多天線系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多天線系統(tǒng)，包括基板、接地元件、第一天線元件、第二天線元件與解耦元件。接地元件設置在基板的第一表面，且解耦元件設置在基板的第二表面。兩天線元件的接地部與解耦元件的第一連接端電性連接至接地元件。解耦元件與部分第一接地部相隔第一解耦間隙，且解耦元件與部分第二接地部相隔第二解耦間隙。通過解耦元件、第一解耦間隙以及第二解耦間隙，可產生相對于兩天線元件的相位差，進而消除兩天線元件間互相干擾的能量。
【專利說明】多天線系統(tǒng)

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明是有關于一種多天線系統(tǒng)，且特別是有關于一種具有解耦元件的多天線系 統(tǒng)。

【背景技術】
[0002] 由于第四代移動通信（4G)長期進化（Long Term Evolution,簡稱LTE)標準能夠 支持具有多輸入多輸出（multi-input multi-output,簡稱ΜΙΜΟ)的多天線系統(tǒng)的應用，因 此4G LTE標準已逐漸成為移動通信裝置的新規(guī)范。然而，目前各國市場所規(guī)劃采用的LTE 頻段過于廣泛，例如：美國市場采用LTE700頻段（704?862MHz)、中國大陸與歐洲市場采 用LTE2300與LTE2600頻段（2300?2690MHz)，進而導致多天線系統(tǒng)的整合面臨了全新的 技術挑戰(zhàn)。
[0003] 例如，以可應用在LTE雙頻的多天線系統(tǒng)為例來看。由于多天線系統(tǒng)的低頻頻帶 涵蓋700MHz且高頻頻帶涵蓋2. 6GHz，因此低頻天線的共振尺寸往往為高頻頻帶的共振尺 寸的3倍以上。除了天線的共振尺寸變大，且天線之間的隔離距離變小以外，天線的操作波 長的大幅增加也會使得天線之間的互耦效應更加地強烈，進而導致天線的輻射效率降低。
[0004] 現(xiàn)有的解耦技術大多采用多天線間的長距離擺置，來達到空間分集（Spatial Diversity)的效果。例如，美國專利US6, 498, 591B2與美國專利US7, 253, 779B2,則是利 用不同的天線架構（Patch, Dipole)來得到不同的福射場型，進而達到場型分集（Pattern Diversity)或是極化分集（Polarization Diversity)。然而，上述方法可能會耗費龐大的 硬體空間，故無法滿足移動通信裝置在輕薄短小上的應用。
[0005] 此外，因應移動通信裝置的有限硬體空間，具有中性線（Neutral Line)設計概念 的解耦技術也孕育而生，例如：美國專利US2011/0175792A1與美國專利US2012/0013519A1 所公開的多天線架構。然而，上述方法雖然可以縮減天線的擺置距離，但只能于高頻2. 4GHz 附近形成一窄頻隔離模態(tài)（IsolationMode)，若想應用于LTE系統(tǒng)低頻頻帶700MHz附近時， 該中性線設計結構尺寸將會隨之變大，因而占用天線或電路布局空間，進而限縮多天線系 統(tǒng)的應用范圍。


【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明提供一多天線系統(tǒng)，利用解耦元件提升兩天線元件之間的隔離度，并可與 兩天線元件作整合式設計，以滿足移動通信裝置在輕薄短小上的應用。
[0007] 本發(fā)明的實施例提出一種多天線系統(tǒng)，包括基板、接地元件、第一天線元件、第二 天線元件與解耦元件?；寰哂械谝槐砻媾c第二表面。接地元件設置在第一表面。第一天 線元件包括電性連接至接地元件的第一接地部。第二天線元件包括電性連接至接地元件的 第二接地部。解耦元件設置在第二表面，并隔著基板相對于接地元件。此外，解耦元件具有 第一連接端與第二連接端，且第一連接端電性連接至接地元件。解耦元件與部分第一接地 部相互平行并相隔第一解耦間隙，且解耦元件與部分第二接地部相互平行并相隔第二解耦 間隙。通過解耦元件、第一解耦間隙以及第二解耦間隙，可產生相對于第一天線元件以及第 二天線元件的相位差。
[0008] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1A為依據本發(fā)明一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。
