包括熱輻射構(gòu)件的半導(dǎo)體芯片和顯示模塊的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體芯片包括：在半導(dǎo)體基板上的具有集成半導(dǎo)體電路的電路區(qū)；和熱輻射構(gòu)件，在配置用于至少部分地圍繞電路區(qū)的劃線道區(qū)的至少一部分上，該熱輻射構(gòu)件包括在與半導(dǎo)體基板的上表面垂直的方向上延伸的多個(gè)散熱片。
【專利說(shuō)明】包括熱輻射構(gòu)件的半導(dǎo)體芯片和顯示模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]一些示例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體芯片和顯示模塊，更具體而言，涉及包括熱輻射構(gòu)件的半導(dǎo)體芯片和顯示模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]由于電子產(chǎn)品的應(yīng)用以更高的速度提供了各種功能，所以在半導(dǎo)體芯片上集成的電路的處理速度增加，因而半導(dǎo)體芯片的功耗也增大。此外，由于安裝在移動(dòng)電子器件諸如智能電話上的顯示模塊的高分辨率屏幕，顯示驅(qū)動(dòng)芯片的功耗增大。如果半導(dǎo)體芯片的功耗增大，則發(fā)熱率也增加。因此，半導(dǎo)體芯片必須將電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱有效地散發(fā)到半導(dǎo)體芯片外部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]一些示例實(shí)施方式提供能夠有效地將由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱散發(fā)到半導(dǎo)體芯片外部的半導(dǎo)體芯片。
[0004]根據(jù)一示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體芯片包括:在半導(dǎo)體基板上的電路區(qū)，該電路區(qū)具有半導(dǎo)體集成電路；和熱輻射構(gòu)件，在劃線道區(qū)的至少一部分上，該劃線道區(qū)配置用于至少部分地圍繞電路區(qū)，該熱輻射構(gòu)件包括在與半導(dǎo)體基板的上表面垂直的方向上延伸的多個(gè)散熱片。
[0005]多個(gè)散熱片可以具有板形狀和柱形狀的其中之一。多個(gè)散熱片可以具有不同的高度。多個(gè)散熱片可以包括在半導(dǎo)體基板的上表面上的，在與半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面垂直或平行的方向上彼此順序地間隔開(kāi)的多個(gè)板狀的散熱片。熱輻射構(gòu)件可以包括在半導(dǎo)體基板的上表面上的，在與半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面垂直或平行的方向上彼此順序地間隔開(kāi)的多個(gè)柱狀的散熱片。
[0006]熱輻射構(gòu)件還可以包括在半導(dǎo)體基板上的主體，該主體可以連接到多個(gè)散熱片。熱輻射構(gòu)件可以連接到電路區(qū)上的半導(dǎo)體電路的電源電壓布線或接地電壓布線。熱輻射構(gòu)件可以通過(guò)開(kāi)口暴露。
[0007]熱輻射構(gòu)件可以包括交替地層疊的多個(gè)金屬層和多個(gè)通孔。多個(gè)布線層可以在電路區(qū)上。多個(gè)布線層中的至少一個(gè)布線層可以包括其上形成有半導(dǎo)體集成電路的布線的布線區(qū)域和在除了布線區(qū)域之外的區(qū)域上的虛設(shè)部分。虛設(shè)部分可以一體地形成在與布線區(qū)域分離的區(qū)域上。
[0008]根據(jù)一示例實(shí)施方式，一種顯示模塊包括:顯示面板，包括多個(gè)像素單元；顯示驅(qū)動(dòng)芯片，配置用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素單元，顯示驅(qū)動(dòng)芯片包括劃線道區(qū)；熱輻射構(gòu)件，在顯示驅(qū)動(dòng)芯片的劃線道區(qū)的至少一部分上；和印刷電路板(PCB)，其上安裝有顯示驅(qū)動(dòng)芯片，該P(yáng)CB包括配置用于電連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片和顯示面板的布線。
[0009]PCB可以包括與安裝顯示驅(qū)動(dòng)芯片的區(qū)域和形成布線的區(qū)域分離地形成的熱輻射板。熱輻射板的側(cè)表面可以配置用于接觸顯示驅(qū)動(dòng)芯片的側(cè)表面。熱輻射板可以配置用于電連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電源電壓墊或接地電壓墊。PCB可以是玻璃基板。
[0010]根據(jù)一示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體芯片包括:半導(dǎo)體基板，限定至少部分地圍繞集成電路區(qū)域的凹槽；和在凹槽的至少一部分中的熱輻射構(gòu)件，該熱輻射構(gòu)件包括導(dǎo)電材料。
[0011]導(dǎo)電材料可以包括金屬性材料。金屬性材料的金屬可以是銅(Cu)、鋁(Al)和鎢(W)的其中之一。熱輻射構(gòu)件可以包括在與半導(dǎo)體基板的上表面垂直的方向上延伸的多個(gè)散熱片。多個(gè)散熱片可以被暴露。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，示例實(shí)施方式將被清楚地理解，在附圖中:
[0013]圖1是根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的平面圖；
[0014]圖2是根據(jù)一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0015]圖3A和圖3B是根據(jù)示例實(shí)施方式的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件的透視圖；
[0016]圖4A和圖4B是根據(jù)示例實(shí)施方式的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件的截面圖；
[0017]圖5A至圖5F是根據(jù)示例實(shí)施方式的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件的平面圖；
[0018]圖6A和圖6B是根據(jù)示例實(shí)施方式的，基于不同制造工藝的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件的截面圖；
[0019]圖7是根據(jù)另一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0020]圖8是根據(jù)另一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0021]圖9A和圖9B是根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的布線層的平面圖；
