具有限定有源區(qū)的線型溝道的半導(dǎo)體裝置及其形成方法【專利摘要】本發(fā)明公開了具有限定有源區(qū)的線型溝道的半導(dǎo)體裝置及其形成方法，其中該半導(dǎo)體裝置包括：彼此平行的多個平行溝槽；彼此平行的多個交叉溝槽；由平行溝槽和交叉溝槽限定的多個有源區(qū)；跨過有源區(qū)的多條下導(dǎo)線；彼此平行的多條上導(dǎo)線，交叉下導(dǎo)線且跨越有源區(qū)；以及連接到有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件。平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形。平行溝槽交叉上導(dǎo)線并與上導(dǎo)線形成第一銳角。交叉溝槽交叉平行溝槽并與平行溝槽形成第二銳角?！緦＠f明】具有限定有源區(qū)的線型溝道的半導(dǎo)體裝置及其形成方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及具有限定有源區(qū)的線型溝道的半導(dǎo)體裝置及其形成方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]已經(jīng)研究了形成有源區(qū)的各種方法以實現(xiàn)高集成度和與接觸插塞的足夠的接觸區(qū)域?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0003]實施方式可以通過提供一種半導(dǎo)體裝置而實現(xiàn)，該半導(dǎo)體裝置包括:在半導(dǎo)體基板上彼此平行的多個平行溝槽；在半導(dǎo)體基板上彼此平行的多個交叉溝槽；在半導(dǎo)體基板上由平行溝槽和交叉溝槽限定的多個有源區(qū)；跨過有源區(qū)的多條下導(dǎo)線；彼此平行的多條上導(dǎo)線，交叉下導(dǎo)線且跨越有源區(qū)；以及連接到有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件。平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形。平行溝槽交叉上導(dǎo)線并與上導(dǎo)線形成第一銳角。交叉溝槽交叉平行溝槽并與平行溝槽形成第二銳角。[0004]交叉溝槽可以交叉上導(dǎo)線，以及第二銳角可以大于第一銳角。交叉溝槽可以與上導(dǎo)線形成大于第二銳角的第三銳角。交叉溝槽可以平行于上導(dǎo)線，以及第二銳角可以基本上與第一銳角相同。下導(dǎo)線和上導(dǎo)線的每個可以是直線形，上導(dǎo)線可以與下導(dǎo)線基本上形成直角。交叉溝槽之間的間隔可以大于平行溝槽之間的間隔。[0005]實施方式也可以通過一種半導(dǎo)體裝置而實現(xiàn)，該半導(dǎo)體裝置包括:在半導(dǎo)體基板上彼此平行的第一平行溝槽和第二平行溝槽；在半導(dǎo)體基板上彼此平行的第一交叉溝槽和第二交叉溝槽；在半導(dǎo)體基板上的由第一平行溝槽和第二平行溝槽以及第一交叉溝槽和第二交叉溝槽限定的有源區(qū)；一對字線，跨過有源區(qū)并彼此平行；位線，跨越有源區(qū)并與該對字線基本上形成直角；掩埋接觸插塞，與位線間隔開并連接到有源區(qū)；以及在掩埋接觸插塞上的存儲節(jié)點。第一平行溝槽和第二平行溝槽以及第一交叉溝槽和第二交叉溝槽的每個是直線形，第一平行溝槽和第二平行溝槽交叉位線并與位線形成第一銳角，第一交叉溝槽和第二交叉溝槽交叉第一平行溝槽和第二平行溝槽，并與第一平行溝槽和第二平行溝槽形成第二銳角。[0006]有源區(qū)可以包括第一側(cè)表面、第二側(cè)表面、第三側(cè)表面和第四側(cè)表面。第一側(cè)表面可以由第一平行溝槽限定，第二側(cè)表面可以由第二平行溝槽限定，第三側(cè)表面可以由第一交叉溝槽限定，第四側(cè)表面可以由第二交叉溝槽限定。第二側(cè)表面可以平行于第一側(cè)表面，第四側(cè)表面可以平行于第三側(cè)表面。第一側(cè)表面可以長于第三側(cè)表面。第一側(cè)表面可以為第三側(cè)表面的至少兩倍長。[0007]有源區(qū)可以包括遠(yuǎn)離位線突出的第一端和第二端，第二側(cè)表面和第三側(cè)表面可以在第一端相接，第一側(cè)表面和第四側(cè)表面可以在第二端相接。第二端可以與第一端是點對稱關(guān)系。掩埋接觸插塞可以連接到第一端或第二端。第一交叉溝槽和第二交叉溝槽交叉位線，第二銳角可以大于第一銳角。第二銳角可以為大約28度。[0008]第一交叉溝槽和第二交叉溝槽可以與位線形成大于第二銳角的第三銳角。