[0010]圖1B為依據本發(fā)明一實施例的多天線系統(tǒng)的散射參數(shù)曲線圖。
[0011] 圖2與圖3分別為依據本發(fā)明另一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。
[0012] 圖4為依據本發(fā)明又一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。
[0013] 圖5為圖1A的多天線系統(tǒng)的透視圖。
[0014] 圖6A為依據本發(fā)明再一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。
[0015] 圖6B為依據本發(fā)明再一實施例的多天線系統(tǒng)的實測散射參數(shù)曲線圖。
[0016] 圖7為依據本發(fā)明一實施例的相位接合結構的示意圖。
[0017] 圖8為圖7的相位接合結構的延伸實施例。
[0018] 圖9為依據本發(fā)明另一實施例的相位接合結構的示意圖。
[0019] 圖10為依據本發(fā)明又一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。
[0020] 其中，附圖標記：
[0021] 10、20、30、40、60、70、100 :多天線系統(tǒng)
[0022] 110、1010:基板 120、1020 :接地元件
[0023] 130、1030 :第一天線元件 131、1031 :第一輻射部
[0024] 132、1032 :第一饋入部 133、1033 :第一接地部
[0025] FP1UFP101 :第一饋入點 GP11、GP101 :第一接地點
[0026] 140、1040 :第二天線元件 141、1041 :第二輻射部
[0027] 142、1042 :第二饋入部 143、1043 :第二接地部
[0028] FP12、FP102 :第二饋入點 GP12、GP102 :第二接地點
[0029] Sll、S22、S113 :返回損失曲線 S211、S212、S213 :隔離度曲線
[0030] 15〇、25〇、35〇、4 5〇、75〇、1〇5〇 :解耦元件
[0031] 151、251、351、1051 :解耦元件的第一連接端
[0032] 152、252、352、1052 :解耦元件的第二連接端
[0033] D1UD101 :第一解耦間隙 D12、D102 :第二解耦間隙
[0034] L1 :金屬配線
[0035] GP13、GP31、GP32、GP41、GP71、GP103 :接地點
[0036] 451、751 :第一金屬配線 452、752 :第二金屬配線
[0037] 453、830 :二極管 510、520、530、540 :輻射導體
[0038] 753:相位接合結構 810:固定電容
[0039] 820、920:可變電容 910:電抗單元

【具體實施方式】
[0040] 圖1A為依據本發(fā)明一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。參照圖1A，多天線系統(tǒng)10 包括基板110、接地元件120、第一天線元件130、第二天線元件140以及解耦元件150。其 中，基板110具有第一表面與第二表面。接地元件120相當于多天線系統(tǒng)10的系統(tǒng)接地面， 并設置在基板110的第一表面。解耦元件150設置在基板110的第二表面。此外，基板110 的第一表面上未配置接地元件120的區(qū)域可視為天線的凈空區(qū)域。
[0041] 第一天線元件130包括第一輻射部131、第一饋入部132與第一接地部133。其 中，第一饋入部132與第一接地部133電性連接第一輻射部131。此外，第一饋入部132具 有第一饋入點FP11，并用以接收一饋入信號。第一接地部133具有第一接地點GP11，并用 以電性連接至接地元件120。例如，在一實施例中，多天線系統(tǒng)10還包括第一通孔。其中， 第一通孔貫穿第一接地部133、基板110與接地元件120。以至于，第一接地部133上的第 一接地點GP11將可通過第一通孔內的導電元件電性連接至接地元件120。