[0022]圖1OA至圖1OC示出根據(jù)另一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片；
[0023]圖11是根據(jù)一示例實(shí)施方式的顯示模塊的示意圖；
[0024]圖12是根據(jù)一示例實(shí)施方式的顯示裝置的透視圖；以及
[0025]圖13是示意圖，顯示根據(jù)示例實(shí)施方式的，包括在圖12中示出的顯示裝置的各種電子廣品。
【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在，將參考附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思，在附圖中示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以具體化為多種不同形式，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式，而是，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將全面和完整，并將本發(fā)明構(gòu)思的原理全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。然而，應(yīng)該理解的是，沒(méi)有意圖將本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式限制于所公開(kāi)的具體形式，而是相反地，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式將覆蓋落入本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍內(nèi)的所有變型、等效物和替換者。在圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，為了說(shuō)明的清楚，可以夸大元件的大小或厚度。
[0027]在此使用的術(shù)語(yǔ)是僅用于描述【具體實(shí)施方式】，不意欲限制本發(fā)明構(gòu)思。在此使用時(shí)，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文以別的方式清楚地表示。還將理解，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”說(shuō)明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件和/或其組的存在或添加。
[0028]除非不同地定義，在本說(shuō)明書中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員一般理解的相同含義。在通常使用的詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被理解為具有與在相關(guān)技術(shù)背景中相同的含義，除非在本說(shuō)明書中定義，該術(shù)語(yǔ)不被理想地或過(guò)度地理解為具有正式的含義。
[0029]在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)目的任意和所有組合。
[0030]圖1是根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片1000的平面圖。參考圖1，半導(dǎo)體芯片1000可以包括電路區(qū)200和熱輻射構(gòu)件400。電路區(qū)200具有半導(dǎo)體集成電路。在電路區(qū)200上，可以形成用于形成半導(dǎo)體電路的多個(gè)半導(dǎo)體器件，例如晶體管和/或電容器。此夕卜，可以形成用于將從外部設(shè)備施加的電壓或信號(hào)傳輸?shù)桨雽?dǎo)體器件的輸入墊和用于將在內(nèi)部產(chǎn)生的電壓或信號(hào)輸出到外部設(shè)備的輸出墊。此外，可以形成用于將電壓或信號(hào)施加到半導(dǎo)體器件的布線。
[0031]熱輻射構(gòu)件400由具有相對(duì)高的導(dǎo)熱性的材料形成，并且將集成電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱散發(fā)到半導(dǎo)體芯片1000外部。在該情形下，熱輻射構(gòu)件400形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的至少一部分上。凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300指的是將晶圓切割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片所需的空間。因?yàn)榘疾?或，備選地劃線道區(qū))300指的是在晶圓上的相鄰半導(dǎo)體芯片的電路區(qū)200之間的空間，所以在半導(dǎo)體芯片中，凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300指的是與半導(dǎo)體芯片1000的四個(gè)側(cè)面相鄰的空間。
[0032]一般而言，凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300具有比切割晶圓在物理上所需的空間大的空間。因?yàn)轭w粒會(huì)在切割晶圓時(shí)落在鄰近半導(dǎo)體芯片1000的邊緣的部分上，如果顆粒位于電路區(qū)200上，則半導(dǎo)體芯片1000會(huì)發(fā)生故障。因此，凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300可以形成為具有比切割晶圓實(shí)際所需的寬度大的寬度，使得切割晶圓時(shí)產(chǎn)生的顆?？梢圆宦湓陔娐穮^(qū)200上。因而，凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300包括在切割晶圓之后保留在半導(dǎo)體芯片1000上的額外空間。半導(dǎo)體芯片1000可以包括形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的額外空間上的熱輻射構(gòu)件400。
[0033]如圖1所示，熱輻射構(gòu)件400可以與電路區(qū)200相鄰地定位，并且可以形成在位于半導(dǎo)體芯片1000的四個(gè)側(cè)面上的凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。熱輻射構(gòu)件400可以形成在與半導(dǎo)體芯片1000的一側(cè)或兩個(gè)相對(duì)側(cè)相應(yīng)的凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上。此外，用于執(zhí)行晶圓級(jí)測(cè)試和監(jiān)控的電路可以形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的一部分上，熱輻射構(gòu)件400可以形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的其他部分上。
