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多層陶瓷電容器及用于多層陶瓷電容器的安裝板的制作方法

文檔序號:7261679閱讀:165來源:國知局
多層陶瓷電容器及用于多層陶瓷電容器的安裝板的制作方法
【專利摘要】一種多層陶瓷電容器,包括:陶瓷本體,該陶瓷本體具有沿陶瓷本體的厚度方向?qū)訅旱亩鄠€電介質(zhì)層,該多個電介質(zhì)層的寬度大于長度;工作層,該工作層包括第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極交替地暴露于陶瓷本體的沿長度方向彼此相反的兩個端面,并且電介質(zhì)層插設(shè)在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間,以使得工作層中形成電容;上覆蓋層;下覆蓋層,該下覆蓋層的厚度大于上覆蓋層的厚度;以及第一外電極和第二外電極,其中,當陶瓷本體的總厚度的1/2定義為A,下覆蓋層的厚度定義為B,工作層的總厚度的1/2定義為C,上覆蓋層的厚度定義為D時,滿足1.042≤(B+C)/A≤1.537。
【專利說明】多層陶瓷電容器及用于多層陶瓷電容器的安裝板
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年I月2日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請N0.10-2013-0000176的優(yōu)先權(quán),該申請公開的內(nèi)容通過引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及安裝有多層陶瓷電容器的安裝板。
【背景技術(shù)】
[0004]多層陶瓷電容器是一種片式層壓電子元件,是安裝在各種電子產(chǎn)品(例如包括液晶顯示器(IXD)和等離子顯示面板(PDP)的影像設(shè)備、計算機、掌上數(shù)字助理(PDA)、移動電話等)的印刷電路板上并實現(xiàn)充電和放電的芯片型電容器。
[0005]多層陶瓷電容器(MLCCs)由于具有體積小、電容大且易于安裝的優(yōu)點,故可以用作為各種電子產(chǎn)品的元件。
[0006]多層陶瓷電容器可以具有多個電介質(zhì)層和多個極性不同的內(nèi)電極彼此交替層壓的結(jié)構(gòu),并且多個內(nèi)電極設(shè)置在電介質(zhì)層之間。
[0007]但是,由于電介質(zhì)層具有壓電性能和電致伸縮性能,在交流或直流電壓施加在多層陶瓷電容器上時,可能會產(chǎn)生壓電效應(yīng),從而導(dǎo)致內(nèi)電極之間的振動。
[0008]這種振動可以通過多層陶瓷電容器的外電極傳遞至安裝該多層電容器的印刷電路板上,并且整個印刷電路板可以變成產(chǎn)生源于振動的聲音如噪聲的聲反射表面。
[0009]由振動產(chǎn)生的聲音可以對應(yīng)于20Hz至20000Hz范圍內(nèi)的音頻,并且這種可能造成聽者產(chǎn)生不適感覺的振動聲被稱作是噪聲。減少這樣的噪聲的研究是必要的。
[0010]下述專利文獻I公開了一種多層陶瓷電容器,其中,下覆蓋層比上覆蓋層具有更大的厚度,并且外部電極形成在陶瓷本體的兩端面。
[0011][現(xiàn)有技術(shù)文件]
[0012](專利文獻I)日本專利公開出版物:Νο.Η06-215978
【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的一個方面提供了一種能夠降低因多層陶瓷電容器中的壓電效應(yīng)引起的振動而產(chǎn)生的噪聲的多層陶瓷電容器
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個方面,在此提供一種多層陶瓷電容器,包括:陶瓷本體,該陶瓷本體具有多個在其厚度方向?qū)訅旱碾娊橘|(zhì)層,多個電介質(zhì)層的寬度大于其長度;工作層,該工作層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿厚度方向?qū)訅阂越惶娴乇┞队谒鎏沾杀倔w的沿長度方向彼此相對的兩個端面,并且所述電介質(zhì)層插設(shè)在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間,以使得所述工作層中形成電容;上覆蓋層,該上覆蓋層形成在所述工作層的上方;下覆蓋層,該下覆蓋層形成在所述工作層的下方,該下覆蓋層具有大于所述上覆蓋層的厚度;以及第一外電極和第二外電極,該第一外電極和該第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面,其中,當所述陶瓷本體的總厚度的1/2定義為A,所述下覆蓋層的厚度定義為B,所述工作層的總厚度的1/2定義為C,所述上覆蓋層的厚度定義為D時,所述工作層的中心部與所述陶瓷本體的中心部之間的偏離比值(ratio ofdeviation) (B+C) /A 滿足 1.042 ( (B+C) /A ( 1.537。
[0015]此處,所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B可以滿足
0.048 ( D/B ( 0.565。
[0016]此處,所述下覆蓋層的厚度(B)與所述陶瓷本體的總厚度的一半A的比值B/A可以滿足 0.601 ( B/A ( 1.128。