[0042] 第二天線元件140相鄰于第一天線元件130,并包括第二輻射部141、第二饋入部 142與第二接地部143。其中，第二饋入部142與第二接地部143電性連接第二輻射部141。 此外，第二饋入部142具有第二饋入點FP12,并用以接收另一饋入信號。第二接地部143具 有第二接地點GP12,并用以電性連接至接地元件120。例如，在一實施例中，多天線系統(tǒng)10 還包括第二通孔。其中，第二通孔貫穿第二接地部143、基板110與接地元件120。以至于， 第二接地部143上的第二接地點GP12將可通過第二通孔內的導電元件電性連接至接地元 件 120。
[0043] 解耦元件150隔著基板110相對于接地元件120。亦即，接地元件120設置在解耦 元件150的下方。此外，解耦元件150與部分第一接地部133相互平行并相隔第一解耦間 隙D11。相似地，解耦元件150與部分第二接地部143相互平行并相隔第二解耦間隙D12。 在圖1A實施例中，第一接地部133與第二接地部143分別具有至少一彎折，以各自形成與 解耦元件150相互平行的區(qū)段。
[0044] 在整體運作上，第一天線元件130的最低操作頻率不大于（亦即，小于或是等于） 第二天線元件140的最低操作頻率。此外，通過解耦元件150、第一解耦間隙D11以及第二 解耦間隙D12,可產生相對于第一天線元件130以及第二天線元件140的相位差，進而有效 降低兩天線元件130與140所激發(fā)的共振模態(tài)的干擾。
[0045] 換言之，多天線系統(tǒng)10可通過解耦元件150來降低兩天線元件130與140之間互 相干擾的能量，進而提升兩天線元件130與140之間的隔離度。舉例來說，圖1B為依據本 發(fā)明一實施例的多天線系統(tǒng)的散射參數(shù)曲線圖，其中曲線S11與S22是用以表示兩天線元 件130與140的返回損失，且曲線S211與S212是用以表示多天線系統(tǒng)10在未加入解耦元 件150與加入解耦元件150后的隔離度。如圖1B所示，可以發(fā)現(xiàn)，在加入解耦元件150后 天線的隔離度有明顯的改善。據此，本實施例的多天線系統(tǒng)10無需通過天線間的長距離擺 置就可提升天線元件之間的隔離度，故可以滿足移動通信裝置在輕薄短小上的應用。
[0046] 值得一提的是，第一解耦間隙D11與第二解耦間隙D12皆小于第一天線元件130 的最低操作頻率的百分之一波長。此外，第一接地部133具有與解耦元件150相互平行的 一區(qū)段，且所述區(qū)段的長度不小于第一天線元件130的最低操作頻率的百分之一波長。相 似地，第二接地部143具有與解耦元件150相互平行的一區(qū)段，且所述區(qū)段的長度也不小于 第一天線元件130的最低操作頻率的百分之一波長。
[0047] 在圖1A實施例中，解耦元件150具有第一連接端151與第二連接端152。其中，第 一連接端151具有一接地點GP13,以電性連接至接地元件120,且第二連接端152則為一開 路端。換言之，解耦元件150的第一連接端151與接地元件120為電感性連接，而解耦元件 150的第二連接端152與第二天線元件140則為電容性連接。
[0048] 雖然圖1Α實施例列舉了解耦元件150與兩天線元件130U40的連接形態(tài)，但其并 非用以限定本發(fā)明。舉例來說，圖2與圖3分別為依據本發(fā)明另一實施例的多天線系統(tǒng)的 示意圖。在圖2實施例中，多天線系統(tǒng)20中的解耦元件250具有第一連接端251與第二連 接端252,且第一連接端251電性連接至第一接地部133,第二連接端252為一開路端。以 至于，第一連接端251將可通過第一接地部133上的第一接地點GP11電性連接至接地元件 120。換言之，解耦元件250的第一連接端251與第一天線元件130為電感性連接，且解耦 元件250的第二連接端252與第二天線元件140為電容性連接。
[0049] 值得一提的是，在另一實施例中，第一連接端251與第二連接端252的連接狀態(tài)也 可對調。亦即，第一連接端251可為一開路端，且第二連接端252電性連接至第二接地部 133。以至于，解耦元件250將分別與第一天線元件130、第二天線元件140形成電容性連接 與電感性連接。至于圖2實施例中其余元件的詳細說明已包含在上述實施例中，故在此不 予贅述。
[0050] 在圖3實施例中，多天線系統(tǒng)30中的解耦元件350具有第一連接端351與第二連 接端352。其中，第一連接端351具有一接地點GP31以電性連接至接地元件120,且第二連 接端352具有另一接地點GP32以電性連接至接地元件120。換言之，解耦元件350的第一 連接端351與接地元件120為電感性連接，且解耦元件350的第二連接端352與接地元件 120也為電感性連接。至于圖3實施例中其余元件的詳細說明已包含在上述各實施例中，故 在此不予贅述。
