有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法及有機(jī)發(fā)光組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法，該方法包括：在基板上形成平坦化層，所述平坦化層包括負(fù)性光致抗蝕劑材料；利用掩膜對(duì)所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行曝光工藝；對(duì)經(jīng)過(guò)曝光工藝后的所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行顯影工藝，從而得到光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部，所述凸起部具有平滑表面；及在所述平坦部上形成反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)側(cè)表面上。本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件，可對(duì)OLED發(fā)出的光線進(jìn)行有效集中，在相同的像素面積內(nèi)增加了OLED的發(fā)光效率，同時(shí)也避免了各像素發(fā)光源之間產(chǎn)生混色。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法及有機(jī)發(fā)光組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及OLED (Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)發(fā)光技術(shù)，且特別涉及一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法及有機(jī)發(fā)光組件。

【背景技術(shù)】
[0002]OLED為自發(fā)光的顯示技術(shù)，目前上發(fā)光(Top emiss1n)的0LED，需于數(shù)據(jù)線上方增加一有機(jī)平坦化層，使OLED結(jié)構(gòu)在后續(xù)工藝中保持膜厚均一，減少不均勻膜厚造成的亮度差異。
[0003]目前的OLED面板需設(shè)計(jì)電路補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的閥值電壓，加上OLED高PPI (Pixel Per Inch)的需求，會(huì)影響OLED的開(kāi)口率，減少OLED的實(shí)際發(fā)光面積，間接造成亮度減少。故如何有在有限的像素面積內(nèi)，增加OLED的發(fā)光亮度，為現(xiàn)行OLED設(shè)計(jì)面臨且需立即解決的課題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的OLED發(fā)光結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1所示。該OLED發(fā)光結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極具有一反射層，用于對(duì)有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光線進(jìn)行反射。該OLED發(fā)光結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光線如圖1所示，因部分的發(fā)射光散射，易于相鄰的像素光源產(chǎn)生混色，造成色度不純及斜視角色偏。且一些光線如近水平方向的光線未從有效的發(fā)光區(qū)域和方向上射出，造成該OLED發(fā)光結(jié)構(gòu)的整體發(fā)光效率不高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制造方法及有機(jī)發(fā)光組件。
[0006]本發(fā)明公開(kāi)了一種制造有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法，包括:
[0007]在基板上形成平坦化層，所述平坦化層包括負(fù)性光致抗蝕劑材料；
[0008]利用掩膜對(duì)所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行曝光工藝；
[0009]對(duì)經(jīng)過(guò)曝光工藝后的所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行顯影工藝，從而得到光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部，所述凸起部具有平滑表面 '及
[0010]在所述平坦部上形成反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)側(cè)表面上。
[0011]其中，該掩膜包括:透光層和半透層；其中，僅被該透光膜覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撏蛊鸩?，同時(shí)被透光膜和半透層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撈教共俊?br> [0012]其中，該掩膜還包括光屏蔽層。
[0013]其中，該光屏蔽層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撚袡C(jī)層的邊緣。
[0014]其中，該光屏蔽層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撚袡C(jī)層上數(shù)據(jù)線與有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極相接的區(qū)域，和/或該有機(jī)層上需要涂布玻璃材料的區(qū)域。
[0015]其中，利用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積工藝將該該反射電極制作于該平坦部和凸起部上。
[0016]其中，突起部的坡角為25度至50度。
[0017]其中，該掩膜為灰度掩膜。