[0034]如上所述，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片1000包括熱輻射構(gòu)件400，所以在集成電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱可以被有效地散發(fā)到半導(dǎo)體芯片1000外部。此外，因?yàn)闊彷椛錁?gòu)件400形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上，所以熱輻射構(gòu)件400可以被形成而不增加芯片尺寸。
[0035]雖然在圖1中半導(dǎo)體芯片1000被示為其長(zhǎng)邊比起短邊長(zhǎng)得多的顯示驅(qū)動(dòng)芯片，但是當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。半導(dǎo)體芯片1000可具有不同的形式。此外，半導(dǎo)體芯片1000可以包括不同類型的電路。
[0036]圖2是根據(jù)一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片1000的截面圖。參考圖2，半導(dǎo)體芯片1000可以包括電路區(qū)200和凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300。電路區(qū)200位于半導(dǎo)體芯片1000的中心，凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300位于電路區(qū)200外部。半導(dǎo)體器件部分210、布線部分220和鈍化層230可以形成在電路區(qū)200上。[0037]如以上關(guān)于圖1所述，用于形成集成電路的半導(dǎo)體器件、輸入/輸出墊和布線可以形成在電路區(qū)200上。在該情形下，半導(dǎo)體器件可以形成在半導(dǎo)體器件部分210上，布線可以形成在布線部分220上。此外，雖然在圖2中未示出，但是輸入/輸出墊可以形成在布線部分220上。
[0038]半導(dǎo)體器件部分210可以包括阱區(qū)211、有源區(qū)212和柵極213，并且可以形成在半導(dǎo)體基板100上。
[0039]半導(dǎo)體基板100可以形成為具有第一表面101和面對(duì)第一表面101的第二表面102的半導(dǎo)體晶圓。半導(dǎo)體基板100可以包括硅(Si)材料。此外，可以包括諸如鍺(Ge)的元素半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體諸如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)或磷化銦(InP)0
[0040]阱區(qū)211可以通過(guò)用雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體基板100的第一表面101形成，阱區(qū)211的有源區(qū)212可以用與在阱區(qū)211上摻雜的雜質(zhì)的類型和密度不同的雜質(zhì)摻雜，柵極213可以通過(guò)使用多晶硅形成在有源區(qū)212上，由此形成半導(dǎo)體器件諸如晶體管、電容器或二極管。在一些情形下，半導(dǎo)體器件部分210可以形成在半導(dǎo)體基板100中。
[0041]布線部分220可以包括布線221、通孔222和絕緣材料223。布線221可以連接到形成在半導(dǎo)體器件部分210上的半導(dǎo)體器件從而形成電路，或可以用于電連接內(nèi)部電路與外部設(shè)備。布線221可以由導(dǎo)電材料形成。例如，布線221可以由金屬性材料諸如銅(Cu)、鋁(Al)或鎢(W)形成，或者可以由包括金屬性材料的混合材料形成。布線221可以形成為在不同水平級(jí)(level)的多個(gè)布線層，兩個(gè)或更多相同水平級(jí)或不同水平級(jí)的布線221可以通過(guò)絕緣材料223彼此間隔開(kāi)。絕緣材料223可以包括非導(dǎo)電材料諸如硅氧化物(SiO2)。
[0042]不同水平級(jí)的布線221可以通過(guò)通孔222彼此連接。此外，布線221可以通過(guò)通孔222連接到輸入/輸出墊或半導(dǎo)體器件。通孔222可以由導(dǎo)電材料諸如Cu、Al或W形成，或者可以由包括導(dǎo)電材料的混合材料形成。通孔222可以由與用于形成布線221的材料相同的材料形成。雖然在圖2中布線221和通孔222分別形成為具有兩個(gè)水平級(jí)的層，但是包括在布線部分220中的布線221和通孔222的水平級(jí)的數(shù)目可以根據(jù)制造工藝而變化。
[0043]鈍化層230可以形成在布線部分220上。鈍化層230可以保護(hù)半導(dǎo)體芯片1000不受濕度或雜質(zhì)影響。鈍化層230可以形成為氧化物或氮化物層，或氧化物和氮化物層的雙層。此外，鈍化層230可以通過(guò)使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)工藝形成為氧化物層，例如，SiO2層。
[0044]熱輻射構(gòu)件400可以形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的至少一部分上。熱福射構(gòu)件400可以包括多個(gè)散熱片(heat radiation fin)401。散熱片401可以沿與半導(dǎo)體基板100的第一表面101垂直的方向延伸，并且彼此間隔開(kāi)。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式,散熱片401可以彼此間隔開(kāi)給定(或備選地，預(yù)定)距離。例如，給定(或備選地，預(yù)定)距離可以是半導(dǎo)體芯片1000的制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最短距離。如果散熱片401盡可能靠近彼此設(shè)置，于是形成很多散熱片401，熱輻射面積可以增加。
[0045]此外，開(kāi)口可以形成在熱輻射構(gòu)件400上方，于是熱輻射構(gòu)件400可以暴露于外。如上所述，鈍化層230形成在布線部分220上從而保護(hù)半導(dǎo)體芯片1000。然而，鈍化層230可以不形成在熱輻射構(gòu)件400上從而形成開(kāi)口。因?yàn)殚_(kāi)口將散熱片401的上表面和側(cè)表面暴露于空氣，所以熱輻射構(gòu)件400可以將自半導(dǎo)體芯片1000的內(nèi)部產(chǎn)生的熱直接散發(fā)到半導(dǎo)體芯片1000外部。
[0046]此外，熱輻射構(gòu)件400可以由具有相對(duì)高的導(dǎo)熱性的材料形成。例如，熱輻射構(gòu)件400可以由金屬性材料諸如Al、Cu或W形成，或者可以由包括金屬性材料的混合材料形成。如果熱輻射構(gòu)件400與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220同時(shí)形成，熱輻射構(gòu)件400可以由與用于形成布線221、通孔222和/或柵極213的材料相同的材料形成。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。熱輻射構(gòu)件400可以在形成半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220之后獨(dú)立地形成。在該情形下，熱輻射構(gòu)件400可以由與用于形成布線221、通孔222和/或柵極213的材料不同的材料形成。以下將參考圖6A和圖6B提供其詳細(xì)描述。
