具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底，涉及GaN基發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】。該圖形化DBR結(jié)構(gòu)包括襯底、GaN成核層、未摻雜GaN層和DBR層，DBR層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa1-x-yN層和GaN層，其中0<x<1，0<y<1，多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層AlxInyGa1-x-yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明GaN襯底能增強(qiáng)DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，提高后續(xù)生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的晶體質(zhì)量和發(fā)光效率。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的制備方法。
【專利說(shuō)明】具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及GaN基發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (發(fā)光二極管，Light Emitting Diode)作為一種注入型的半導(dǎo)體電致發(fā)光器件，靠電子在能帶間躍遷發(fā)光，其發(fā)光波長(zhǎng)主要由材料的禁帶寬度決定。GaN (氮化鎵)基材料具備從0.7eV到6.2eV之間連續(xù)可調(diào)的直接寬帶隙，理論上可覆蓋從紅光至紫外光在內(nèi)的整個(gè)可見(jiàn)光譜。在GaN基LED的制備中，加入DBR (分布式布拉格反射鏡，distributedBragg reflection)結(jié)構(gòu)可以提高光的取出效率。
[0003]目前具有DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底包括襯底、在襯底上依次生長(zhǎng)的GaN成核層、未摻雜GaN層和DBR結(jié)構(gòu)，該DBR結(jié)構(gòu)為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa yN層和在AlxInyGai_x_yN層上的GaN層，其中0〈x〈 I，0〈y〈 I，該多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層AlxInyGa1 yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0005]由于DBR結(jié)構(gòu)中的AlxInyGa1 N層與GaN層之間本身存在晶格失配，周期數(shù)大于10，且每層AlxInyGa yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm的設(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致DBR結(jié)構(gòu)應(yīng)力過(guò)大而產(chǎn)生額外的位錯(cuò)，這一方 面會(huì)影響DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，另一方面會(huì)影響在DBR結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的是提供一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底及制備方法，能解決現(xiàn)有GaN襯底由于周期數(shù)設(shè)計(jì)和每層厚度設(shè)計(jì)，影響DBR結(jié)構(gòu)的反射效果及影響后續(xù)生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率的問(wèn)題。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底，包括襯底、在所述襯底上依次向上生長(zhǎng)的GaN成核層、未摻雜GaN層和DBR層，所述DBR層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGai_x_yN層和在所述AlxInyGai_x_yN層上的GaN層，其中0〈X〈l，0〈y〈l，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層所述AlxInyGa yN層的厚度和每層所述GaN層的厚度均大于20nm，所述DBR層在所述未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)。
[0008]進(jìn)一步地，所述圖形結(jié)構(gòu)的底面為正方形、正三角形、正六邊形、棱形、長(zhǎng)方形或圓形
[0009]進(jìn)一步地，所述圖形結(jié)構(gòu)為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)、多棱錐結(jié)構(gòu)、多棱柱結(jié)構(gòu)、多棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)、圓柱結(jié)構(gòu)、或圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步地，所述正方形、所述正三角形、所述正六邊形、所述棱形、所述長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或所述圓形的直徑為0.5-20微米。[0011]進(jìn)一步地，任意兩個(gè)所述圖形結(jié)構(gòu)之間的距離為I-30微米。
[0012]進(jìn)一步地，所述AlxInyGanyN層的厚度和所述GaN層的厚度均40-100納米。
[0013]進(jìn)一步地，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為10-60。
[0014]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的制備方法，包括步驟:
[0015]提供一襯底；
[0016]在所述襯底上依次向上生長(zhǎng)GaN成核層和未摻雜GaN層；
[0017]在所述未摻雜GaN層上向上生長(zhǎng)DBR層，所述DBR層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa1yN層和在所述AlxInyGai_x_yN層上的GaN層，其中0〈x〈I，0〈y〈I，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層所述AlxInyGa1N層的厚度和每層所述GaN層的厚度均大于20nm ；
