有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層、陰極及封裝蓋，封裝蓋將發(fā)光層及陰極封裝于陽極上，封裝蓋包括形成于陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于第一氮氧化硅層表面的第一無機阻擋層、形成于第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于第二氮氧化硅層表面的第二無機阻擋層；第一無機阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金屬合金，第二無機層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金；碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種。上述有機電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（OLED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層 低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003] 有機電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的 材料發(fā)生老化進而失效，從而所述有機電致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種壽命較長的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]-種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于：所述 有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所 述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的 第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮 氧化硅層表面的第二無機阻擋層；所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金 屬合金，所述第二無機層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金；所述碲化物選自三 締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫及締化鉛中的至少一種，所述氮化物選自四氮 化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁銀合 金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化物選 自偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。
[0006] 在其中一個實施例中，所述第一氮氧化娃層的厚度為150nm?200nm;所述第一無 機阻擋層的厚度為IOOnm?200nm;所述第二氮氧化娃層的厚度為150nm?200nm;所述第 二無機阻擋層的厚度為IOOnm?200nm。
[0007] 在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為 10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為所述碲化物。
[0008] 在其中一個實施例中，所述第二無機阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為 10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為所述金屬氧化物。
[0009] 在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及 陰極均收容于所述收容腔。
[0010] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0011] 在陽極表面制備發(fā)光層；
[0012] 在所述發(fā)光層表面制備陰極；及
[0013] 在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極 上，所述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層 表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述 第二氮氧化硅層表面的第二無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物、氮化 物及金屬合金，所述第二無機層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金，所述碲化物選 自三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫及締化鉛中的至少一種，所述氮化物選自 四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁 銀合金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化 物選自偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。
[0014] 在其中一個實施例中，所述第一氮氧化娃層的厚度為150nm?200nm;所述第一無 機阻擋層的厚度為IOOnm?200nm;所述第二氮氧化娃層的厚度為150nm?200nm;所述第 二無機阻擋層的厚度為IOOnm?200nm。
[0015] 在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為 10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為所述碲化物。
[0016] 在其中一個實施例中，所述第二無機阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為 10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為所述金屬氧化物。
[0017] 在其中一個實施例中，所述第一氮氧化硅層及所述第二氮氧化硅層均采用等離子 體增強化學(xué)氣相沉積法制備，原料氣體為六甲基二硅胺、氨氣及氧氣，載氣為氬氣，其中所 述六甲基二硅胺、氨氣及氧氣的流量比為（6?14): (2?18): (2?18)，溫度為40?60°C， 氣壓為30?60Pa，功率為0· 1?0· 5W/cm2。
[0018] 上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，封裝蓋包括依次層疊的第一氮氧化硅層、 第一無機阻擋層、第二氮氧化硅層、第二無機阻擋層，四層配合可以有效的阻擋水氧等物質(zhì) 對有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層及陰極的腐蝕，提高防水氧能力，從而有機電致發(fā)光器件的 壽命較長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 圖1為一實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖2為一實施例的有機電致發(fā)光的制備方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0021] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0022] 請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案 的陽極10、功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0023] 陽極10為導(dǎo)電玻璃或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜基板。陽極10 上具有制備有陽極圖形的ITO層。本實施方式中，ITO層的厚度為100nm。當(dāng)然ITO層的厚 度不限于為lOOnm，也可根據(jù)需要選擇其他厚度。
[0024] 功能層20形成于陽極10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸 層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層?？梢岳斫?，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電 子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發(fā)光層。