[0047]如上所述，熱輻射構(gòu)件400由具有高導(dǎo)熱率的金屬性材料形成，并且包括其側(cè)表面和上表面暴露于空氣的散熱片401從而具有與空氣接觸的相對(duì)大的面積。因此，熱輻射構(gòu)件400可以將自半導(dǎo)體芯片1000內(nèi)部產(chǎn)生的熱有效地散發(fā)到半導(dǎo)體芯片1000外部。
[0048]現(xiàn)在將參考圖3A至圖6B詳細(xì)描述圖2中示出的熱輻射構(gòu)件400。
[0049]圖3A和圖3B為根據(jù)示例實(shí)施方式的圖2中示出的熱輻射構(gòu)件400的透視圖。圖3A示出了板狀的散熱片401a，圖3B示出了柱狀的散熱片401b。
[0050]參考圖3A，熱輻射構(gòu)件400可以包括多個(gè)板狀的散熱片401a。板狀的散熱片401a可以沿與半導(dǎo)體基板100的第一表面101垂直的第一方向(Z軸方向)和與第一方向垂直的第二方向(y軸方向)或第三方向(X軸方向)延伸。板狀的散熱片401a可以在除板狀的散熱片401a延伸的方向之外的方向上彼此順序地間隔開(kāi)。例如，如圖3A中所示，板狀的散熱片401a可以沿第一方向(z軸方向)和第二方向(y軸方向)延伸，并且可以在第三方向(x軸方向)上彼此順序地間隔開(kāi)。根據(jù)另一示例實(shí)施方式，板狀的散熱片401a可以沿第一方向(z軸方向)和第三方向(X軸方向)延伸，并且可以在第二方向(y軸方向)上彼此順序地間隔開(kāi)。
[0051]參考圖3B，熱輻射構(gòu)件400可以包括柱狀的散熱片401b。柱狀的散熱片401b可以沿與半導(dǎo)體基板100的第一表面101垂直的第一方向(Z軸方向)延伸。柱狀的散熱片401b可以在與第一方向垂直的第二方向(y軸方向)和第三方向(X軸方向)上彼此順序地間隔開(kāi)。雖然在圖3B中柱狀的散熱片401b具有方柱形狀，但是當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。柱狀的散熱片401b可具有圓的柱形狀(即，圓柱體形狀)。
[0052]同時(shí)，雖然在圖3A或圖3B中板狀的或柱狀的散熱片401a或401b在與半導(dǎo)體基板100的第一表面101垂直的第一方向(Z軸方向)上具有相同的高度(B卩，相同的長(zhǎng)度)，但是當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。板狀的或柱狀的散熱片401a或401b可具有不同的高度。例如，如圖4A所示，散熱片401可具有從熱輻射構(gòu)件400的中心朝向熱輻射構(gòu)件400的與半導(dǎo)體芯片1000的電路區(qū)200和側(cè)表面靠近的邊緣而逐漸減小。此外，如圖4B所示，相鄰的散熱片401可具有不同的高度。此外，散熱片401的高度可以不同地變化以有效地散熱。
[0053]圖5A至圖5F是根據(jù)示例實(shí)施方式的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件400的平面圖。為了便于說(shuō)明，在此放大了在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片1000的平面圖中的包括熱輻射構(gòu)件400的凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300和一部分電路區(qū)200。
[0054]圖5A至圖是包括圖3A中示出的板狀的散熱片401a的熱輻射構(gòu)件400的平面圖，圖5E和圖5F是包括圖3B中示出的柱狀的散熱片401b的熱輻射構(gòu)件400的平面圖。
[0055]參考圖5A，板狀的散熱片401a可以沿與半導(dǎo)體芯片1000的一個(gè)側(cè)表面IOOOs垂直的方向設(shè)置，并且可以彼此平行地順序間隔開(kāi)。此外，參考圖5B，板狀的散熱片401a可以沿與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs平行的方向設(shè)置，并且可以彼此平行地順序間隔開(kāi)。
[0056]參考圖5C，板狀的散熱片401a可以在與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs垂直的方向上彼此順序地間隔開(kāi)，并且還可以彼此平行地順序間隔開(kāi)。在該情形下，彼此平行設(shè)置的板狀的散熱片401a可以相對(duì)于半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs傾斜地(diagonally)排成線。此外，參考圖5C，板狀的散熱片401a可以在與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs平行的方向上彼此順序地間隔開(kāi)，并且還可以平行地彼此順序地間隔開(kāi)。
[0057]如圖5A至圖所示，如果板狀的散熱片401a在與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs垂直或平行的方向上設(shè)置，則熱輻射構(gòu)件400可以形成為條紋圖案。
[0058]參考圖5E，柱狀的散熱片401b可以在與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs垂直和平行的方向上彼此間隔開(kāi)。此外，參考圖5F，柱狀的散熱片401b可以在與半導(dǎo)體芯片1000的側(cè)表面IOOOs垂直、平行和傾斜的方向上彼此間隔開(kāi)。如圖5E和圖5F所示，因?yàn)橹鶢畹纳崞?01b可以彼此間隔開(kāi)，熱輻射構(gòu)件400可以形成為柵格圖案。
[0059]如關(guān)于圖5A至圖5F所述，熱輻射構(gòu)件400可以形成為各種圖案。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。考慮到熱輻射效率，熱輻射構(gòu)件400可以形成為各種圖案。
[0060]圖6A和圖6B是根據(jù)示例實(shí)施方式的，基于不同制造工藝的在圖2中示出的熱輻射構(gòu)件400的截面圖。
[0061]圖6A示出與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220同時(shí)形成的熱輻射構(gòu)件400a，圖6B示出在形成半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220之后單獨(dú)形成的熱輻射構(gòu)件400b。