[0018]其中，該掩膜為半色調(diào)掩膜。
[0019]其中，該掩膜為半色調(diào)相移掩膜。
[0020]本發(fā)明還公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括:有機(jī)層及位于有機(jī)層上的有機(jī)發(fā)光二極管模塊；
[0021]該有機(jī)層包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部；
[0022]在所述平坦部上形成有反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)側(cè)表面上。
[0023]其中，該反射電極為該有機(jī)發(fā)光二極管模塊的陽(yáng)極。
[0024]其中，該反射層使用Al、Ag或Ni等金屬或其合金制成平滑的具有高反射性能的平面。
[0025]本發(fā)明還公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光組件，包括:有機(jī)層及位于有機(jī)層上的有機(jī)發(fā)光二極管模塊；
[0026]該有機(jī)層包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部；
[0027]在所述平坦部上形成有反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)側(cè)表面上。
[0028]其中，該反射電極為該有機(jī)發(fā)光二極管模塊的陽(yáng)極。
[0029]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件，可對(duì)OLED發(fā)出的光線進(jìn)行有效集中，在相同的像素面積內(nèi)，在無(wú)需增加成本和工藝的情況下，增加了 OLED的發(fā)光效率，同時(shí)也避免了各像素發(fā)光源之間產(chǎn)生混色。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的OLED發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0031]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0032]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的制作有機(jī)層I的示意圖。
[0033]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的OLED組件的示意圖。
[0034]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的緩坡部分12的照片。

【具體實(shí)施方式】
[0035]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。
[0036]此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開(kāi)的技術(shù)方案而沒(méi)有所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本公開(kāi)的各方面。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，參見(jiàn)圖2所示為該有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，其至少包括有機(jī)層I和OLED模塊2。該OLED模塊2至少包括一反射層21，此外，OLED模塊2其也包括發(fā)光層，陰極層、陽(yáng)極層等；該有機(jī)層I環(huán)繞在該OLED模塊2周圍，并且上端開(kāi)口，形成周圍突起的形狀；該有機(jī)層I包括一發(fā)光區(qū)11(平坦部)及一緩坡部分12(突起部)，該發(fā)光區(qū)11位于有機(jī)層I的中間區(qū)域，OLED模塊2的發(fā)光層置于該發(fā)光區(qū)11上；緩坡部分12圍繞在該發(fā)光區(qū)11的前后左右四個(gè)側(cè)面，圖2為有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫剖視圖，其縱剖視圖(未圖示)與橫剖視圖類似。緩坡部分12的坡角Θ的值可以是介于25度至50度之間。反射層21設(shè)置于有機(jī)層I的發(fā)光區(qū)11及緩坡部分12上，在發(fā)光區(qū)11上形成有反射層(如反射電極)和有機(jī)發(fā)光層，其中該反射層還位于緩坡部分12的相對(duì)的側(cè)表面上。如圖2所示，反射層21的底部部分21a設(shè)于有機(jī)層I的發(fā)光區(qū)11上，反射層21的周圍部分21b依該緩坡部分12而設(shè)，形成一傾斜面，使得反射層21于有機(jī)層I內(nèi)形成凹形結(jié)構(gòu)。
[0038]如圖2所示，OLED模塊2發(fā)出的光線，經(jīng)過(guò)底部及四周的反射層21進(jìn)行反射，可有效集中散射光，增加光源利用率，且也能避免發(fā)出的光線向周圍像素光源發(fā)散，避免與相鄰的像素光源產(chǎn)生混色。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制作工藝包括:
[0040]1、如圖3所示，在負(fù)性光致抗蝕劑材料的有機(jī)層I’(或平坦化層)上方罩一掩膜
3。(圖3中的標(biāo)號(hào)I’表不未經(jīng)過(guò)光蝕刻處理的有機(jī)層，標(biāo)號(hào)I表不經(jīng)過(guò)光蝕刻處理后的有機(jī)層)。掩膜3能覆蓋有機(jī)層I’，其包括透光層31，半透層32和光屏蔽層33。在有機(jī)層I上，被光屏蔽層33覆蓋的區(qū)域?yàn)橛袡C(jī)層I’的邊緣，僅被透光層21覆蓋的區(qū)域?qū)?yīng)于欲形成緩坡的區(qū)域，其他區(qū)域同時(shí)被透光膜31和半透層32覆蓋。本實(shí)施例中，該掩膜3可以為灰度掩膜、半色調(diào)掩膜或半色調(diào)相移掩膜。