[0051] 請繼續(xù)參照圖1Α。解耦元件150可例如是由一金屬配線L1所構成。此外，金屬 配線L1的長度小于第一天線元件130的最低操作頻率的四分之一波長。例如，在一實施例 中，金屬配線L1的長度為第一天線元件130的最低操作頻率的七分之一波長。除此之外， 在另一實施例中，也可在金屬配線中穿插至少一二極管。以至于，將可通過二極管的導通與 否來切換金屬配線的長度，進而調整解耦頻率的位置。
[0052] 舉例來說，圖4為依據本發(fā)明又一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。在圖4實施例 中，多天線系統(tǒng)40中的解耦元件450包括第一金屬配線451、第二金屬配線452與二極管 453。具體而言，第一金屬配線451的第一端用以作為解耦元件450的第一連接端，且第一金 屬配線451的第一端具有一接地點GP41。此外，第一金屬配線451與部分第一接地部133相 隔第一解耦間隙D11，且第一金屬配線451與部分第二接地部143相隔第二解耦間隙D12。
[0053] 第二金屬配線452的第一端用以作為解耦元件450的第二連接端。此外，第二金 屬配線452與部分第二接地部143相隔第二解耦間隙D12。另一方面，二極管453電性連 接在第一金屬配線451的第二端與第二金屬配線452的第二端之間。以至于，通過二極管 453的導通與否，將可切換從第一接地部133延伸至第二接地部143的金屬配線的長度，進 而調整解耦頻率的位置。再者，第一金屬配線451的第一端通過接地點GP41電性連接至接 地兀件120,而第二金屬配線452的第一端為一開路端。此外，在另一實施例中，第一金屬 配線451的第一端電性連接至第一接地部133,且第二金屬配線452的第一端為一開路端。 相似地，在另一實施例中，第一金屬配線451的第一端為一開路端，且第二金屬配線452的 第一端電性連接至第二接地部143。
[0054] 圖5為圖1A的多天線系統(tǒng)的透視圖，其中圖5實施例繪示出第一輻射部131與第 二輻射部141的詳細結構。具體而言，圖5實施例是以平面倒F形天線結構來列舉第一天 線元件130與第二天線元件140的實施形態(tài)。因此，如圖5所示，第一輻射部131包括輻射 導體510與輻射導體520。其中，輻射導體510電性連接至第一饋入部132,且輻射導體520 電性連接至第一接地部133并環(huán)繞輻射導體510。相似地，第二輻射部141包括輻射導體 530與輻射導體540。其中，輻射導體530電性連接至第二饋入部142,且輻射導體540電性 連接至第二接地部143并環(huán)繞輻射導體530。雖然圖5實施例列舉了第一天線元件130與 第二天線元件140的實施形態(tài)，但其并非用以限定本發(fā)明。
[0055] 除此之外，為了可以動態(tài)地調整解耦元件的解耦頻率，還可在解耦元件中設置一 相位接合結構。舉例來說，圖6A為依據本發(fā)明再一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。在圖6A 實施例中，多天線系統(tǒng)70中的解耦元件750包括第一金屬配線751、第二金屬配線752與相 位接合結構753。其中，第一金屬配線751與部分第一接地部133相隔第一解耦間隙D11， 且第一金屬配線751具有一接地點GP71，以電性連接至接地元件120。第二金屬配線752 與部分第二接地部143相隔第一解耦間隙D12。相位接合結構753電性連接在第一金屬配 線751與第二金屬配線752之間，并用以調整解耦元件750所提供的相位差。
[0056] 在一實施例中，相位接合結構753可為一金屬線段、一晶片電感、一晶片電容或是 一分布式電容或其組合。此外，本領域技術人員可依設計所需，調整金屬線段的長度，或是 調整晶片電感、晶片電容與分布式電容的阻抗值，并達到調整解耦元件750的相位差。
[0057] 在另一實施例中，相位接合結構753可為一可變電容。此外，多天線系統(tǒng)70可通過 一控制信號來調整可變電容的電容值，并調整解耦元件750的相位差，其中該可變電容可 為一射頻微機電系統(tǒng)元件。舉例來說，圖6B為依據本發(fā)明再一實施例的多天線系統(tǒng)的實測 散射參數(shù)曲線圖，其中曲線S113是用以表示隨著可變電容值改變的天線元件的回波損耗， 且曲線S213是用以表示隨著可變電容值改變的多天線系統(tǒng)70的隔離度。如圖6B所示，可 以發(fā)現(xiàn)，通過調整可變電容的電容值（例如：圖6B中的2. 8pF、2. 4pF、2pF、1.6pF、1.4pF)， 可相對地調整天線系統(tǒng)70中隔離頻寬所涵蓋的頻率范圍，進而致使解耦元件750具有寬頻 帶操作的特性。