有源區(qū)可以包括遠(yuǎn)離位線突出的第一端和第二端，第一側(cè)表面和第四側(cè)表面可以在第一端相接，第二側(cè)表面和第三側(cè)表面可以在第二端相接。第一交叉溝槽和第二交叉溝槽可以平行于位線，第二銳角可以基本上與第一銳角相同。第二銳角可以為大約21度。[0009]實施方式也可以通過提供以下結(jié)構(gòu)而實現(xiàn):在半導(dǎo)體基板上的平行溝槽，包括彼此平行的第一平行溝槽、第二平行溝槽、第三平行溝槽和第四平行溝槽；在半導(dǎo)體基板上的交叉溝槽，包括彼此平行的第一交叉溝槽、第二交叉溝槽和第三交叉溝槽；在半導(dǎo)體基板上的有源區(qū)，包括由平行溝槽和交叉溝槽限定的第一有源區(qū)、第二有源區(qū)、第三有源區(qū)和第四有源區(qū)；字線，包括跨過有源區(qū)且彼此平行的第一字線、第二字線、第三字線、第四字線和第五字線；位線，包括跨越有源區(qū)且與字線基本上形成直角的第一位線和第二位線；掩埋接觸插塞，與位線間隔開且連接到有源區(qū)；以及在掩埋接觸插塞上的存儲節(jié)點。平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形。平行溝槽與位線形成第一銳角。交叉溝槽交叉平行溝槽并與平行溝槽形成第二銳角。第一有源區(qū)由第一平行溝槽、第二平行溝槽、第一交叉溝槽和第二交叉溝槽限定，第二有源區(qū)由第二平行溝槽、第三平行溝槽、第一交叉溝槽和第二交叉溝槽限定，第三有源區(qū)由第二平行溝槽、第三平行溝槽、第二交叉溝槽和第三交叉溝槽限定，第四有源區(qū)由第三平行溝槽、第四平行溝槽、第二交叉溝槽和第三交叉溝槽限定。第一位線跨過第一有源區(qū)和第三有源區(qū)，第二位線跨過第二有源區(qū)和第四有源區(qū)，第一字線跨過第二有源區(qū)，第二字線跨過第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第三字線跨過第一有源區(qū)和第四有源區(qū)，第四字線跨過第三有源區(qū)和第四有源區(qū)，第五字線跨過第三有源區(qū)。[0010]實施方式也可以通過提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法而實現(xiàn)，該形成方法包括:在半導(dǎo)體基板上形成由多個平行的平行溝槽和多個平行的交叉溝槽限定的多個有源區(qū)；形成跨過有源區(qū)的多條下導(dǎo)線；形成多條上導(dǎo)線，上導(dǎo)線交叉下導(dǎo)線、跨越有源區(qū)且彼此平行；以及形成連接到有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件。平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形。平行溝槽交叉上導(dǎo)線并與上導(dǎo)線形成第一銳角。交叉溝槽交叉平行溝槽并與平行溝槽形成第二銳角。[0011]形成有源區(qū)可以包括在半導(dǎo)體基板上形成掩模層、通過圖案化掩模層而形成多個初始平行溝槽、通過圖案化掩模層而形成多個初始交叉溝槽、以及蝕刻在初始平行溝槽和初始交叉溝槽下面的半導(dǎo)體基板。初始交叉溝槽之間的間隔可以大于初始平行溝槽之間的間隔。交叉溝槽可以交叉上導(dǎo)線，第二銳角可以大于第一銳角。交叉溝槽可以平行于上導(dǎo)線，第二銳角可以基本上與第一銳角相同。[0012]實施方式也可以通過提供一種半導(dǎo)體裝置而實現(xiàn)，該半導(dǎo)體裝置包括:基板；平行溝槽，彼此處于非交叉關(guān)系，每個平行溝槽相對于基板的側(cè)部傾斜布置且在其中包括隔離層；交叉溝槽，彼此處于非交叉關(guān)系，其中交叉溝槽具有與平行溝槽的交叉區(qū)且在其中包括隔離層；有源區(qū)，有源區(qū)的端部由交叉區(qū)限定；以及下導(dǎo)線和上導(dǎo)線，分別在第一方向和第二方向延伸跨過有源區(qū)，第一方向不同于第二方向。平行溝槽以第一銳角與上導(dǎo)線交叉，平行溝槽以第二銳角與交叉溝槽交叉，交叉溝槽以第三銳角交叉上導(dǎo)線。[0013]第三銳角可以大于第一銳角和第二銳角，第二銳角大于第一銳角。平行溝槽可以彼此間隔開第一距離，交叉溝槽可以彼此間隔開第二距離。第二距離可以大于第一距離。平行溝槽和交叉溝槽可以平行于有源區(qū)的側(cè)面而不延伸跨過有源區(qū)，從而在有源區(qū)之間限定隔離區(qū)。有源區(qū)的每個端部可以鄰近于交叉溝槽之一，使得相鄰有源區(qū)的端部通過交叉溝槽彼此間隔開。【專利附圖】【附圖說明】[0014]通過參考附圖詳細(xì)描述示范實施方式，特征對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得明顯，在附圖中相同的附圖標(biāo)記在不同的視圖中始終指代相同的部件。