[0041]結(jié)合圖3和上述的介紹可知，光屏蔽層33下形成光屏蔽區(qū)A3，僅被透光層31覆蓋的區(qū)域形成透光區(qū)Al，同時(shí)在透光膜31和半透層32下的區(qū)域是半透光區(qū)A2。
[0042]2、在掩膜3上方進(jìn)行光照，則透光區(qū)Al下的負(fù)性光致抗蝕劑在曝光后將發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，變成不能被顯影液溶解掉的較高分子量的交聯(lián)聚合物；而半透光區(qū)A2下的負(fù)性光致抗蝕劑發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的強(qiáng)度小于透光區(qū)Al下的負(fù)性光致抗蝕劑，對(duì)于光屏蔽區(qū)A3下的負(fù)性光致抗蝕劑基本未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。
[0043]3、使用顯影液溶解該有機(jī)層1，透光區(qū)Al下的負(fù)性光致抗蝕劑只有極少數(shù)部分被溶解，形成緩坡部分12，而半透光區(qū)A2下的負(fù)性光致抗蝕劑較多部分被溶解，形成薄于原有機(jī)層厚度的平坦部分；而對(duì)于光屏蔽區(qū)A3下的負(fù)性光致抗蝕劑基本全部會(huì)被溶解。其中，本案僅以圖3所示的需要去除有機(jī)層I’的邊緣為例進(jìn)行說(shuō)明，本案并不限定有機(jī)層I’邊緣的負(fù)性光致抗蝕劑需要去除。該有機(jī)層I’上需要去除的部分根據(jù)具體需要而定，如需要去除的部分也可以為像素內(nèi)數(shù)據(jù)線與陽(yáng)極相接的區(qū)域，或者需要涂布玻璃材料的區(qū)域。對(duì)于需要去除的區(qū)域，使其上方被光屏蔽層33所覆蓋即可。
[0044]通過(guò)上述制作工藝，就能形成如圖3最下方所示的具有發(fā)光區(qū)11和緩坡部分12的有機(jī)層I。
[0045]4、在制作出上述的有機(jī)層I后，將反射層21依有機(jī)層I的發(fā)光區(qū)11和緩坡部分12而設(shè)置，形成圖2所示的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0046]該反射層21可以利用PVD (Physical Vapor Deposit1n,物理氣相沉積)或CVD (Chemical Vapor Deposit1n,化學(xué)氣相沉積)的工藝,制作于該發(fā)光區(qū)11及緩坡部分12上。
[0047]其中，該反射層21可以位于OLED的陽(yáng)極中，如該反射層21可以為陽(yáng)極層中的一具有高反光率的金屬層。該金屬層可使用Al、Ag或Ni等金屬或其合金制成平滑的具有高反射性能的平面。
[0048]此外，也可以僅是反射層21中的底部部分21a位于陽(yáng)極中，而周圍部分21b為一獨(dú)立的結(jié)構(gòu)，即在陽(yáng)極層的四周，獨(dú)立的設(shè)置具有高反射性能的平面以對(duì)OLED模塊發(fā)出的光進(jìn)行反射。但此種方式需增加光罩?jǐn)?shù)量及制作程序，采用何種結(jié)構(gòu)可依具體需求而定。
[0049]對(duì)于陽(yáng)極層包括反射層21的OLED模塊，其陰極層為透明層，在陰極層和陽(yáng)極層之間夾有機(jī)發(fā)光層，形成如三明治的結(jié)構(gòu)。當(dāng)陰極層和陽(yáng)極層之間的電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí)，正負(fù)電子在此有機(jī)發(fā)光層中相遇，就會(huì)發(fā)出光線，所發(fā)出的光線經(jīng)陽(yáng)極反射層的反射后從陰極透明層透射而出。
[0050]如圖4所示的OLED組件的示范實(shí)施例,本實(shí)施例中,用于OLED組件的晶體管T可以設(shè)置在陽(yáng)極反射層的下方。
[0051]本發(fā)明的上述實(shí)施例以陽(yáng)極層包括反射層21，陰極層為透明層為例進(jìn)行說(shuō)明。此夕卜，本領(lǐng)域技術(shù)人員也能想到，該OLED模塊也可以為陰極層包括反射層21的OLED器件，此時(shí)，陰極層設(shè)置于有機(jī)層上，陰極層之上為有機(jī)發(fā)光層和陽(yáng)極層，陽(yáng)極層為透明的結(jié)構(gòu)，有機(jī)發(fā)光層位于陰極和陽(yáng)極之間。需要說(shuō)明的是，制作此種結(jié)構(gòu)的OLED模塊，需要增加光罩的數(shù)量及相關(guān)的工藝，否則較難形成圖2所示的具有凹形結(jié)構(gòu)的OLED模塊2。因此，采用陰極層包括反射層21的OLED模塊2，需要額外考慮相關(guān)的制作工藝及成本。
[0052]結(jié)合上述介紹可知，該OLED模塊2中，反射層21的底部部分21a與周圍部分21b共同構(gòu)成該OLED模塊2的出光區(qū)，OLED模塊2發(fā)出的光都從該出光區(qū)射出。
[0053]在該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)中，可根據(jù)具體的應(yīng)用需求，對(duì)緩坡部分12的坡度進(jìn)行調(diào)節(jié)。具體的，調(diào)節(jié)緩坡的坡度，需要考慮的相關(guān)因素包括曝光量(包括光照能量、間距和時(shí)間)，顯影液的蝕刻強(qiáng)度(包括顯影液種類，蝕刻時(shí)間)及有機(jī)層的材料和厚度，綜合考慮上述三種因素，進(jìn)行最佳化的搭配就能將緩坡制成預(yù)期的坡度。
[0054]如光照強(qiáng)度越強(qiáng)，則半透光區(qū)A2的光照能量也越大，其產(chǎn)生的交聯(lián)反應(yīng)相應(yīng)強(qiáng)些，使用顯影液溶解后，半透光區(qū)A2減小的厚度較少，相對(duì)的形成的緩坡的高度較低，則緩坡的坡度相應(yīng)較低；同理，減小光照強(qiáng)度，則會(huì)使緩坡的坡度相應(yīng)增加。此外，顯影液蝕刻強(qiáng)度和有機(jī)層的材料，都會(huì)影響半透光區(qū)A2的蝕刻程度，并最終影響緩坡的坡度，故需要綜合考慮三種因素，以使有機(jī)層進(jìn)行蝕刻處理后，緩坡的坡度能與預(yù)期相符。