[0025] 本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N'-二（1-萘基）_N，N'-二苯 基-1，Γ-聯(lián)苯-4-4'-二胺（NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰（M0O3)t5MoO3的質(zhì)量百分 含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。
[0026]空穴傳輸層的材料為4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)?？昭▊鬏攲?的厚度為30nm。
[0027] 發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為 1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥 (Ir(Ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0028] 電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)。電子傳輸層的厚度為 10nm。
[0029] 電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫（CsN3)。CsN3的質(zhì)量百 分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0030] 需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以 根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的厚度 也可以根據(jù)需要進行調(diào)整。
[0031] 陰極30形成于功能層20表面。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁（Al)。
[0032] 封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及 陰極30,且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。 封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層 20及陰極30收容于收容腔。
[0033] 封裝蓋40包括依次層疊的第一氮氧化硅層41、第一無機阻擋層42、第二氮氧化硅 層43及第二無機阻擋層44。
[0034] 第一氮氧化硅層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以 及陽極10的部分表面，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。第一氮氧化硅層41 的材料為SiOxNy，能起到阻隔水氧的作用。第一氮氧化硅層41的厚度為150nm?200nm。
[0035] 第一無機阻擋層42形成于第一氮氧化硅層41的表面。第一無機阻擋層42的材 料包括碲化物、氮化物及金屬合金。碲化物選自三碲化銻（Sb2Te3 )、碲化鉍（Bi2Te)、碲化鎘 (CdTe)、三碲化二銦（In2Te3)、碲化錫（SnTe)及碲化鉛（PbTe)中的至少一種。氮化物選自四 氮化三硅（Si3N4)、氮化鋁（A1N)、氮化硼（BN)、氮化鉿（HfN)、氮化鉭（TaN)及氮化鈦（TiN) 中的至少一種。金屬合金選自鋁銀合金（AlAg)、鈷鐵合金（CoFe)、鋁鉻合金（AlCr)、金鍺合 金（AuGe)、鎳鈦合金（NiTi)及金鋅合金（AuZn)中的至少一種。第一無機阻擋層42的厚度 為IOOnm?200nm。
[0036] 進一步的，第一無機阻擋層中，氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，金屬合金的 質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為碲化物。
[0037] 第二氮氧化硅層43形成于第一無機阻擋層42的表面。第二氮氧化硅層43的材 料為SiOxNy，能起到阻隔水氧的作用。第二氮氧化硅層43的厚度為150nm?200nm。
[0038] 第二無機阻擋層44形成于第二氮氧化硅層43的表面。第二無機阻擋層44的 材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金。金屬氧化物選自偏鋁酸鎂（MgAl2O4X鈦酸鉍 (Bi2Ti40n)、鉻酸鎳（CrNi04)、鉻酸鈷（CoCr204)、镥酸鐵（Fe2LuO4)及鋁酸釔（Y3Al5O12)中的 至少一種。氮化物選自四氮化三硅（Si3N4)、氮化鋁（AlN)、氮化硼（BN)、氮化鉿（HfN)、氮化 鉭（TaN)及氮化鈦（TiN)中的至少一種。金屬合金選自錯銀合金（AlAg)、鈷鐵合金（CoFe)、 鋁鉻合金（AlCr)、金鍺合金（AuGe)、鎳鈦合金（NiTi)及金鋅合金（AuZn)中的至少一種。第 二無機阻擋層44的厚度為IOOnm?200nm。
[0039] 進一步的，第二無機阻擋層44中氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，金屬合金的 質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余為金屬氧化物。
[0040] 上述有機電致發(fā)光器件100中，封裝蓋40包括依次層疊的第一氮氧化硅層41、第 一無機阻擋層42、第二氮氧化硅層43及第二無機阻擋層44,四層配合可以有效的阻擋水氧 的腐蝕，封裝蓋40把功能層20及陰極30封裝在陽極10上，可有效的提高防水氧能力，從 而有機電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0041] 可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時直接在陽極10上設(shè)置收容腔即可。
[0042] 請同時參閱圖2, 一實施方式的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步 驟：
[0043] 步驟S110、在陽極10上形成功能層20。
[0044] 功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層。
[0045] 陽極10可以為導(dǎo)電玻璃基底或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜基板。 陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。本實施方式中，ITO層的厚度為100nm。當(dāng)然ITO 層的厚度不限于為lOOnm，也可根據(jù)需要選擇其他厚度。
[0046] 陽極10表面在形成功能層20之前先進行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并 進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10 依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0047] 本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N'-二（1-萘基）_N，N'-二苯 基-1,1'-聯(lián)苯-4-4'-二胺（NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰（M0O3)tjMoO3的質(zhì)量百分含 量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3Xl(T5Pa， 蒸發(fā)速度為0.1.A/S。
[0048]空穴傳輸層的材料為4, 4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴傳輸層 的厚度為30nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3XKT5Pa,蒸發(fā)速度為0.1人/s。
[0049] 發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為 1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥(Ir(Ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍 形成，真空度為3 X KT5Pa,蒸發(fā)速度為0.2人/S,..