附圖不一定按比例，而是重點在于示出具體的原理。在附圖中:[0015]圖1示出布局圖，用于描述根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置；[0016]圖2示出沿圖1的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖；[0017]圖3至圖5示出放大視圖，其詳細(xì)地示出圖1的一些構(gòu)成元件之間的關(guān)系；[0018]圖6示出布局圖，用于描述根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置；[0019]圖7和圖8示出放大視圖，其詳細(xì)地示出圖6的一些構(gòu)成元件之間的關(guān)系；[0020]圖9示出流程圖，用于描述根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法；[0021]圖10、圖11A、圖13A、圖14A、圖15A、圖1?和圖15F示出透視圖，繪示了在根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段；[0022]圖11B、圖12A、圖13B和圖15B示出布局圖，繪示了在根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段；[0023]圖11C、圖12B、圖13C、圖14B、圖15C、圖15E和圖15G示出分別沿圖11B、圖12A、圖13B、圖14A、圖15B、圖1?和圖15F中的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖，繪示了在根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段；[0024]圖15Η、圖151、圖15J和圖15Κ示出放大視圖，其詳細(xì)示出圖15Β的部分；[0025]圖16Α、圖17、圖18Α、圖18C和圖19Α示出透視圖，繪示了在根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段；[0026]圖16Β和圖18Β示出布局圖，其繪示了根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段；[0027]圖19Β和圖19C示出放大視圖，其詳細(xì)示出圖18Β的部分；[0028]圖20示出根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體模塊的布局圖；[0029]圖21示出示意圖，其示出包括根據(jù)各種示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的至少之一的存儲卡；[0030]圖22示出透視圖，其示出根據(jù)示范實施方式的電設(shè)備；[0031]圖23示出系統(tǒng)框圖，其示出根據(jù)示范實施方式的電子設(shè)備；以及[0032]圖24示出系統(tǒng)框圖，其示意地示出包括根據(jù)示范實施方式的半導(dǎo)體裝置的至少之一的另一電子系統(tǒng)?！揪唧w實施方式】[0033]現(xiàn)在將在下文參考附圖更充分地描述示例實施方式；然而，它們可以以許多不同的形式實施，并且不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開將徹底和完整，并將向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)示范實施方式。[0034]在附圖中，為了清晰，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或稱接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件或?qū)訒r，沒有居間元件或?qū)哟嬖?。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。在此所用時，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出項目的任何及所有組合。[0035]將理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可以在這里使用以描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分而不背離教導(dǎo)。