[0055]調(diào)節(jié)緩坡部分12的高度能夠調(diào)節(jié)OLED模塊2的側(cè)面透光度；而調(diào)節(jié)緩坡部分12的坡度就能調(diào)節(jié)側(cè)面反射層于底面反射層的夾角，由此調(diào)節(jié)出光區(qū)的坡度。
[0056]如圖5所示，在本案中，緩坡部分12的傾斜程度越小，坡度越緩，緩坡的形狀越近似為弧形；傾斜程度越大，坡度越陡，緩坡的形狀越近似為傾斜的平面，本案中的緩坡部分12的坡度是指坡面的垂直高度和水平距離的比，即為緩坡部分12的坡角的正切值。
[0057]本案中為提高反射層21的反射效率，該反射層21適宜設(shè)計(jì)成如圖2所示的開(kāi)口的圓臺(tái)狀結(jié)構(gòu)，能夠想到的是，本案也可以根據(jù)OLED模塊2的具體性能，將反射層21設(shè)計(jì)成其他的形狀。
[0058]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件，可對(duì)OLED發(fā)出的光線進(jìn)行有效集中，在相同的像素面積內(nèi)，在無(wú)需增加成本和工藝的情況下，增加了 OLED的發(fā)光效率，同時(shí)也避免了各像素發(fā)光源之間產(chǎn)生混色。
[0059]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到在不脫離本發(fā)明所附的權(quán)利要求所揭示的本發(fā)明的范圍和精神的情況下所作的更動(dòng)與潤(rùn)飾，均屬本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種制造有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法，包括: 在基板上形成平坦化層，所述平坦化層包括負(fù)性光致抗蝕劑材料； 利用掩膜對(duì)所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行曝光工藝； 對(duì)經(jīng)過(guò)曝光工藝后的所述負(fù)性光致抗蝕劑材料執(zhí)行顯影工藝，從而得到光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部，所述凸起部具有平滑表面；及在所述平坦部上形成反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)的側(cè)表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該掩膜包括:透光層和半透層；其中，僅被該透光膜覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撏蛊鸩?，同時(shí)被透光膜和半透層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撈教共俊?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，該掩膜還包括光屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，該光屏蔽層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撚袡C(jī)層的邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，該光屏蔽層覆蓋的區(qū)域?yàn)樵撚袡C(jī)層上數(shù)據(jù)線與有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極相接的區(qū)域，和/或該有機(jī)層上需要涂布玻璃材料的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積工藝將該該反射電極制作于該平坦部和凸起部上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，突起部的坡角為25度至50度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該掩膜為灰度掩膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該掩膜為半色調(diào)掩膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該掩膜為半色調(diào)相移掩膜。
11.一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括:有機(jī)層及位于有機(jī)層上的有機(jī)發(fā)光二極管模塊； 該有機(jī)層包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部； 在所述平坦部上形成有反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)的側(cè)表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，該反射電極為該有機(jī)發(fā)光二極管模塊的陽(yáng)極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，該反射層使用Al、Ag或Ni等金屬或其合金制成平滑的具有高反射性能的平面。
14.一種有機(jī)發(fā)光組件,包括:有機(jī)層及位于有機(jī)層上的有機(jī)發(fā)光二極管模塊； 該有機(jī)層包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部； 在所述平坦部上形成有反射電極和有機(jī)發(fā)光層，其中所述反射電極還位于所述凸起部的相對(duì)的側(cè)表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光組件，其中，該反射電極為該有機(jī)發(fā)光二極管模塊的陽(yáng)極。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104282844SQ201310285545
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】曾迎祥 申請(qǐng)人:上海和輝光電有限公司