[0018]對(duì)所述DBR層進(jìn)行蝕刻，使所述DBR層在所述未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)。
[0019]進(jìn)一步地，所述圖形結(jié)構(gòu)的底面為正方形、正三角形、正六邊形、棱形、長(zhǎng)方形或圓形，所述正方形、所述正三角形、所述正六邊形、所述棱形、所述長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或所述圓形的直徑為0.5-20微米。
[0020]進(jìn)一步地，任意兩個(gè)所述圖形結(jié)構(gòu)之間的距離為I-30微米。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0022]雖然DBR結(jié)構(gòu)中的AlxInyGa1N層與GaN層之間本身存在晶格失配，且周期數(shù)大于10，每層AlxInyGai_x_yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm，但是，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)，該DBR層陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)不僅能增加光的反射面，提高光的出射幾率，增強(qiáng)DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，而且能減小在DBR結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的應(yīng)力和位錯(cuò)，提高GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的一種布局的正視圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的另一種布局的正視圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供 的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的再一種布局的正視圖；
[0027]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的又一種布局的俯視圖；
[0028]圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的再一種布局的俯視圖；
[0029]圖6是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的又一種布局的俯視圖；
[0030]圖7是本發(fā)明實(shí)施例一提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的再一種布局的俯視圖；
[0031]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的制備方法的流程圖；
[0032]圖9是本發(fā)明實(shí)施例三提供的GaN基LED外延片的正視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0034]實(shí)施例一
[0035]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底，該GaN襯底包括襯底1、在襯底I上依次向上生長(zhǎng)的GaN成核層2、未摻雜GaN層3和DBR層4，該DBR層4為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGai_x_yN層411和在AlxInyGai_x_yN層411上的GaN層412，其中0〈X〈l，0〈y〈l，多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層AlxInyGa11N層411的厚度和每層GaN層412的厚度均大于20nm，該DBR層4在該未摻雜GaN層3上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)41。
[0036]進(jìn)一步地，參考圖4、圖5、圖6和圖7，本實(shí)施例圖形結(jié)構(gòu)41的底面可以為正方形(見(jiàn)圖4)、正三角形(見(jiàn)圖5)、正六邊形(見(jiàn)圖6)或棱形(見(jiàn)圖7)。當(dāng)然，本實(shí)施例圖形結(jié)構(gòu)41的底面還可以為長(zhǎng)方形或圓形。
[0037]進(jìn)一步地，參考圖2、圖3和圖4，該圖形結(jié)構(gòu)41為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1并結(jié)合圖4)或多棱錐結(jié)構(gòu)(例如三棱柱結(jié)構(gòu)，見(jiàn)圖2并結(jié)合圖5)。當(dāng)然，本實(shí)施例圖形結(jié)構(gòu)41還可以為多棱柱結(jié)構(gòu)、多棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓柱結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)或圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。
[0038]進(jìn)一步地，該正方形、該正三角形、該正六邊形、該棱形、該長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或該圓形的直徑為0.5-20微米。
[0039]進(jìn)一步地，任意兩個(gè)圖形結(jié)構(gòu)41之間的距離為I-30微米。
[0040]進(jìn)一步地，該AlxInyGai_x_yN層411的厚度和該GaN層412的厚度均40-100納米。通過(guò)厚度設(shè)計(jì)，使透射光線與反射光線在多量子阱層6 (見(jiàn)圖9)的上表面發(fā)生干涉加強(qiáng)，從而減少透射光線的強(qiáng)度，加強(qiáng)反射光線的強(qiáng)度。例如，該DBR結(jié)構(gòu)41的多周期結(jié)構(gòu)中，每一周期包括Ala3Gaa7N層和GaN層，Ala3Gaa7N的厚度分別為65納米，GaN層的厚度為47納米。
[0041]進(jìn)一步地，該多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為10-60。例如，該多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為30。
[0042]在本實(shí)施例中，圖形結(jié)構(gòu)41的高寬比可以為I-2，這樣一方面使更多的光能夠二次出射，另一方面使在DBR結(jié)構(gòu)上側(cè)向外延生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的質(zhì)量更好，發(fā)光效率更高。