[0058] 為了致使本領域技術人員能更了解圖6A實施例所列舉的相位接合結構753,以下 將針對相位接合結構753的詳細結構作進一步的說明。
[0059] 圖7為依據本發(fā)明一實施例的相位接合結構的示意圖。如圖7所示，相位接合結構 753包括固定電容810與可變電容820。其中，固定電容810電性連接在第一金屬配線751 與第二金屬配線752之間，且可變電容820與固定電容810相互并聯(lián)。在操作上，多天線系 統(tǒng)70可通過一控制信號調整可變電容820的電容值，進而改變串接在第一金屬配線751與 第二金屬配線752之間的等效電容值。以至于，解耦元件750所提供的相位差將響應于所 述等效電容值產生對應的改變。
[0060] 圖8為圖7的相位接合結構的延伸實施例。與圖7實施例相較之下，圖8的相位 接合結構753還包括二極管830。其中，二極管830的陽極電性連接可變電容820與第一金 屬配線751，且二極管830的陰極電性連接固定電容810。在操作上，當二極管830導通時， 可變電容820與固定電容810將同時串接在兩金屬配線751與752之間。此時，相位接合 結構753所提供的等效電容值將被提升，進而致使解耦元件750可操作在較低的頻帶。相 對地，當二極管830不導通時，僅有可變電容820串接在兩金屬配線751與752之間。此 時，相位接合結構753所提供的等效電容值將被降低，進而致使解耦元件750可操作在較高 的頻帶。換言之，可利用相位接合結構753中二極管830的導通與不導通，而致使解耦元件 750具有可雙頻帶操作的特性。
[0061] 圖9為依據本發(fā)明另一實施例的相位接合結構的示意圖。如圖9所示，相位接合 結構753包括電抗單元910與可變電容920。其中，可變電容920與電抗單元910相互串 接在第一金屬配線751與第二金屬配線752之間，且電抗單兀910可為一固定電容或是一 固定電感。在操作上，多天線系統(tǒng)70可通過一控制信號調整可變電容920的電容值，進而 改變串接在第一金屬配線751與第二金屬配線752之間的等效電抗值。以至于，解耦元件 750所提供的相位差將響應于所述等效電抗值產生對應的改變。
[0062] 圖10為依據本發(fā)明又一實施例的多天線系統(tǒng)的示意圖。參照圖10,多天線系統(tǒng) 100包括基板1010、接地元件1020、第一天線元件1030、第二天線元件1040以及解耦元件 1050。其中，基板1010具有第一表面與第二表面。接地元件1020相當于多天線系統(tǒng)10的 系統(tǒng)接地面，并設置在基板1010的第一表面。解耦元件1050設置在基板1010的第二表面。 此外，基板1010的第一表面上未配置接地元件1020的區(qū)域可視為天線的凈空區(qū)域。
[0063] 第一天線元件1030包括第一輻射部1031、第一饋入部1032與第一接地部1033， 且第二天線元件1040包括第二輻射部1041、第二饋入部1042與第二接地部1043。第一饋 入部1032與第二饋入部1042分別具有一饋入點（例如，第一饋入點FP101與第二饋入點 FP102)，以分別接收一饋入信號。第一接地部1033與第二接地部1043分別具有一接地點 (例如：第一接地點GP101與第二接地點GP102)，以電性連接至接地元件1020。
[0064] 解耦元件1050具有至少一彎折，以致使部分解耦元件1050位在第一天線元件 1030與第二天線元件1040之間。此外，解耦元件1050隔著基板1010相對于接地元件1020。 亦即，接地元件1020設置在解耦元件1050的下方。再者，解耦元件1050與部分第一接地 部1033相互平行并相隔第一解耦間隙D101，且解耦元件1050與部分第二接地部1043相互 平行并相隔第二解耦間隙D102。
[0065] 以至于，解耦元件1050、第一解耦間隙D101以及第二解耦間隙D102可產生相對于 第一天線元件1030與第二天線元件1040的相位差，進而有效降低兩天線元件1030與1040 所激發(fā)的共振模態(tài)的干擾。換言之，多天線系統(tǒng)100可通過解耦元件1050來降低兩天線元 件1030與1040之間互相干擾的能量，進而提升兩天線元件1030與1040之間的隔離度。