[0062]參考圖6A，半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220形成在電路區(qū)200上，熱輻射構(gòu)件4001形成在劃線道300的局部區(qū)域上。半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220形成在半導(dǎo)體基板100的與半導(dǎo)體基板100的第一表面101相鄰的上區(qū)域上。半導(dǎo)體器件部分210形成在半導(dǎo)體基板100的上區(qū)域上，然后第一至第四通孔VAl至VA4和第一至第四金屬布線Ml至M4交替地層疊在半導(dǎo)體器件部分210上從而形成布線部分220。如以上關(guān)于圖2所述，第一至第四通孔VAl至VA4和第一至第四金屬布線Ml至M4可以由金屬性材料形成。
[0063]絕緣材料223可以填充在第一至第四通孔VAl至VA4和第一至第四金屬布線Ml至M4之間使得第一至第四金屬布線Ml至M4可以彼此間隔開(kāi)。在圖6A中，通孔和金屬布線分別形成為具有四個(gè)水平級(jí)的多層。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此，通孔和金屬布線的水平級(jí)的數(shù)目可以根據(jù)制造工藝而變化。
[0064]熱輻射構(gòu)件400a可以與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220同時(shí)形成。如圖6A所示，熱輻射構(gòu)件400可以通過(guò)交替地層疊第一至第四通孔VAl至VA4和第一至第四金屬布線Ml至M4而形成。因此，熱輻射構(gòu)件400a可以由用于形成布線部分220的金屬性材料形成。此外，散熱片401的寬度w和散熱片401之間的距離d可以是布線部分220的制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小寬度和距離。此外，絕緣材料可以填充在散熱片401之間，并且可以通過(guò)在形成布線部分220或鈍化層230之后執(zhí)行光刻工藝被去除。
[0065]雖然在圖6A中，熱輻射構(gòu)件400a與布線部分220類似地包括第一至第四通孔VAl至VA4和第一至第四金屬布線Ml至M4，但是當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。熱輻射構(gòu)件400a可以包括一些下通孔和金屬布線，例如，第一至第三通孔VAl至VA3和第一至第三金屬布線Ml至M3。此外，熱輻射構(gòu)件400a可以包括一些上通孔和金屬布線，例如，第二至第四通孔VA2至VA4和第二至第四金屬布線M2至M4。此外，熱輻射構(gòu)件400a可以由用于形成第一至第四通孔VAl至VA4、第一至第四金屬布線Ml至M4的金屬性材料和用于形成半導(dǎo)體器件部分210的多晶硅形成。
[0066]現(xiàn)在將描述與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220分開(kāi)形成的熱輻射構(gòu)件400b。
[0067]圖6B示出了與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220分開(kāi)形成的熱輻射構(gòu)件400b。例如，熱輻射構(gòu)件400b可以在形成半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220之后單獨(dú)形成，或者可以在形成半導(dǎo)體器件部分210、布線部分220和鈍化層230之后單獨(dú)形成。
[0068]在半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220形成在電路區(qū)200上時(shí)，劃線道300的局部區(qū)域，即熱輻射構(gòu)件400b形成在其上的區(qū)域，可以用絕緣材料填充。然后，可以通過(guò)執(zhí)行例如，光刻工藝形成多個(gè)凹槽，熱輻射材料可以填充在凹槽中，于是熱輻射構(gòu)件400b可以如圖6B所示地形成。在該情形下，寬度w和散熱片401之間的距離d可以是熱輻射構(gòu)件400b的制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小寬度和距離。
[0069]熱輻射構(gòu)件400b可以由導(dǎo)電材料形成。例如，熱輻射構(gòu)件400b可以由金屬性材料諸如W、A1或Cu形成，或者可以由包括金屬性材料的混合材料形成。此外，因?yàn)闊彷椛錁?gòu)件400b與半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220分開(kāi)形成，所以熱輻射構(gòu)件400b可以由與用于形成半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220的材料不同的材料形成。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。因?yàn)榘雽?dǎo)體器件部分210和布線部分220也由金屬性材料形成，所以熱輻射構(gòu)件400b可以由與用于形成半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220的材料相同的材料形成。
[0070]圖7是根據(jù)另一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片1000的截面圖。參考圖7，半導(dǎo)體芯片1000可以包括電路區(qū)200和凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300。半導(dǎo)體器件部分210、布線部分220和鈍化層230可以形成在電路區(qū)200上，熱輻射構(gòu)件400'可以形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的至少一部分上。
[0071]與圖2中示出的半導(dǎo)體芯片1000相比，差異在于在半導(dǎo)體芯片1000中包括的熱輻射構(gòu)件400'的結(jié)構(gòu)。因此，半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220與圖2中示出的那些相同，于是在此不再提供其詳細(xì)描述。
[0072]熱輻射構(gòu)件400'可以包括包含散熱片401的散熱片部分410和主體420。主體420形成在半導(dǎo)體基板100的第一表面101上并且與之平行，并且連接到散熱片401。散熱片401可以沿與半導(dǎo)體基板100的第一表面101垂直的方向延伸，并且可以在主體420上彼此間隔開(kāi)。散熱片401和主體420可以由金屬性材料諸如Al、Cu或W形成。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此，散熱片401和主體420可以由具有相對(duì)高的導(dǎo)熱性的其它金屬性材料形成。此外，散熱片401可以形成為板或柱形狀，如圖3A或圖3B所示，由散熱片401形成的熱輻射構(gòu)件400'的圖案可以是圖5A至圖5F中示出的圖案的其中之一。
[0073]圖8是根據(jù)另一示例實(shí)施方式的在圖1中示出的半導(dǎo)體芯片1000的截面圖。
[0074]參考圖8，半導(dǎo)體芯片1000可以包括電路區(qū)200和凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300。半導(dǎo)體器件部分210、布線部分220和鈍化層230可以形成在電路區(qū)200上，熱輻射構(gòu)件400'可以形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300的至少一部分上。半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體器件部分210和布線部分220與圖2中示出的那些相同，于是在此不再提供其詳細(xì)描述。
