，這當(dāng)然大大簡化了工藝。
[0036]可以理解，在前面實(shí)施例中提到的技術(shù)手段和技術(shù)特征，同樣可以應(yīng)用于以LED芯片作為基底的情況，例如添加導(dǎo)熱顆粒或柔性導(dǎo)熱材料，例如使用步驟D和步驟E來進(jìn)一步的提高波長轉(zhuǎn)換顆粒的致密度，再例如使用球形或橢球形的波長轉(zhuǎn)換顆粒。
[0037]本發(fā)明還提出一種光源，該光源包括使用上述的方法制造的基于LED芯片的發(fā)光
>J-U裝直。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置的制造方法，該發(fā)光裝置包括LED芯片和位于該LED芯片發(fā)光面的波長轉(zhuǎn)換層，波長轉(zhuǎn)換層內(nèi)包括波長轉(zhuǎn)換顆粒和粘結(jié)劑，其特征在于，包括以下步驟: A3、將波長轉(zhuǎn)換顆粒與粘結(jié)劑均勻混合得到波長轉(zhuǎn)換漿料； A4、將波長轉(zhuǎn)換漿料滴在LED芯片的發(fā)光面上； B、利用加速度生成裝置，使LED芯片及其上的波長轉(zhuǎn)換漿料具有加速度a，加速度a至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于LED芯片的發(fā)光面且該分量的方向是從LED芯片指向波長轉(zhuǎn)換漿料； C、固化粘結(jié)劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述加速度a垂直于LED芯片的發(fā)光面且其方向是從LED芯片指向波長轉(zhuǎn)換漿料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，波長轉(zhuǎn)換層中還包括導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料，步驟A3中還將導(dǎo)熱顆粒和/或柔性導(dǎo)熱材料、波長轉(zhuǎn)換顆粒和粘結(jié)劑均勻混合共同構(gòu)成波長轉(zhuǎn)換漿料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱顆粒粒徑小于波長轉(zhuǎn)換顆粒粒徑，且至少部分導(dǎo)熱顆粒填充于波長轉(zhuǎn)換顆粒之間的空隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，在步驟B后和步驟C前還包括步驟D和步驟E: D、利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度b，加速度b至少有一個不小于5m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且該分量方向是從波長轉(zhuǎn)換顆粒層指向基底；或者，利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度d，加速度d至少有一個不小于5m/s2的分量平行于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面； E、利用加速度生成裝置，使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層具有加速度C，加速度c至少有一個不小于15m/s2的分量垂直于波長轉(zhuǎn)換顆粒層平面且該分量方向是從基底指向波長轉(zhuǎn)換顆粒層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，波長轉(zhuǎn)換顆粒為球形或橢球形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述加速度生成裝置使基底及其上的波長轉(zhuǎn)換顆粒層圍繞一個軸心旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生向心加速度a，波長轉(zhuǎn)換顆粒層相對于基底更靠近所述軸心。
8.一種光源，其特征在于，該光源包括使用根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法制造的發(fā)光裝置。
【文檔編號】H01L33/50GK103682042SQ201310486958
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月17日
【發(fā)明者】吳震 申請人:吳震