[0036]為了便于描述，空間相對術(shù)語，諸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“上方”、“上”等等，可以在這里使用以描述一個元件或特征與其他(多個)元件或特征如圖中所示的關(guān)系。將理解，空間相對術(shù)語旨在包括除圖中所示的取向之外，器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果在附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件將取向為在其他元件或特征“上方”。因此，術(shù)語“在......下面”可以包括之上和之下兩種取向。器件可以被不同地取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他的取向)，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述語。[0037]在此使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定實施方式，而非旨在限制實施方式。在此使用時，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指示。將進(jìn)一步理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”表明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。[0038]在此參考截面圖描述了實施方式，該截面圖是理想化實施方式(及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。如此，例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏離是可能發(fā)生的。因此，實施方式不應(yīng)被理解為限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造引起的形狀的偏差。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)通常具有圓化或彎曲的特征和/或在其邊緣的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)至非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區(qū)可以導(dǎo)致在掩埋區(qū)與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域內(nèi)的一些注入。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要示出器件的區(qū)域的實際形狀，并非旨在限制。[0039]除非另外限定，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。將進(jìn)一步理解，術(shù)語，諸如那些在通用詞典中限定的那些術(shù)語，應(yīng)該被理解為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境中的含義一致的含義，而不應(yīng)被理解為理想化或過度形式化的含義，除非在此明確地如此限定。[0040]圖1是布局圖，用于描述根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置，圖2示出沿圖1的線Ι-I和ΙΙ-ΙI截取的截面圖，圖3至圖5是詳細(xì)示出圖1的一些構(gòu)成元件之間的關(guān)系的放大視圖。[0041]參考圖1和圖2，限定多個有源區(qū)45的多個平行溝槽41和多個交叉溝槽49可以形成在半導(dǎo)體基板21中。可以形成填充平行溝槽41和交叉溝槽49的器件隔離層63?？梢孕纬山徊?intersect)有源區(qū)45和器件隔離層63的多條字線67。柵介電層65可以形成在字線67與有源區(qū)45之間。蓋層69可以形成在字線67上。源/漏區(qū)70可以形成在與字線67的兩側(cè)相鄰的有源區(qū)45中。[0042]可以形成覆蓋半導(dǎo)體基板21的第一層間絕緣層71。可以形成穿過第一層間絕緣層71以連接到源/漏區(qū)70的位插塞73。連接到位插塞73的多條位線75可以形成在第一層間絕緣層71上。位覆蓋圖案77可以形成在位線75上。位間隔體78可以形成在位線75和位覆蓋圖案77的側(cè)壁上。