[0075]熱輻射構(gòu)件40(V可以與圖7示出的相同。熱輻射構(gòu)件40(V可以包括包含散熱片401的散熱片部分410和主體420。[0076]在圖8中，熱輻射構(gòu)件400'可以連接到接地電壓GND或電源電壓VDD的布線221a。接地電壓GND或電源電壓VDD的布線221a將通過(guò)輸入墊從外部設(shè)備施加的接地電壓GND或電源電壓VDD傳輸?shù)桨雽?dǎo)體器件部分210的電路器件。如圖8所示，用于傳輸接地電壓GND或電源電壓VDD的布線221a可以通過(guò)通孔222和另一布線221b連接到熱輻射構(gòu)件400'的主體420。備選地，如果熱輻射構(gòu)件400'的主體420由與用于形成布線部分220的布線221b的材料相同的材料形成，則熱輻射構(gòu)件40(V的主體420可以延伸到一部分電路區(qū)200，并且可以通過(guò)通孔222連接到接地電壓GND或電源電壓VDD的布線221a。
[0077]如上所述，在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片1000中，因?yàn)闊彷椛錁?gòu)件40(V連接到接地電壓GND或電源電壓VDD的布線221a，所以通過(guò)集成電路產(chǎn)生的熱可以更快速地傳遞到熱輻射構(gòu)件400'從而被散發(fā)。
[0078]圖9A和圖9B是根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片的布線層的平面圖。參考圖9A，布線層包括布線區(qū)域10和虛設(shè)部分20。布線區(qū)域10是一個(gè)或多個(gè)布線形成在其上以電連接形成在半導(dǎo)體芯片上的半導(dǎo)體器件的區(qū)域或者電連接電壓或信號(hào)與半導(dǎo)體器件的區(qū)域。在該情形下，布線由導(dǎo)電材料形成，例如，包括金屬性材料的材料。
[0079]為了布線層的均勻性，虛設(shè)部分20可以形成在除布線區(qū)域10以外的區(qū)域上。虛設(shè)部分20可以由與用于形成在布線區(qū)域10上形成的布線的材料相同的材料形成。如圖9A所示，虛設(shè)部分20可以與布線區(qū)域10間隔開(kāi)，并且可以一體地形成在除布線區(qū)域10以外的區(qū)域上。備選地，如圖9B所示，虛設(shè)部分20'可以以多條線21的形式形成在除布線區(qū)域10以外的區(qū)域上。圖9A或圖9B所示的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于布線部分的多個(gè)布線層的至少之一 O
[0080]一般而言，虛設(shè)部分以多個(gè)小矩形的形式形成在除了布線區(qū)域之外的區(qū)域上。然而，如果虛設(shè)部分20或20' —體地形成在除布線層的布線區(qū)域10之外的整個(gè)區(qū)域上(見(jiàn)圖9A)或者以多條線的形式形成(見(jiàn)圖9B)，則虛設(shè)部分20或20'可具有大的面積。然而，虛設(shè)部分20或20'的可能發(fā)生信號(hào)干擾的部分可以以小矩形的形式形成。
[0081]如上所述，虛設(shè)部分20或20'由與用于形成在布線區(qū)域10上形成的布線的金屬性材料相同的金屬性材料形成。一般而言，金屬性材料具有相對(duì)高的導(dǎo)熱性。因此，如果虛設(shè)部分20或20'形成在大的區(qū)域上，則布線層的均勻性可以被改善并且布線層的熱輻射特性也可以被改善。
[0082]圖1OA至圖1OC示出根據(jù)另一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片1000a。圖1OA是半導(dǎo)體芯片IOOOa的平面圖，圖1OB是半導(dǎo)體芯片IOOOa的透視圖，圖1OC是在晶圓上圖案化的多個(gè)半導(dǎo)體芯片IOOOa的平面圖。
[0083]參考圖1OA和圖10B，半導(dǎo)體芯片IOOOa包括電路區(qū)200和熱輻射部分500。熱輻射部分500可以形成在至少一部分凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上，該至少一部分凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300至少部分地圍繞電路區(qū)200。熱輻射部分500可以包括主體510和多個(gè)突起520。主體510可以至少部分地圍繞電路區(qū)200，突起520可以從主體510延伸到半導(dǎo)體芯片IOOOa的側(cè)表面1000s。熱輻射部分500可以是具有給定(或者備選地，預(yù)定)厚度且由導(dǎo)電材料(例如，金屬性材料諸如W、Al或Cu)形成的熱輻射板。鈍化層可以不形成在熱福射部分500上,于是熱福射部分500的上表面可以暴露于外。此外,如圖1OB所不，熱輻射部分500的突起520的垂直截面可以在半導(dǎo)體芯片IOOOa的半導(dǎo)體基板100的側(cè)表面IOOOs上暴露于外。
[0084]參考圖10C，當(dāng)多個(gè)半導(dǎo)體芯片IOOOa形成在晶圓上時(shí)，具有給定(或備選地，預(yù)定)寬度的多條線5201可以在半導(dǎo)體芯片IOOOa之間的凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上沿垂直于半導(dǎo)體芯片IOOOa的方向上被圖案化并且彼此間隔開(kāi)。在該情形下，如果晶圓被切割以單獨(dú)地分離半導(dǎo)體芯片1000a，如圖1OB所示，則可以形成包括其垂直截面暴露于外的突起520的熱輻射部分500。
[0085]如上所述，因?yàn)橥黄?20的垂直截面以及熱輻射部分500的上表面暴露于外，所以與空氣接觸的熱輻射區(qū)域可以增大。因此，半導(dǎo)體芯片IOOOa可以將自半導(dǎo)體芯片IOOOa內(nèi)部產(chǎn)生的熱有效地散發(fā)到半導(dǎo)體芯片IOOOa外部。此外，因?yàn)闊彷椛洳糠?00形成在凹槽(或，備選地劃線道區(qū))300上，所以熱輻射部分500可以被形成而不增加芯片尺寸。
[0086]圖11是根據(jù)一示例實(shí)施方式的顯示模塊2000的示意圖。參考圖11，顯示模塊2000可以包括顯示面板1200、顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100和印刷電路板(PCB) 1300。此外，顯示模塊2000還可以包括柔性PCB (FPCB) 1400。
[0087]顯示面板1200包括用于顯示圖像的多個(gè)像素單元。顯示面板1200可以是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板。顯示面板1200包括其中的多個(gè)像素對(duì)齊且每個(gè)像素發(fā)射與電流相應(yīng)的光的0LED。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此，顯示面板1200可以包括各種顯示器件。例如，顯示面板1200可以包括液晶顯示器(IXD)、電致變色顯示器(E⑶)、數(shù)字鏡子器件(DMD)、致動(dòng)鏡子器件(AMD, actuated mirror device)、光柵光閥(GLV)、等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)、發(fā)光二極管(LED)或真空熒光顯示器(VFD)。
