可變電阻存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】提供了一種可變電阻存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法。所述可變電阻存儲(chǔ)器件包括：基底層；柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在基底層上，并且與基底層的表面大體垂直地延伸。電流傳輸層被形成為包圍柱狀柵電極?？勺冸娮鑼有纬稍陔娏鱾鬏攲拥耐獠俊Ｗ钃鯇踊谑┘又林鶢顤烹姌O的電壓來阻斷流經(jīng)電流傳輸層的電流路徑，并將流經(jīng)電流傳輸層的電流轉(zhuǎn)向可變電阻層。
【專利說明】可變電阻存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2013年3月15日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0027872的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，更具體而言，涉及一種利用結(jié)晶體管作為開關(guān)器件的可變電阻存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法。

【背景技術(shù)】
[0004]存儲(chǔ)器件一般被提供為計(jì)算機(jī)或其它的電子裝置的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存儲(chǔ)器件被分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。
[0005]可變電阻存儲(chǔ)器件的實(shí)例包括:相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(PCRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(ReRAM)、或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(MRAM)。PCRAM具有諸如高可靠性、低功耗以及如同動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的高存儲(chǔ)密度的特性。
[0006]包括可變電阻存儲(chǔ)器件的非易失性存儲(chǔ)器件可以用于諸如MP3播放器的便攜式音樂播放器、電影播放器、便攜式電話、數(shù)碼照相機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、便攜式存儲(chǔ)棒、或者個(gè)人計(jì)算機(jī)中。
[0007]可變電阻存儲(chǔ)器件可以包括以矩陣形式布置的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以包括與字線連接的開關(guān)器件和與位線連接的電阻器件。
[0008]開關(guān)器件可以當(dāng)相應(yīng)的字線被激活時(shí)而被訪問。選中的存儲(chǔ)器單元可以基于傳送至電阻器件的電流來編程。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)可變電阻存儲(chǔ)器件的高集成密度和多級(jí)單元，開關(guān)器件被形成為三維(3D)結(jié)構(gòu)，并且電阻器件被形成為層疊結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件可以包括:基底層；柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在基底層上，并且與基底層的表面大體垂直地延伸；電流傳輸層，所述電流傳輸層被形成為包圍柱狀柵電極；可變電阻層，所述可變電阻層被形成在電流傳輸層的外部；以及阻擋層，所述阻擋層被配置成基于施加至柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)電流傳輸層的電流路徑，并且將流經(jīng)電流傳輸層的電流轉(zhuǎn)向可變電阻層。
[0011]一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件可以包括:基底層；柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在基底層上，并且與基底層的表面大體垂直地延伸；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線與多個(gè)絕緣層交替地層疊在柱狀柵電極的周圍；多個(gè)可變電阻層，所述多個(gè)可變電阻層形成在多個(gè)位線的外部；以及多個(gè)阻擋層，所述多個(gè)阻擋層被配置成基于施加至柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)多個(gè)位線的電流路徑，并且將流經(jīng)多個(gè)位線的電流轉(zhuǎn)向多個(gè)可變電阻層。
[0012]一種驅(qū)動(dòng)示例性可變電阻半導(dǎo)體器件的方法可以包括以下步驟:在基底襯底上形成柱狀柵電極；形成位線以包圍柱狀柵電極；在位線的外部形成可變電阻層；以及基于施加至柱狀柵電極的電壓，將流經(jīng)位線的電流路徑改變成流經(jīng)可變電阻層的電流路徑。
[0013]在以下標(biāo)題為“【具體實(shí)施方式】”的部分描述這些和其它的特點(diǎn)、方面以及實(shí)施。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更加清楚地理解本公開的主題的以上和其它的方面、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0015]圖1是說明一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的電路圖；
