發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板以及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片和齊納二極管。所述基板包括上表面以及與該上表面相對(duì)的下表面。所述基板的上表面朝下表面開(kāi)設(shè)一凹槽。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板的上表面上，所述齊納二極管設(shè)置于所述凹槽中。所述凹槽中還形成有一覆蓋齊納二極管的反射層。由于齊納二極管設(shè)置在基板的凹槽中，并且其上覆蓋一層反射層，所以可以大大減少齊納二極管對(duì)發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光線的吸收，進(jìn)而可以提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管（LightEmittingDiode，LED)具有重量輕、體 積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越廣泛地應(yīng)用。
[0003] 在一般的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，通常會(huì)設(shè)置一齊納二極管（Zenerdiode)，用于 防止突波或靜電造成元件電路受損。然而，傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，齊納二極管與發(fā) 光二極管芯片通常是被設(shè)置在同一平面上，這樣的設(shè)置會(huì)造成發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線 容易被齊納二極管吸收，從而減少了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種出光亮度較高的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板以及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片和 齊納二極管。所述基板包括上表面以及與該上表面相對(duì)的下表面。所述基板的上表面朝下 表面開(kāi)設(shè)一凹槽。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板的上表面上，所述齊納二極管設(shè)置于所 述凹槽中。所述凹槽中還形成有一覆蓋齊納二極管的反射層。
[0006] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟： 提供一基板，所述基板包括一上表面以及與該上表面相對(duì)的下表面，所述基板上表面 朝下表面開(kāi)設(shè)形成一凹槽； 將一發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述基板的上表面上； 將一齊納二極管設(shè)置于所述基板的凹槽中； 在凹槽中形成覆蓋齊納二極管的反射層。
[0007] 上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法中，齊納二極管設(shè)置在基板的凹槽中， 并且其上覆蓋一層反射層，因此可以大大減少齊納二極管對(duì)發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光線 的吸收，從而可以提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光亮度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0009] 圖2為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0010] 圖3至圖8為本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟示意 圖。
[0011] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板以及設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片和齊 納二極管，所述基板包括上表面以及與該上表面相對(duì)的下表面，其特征在于：所述基板的上 表面朝下表面開(kāi)設(shè)一凹槽，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板的上表面上，所述齊納二極管 設(shè)置于所述凹槽中，所述凹槽中還形成有一覆蓋齊納二極管的反射層。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板由第一電極、第二 電極以及位于第一電極和第二電極之間的絕緣層構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板為長(zhǎng)方形的板狀 結(jié)構(gòu)，所述第二電極呈一矩形的塊狀結(jié)構(gòu)，其位于所述基板的角落處，所述第一電極呈一 "L"形的塊狀結(jié)構(gòu)，其與第二電極相互間隔并部分圍繞所述第二電極，所述絕緣層充填于第 一電極與第二電極之間的間隙內(nèi)，絕緣層呈一 " L"形。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹槽開(kāi)設(shè)形成在所述 基板的一端，并貫通所述基板的側(cè)面，所述第二電極的一部分、絕緣層的一部分以及第一電 極的一部分由該凹槽的底面露出。
5. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置 于所述基板上表面的第一電極上，并且通過(guò)導(dǎo)線分別電性連接上表面上的第一電極和第二 電極。
6. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述齊納二極管設(shè)置于所 述凹槽中的第二電極上，并分別電性連接凹槽中的第一電極和第二電極。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射層的頂面與所述 基板的上表面齊平。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射層為可固性不透 明膠體，其內(nèi)包含有反射顆粒。
9. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 還包括一封裝層，該封裝層形成在所述基板的上表面上，并覆蓋發(fā)光二極管芯片以及反射 層。
10. -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下幾個(gè)步驟： 提供一基板，所述基板包括一上表面以及與該上表面相對(duì)的下表面，所述基板上表面 朝下表面開(kāi)設(shè)形成一凹槽； 將一發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述基板的上表面上； 將一齊納二極管設(shè)置于所述基板的凹槽中； 在凹槽中形成覆蓋齊納二極管的反射層。
【文檔編號(hào)】H01L25/18GK104425479SQ201310369138
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】林厚德, 葉輔湘, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司