[0088]顯不驅(qū)動(dòng)芯片1100產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)顯不面板1200的信號(hào)并將該信號(hào)傳輸至顯不面板1200。顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以包括電壓產(chǎn)生器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、掃描驅(qū)動(dòng)器和定時(shí)控制器。顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以是包括圖1所示的熱輻射構(gòu)件400或圖1OA所示的熱輻射部分500的半導(dǎo)體芯片。因此，顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以將電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱有效地散發(fā)至顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100外部。
[0089]顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100安裝在PCB1300上。用于電連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100和顯示面板1200的多個(gè)布線1301形成在PCB1300上。PCB1300可以與顯示面板1200的下基板相同。例如，PCB1300可以是作為顯示面板1200的下基板的玻璃基板，用于連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100和顯示面板1200的布線1301可以是銦錫氧化物(ITO)布線。
[0090]PCB1300可以包括熱輻射板1500，該熱輻射板1500形成在與安裝顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的區(qū)域和形成布線1301的區(qū)域分離開(kāi)的區(qū)域。如圖11所示，顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以安裝在PCB1300上，用于電連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的輸出墊和顯示面板1200的布線1301可以形成在顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100和面板1200之間，F(xiàn)PCB1400可以設(shè)置在顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100下面從而連接到顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的輸入墊。熱輻射板1500可以形成在顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的兩側(cè)。熱輻射板1500可以由金屬性材料形成。例如，熱輻射板1500可以由金屬性材料諸如W、Cu、金(Au )、銀(Ag)銀(Ag)或Al形成,或者可以由包括金屬性材料的混合材料形成。如圖11所示，熱輻射板1500的一個(gè)側(cè)表面可以接觸顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的側(cè)表面或者可以連接到顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100的接地電壓墊或電源電壓墊。因此，由顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100產(chǎn)生的熱可以通過(guò)熱福射板1500散發(fā)。
[0091]雖然顯示模塊2000包括用于驅(qū)動(dòng)圖11中的顯示面板1200的單一的顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100，但是當(dāng)前實(shí)施方式不限于此。顯示模塊2000可以包括多個(gè)顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100，多個(gè)熱輻射板1500可以形成在PCB1300上的顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100兩側(cè)的額外空間上。
[0092]圖12是根據(jù)一示例實(shí)施方式的顯示裝置3000的透視圖。顯示裝置3000可以包括PCB1300、顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100、顯示面板1200、偏光板1600和窗玻璃1900。
[0093]窗玻璃1900 —般由諸如壓克力(acryl)或鋼化玻璃的材料形成，保護(hù)顯示模塊2000不受因重復(fù)觸摸而引起的外部沖擊或刮痕。偏光板1600可以用于提高顯示面板1200的光學(xué)特性。顯示面板1200通過(guò)圖案化PCB1300上的透明電極而形成。顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以安裝在PCB1300上。例如，PCB1300可以是玻璃基板，顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以以玻璃上芯片(COG)形式安裝。然而，當(dāng)前實(shí)施方式不限于此，顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以以不同的形式安裝，例如，以膜上芯片(COF)形式或板上芯片(COB)形式安裝。顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100可以是包括熱輻射構(gòu)件或熱輻射部分的半導(dǎo)體芯片。此外，圖11中示出的熱輻射板1500可以形成在PCB1300上。
[0094]顯示裝置3000還可以包括觸摸板1700和觸摸控制器1800。觸摸板1700可以通過(guò)圖案化由諸如ITO的材料制成的透明電極而形成在玻璃基板上或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上。觸摸控制器1800感測(cè)觸摸板1700上的觸摸，計(jì)算觸摸坐標(biāo)，并將所計(jì)算的坐標(biāo)傳送到主機(jī)(未示出)。觸摸控制器1800可以與顯示驅(qū)動(dòng)芯片1100集成為一個(gè)半導(dǎo)體
-H-* I I
心/T O