[0017]此處,所述工作層的總厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B可以滿足 0.362 ( C/B ( 1.092。
[0018]此處,由于在施加電壓的過程中,所述工作層的中心部中產(chǎn)生的變形率與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的變形率之間的差異,形成在所述陶瓷本體的各個端面上的拐點的高度可以形成為與所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心部的高度一致,或者低于所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心部的高度。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,提供一種用于安裝多層陶瓷電容器的安裝板,所述安裝板包括:印刷電路板,該印刷電路板上形成有第一電極墊和第二電極墊;以及多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器安裝在所述印刷電路板上,所述多層陶瓷電容器包括:陶瓷本體,該陶瓷本體在其厚度方向具有多個電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層寬度大于長度;工作層,該工作層包括在其厚度方向?qū)盈B的多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿厚度方向?qū)訅阂越惶娴乇┞队谒鎏沾杀倔w的沿長度方向彼此相對的兩個端面,并且所述電介質(zhì)層插設(shè)在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間,以使得所述工作層中形成電容;上覆蓋層,該上覆蓋層形成在所述工作層的上方;下覆蓋層,該下覆蓋層形成在所述工作層的下方,該下覆蓋層具有大于所述上覆蓋層的厚度;以及第一外電極和第二外電極,該第一外電極和該第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面,所述第一外電極和第二外電極與所述第一電極墊和所述第二電極墊通過焊接連接,當所述陶瓷本體的總厚度的1/2定義為A,所述下覆蓋層的厚度定義為B,所述工作層的總厚度的1/2定義為C,所述上覆蓋層的厚度定義為D時,所述工作層的中心部與所述陶瓷本體的中心部之間的偏離比值(B+C) /A 滿足 1.042 ( (B+C) /A ( 1.537。
[0020]此處,由于在施加電壓的過程中,所述工作層的中心部中產(chǎn)生的變形率與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的變形率之間的差異,形成在所述陶瓷本體的各個端面上的拐點的高度可以形成為與所述焊料的高度一致,或者低于所述焊料的高度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]本發(fā)明的上述和其它方面、特征和優(yōu)點將在下面結(jié)合附圖的詳細描述中更加清楚地得到理解,其中:
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的多層陶瓷電容器的局部剖視立體示意圖;
[0023]圖2是圖1中的多層陶瓷電容器的沿長度方向截取的截面圖;
[0024]圖3是圖1中的多層陶瓷電容器的沿長度方向截取的顯示該多層陶瓷電容器中的元件的尺寸關(guān)系的截面示意圖;[0025]圖4是顯示圖1中的多層陶瓷電容器安裝在印刷電路板上的狀態(tài)的立體圖;
[0026]圖5是顯示圖4中的多層陶瓷電容器和印刷電路板的沿二者的長度方向截取的截面圖;
[0027]圖6是示意性顯示當圖4中的多層陶瓷電容器安裝在印刷電路板上,向該多層陶瓷電容器施加電壓時,該多層陶瓷電容器的變形的狀態(tài)的截面圖。
【具體實施方式】
[0028]下文中,將參考附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細描述。但是,本發(fā)明可以通過多種不同的形式實現(xiàn),并且不應(yīng)該被理解為局限于此處所述的【具體實施方式】。更確切地,提供這些【具體實施方式】的目的在于使得公開的內(nèi)容徹底和完整,并將本發(fā)明的范圍完全傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中,出于清楚的目的,部件的形狀和尺寸可以放大,并且相同的附圖標記被始終使用,以表示相同或相似的部件。
[0029]當為了清楚地描述本發(fā)明的實施方式,對六面體的方向定義時,附圖中標示的L、W和T分別代表長度方向、寬度方向和厚度方向。這里,所述寬度方向也可以指代層壓電介質(zhì)層的層壓方向。
[0030]此外,在本發(fā)明的實施方式中,為了便于說明,陶瓷本體的沿陶瓷本體的長度方向形成有第一外電極和第二外電極的表面都被定義為端面,并且垂直于該端面的所述陶瓷本體的表面都被定義為側(cè)面。
[0031]多層陶瓷電容器
[0032]參見圖1和圖2,根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器100可以包括寬度大于其長度的陶瓷本體110、工作層115、上覆蓋層112和下覆蓋層113以及第一外電極131和第二外電極132,工作層115包括第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122,第一外電極131和第二外電極132覆蓋陶瓷本體110的兩個端面并在所述陶瓷本體的長度方向彼此相對。