[0043]可以形成覆蓋半導(dǎo)體基板21的第二層間絕緣層81。可以形成穿過第二層間絕緣層81和第一層間絕緣層71以連接到源/漏區(qū)70的掩埋接觸插塞83。連接到掩埋接觸插塞83的多個數(shù)據(jù)存儲元件85可以形成在第二層間絕緣層81上。數(shù)據(jù)存儲元件85可以包括存儲節(jié)點或下電極。[0044]平行溝槽41可以彼此平行，例如，平行溝槽41可以彼此處于非交叉關(guān)系。每個平行溝槽41例如可以是直線形，從而被限定為矩形區(qū)域。交叉溝槽49可以彼此平行。每個交叉溝槽49例如可以是直線形，從而被限定為矩形區(qū)域。交叉溝槽49可以彼此平行，例如，交叉溝槽49可以彼此處于非交叉關(guān)系。交叉溝槽49之間的間隔可以大于平行溝槽41之間的間隔。交叉溝槽49可以交叉平行溝槽41。字線67可以彼此平行，例如，字線67可以彼此處于非交叉關(guān)系。字線67可以交叉有源區(qū)45，例如，可以在第一方向上延伸跨過有源區(qū)。每條字線67可以是直線形。位線75可以交叉有源區(qū)45，例如，可以在第二方向上延伸跨過有源區(qū)。每條位線75可以例如是直線形，從而具有矩形形狀。位線75可以交叉字線67。例如，位線75可以與字線67基本上形成直角。在俯視圖中，平行溝槽41可以交叉位線75。交叉溝槽49可以交叉位線75。[0045]根據(jù)一實施方式，交叉溝槽49可以是直線形。通過形成交叉溝槽49，工藝偏差可以顯著地減少，制造工藝可以被簡化。交叉溝槽49和平行溝槽41的組合可以是使得有源區(qū)45遠(yuǎn)離位線75突出的構(gòu)造。掩埋接觸插塞83和源/漏區(qū)70之間的接觸區(qū)域可以顯著地增加。[0046]參考圖3，可以提供第一平行溝槽41A和平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A和平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B。有源區(qū)45可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。[0047]有源區(qū)45可以包括例如與多個平行溝槽41和多個交叉溝槽49中的一些溝槽的側(cè)壁相應(yīng)的第一至第四側(cè)表面S1、S2、S3和S4。第一側(cè)表面SI可以由第一平行溝槽41A限定。參考圖3，為了說明的目的，第一側(cè)表面SI被示為例如與第一平行溝槽41A相距一距離。因此，在示范實施方式中，第一側(cè)表面SI可以與第一平行溝槽41A的側(cè)壁重合。第二側(cè)表面S2可以由第二平行溝槽41B限定。第三側(cè)表面S3可以由第一交叉溝槽49A限定。第四側(cè)表面S4可以由第二交叉溝槽49B限定。第二側(cè)表面S2可以平行于第一側(cè)表面SI，第四側(cè)表面S4可以平行于第三側(cè)表面S3。第一側(cè)表面SI可以長于第三側(cè)表面S3。例如，第一側(cè)表面SI的水平長度是第三側(cè)表面S3的長度的兩倍或更多倍。第二側(cè)表面S2與第三側(cè)表面S3相接的區(qū)域可以被定義為有源區(qū)45的第一端45E1，第一側(cè)表面SI與第四側(cè)表面S4相接的區(qū)域可以被定義為有源區(qū)45的第二端45E2。第二端45E2可以理解為與第一端45E1處于點對稱關(guān)系。[0048]可以形成交叉有源區(qū)45的第一字線67A和第二字線67B?？梢孕纬山徊嬗性磪^(qū)45、第一字線67A和第二字線67B的位線75。位線75可以與第一字線67A和第二字線67B形成直角。[0049]在俯視圖中，第二平行溝槽41B和位線75可以形成第一銳角ΘI。第二平行溝槽41B和第一交叉溝槽49A可以形成第二銳角Θ2。第一交叉溝槽49A和位線75可以形成第三銳角Θ3。第二銳角Θ2可以大于第一銳角Θ1。第三銳角Θ3可以大于第二銳角Θ2，例如，第三銳角Θ3也可以大于第一銳角Θ1。例如，第一銳角ΘI可以約為21°，第二銳角Θ2可以約為28°。如圖3所示，第一銳角ΘI可以理解為第二側(cè)表面S2與位線75之間的交叉角，第二銳角Θ2可以理解為第二側(cè)表面S2與第三側(cè)表面S3之間的交叉角。第一端45E1可以遠(yuǎn)離位線75突出。第二端45E2可以遠(yuǎn)離位線75突出。第一端45E1和第二端45E2的每個可以連接到相應(yīng)的一個掩埋接觸插塞(圖2的附圖標(biāo)記83)。[0050]參考圖4，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A、平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B和平行于第二交叉溝槽49B的第三交叉溝槽49C。