[0050] 電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)。電子傳輸層的厚度為 10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10邛&，蒸發(fā)速度為〇.1人/8。
[0051] 電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫（CsN3),CsN3的質(zhì) 量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為 3XKT5Pa,蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0052] 需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以 根據(jù)需要采用其他材料。空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時 功能層20僅包括發(fā)光層。
[0053] 步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0054] 陰極30的材料為鋁（A1)。陰極30的厚度為100nm。陰極30由真空蒸鍍形成，真 空度為5XKT5Pa,蒸發(fā)速度為5人/S。
[0055] 步驟S130、在陰極30表面制備封裝蓋40。
[0056] 封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及 陰極30,且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。 封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層 20及陰極30收容于收容腔。
[0057] 封裝蓋40包括依次層疊的第一氮氧化硅層41、第一無機阻擋層42、第二氮氧化硅 層43及第二無機阻擋層44。
[0058] 第一氮氧化硅層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以 及陽極10的部分表面，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。
[0059] 第一氮氧化硅層41的材料為SiOxNy，能起到阻隔水氧的作用。第一氮氧化硅層41 的厚度為150nm?200nm。
[0060] 本實施方式中，第一氮氧化硅層41采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD)制 備。原料氣體為六甲基二娃胺（HMDS)、氨氣（NH3)及氧氣，載氣為氦氣（Ar)。六甲基二娃 胺、氨氣及氧氣的流量比為（6?14): (2?18): (2?18)。六甲基二硅胺與載氣的流量比 為（6?14) :(70?80)。溫度為40?60°C，氣壓為30?60Pa，功率為0· 1?0· 5W/cm2。 具體在本實施方式中，HMDS的流量為6?14sccm，Ar的流量70?80sccm，NH3的流量2? 18sccm，O2 的流量 2 ?18sccm。
[0061]HMDS的結(jié)構(gòu)式為：
[0062]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于：所述有 機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述 封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的第 一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮氧 化硅層表面的第二無機阻擋層；所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金屬 合金，所述第二無機層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金；所述碲化物選自三碲化 銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述氮化物選自四氮化三 硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁銀合金、 鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化物選自 偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一氮氧化硅層的厚 度為150nm?200nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為lOOnm?200nm ;所述第二氮氧化娃層 的厚度為150nm?200nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為lOOnm?200nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層中所 述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余 為所述締化物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無機阻擋層中所 述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%?30%，其余 為所述金屬氧化物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽極配 合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在陽極表面制備發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面制備陰極；及 在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所 述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的 第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮 氧化硅層表面的第二無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金 屬合金，所述第二無機層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金，所述碲化物選自三碲 化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述氮化物選自四氮化 三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁銀合 金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化物選 自偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一氮氧 化娃層的厚度為150nm?200nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為lOOnm?200nm ;所述第二 氮氧化娃層的厚度為150nm?200nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為100nm?200nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機 阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%? 30%，其余為所述碲化物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第二無機 阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%? 30%，其余為所述金屬氧化物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第一氮氧 化硅層及所述第二氮氧化硅層均采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法制備，原料氣體為六甲 基二娃胺、氨氣及氧氣，載氣為氦氣，其中所述六甲基二娃胺、氨氣及氧氣的流量比為（6? 14) :(2?18) :(2?18)，溫度為40?60°C，氣壓為30?60Pa，功率為0? 1?0? 5W/cm2。
【文檔編號】H01L51/52GK104425755SQ201310386257
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司