[0043]由上述技術(shù)方案可知，雖然DBR結(jié)構(gòu)中的AlxInyGa1-x-yN層與GaN層之間本身存在晶格失配，且周期數(shù)大于10，每層AlxInyGa1-x-yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm，但是，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)，該DBR層陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)不僅能增加光的反射面，提高光的出射幾率，增強(qiáng)DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，而且能減小在DBR結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的應(yīng)力和位錯(cuò)，提高GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
[0044]實(shí)施例二
[0045]參見(jiàn)圖8并結(jié)合圖1，本實(shí)施例提供了一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的制備方法，該包括:
[0046]步驟S81，提供一襯底I，并在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)中，將襯底I在溫度為1000-1100°C (例如1100°C)，純氫氣氣氛里高溫?zé)崽幚?0-15分鐘(例如15分鐘);
[0047]步驟S182，將溫度降低至500-600°C (例如600°C )，在襯底上向上生長(zhǎng)20nm厚的GaN成核層2 ；
[0048]步驟S83，將溫度上升至900-1000°C (例如1000°C )，在GaN成核層2上向上生長(zhǎng)3μπι厚的非摻雜GaN層3 ;
[0049]步驟S84，保持溫度不變，在非摻雜GaN層3上向上生長(zhǎng)DBR層4，該DBR層4為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa1-M11和在AlxInyGai-x-yN層411上的GaN層412，其中0〈x〈l，0〈y〈l，多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層AlxInyGanyN層411的厚度和每層GaN層412的厚度均大于20nm ；
[0050]步驟S85，對(duì)該DBR層4進(jìn)行等離子體蝕刻，使該DBR層4在該未摻雜GaN層3上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)41。
[0051]進(jìn)一步地，參考圖4、圖5、圖6和圖7，本實(shí)施例圖形結(jié)構(gòu)41的底面可以為正方形(見(jiàn)圖4)、正三角形(見(jiàn)圖5)、正六邊形(見(jiàn)圖6)或棱形(見(jiàn)圖7)。當(dāng)然，本實(shí)施例蝕刻形成的圖形結(jié)構(gòu)的底面還可以為長(zhǎng)方形或圓形。
[0052]進(jìn)一步地，參考圖2、圖3和圖4，圖形結(jié)構(gòu)41為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖1并結(jié)合圖4)或多棱錐結(jié)構(gòu)(例如三棱柱結(jié)構(gòu)，見(jiàn)圖2并結(jié)合圖5)。當(dāng)然，本實(shí)施例蝕刻形成的圖形結(jié)構(gòu)還可以為多棱柱結(jié)構(gòu)、多棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓柱結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)或圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。
[0053]進(jìn)一步地，該正方形、該正三角形、該正六邊形、該棱形、該長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或該圓形的直徑為0.5-20微米。
[0054]進(jìn)一步地，蝕刻后，任意兩個(gè)圖形結(jié)構(gòu)41之間的距離為I-30微米。
[0055]進(jìn)一步地，AlxInyGa1-mN層411的厚度和該GaN層412的厚度均40-100納米。通過(guò)厚度設(shè)計(jì)，使透射光線與反射光線在多量子阱層6 (見(jiàn)圖9)的上表面發(fā)生干涉加強(qiáng)，從而減少透射光線的強(qiáng)度，加強(qiáng)反射光線的強(qiáng)度。例如，該DBR結(jié)構(gòu)41的多周期結(jié)構(gòu)中，每一周期包括Ala3Gaa7N層和GaN層，Ala3Gaa7N的厚度分別為65納米，GaN層的厚度為47納米。例如，該DBR結(jié)構(gòu)41的多周期結(jié)構(gòu)中，每一周期包括Al。.3Ga0.7N層和GaN層，Al。.3Ga0.7N的厚度分別為65納米，GaN層的厚度為47納米。
[0056]進(jìn)一步地，該多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為10-60。例如，該多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為30。
[0057]雖然DBR結(jié)構(gòu)中的AlxInyGa1-N層與GaN層之間本身存在晶格失配，且周期數(shù)大于10，每層AlxInyGai_x_yN層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm，但是，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)，該DBR層陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)不僅能增加光的反射面，提高光的出射幾率，增強(qiáng)DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，而且能減小在DBR結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的應(yīng)力和位錯(cuò)，提高GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