第一有源區(qū)45A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第二有源區(qū)45B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第三有源區(qū)45C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第四有源區(qū)4?可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。[0051]可以提供第一字線67A、平行于第一字線67A的第二字線67B、平行于第二字線67B的第三字線67C、平行于第三字線67C的第四字線67D和平行于第四字線67D的第五字線67E。第一字線67A可以跨過第二有源區(qū)45B。第二字線67B可以跨過第一有源區(qū)45A和第二有源區(qū)45B。第三字線67B可以跨過第一有源區(qū)45A和第四有源區(qū)45D。第四字線67D可以跨過第三有源區(qū)45C和第四有源區(qū)45D。第五字線67E可以跨過第三有源區(qū)45C。例如，每個有源區(qū)45可以布置為使得多條字線67中的兩條字線交叉有源區(qū)45。[0052]可以形成跨過第一有源區(qū)45A和第三有源區(qū)45C并與第一至第五字線67A、67B、67C、67D和67E交叉(intersecting)的第一位線75A?？梢孕蔚诙痪€75B,該第二位線75B平行于第一位線75A，且跨過第二有源區(qū)45B和第四有源區(qū)45D，并與第一至第五字線67A、67B、67C、67D和67E交叉。[0053]參考圖5，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A、平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B、平行于第二交叉溝槽49B的第三交叉溝槽49C和平行于第三交叉溝槽49C的第四交叉溝槽49D。[0054]第一有源區(qū)45A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第二有源區(qū)45B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第三有源區(qū)45C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第四有源區(qū)4?可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第三交叉溝槽49C和第四交叉溝槽49D限定。第五有源區(qū)45E可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。[0055]可以提供第一字線67A、平行于第一字線67A的第二字線67B、平行于第二字線67B的第三字線67C、平行于第三字線67C的第四字線67D、平行于第四字線67D的第五字線67E、平行于第五字線67E的第六字線67F、平行于第六字線67F的第七字線67G和平行于第七字線67G的第八字線67H。第一字線67A和第二字線67B可以跨過第二有源區(qū)45B。第三字線67C可以跨過第五有源區(qū)45E。第四字線67D可以跨過第三有源區(qū)45C和第五有源區(qū)45E。第五字線67E可以跨過第一有源區(qū)45A和第三有源區(qū)45C。第六字線67F可以跨過第一有源區(qū)45A。第七字線67G和第八字線67H可以跨過第四有源區(qū)45D。[0056]可以形成第一位線75A，其跨過第一有源區(qū)45A和第四有源區(qū)45D，并與第一至第八字線67A、67B、67C、67D、67E、67F、67G和67H交叉。可以形第二位線75B，其平行于第一位線75A，跨過第三有源區(qū)45C并與第一至第八字線67A、67B、67C、67D、67E、67F、67G和67H交叉?？梢孕纬傻谌痪€75C，其平行于第二位線75B、跨過第二有源區(qū)45B和第五有源區(qū)45E并與第一至第八字線67A、67B、67C、67D、67E、67F、67G和67H交叉。例如，每個有源區(qū)45可以布置為使得多條位線75中的一條(例如僅一條)跨過有源區(qū)45。[0057]圖6是用于描述根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的布局圖，圖7和圖8是詳細(xì)示出圖6的一些構(gòu)成元件之間的關(guān)系的放大視圖。