[0016]圖2是說明一種示例性3D可變電阻存儲(chǔ)器件的電路圖；
[0017]圖3A和圖3B是說明一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的平面圖；
[0018]圖4A至圖7B是一種制造示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的截面圖；
[0019]圖8和圖9是說明一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的示圖；以及
[0020]圖10和圖11是說明一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的示圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施。
[0022]本文參照截面圖描述示例性實(shí)施，截面圖是示例性實(shí)施(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。照此，可以預(yù)料到圖示的形狀變化是緣于例如制造技術(shù)和/或公差。因而，示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于本文所說明的區(qū)域的特定形狀、而是可以包括例如來自于制造的形狀差異。在本公開中，附圖標(biāo)記直接對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中的相同編號(hào)的部分。在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)容易理解的是:本公開中的“在…上”和“在…之上”的含義應(yīng)當(dāng)采用最廣義的方式來解釋，使得“在…上”不僅意為“直接在某物上”、還意為在具有中間特征或中間層的情況下的“在某物上”，并且“在…之上”不僅意為在直接在頂部上、還意為在具有中間特征或中間層的情況下在某物的頂部上。
[0023]參見圖1，可變電阻存儲(chǔ)器件10包括:多個(gè)字線WLl至WL4、位線BL、結(jié)晶體管20、以及可變電阻器30。多個(gè)字線WLl至WL4和位線BL被布置成彼此交叉。結(jié)晶體管20是開關(guān)器件，并且結(jié)晶體管20與多個(gè)字線WLl至WL4和位線BL的每個(gè)交叉處連接?？勺冸娮杵?0可以與結(jié)晶體管20并聯(lián)連接。即，可變電阻器30可以連接在結(jié)晶體管20的源極和漏極之間。如所周知，結(jié)晶體管20經(jīng)由從柵電極施加至PN結(jié)的反相偏置電壓，通過擴(kuò)展耗盡層來執(zhí)行開關(guān)操作，所述耗盡層由形成在通過載流子的溝道區(qū)附近的PN結(jié)產(chǎn)生。
[0024]多個(gè)位線BL可以被提供在分割為單位單元區(qū)的空間中，并且多個(gè)位線可以采用如圖2中所示層疊的方式來布置。
[0025]如圖3A和圖3B中所示，在包括結(jié)晶體管的示例性可變電阻存儲(chǔ)器件中，位線110被形成為包圍柵電極120?？勺冸娮鑼?30可以形成在位線110的邊緣。
[0026]柵電極120可以具有在與基底層(未示出)的表面大體垂直的方向延伸的柱狀結(jié)構(gòu)。柵電極120可以包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，例如P摻雜的半導(dǎo)體層。位線110可以形成在柵電極120的側(cè)面上，并且可以包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，例如，N摻雜的半導(dǎo)體層，以形成具有柵電極120的PN結(jié)。在示例性實(shí)施中，柵電極120可以由P型多晶硅層形成，并且位線110可以由N型多晶硅層形成。
[0027]耗盡層125可以形成在柵電極120和位線110之間的界面處。耗盡層125的尺寸(面積)可以根據(jù)柵電極120的施加電壓來改變。如所周知，耗盡層125可以干擾電流，并且當(dāng)將反相的偏置電壓施加至柵電極120時(shí)耗盡層的面積可以擴(kuò)展。這里，字線WL1、WL2、WL3以及WL4可以與柵電極120連接，并且可以與位線大體垂直。另外，出于清晰起見，在圖3B中省略了字線WL1、WL2、WL3以及WL4的說明。
[0028]S卩，如圖3B中所示，反相的偏置電壓(-V)被施加到選中的柵電極120，并且其它的柵電極120被浮置。預(yù)定的電流例如寫入電流I經(jīng)由位線110來施加。
[0029]基于將反相偏置電壓施加至選中的柵電極120，在選中的柵電極120周圍的耗盡層125的面積擴(kuò)展。因此，流經(jīng)位線110的寫入電流I被耗盡層120阻擋，而旁路至被形成為與位線110接觸的可變電阻層130。S卩，寫入電流I的路徑P改變。
[0030]由于寫入電流I被施加至與選中的柵電極120相對(duì)應(yīng)的可變電阻層130，所以可變電阻層130的電阻通過寫入電流I來改變。因而，將“O”或“I”數(shù)據(jù)寫入可變電阻層130中。
[0031]將參照?qǐng)D4A至圖7B來詳細(xì)地描述一種示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的制造方法。這里，圖4A、5A、6A以及7A是沿著與示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的字線平行的方向截取的截面圖，并且圖4B、5B、6B以及7B是沿著與示例性可變電阻存儲(chǔ)器件的位線平行的方向截取的截面圖。