[0058]進(jìn)一步地，該襯底I為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底或者硅襯底。[0059]由上述技術(shù)方案可知，雖然DBR結(jié)構(gòu)中的AlxInyGa1N層與GaN層之間本身存在晶格失配，且周期數(shù)大于10，每層AlxInyGa1N層的厚度和每層GaN層的厚度均大于20nm，但是，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)，該DBR層陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)不僅能增加光的反射面，提高光的出射幾率，增強(qiáng)DBR結(jié)構(gòu)的反射效果，而且能減小在DBR結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的應(yīng)力和位錯(cuò)，提高GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
[0060]實(shí)施例三
[0061 ] 參考圖9，本實(shí)施例提供了一種GaN基LED外延片，包括具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底和在具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底上向上生長(zhǎng)的N型GaN層5、多量子阱層6、P型AlGaN層7和P型接觸層8。其中，該具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底與前述實(shí)施例中具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底相同，在此不再贅述。
[0062]進(jìn)一步地，N型GaN層5的載流子濃度為3 X IO18-15X 1018/cm3 (例如3 X IO18/cm3), N型GaN層5的厚度為3-4微米。
[0063]進(jìn)一步地，該多量子阱層6為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括InxGa1J層和在InxGapxN層生長(zhǎng)上的GaN層，0〈χ〈1，例如，該多量子阱層6的多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為9，每一周期包括Inai6Gaa84N 層和 GaN 層，Inai6Gaa84N 層的厚度為 2.5nm，GaN 的厚度為 12nm。
[0064]在本實(shí)施例中，P型AlGaN層7可以為厚度為40nm的P型Al。.15GaQ.85N層。
[0065]P型接觸層8的厚度可以為0.4 μ m。
[0066]由上述技術(shù)方案可知，DBR層在未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu),該DBR層陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)不僅能增加光的反射面，提高光的出射幾率，增強(qiáng)DBR層的反射效果，而且能 減小在D BR層上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片的應(yīng)力和位錯(cuò)，提高GaN基LED外延片的質(zhì)量和發(fā)光效率。
[0067]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底，包括襯底、在所述襯底上依次向上生長(zhǎng)的GaN成核層、未摻雜GaN層和DBR層，所述DBR層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa1-N層和在所述AlxInyGanyN層上的GaN層，其中0〈x〈l，0〈y〈l，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層所述AlxInyGa1-N層的厚度和每層所述GaN層的厚度均大于20nm，其特征在于，所述DBR層在所述未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)的底面為正方形、正三角形、正六邊形、棱形、長(zhǎng)方形或圓形。
3.如權(quán)利要求2所述的襯底，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)、多棱錐結(jié)構(gòu)、多棱柱結(jié)構(gòu)、多棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)、圓柱結(jié)構(gòu)、或圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的襯底，其特征在于，所述正方形、所述正三角形、所述正六邊形、所述棱形、所述長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或所述圓形的直徑為0.5?20微米。
5.如權(quán)利要求4所述的襯底，其特征在于，任意兩個(gè)所述圖形結(jié)構(gòu)之間的距離為I?30微米。
6.如權(quán)利要求5所述的襯底,其特征在于，所述AlxInyGa1TyN層的厚度和所述GaN層的厚度均40?100納米。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底，其特征在于，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為10?60。
8.一種具有圖形化DBR結(jié)構(gòu)的GaN襯底的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底上依次向上生長(zhǎng)GaN成核層和未摻雜GaN層； 在所述未摻雜GaN層上向上生長(zhǎng)DBR層，所述DBR層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括AlxInyGa1-yN層和在所述AlxInyGai_x_yN層上的GaN層，其中0〈x〈I，0〈y〈I，所述多周期結(jié)構(gòu)的周期數(shù)大于10，每層所述AlxInyGa1-N層的厚度和每層所述GaN層的厚度均大于20nm ； 對(duì)所述DBR層進(jìn)行蝕刻，使所述DBR層在所述未摻雜GaN層上形成陣列排列的圖形結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)的底面為正方形、正三角形、正六邊形、棱形、長(zhǎng)方形或圓形，所述正方形、所述正三角形、所述正六邊形、所述棱形、所述長(zhǎng)方形的邊長(zhǎng)或所述圓形的直徑為0.5?20微米。`
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，任意兩個(gè)所述圖形結(jié)構(gòu)之間的距離為I?30微米。
【文檔編號(hào)】H01L33/10GK103441202SQ201310344975
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月8日
【發(fā)明者】吳克敏, 魏世禎 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司