[0058]參考圖6，限定多個有源區(qū)145的多個平行溝槽41和多個交叉溝槽149可以形成在半導(dǎo)體基板21中。在下文，將僅簡要地描述與參考圖1和圖5描述的實施方式的差異?？梢孕纬煽邕^有源區(qū)145的多條字線67?？梢孕纬煽缭接性磪^(qū)145和字線67的多條位線75。多個數(shù)據(jù)存儲元件85可以形成在半導(dǎo)體基板21上。[0059]平行溝槽41可以彼此平行。每個平行溝槽41可以是直線形。交叉溝槽149可以彼此平行。每個交叉溝槽149可以是直線形。交叉溝槽149可以交叉平行溝槽41。字線67可以彼此平行。每條字線67可以是直線形。位線75可以跨越有源區(qū)45。位線75可以彼此平行。每條位線75可以是直線形。位線75可以交叉字線67。在俯視圖中，平行溝槽41可以交叉位線75。交叉溝槽149可以平行于位線75。[0060]參考圖7，可以提供第一平行溝槽41A和平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B。可以提供第一交叉溝槽149A和平行于第一交叉溝槽149A的第二交叉溝槽149B。有源區(qū)145可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。[0061]有源區(qū)145可以包括第一至第四側(cè)表面S11、S12、S13和S14。第一側(cè)表面Sll可以由第一平行溝槽41A限定。第二側(cè)表面S12可以由第二平行溝槽41B限定。第三側(cè)表面S13可以由第一交叉溝槽149A限定。第四側(cè)表面S14可以由第二交叉溝槽149B限定。第二側(cè)表面S12可以平行于第一側(cè)表面S11，第四側(cè)表面S14可以平行于第三側(cè)表面S13。第一側(cè)表面Sll可以長于第三側(cè)表面S13。第一側(cè)表面Sll與第四側(cè)表面S14相接的區(qū)域可以被定義為有源區(qū)145的第一端145E1，第二側(cè)表面S12與第三側(cè)表面S13相接的區(qū)域可以被定義為有源區(qū)145的第二端145E2。第二端145E2可以被理解為與第一端145E1是點對稱關(guān)系。[0062]可以形成跨過有源區(qū)145的第一字線67A和第二字線67B?？梢孕纬煽邕^有源區(qū)145并與第一字線67A和第二字線67B交叉(intersecting)的位線75。位線75可以與第一字線67A和第二字線67B形成直角。[0063]在俯視圖中，第二平行溝槽41B和位線75可以形成第一銳角ΘI。第一平行溝槽41A和第二交叉溝槽149B可以形成第二銳角Θ2。位線75可以布置在第一交叉溝槽149A與第二交叉溝槽149B之間。第二銳角Θ2可以與第一銳角Θ1相同。例如，第一銳角Θ1和第二銳角Θ2可以是大約21°。如圖7所示，第一銳角ΘI可以被理解為第二側(cè)表面S12與位線75之間的交叉角，第二銳角Θ2可以被理解為第一側(cè)表面Sll與第四側(cè)表面S14之間的交叉角。[0064]參考圖8，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?49A、平行于第一交叉溝槽149A的第二交叉溝槽149B和平行于第二交叉溝槽149B的第三交叉溝槽149C。第一有源區(qū)145A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。第二有源區(qū)145B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽149B和第三交叉溝槽149C限定。第三有源區(qū)145C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。第四有源區(qū)14?可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽149B和第三交叉溝槽149C限定。[0065]可以提供第一字線67A、平行于第一字線67A的第二字線67B、平行于第二字線67B的第三字線67C、平行于第三字線67C的第四字線67D和平行于第四字線67D的第五字線67E。第一字線67A可以跨過第二有源區(qū)145B。第二字線67B可以跨過第一有源區(qū)145A和第二有源區(qū)145B。第三字線67B可以跨過第一有源區(qū)145A和第四有源區(qū)14?。第四字線67D可以跨過第三有源區(qū)145C和第四有源區(qū)14?。第五字線67E可以跨過第三有源區(qū)145C。