[0032]首先，多個(gè)位線層110a、110b、110c以及IlOd與插入在多個(gè)位線層110之間的絕緣層115被順序?qū)盈B在基底層100上。換言之，多個(gè)位線層110a、110b、110c、以及IlOd和絕緣層115被交替地層疊在基底層100上。這里，基底層100可以是形成在半導(dǎo)體襯底(未示出)上的絕緣層。
[0033]參見圖5A和圖5B，將多個(gè)位線110a、110b、110c、以及IlOd和絕緣層115的預(yù)定的部分圖案化，以形成用于柵電極(未示出)的通孔。隨后，例如，可以在通孔中形成P型多晶硅層以形成柵電極120。P型多晶硅層可以通過已知的沉積工藝和已知的平坦化工藝來形成。
[0034]參見圖6A和圖6B，為了限定單位存儲(chǔ)器單元區(qū)域，將多個(gè)位線110a、110b、110c、以及IlOd (在下文中，被稱作為多個(gè)位線)和絕緣層115的預(yù)定部分圖案化，以形成第一孔Hl0當(dāng)從與字線平行的方向觀察時(shí)，第一孔Hl可以處于柵電極120的兩側(cè)上(見圖6A)。接著，將經(jīng)由第一孔Hl暴露出的多個(gè)位線110a、110b、I1c以及I1d凹陷預(yù)定的厚度以形成第二孔H2。可以利用已知的刻蝕工藝來執(zhí)行凹陷工藝。
[0035]參見圖7A和圖7B，將可變電阻層130選擇性地掩埋在第二孔H2中?？勺冸娮鑼?30可以由例如如下形成:PCM0 (Prl-xCaxMn03)層(用于ReRAM的材料)、硫族化物層(用于PCRAM的材料)、磁性層(用于MRAM的材料)、反磁化器件層(用于自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM(STTMRAM)的材料)，或者聚合物層(用于聚合物RAM (PoRAM)的材料)。接著，在第一孔Hl中形成層間絕緣層135以實(shí)現(xiàn)分成單位單元的單元?jiǎng)澐?。接著，將字線140形成為與柵電極120電連接。
[0036]在示例性實(shí)施中，在形成具有柱狀結(jié)構(gòu)的柵電極120之后，將位線110a、110b、IlOc以及IlOd形成為包圍柵電極120。此時(shí)，可以在柵電極120和位線110a、110b、IlOc以及IlOd之間形成耗盡層125。通過將充足的反相偏置電壓施加至柵電極120，耗盡層125被夾斷。因此，寫入電流I或讀取電流的路徑P被旁路至可變電阻層130，并且執(zhí)行存儲(chǔ)操作。
[0037]如圖8和圖9中所示，柵電極1200可以由金屬柱體形成，并且硅化層1210可以形成在金屬柵電極1200和每個(gè)位線110a、110b、I1c以及IlOd之間的結(jié)界面處，以在硅化層1210和每個(gè)位線110a、110b、IlOc以及IlOd之間產(chǎn)生耗盡層。
[0038]通過在圖5A和圖5B的工藝中通孔中的難熔金屬層(而不是P型多晶硅層)，并且通過將由難熔金屬層形成的柵電極1200與作為位線110a、110b、I1c以及IlOd的材料的N型多晶硅層反應(yīng)(例如，熱處理)來形成具有預(yù)定厚度的硅化層1210，可以獲得上述結(jié)構(gòu)。
[0039]另外，在示例性實(shí)施中，如圖10和圖11中所示，柵電極1200可以由導(dǎo)電材料，例如金屬柱體來形成。可以將P型雜質(zhì)層1240插入在柵電極1200和包括N型多晶娃層的每個(gè)位線110a、110b、I1c以及IlOd之間。這里，P型雜質(zhì)層1240可以是形成在每個(gè)位線110a、110b、110c以及IlOd中的雜質(zhì)層。
[0040]上述結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)1250，所述溝道區(qū)1250經(jīng)由將比閾值電壓更大的偏置電壓施加到柵電極1200，通過擴(kuò)展P型雜質(zhì)層1240，來與可變電阻層130接觸。
[0041]溝道區(qū)1250通過阻斷路徑來將流經(jīng)位線110的電流路徑旁路至可變電阻層130。
[0042]因此，可以實(shí)現(xiàn)可變電阻層130的存儲(chǔ)操作。
[0043]柵絕緣層1230可以被插入在柵電極1200和P型雜質(zhì)層1240之間。在形成柵電極1200之前，P型雜質(zhì)層1240可以通過例如傾斜離子注入工藝而形成在經(jīng)由通孔的側(cè)壁暴露出的位線110a、110b、110c以及IlOd中。
[0044]如上所述，存儲(chǔ)操作也可以經(jīng)由溝道區(qū)的擴(kuò)展通過將電流路徑設(shè)置旁路來實(shí)現(xiàn)。
[0045]以上示例性實(shí)施是說明性的，而不是限制性的。各種替換和等同形式是可以的。本發(fā)明不限于本文描述的示例性實(shí)施。本發(fā)明也不限于任何特定類型的半導(dǎo)體器件?？紤]到本公開的內(nèi)容，其他增加、刪減或修改是明顯的，并且意在落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
[0046]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0047]技術(shù)方案1.一種可變電阻存儲(chǔ)器件，包括:
[0048]基底層；
[0049]柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在所述基底層上，并且與所述基底層的表面大體垂直地延伸；
[0050]電流傳輸層，所述電流傳輸層被形成為包圍所述柱狀柵電極；
[0051]可變電阻層，所述可變電阻層形成在所述電流傳輸層的外部；以及阻擋層，所述阻擋層被配置成:
[0052]基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)所述電流傳輸層的電流路徑，以及
[0053]將流經(jīng)所述電流傳輸層的電流轉(zhuǎn)向所述可變電阻層。