[0066] 值得一提的是，第一天線元件1030的最低操作頻率不大于（亦即，小于或是等于） 第二天線元件1040的最低操作頻率。此外，第一解耦間隙D101與第二解耦間隙D102皆小 于第一天線元件1030的最低操作頻率的百分之一波長。此外，第一接地部1033具有與解 耦元件1050相互平行的一區(qū)段，且所述區(qū)段的長度不小于第一天線元件1030的最低操作 頻率的百分之一波長。相似地，第二接地部1043具有與解耦元件1050相互平行的一區(qū)段， 且所述區(qū)段的長度也不小于第一天線元件1030的最低操作頻率的百分之一波長。
[0067] 更進一步來看，解耦元件1050具有第一連接端1051與第二連接端1052。其中，第 一連接端1051具有一接地點GP103,以電性連接至接地元件1020,而第二連接端1052為一 開路端。以至于，第一連接端1051將與接地元件1020形成電感性連接，而第二連接端152 將與第二天線元件140形成電容性連接。此外，與圖2實施例相似地，解耦元件1050的第 一連接端1051也可電性連接至第一接地部1033,并通過第一接地點GP101電性連接至接地 元件1020。再者，與圖3實施例相似地，解耦元件1050的兩連接端1051與1052也可各自 通過一接地點電性連接至接地元件1020。
[0068] 與圖1A實施例相似地，解耦元件1050可例如是由一金屬配線所構成，且所述金屬 配線的長度小于第一天線元件1030的最低操作頻率的四分之一波長。此外，與圖4實施例 相似地，也可在所述金屬配線中穿插至少一二極管。以至于，將可通過二極管的導通與否來 切換金屬配線的長度，進而調整解耦頻率的位置。
[0069] 另一方面，與圖6A實施例相似地，可在解耦元件1050中設置一相位接合結構，以 動態(tài)地調整解耦元件1050的解耦頻率，其中所述相位接合結構的詳細結構如同圖7、8實施 例所示。
[0070] 綜上所述，本發(fā)明是通過解耦元件來降低兩天線元件之間互相干擾的能量，進而 提升兩天線元件之間的隔離度。如此一來，多天線系統(tǒng)將無需通過天線間的長距離擺置就 可提升天線元件之間的隔離度，因此可以滿足移動通信裝置在輕薄短小上的應用。
[0071] 雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的變更與修改，故本發(fā)明的保護范圍當以 權利要求為準。
【權利要求】
1. 一種多天線系統(tǒng)，其特征在于，包括： 基板，具有第一表面與第二表面； 接地元件，設置在該第一表面； 第一天線元件，包括電性連接該接地元件的第一接地部； 第二天線元件，包括電性連接該接地元件的第二接地部；以及 解耦元件，設置在該第二表面，并隔著該基板相對于該接地元件，其中該解耦元件具有 第一連接端與第二連接端，且該第一連接端電性連接至該接地元件，且該解耦元件與部分 該第一接地部相互平行并相隔第一解耦間隙，該解耦元件與部分該第二接地部相互平行并 相隔第二解耦間隙， 其中，通過該解耦元件、該第一解耦間隙以及該第二解耦間隙，可產生相對于該第一天 線元件與該第二天線元件的相位差。
2. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一天線元件的最低操作頻率不 大于該第二天線元件的最低操作頻率，且該第一解耦間隙與該第二解耦間隙小于該第一天 線元件的最低操作頻率的百分之一波長。
3. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一接地部具有與該解耦元件相 互平行的區(qū)段，且該區(qū)段的長度不小于該第一天線元件的最低操作頻率的百分之一波長。
4. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第二接地部具有與該解耦元件相 互平行的區(qū)段，且該區(qū)段的長度不小于該第一天線元件的最低操作頻率的百分之一波長。
5. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一天線元件及該第二天線元件 設置在該第二表面。
6. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該解耦元件具有至少一彎折，以致使 部分該解耦元件位在該第一天線元件與該第二天線元件之間。
7. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該解耦元件由金屬配線所構成。
8. 如權利要求7所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一天線元件的最低操作頻率不 大于該第二天線元件的最低操作頻率，且該金屬配線的長度小于該第一天線元件的最低操 作頻率的四分之一波長。
9. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一連接端通過該第一接地部電 性連接至該接地元件。
10. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第二連接端為開路端或是電性連 接至該第二接地部。
11. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該解耦元件包括： 第一金屬配線，其中該第一金屬配線的第一端用以作為該第一連接端，且該第一金屬 配線與所述部分該第一接地部相隔該第一解耦間隙，該第一金屬配線與所述部分該第二接 地部相隔該第二解耦間隙； 第二金屬配線，其中該第二金屬配線的第一端用以作為該第二連接端，且該第二金屬 配線與所述部分該第二接地部相隔該第二解耦間隙；以及 二極管，電性連接在該第一金屬配線的第二端與該第二金屬配線的第二端之間。
12. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該解耦元件的該第一連接端電性連 接該接地元件，且該解耦元件的該第二連接端電性連接該接地元件。
13. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該解耦元件包括： 第一金屬配線，與部分該第一接地部相隔該第一解耦間隙； 第二金屬配線，與部分該第二接地部相隔該第二解耦間隙；以及 相位接合結構，電性連接在該第一金屬配線與該第二金屬配線之間，并用以調整該解 耦元件所提供的相位差。
14. 如權利要求13所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該相位接合結構為金屬線段、晶片 電感、晶片電容、或是分布式電容。
15. 如權利要求13所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該相位接合結構為可變電容，且該 多天線系統(tǒng)依據控制信號調整該可變電容的電容值。
16. 如權利要求13所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該相位接合結構包括： 固定電容，電性連接在該第一金屬配線與該第二金屬配線之間；以及 可變電容，與該固定電容相互并聯(lián)，并依據控制信號調整其電容值。
17. 如權利要求16所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該相位接合結構還包括： 二極管，其陽極電性連接該可變電容與該第一金屬配線，且該二極管的陰極電性連接 該固定電容。
18. 如權利要求13所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該相位接合結構包括： 電抗單元；以及 可變電容，其中該可變電容與該電抗單元相互串接在該第一金屬配線與該第二金屬配 線之間，且該可變電容依據控制信號調整其電容值。
19. 如權利要求18所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該電抗單元為固定電容或是固定 電感。
20. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第一天線元件還包括第一輻射部 與第一饋入部，且該第一饋入部與該第一接地部電性連接該第一輻射部。
21. 如權利要求1所述的多天線系統(tǒng)，其特征在于，該第二天線元件還包括第二輻射部 與第二饋入部，且該第二饋入部與該第二接地部電性連接該第二輻射部。
【文檔編號】H01Q5/10GK104112911SQ201310263550
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年6月27日 優(yōu)先權日:2013年4月18日
【發(fā)明者】吳俊熠, 陳偉吉, 王欽宏 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院