[0095]圖13是顯示根據(jù)示例實(shí)施方式的，包括在圖12中示出的顯示裝置3000的各種電子產(chǎn)品的示意圖。顯示裝置3000可以用于不同的電子產(chǎn)品中。顯示裝置3000可以被用在手機(jī)3100、TV3200、自動(dòng)取款機(jī)(ATM) 3300、電梯3400、在諸如地鐵站的地方使用的售票機(jī)3500、便攜式多媒體播放器(PMP) 3600、電子書閱讀器3700和導(dǎo)航系統(tǒng)3800中。
[0096]本發(fā)明構(gòu)思已經(jīng)參考其示例實(shí)施方式被具體顯示和描述。在此用于描述本發(fā)明構(gòu)思的術(shù)語(yǔ)僅用于描述目的，而不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種變化，而不脫離由權(quán)利要求書的精神和范圍。
[0097]本申請(qǐng)要求享有2012年7月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0076282的權(quán)益，其公開(kāi)通過(guò)全文引用結(jié)合于此。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片,包括: 在半導(dǎo)體基板上的電路區(qū)，所述電路區(qū)具有半導(dǎo)體集成電路；和 熱輻射構(gòu)件，在配置用于至少部分地圍繞所述電路區(qū)的劃線道區(qū)的至少一部分上，所述熱輻射構(gòu)件包括在與所述半導(dǎo)體基板的上表面垂直的方向上延伸的多個(gè)散熱片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)散熱片具有板形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)散熱片具有柱形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)散熱片具有不同的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)散熱片包括在所述半導(dǎo)體基板的所述上表面上的、在與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面垂直或平行的方向上彼此順序地間隔開(kāi)的多個(gè)板狀的散熱片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件包括在所述半導(dǎo)體基板的所述上表面上的、在與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面垂直或平行的方向上彼此順序地間隔開(kāi)的多個(gè)柱狀的散熱片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件還包括:在所述半導(dǎo)體基板上的主體，所述主體連接到所述多個(gè)散熱片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件連接到所述電路區(qū)上的所述半導(dǎo)體電路的電源電壓布線或接地電壓布線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件通過(guò)開(kāi)口暴露。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件包括交替地層疊的多個(gè)金屬層和多個(gè)通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，還包括: 在所述電路區(qū)上的多個(gè)布線層， 其中所述多個(gè)布線層中的至少一個(gè)布線層包括其上形成有所述半導(dǎo)體集成電路的布線的布線區(qū)域和在除了所述布線區(qū)域之外的區(qū)域上的虛設(shè)部分，和 其中所述虛設(shè)部分一體地形成在與所述布線區(qū)域分離的區(qū)域上。
12.一種顯不模塊,包括: 顯示面板，包括多個(gè)像素單元； 顯示驅(qū)動(dòng)芯片，配置用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素單元，所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片包括劃線道區(qū)； 熱輻射構(gòu)件，在所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的所述劃線道區(qū)的至少一部分上；和 印刷電路板，其上安裝有所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片，所述印刷電路板包括配置用于電連接所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片和所述顯示面板的布線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示模塊，其中所述印制電路板包括與安裝所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的區(qū)域和形成所述布線的區(qū)域分離地形成的熱輻射板。 其中所述熱輻射板的側(cè)表面配置用于接觸所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的側(cè)表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示模塊，其中所述熱輻射板配置用于電連接所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電源電壓墊或接地電壓墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示模塊，其中所述印制電路板是玻璃基板。
16.—種半導(dǎo)體芯片,包括: 半導(dǎo)體基板，限定至少部分地圍繞集成電路區(qū)域的凹槽；和在所述凹槽的至少一部分中的熱輻射構(gòu)件，所述熱輻射構(gòu)件包括導(dǎo)電材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述導(dǎo)電材料包括金屬性材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述金屬性材料的金屬是銅(Cu)、鋁(Al)和鎢(W)的其中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述熱輻射構(gòu)件包括在與所述半導(dǎo)體基板的上表面垂直 的方向上延伸的多個(gè)散熱片。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)散熱片被暴露。
【文檔編號(hào)】H01L23/367GK103545271SQ201310292654
【公開(kāi)日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月12日
【發(fā)明者】裵鐘坤, 姜元植, 禹宰赫, 金成起, 金亮孝, 金度慶 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社