[0054]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成，并且所述電流傳輸層由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成。
[0055]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案2所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)反相的偏置電壓被施加至所述柱狀柵電極時(shí)，所述阻擋層是在所述電流傳輸層中產(chǎn)生的耗盡層。
[0056]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由難熔金屬層形成，并且所述電流傳輸層由具有導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
[0057]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案4所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0058]硅化層，所述硅化層插入在所述柱狀柵電極和所述電流傳輸層之間。
[0059]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由導(dǎo)電材料形成，并且所述電流傳輸層由預(yù)定導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
[0060]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案6所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0061]結(jié)層，所述結(jié)層插入在所述柱狀柵電極和所述電流傳輸層之間；以及
[0062]柵絕緣層，所述柵絕緣層插入在所述柱狀柵電極和所述結(jié)層之間。
[0063]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述結(jié)層被形成為具有與所述電流傳輸層的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型，以及
[0064]所述結(jié)區(qū)基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來形成用作所述阻擋層的溝道。
[0065]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述基底層包括絕緣材料。
[0066]技術(shù)方案10.—種可變電阻存儲(chǔ)器件,包括:
[0067]基底層；
[0068]柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在所述基底層上，并且與所述基底層的表面大體垂直地延伸；
[0069]多個(gè)位線，所述多個(gè)位線與多個(gè)絕緣層交替地層疊在所述柱狀柵電極周圍；
[0070]多個(gè)可變電阻層，所述多個(gè)可變電阻層形成在所述多個(gè)位線的外部；以及
[0071]多個(gè)阻擋層，所述多個(gè)阻擋層被配置成:
[0072]基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)所述多個(gè)位線的電流路徑，以及將流經(jīng)所述多個(gè)位線的電流轉(zhuǎn)向所述多個(gè)可變電阻層。
[0073]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案10所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成，并且所述多個(gè)位線由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成。
[0074]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)反相的偏置電壓被施加至所述柱狀柵電極時(shí)，所述多個(gè)阻擋層是形成在所述多個(gè)位線中的耗盡層。
[0075]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案10所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由難熔金屬層形成，并且所述多個(gè)位線由具有導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
[0076]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案13所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0077]多個(gè)硅化物層，所述多個(gè)硅化物層插入在所述柱狀柵電極和所述多個(gè)位線之間。
[0078]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案10所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由導(dǎo)電材料形成，并且所述多個(gè)位線由預(yù)定導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
[0079]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案15所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0080]多個(gè)結(jié)層，所述多個(gè)結(jié)層插入在所述柱狀柵電極和所述多個(gè)位線之間；以及[0081 ] 柵絕緣層，所述柵絕緣層插入在所述柱狀柵電極和每個(gè)所述結(jié)層之間。