[0033]陶瓷本體110可以通過在厚度方向?qū)訅翰贫鄠€電介質(zhì)層111形成,所述電介質(zhì)層111的寬度大于它的長度。此處,長度和寬度的比大約為1:2,并且陶瓷本體110的形狀和尺寸以及電介質(zhì)層111的數(shù)量并不限于本實施方式中例舉說明那些實施方式。
[0034]組成陶瓷本體110的多個電介質(zhì)層111處于燒結(jié)狀態(tài),相鄰的電介質(zhì)層111之間的邊界可以彼此形成為一體,從而使得在不使用掃描電子顯微鏡(SEM)時不易將電介質(zhì)層111彼此區(qū)分開。
[0035]陶瓷本體110可以包括有助于多層陶瓷電容器的電容形成的工作層115以及作為上方和下方的邊緣部的分別形成在工作層115的上方和下方的上覆蓋層112和下覆蓋層113。
[0036]工作層115可以通過反復(fù)層壓多個第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122而形成,其中第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間插入了電介質(zhì)層111。
[0037]此處,電介質(zhì)層111的厚度可以根據(jù)多層陶瓷電容器100所需的電容而視情況改變,燒制后單層電介質(zhì)層111的厚度可以是0.01 μ m至1.00 μ m,但是本發(fā)明不限于此。
[0038]此外,電介質(zhì)層111可以含有具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末,例如,鈦酸鋇(BaTi03)基粉末或鈦酸鍶(SrTi03 )基粉末等,但本發(fā)明不限于此。
[0039]除了不包括內(nèi)電極外,上覆蓋層112和下覆蓋層113可以與電介質(zhì)層111具有相同材質(zhì)和構(gòu)造。
[0040]可以分別通過在工作層115的上表面和下表面上沿厚度方向?qū)訅簡螌与娊橘|(zhì)層或者層壓兩層或更多層電介質(zhì)層形成上覆蓋層112和下覆蓋層113。上覆蓋層112和下覆蓋層113可以主要用于防止第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122由于物理的或化學(xué)的應(yīng)力而損壞。
[0041]此處,相比于上覆蓋層112,通過進一步增加層壓的電介質(zhì)層的數(shù)量,可以使下覆蓋層113具有比上覆蓋層112更大的厚度。
[0042]第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122是一對極性相反的電極,并且可以通過在電介質(zhì)層111上印刷預(yù)定厚度的含有導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電漿料而形成。這里,第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地暴露在陶瓷本體110的兩個端面,并且第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以通過設(shè)置在該第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間的電介質(zhì)層111而彼此電絕緣。
[0043]也就是說,第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以通過交替地暴露在陶瓷本體110的兩個端面的部分而與第一外電極131和第二外電極132電連接。
[0044]因此,當電壓施加于第一外電極131和第二外電極132時,電荷儲存在彼此相對的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間。此處,多層陶瓷電容器100的電容可以與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的重疊區(qū)域的面積成比例。
[0045]可以根據(jù)用途確定第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的厚度,并且例如,鑒于陶瓷本體110的尺寸,第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的厚度可以確定為在0.2 μ m至Ι.Ομπι的范圍內(nèi)。然而,本發(fā)明不限于此。
[0046]此外,包含在用于形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的導(dǎo)電漿料中的導(dǎo)電金屬可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)或者是它們的合金,但是本發(fā)明不限于此。
[0047]并且,可以通過絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法等方法印刷導(dǎo)電漿料,但本發(fā)明不僅限于此。
[0048]第一外電極131和第二外電極132可以由包含導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電衆(zhòng)料形成。所述導(dǎo)電漿料中的導(dǎo)電金屬可以為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或者是它們的合金,但是本發(fā)明不限于此。