[0082]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)結(jié)層被形成為具有與所述多個(gè)位線的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型，以及
[0083]所述多個(gè)結(jié)層基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來形成用作阻擋層的溝道。
[0084]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案10所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述基底層包括絕緣材料。
[0085]技術(shù)方案19.一種驅(qū)動(dòng)可變電阻存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括以下步驟:
[0086]在基底襯底上形成柱狀柵電極；
[0087]形成位線以包圍所述柱狀柵電極；
[0088]在所述位線的外部形成可變電阻層；以及
[0089]基于施加到所述柱狀柵電極的電壓，將流經(jīng)所述位線的電流路徑改變成流經(jīng)所述可變電阻層。
[0090]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的方法，還包括以下步驟:
[0091]基于施加至所述柱狀柵電極的電壓，在所述柱狀柵電極周圍形成電流阻擋層；
[0092]利用所述電流阻擋層來阻擋流經(jīng)所述位線的電流，以及
[0093]利用所述阻擋層將流經(jīng)所述位線的電流轉(zhuǎn)向所述可變電阻層。
【權(quán)利要求】
1.一種可變電阻存儲(chǔ)器件，包括: 基底層； 柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在所述基底層上，并且與所述基底層的表面大體垂直地延伸； 電流傳輸層，所述電流傳輸層被形成為包圍所述柱狀柵電極； 可變電阻層，所述可變電阻層形成在所述電流傳輸層的外部；以及 阻擋層，所述阻擋層被配置成: 基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)所述電流傳輸層的電流路徑，以及 將流經(jīng)所述電流傳輸層的電流轉(zhuǎn)向所述可變電阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成，并且所述電流傳輸層由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成。
3.如權(quán)利要求2所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)反相的偏置電壓被施加至所述柱狀柵電極時(shí)，所述阻擋層是在所述電流傳輸層中產(chǎn)生的耗盡層。
4.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由難熔金屬層形成，并且所述電流傳輸層由具有導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
5.如權(quán)利要求4所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括: 硅化層，所述硅化層插入在所述柱狀柵電極和所述電流傳輸層之間。
6.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述柱狀柵電極由導(dǎo)電材料形成，并且所述電流傳輸層由預(yù)定導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層形成。
7.如權(quán)利要求6所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括: 結(jié)層，所述結(jié)層插入在所述柱狀柵電極和所述電流傳輸層之間；以及 柵絕緣層，所述柵絕緣層插入在所述柱狀柵電極和所述結(jié)層之間。
8.如權(quán)利要求7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述結(jié)層被形成為具有與所述電流傳輸層的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型，以及 所述結(jié)區(qū)基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來形成用作所述阻擋層的溝道。
9.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，所述基底層包括絕緣材料。
10.一種可變電阻存儲(chǔ)器件，包括: 基底層； 柱狀柵電極，所述柱狀柵電極形成在所述基底層上，并且與所述基底層的表面大體垂直地延伸； 多個(gè)位線，所述多個(gè)位線與多個(gè)絕緣層交替地層疊在所述柱狀柵電極周圍； 多個(gè)可變電阻層，所述多個(gè)可變電阻層形成在所述多個(gè)位線的外部；以及 多個(gè)阻擋層，所述多個(gè)阻擋層被配置成: 基于施加至所述柱狀柵電極的電壓來阻斷流經(jīng)所述多個(gè)位線的電流路徑，以及將流經(jīng)所述多個(gè)位線的電流轉(zhuǎn)向所述多個(gè)可變電阻層。
【文檔編號(hào)】H01L27/108GK104051465SQ201310473523
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】樸南均 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司