[0049]下面,將描述根據(jù)本實施方式的多層陶瓷電容器中包含的元件的尺寸與噪聲之間的關(guān)系。
[0050]參見圖3,A表示陶瓷本體110的總厚度的1/2,B表示下覆蓋層113的厚度,C表示工作層115的總厚度的1/2,D表示上覆蓋層112的厚度。
[0051]此處,陶瓷本體110的總厚度表示從陶瓷本體110的頂表面St到底表面Sb的距離。工作層115的總厚度表示從位于工作層115的最上部的第一內(nèi)電極121的上表面到位于工作層115的最下部的第二內(nèi)電極122的下表面的距離。
[0052]另外,下覆蓋層113的厚度B表示位于工作層115的沿厚度方向的最下部的第二內(nèi)電極122的下表面與陶瓷本體110的底表面Sb之間的距離,上覆蓋層112的厚度D表示位于工作層115的沿厚度方向的最上部的第一內(nèi)電極121的上表面與陶瓷本體110的頂表面St之間的距離。
[0053]當向形成在多層陶瓷電容器100的兩個端面上的第一外電極131和第二外電極132上施加極性相反的電壓時,由于電介質(zhì)層111中產(chǎn)生的逆壓電效應(yīng),陶瓷本體110沿厚度方向膨脹和收縮,并且由于泊松效應(yīng),第一外電極131和第二外電極132的兩個端部產(chǎn)生與陶瓷本體110的沿厚度方向的膨脹和收縮相反的膨脹和收縮。
[0054]此處,工作層115的中心部可以指代第一外電極131和第二外電極132上與所述多層陶瓷電容器沿長度方向膨脹最大的部分,這成為產(chǎn)生噪聲的因素。
[0055]換言之,在本實施方式中,由于當施加電壓時工作層115的中心部CLa中產(chǎn)生的變形率和下覆蓋層113中產(chǎn)生的變形率之間的差異,為了降低噪聲,形成在陶瓷本體110的兩端面上的拐點(PI)的高度可以形成為與陶瓷本體110沿厚度方向的中心部CL。的高度一致,或者低于陶瓷本體110沿厚度方向的中心部CL。的高度。
[0056]此處,為了進一步地降低噪聲,工作層115的中心部CLa和陶瓷本體110的中心部CLc2間的偏離比值(B+C) /A可以滿足1.042≤(B+C) /A≤1.537。
[0057]另外,上覆蓋層112的厚度D與下覆蓋層113的厚度B的比值D/B可以滿足
0.048 ( D/B ( 0.565。[0058]并且,下覆蓋層113的厚度B與陶瓷本體110的厚度的一半A的比值B/A可以滿足 0.601 ( B/A ( 1.128。
[0059]此外,工作層115的總厚度的一半C與下覆蓋層113的厚度B的比值C/B可以滿足 0.362 ( C/B ( 1.092。
[0060]實駘例
[0061]通過如下步驟制成根據(jù)發(fā)明例和對比例的單個多層陶瓷電容器。
[0062]將包括鈦酸鋇(BaTi03)粉末等的漿料涂抹在載體膜上,然后干燥以制備多個厚度為1.8 μ m的陶瓷基片,同時該陶瓷基片的寬度大于其長度。
[0063]接著,通過使用絲網(wǎng)印刷法,將導(dǎo)電漿料涂抹在多個基片上以形成多個第一內(nèi)電121極和第二內(nèi)電極122,所述第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地暴露在陶瓷基片的兩端面并且在長度方向彼此相對。
[0064]接著,層壓大約370個陶瓷基片以形成層壓體。另外,將上述層壓體在85°C下以1000kgf/cm2的壓力進行等靜壓。
[0065]將受壓后的陶瓷層壓體切割成單獨的基片(chips),并隨后通過將切割的基片在230°C的空氣氣氛中保持60個小時來進行去粘合(debinderi差)處理。
[0066]之后,將生成的基片在溫度為1200°C、氧分壓為l(Tnatm至l(r1Qatm的低于Ni/NiO平衡氧分壓的還原氣氛下燒結(jié),以使得第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極不會被氧化。燒結(jié)后,陶瓷本體110的長X寬(LXW,所謂的LICC型)的尺寸為0.85mmXL67mm。這里,長X寬(LXff)的制造公差設(shè)定在±0.1mm的范圍內(nèi)。
[0067]接著,在所述陶瓷本體110的兩個端面上形成第一外電極131和第二外電極132,隨后通過電鍍工藝,制造多層陶瓷電容器100.然后,通過實驗測量噪聲。
[0068]表1
[0069]
【權(quán)利要求】
1.一種多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器包括: 陶瓷本體,該陶瓷本體具有沿陶瓷本體的厚度方向?qū)訅旱亩鄠€電介質(zhì)層,該多個電介質(zhì)層的寬度大于長度; 工作層,該工作層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿厚度方向?qū)訅阂越惶娴乇┞队谒鎏沾杀倔w的沿長度方向彼此相反的兩個端面,并且所述電介質(zhì)層插設(shè)在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間,以使得所述工作層中形成電容; 上覆蓋層,該上覆蓋層形成在所述工作層的上方; 下覆蓋層,該下覆蓋層形成在所述工作層的下方,并且該下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度;以及 第一外電極和第二外電極,該第一外電極和第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的所述兩個端面; 其中,當所述陶瓷本體的總厚度的一半定義為A,所述下覆蓋層的厚度定義為B,所述工作層的總厚度的一半定義為C,所述上覆蓋層的厚度定義為D時,所述工作層的中心部與所述陶瓷本體的中心部之間的偏離比值(B+C)/A滿足1.042 ( (B+C) /A ( 1.537。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B滿足0.048 ( D/B ( 0.565。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的總厚度的一半A的比值B/A滿足0.601 ( B/A ( 1.128。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述工作層的總厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B滿足0.362 ( C/B ( 1.092。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,由于在施加電壓的過程中所述工作層的中心部中產(chǎn)生的變形率與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的變形率之間的差異,因此形成在所述陶瓷本體的兩個端面上的拐點的高度形成為與所述陶瓷本體沿厚度方向的中心部的高度一致,或者低于所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心部的高度。
6.一種用于多層陶瓷電容器的安裝板,所述安裝板包括: 印刷電路板,該印刷電路板上形成有第一電極墊和第二電極墊;以及 多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器安裝在所述印刷電路板上, 所述多層陶瓷電容器包括: 陶瓷本體,該陶瓷本體具有沿所述陶瓷本體的厚度方向?qū)訅旱亩鄠€電介質(zhì)層,該多個電介質(zhì)層的寬度大于長度; 工作層,該工作層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極,該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿厚度方向形成以交替地暴露于所述陶瓷本體的沿長度方向彼此相反的兩個端面,并且所述電介質(zhì)層插設(shè)在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間,以使得所述工作層中形成電容; 上覆蓋層,該上覆蓋層形成在所述工作層的上方; 下覆蓋層,該下覆蓋層形成在所述工作層的下方,并且該下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度;以及 第一外電極和第二外電極,該第一外電極和第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面,并且所述第一外電極和所述第二外電極通過焊料連接至所述第一電極墊和所述第二電極墊, 當所述陶瓷本體的總厚度的一半定義為A,所述下覆蓋層的厚度定義為B,所述工作層的總厚度的一半定義為C,并且所述上覆蓋層的厚度定義為D時,所述工作層的中心部與所述陶瓷本體的中心部之間的偏離比值(B+C) /A滿足1.042 ≤(B+C) /A ≤ 1.537。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝板,其中,所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B 的比值 D/B 滿足 0.048 ≤ D/B ≤ 0.565。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝板,其中,所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的總厚度的一半A的比值B/A滿足0.601 ( B/A≤1.128。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝板,其中,所述工作層的總厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B滿足0.362 ≤ C/B ≤1.092。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的安裝板,其中,由于在施加電壓的過程中所述工作層的中心部中產(chǎn)生的變形率與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的變形率之間的差異,因此形成在所述陶瓷本體的所述兩個端面 上的拐點的高度形成為與所述焊料的高度一致,或者低于所述焊料的高度。
【文檔編號】H01G4/12GK103915255SQ201310334606
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月2日
【發(fā)明者】安永圭, 金斗永, 樸珉哲, 李炳華, 樸祥秀 申請人:三星電機株式會社
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