[0066]可以形成第一位線75A，其跨過第一有源區(qū)145A和第三有源區(qū)145C并與第一至第五字線67A、67B、67C、67D和67E交叉?？梢孕蔚诙痪€75B，其平行于第一位線75A，跨過第二有源區(qū)145B和第四有源區(qū)14?并與第一至第五字線67A、67B、67C、67D和67E交叉。第一位線75A可以布置在第一交叉溝槽149A與第二交叉溝槽149B之間。第二位線75B可以布置在第二交叉溝槽149B與第三交叉溝槽149C之間。[0067]圖9是流程圖，用于描述根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法。[0068]參考圖9，根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法可以包括:在半導(dǎo)體基板上形成掩模層(操作S10);通過圖案化掩模層而形成多個初始平行溝槽(操作S20);形成多個初始交叉溝槽(操作S30);形成由多個平行溝槽和多個交叉溝槽限定的多個有源區(qū)(操作S40);以及形成器件隔離層、多條字線、多條位線和多個數(shù)據(jù)存儲元件(操作S50)。[0069]圖10、圖11A、圖13A、圖14A、圖15A、圖1?和圖15F是用于繪示在根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段的透視圖，圖11B、圖12A、圖13B和圖15B是布局圖。圖11C、圖12B、圖13C、圖14B、圖15C、圖15E和圖15G是沿多個圖的線Ι-T和ΙΙ-ΙT截取的截面圖，用于描述根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法。圖15Η、圖151、圖15J和圖15Κ是放大視圖，其詳細(xì)示出圖15Β的一部分。[0070]參考圖9和圖10,第一和第二掩模層23和25可以形成在半導(dǎo)體基板21上(操作S10)。在本實施方式中，半導(dǎo)體基板21可以是DRAM單兀陣列的一部分。[0071]半導(dǎo)體基板21例如可以是體硅晶片或絕緣體上硅(SOI)晶片。半導(dǎo)體基板21可以包括單晶半導(dǎo)體。第一掩模層23可以覆蓋半導(dǎo)體基板21的表面。第一掩模層23可以包括相對于半導(dǎo)體基板21具有蝕刻選擇性的材料。例如，第一掩模層23可以包括娃氧化物。第二掩模層25可以覆蓋第一掩模層23。第二掩模層25可以包括相對于第一掩模層23具有蝕刻選擇性的材料。例如，第二掩模層25可以包括多晶硅。[0072]在另一實施方式中，第一掩模層23和第二掩模層25的每個可以包括兩個或更多疊層。在又一實施方式中，可以省略第一掩模層23。[0073]參考圖9、圖11A、圖1lB和圖11C，可以通過圖案化第二掩模層25而形成彼此平行的多個初始平行溝槽31(操作S20)。圖1lC示出沿圖1lB的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖。[0074]光刻工藝和刻蝕工藝可以應(yīng)用于第二掩模層25的圖案化。例如，各向異性刻蝕工藝以及兩個或更多光刻工藝可以應(yīng)用于第二掩模層25的圖案化。每個初始平行溝槽31可以是直線形，例如可以被限定為矩形區(qū)域。初始平行溝槽31可以形成為彼此平行并且關(guān)于基板21的側(cè)部傾斜布置。初始平行溝槽31之間的間隔可以基本上相同。例如，在初始平行溝槽31的底部上的第一掩模層23可以例如通過初始平行溝槽31被暴露。第二掩模層25可以被限定在初始平行溝槽31之間，使得初始平行溝槽31通過第二掩模層25限定溝道。[0075]參考圖9、圖12Α和圖12Β，上掩模圖案33可以形成在第二掩模層25上。圖12Β示出沿圖12Α的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖。上掩模圖案33可以包括彼此平行的多個開口35。開口35可以交叉初始平行溝槽31并部分地暴露第二掩模層25。[0076]開口35可以利用兩個或更多個光刻工藝形成。每個開口35可以是直線形。[0077]參考圖9、圖13Α、圖13Β和圖13C，可以通過圖案化第二掩模層25而形成彼此平行的多個初始交叉溝槽39(操作S30)。圖13C示出沿圖13Β的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖。[0078]利用上掩模圖案33作為蝕刻掩模的各向異性刻蝕工藝可以應(yīng)用于第二掩模層25的圖案化。初始交叉溝槽39可以交叉初始平行溝槽31。在初始交叉溝槽39的底部上的第一掩模層23可以被暴露。每個初始交叉溝槽39可以是直線形，例如可以被限定為矩形區(qū)域。初始交叉溝槽39可以形成為彼此平行。初始交叉溝槽39之間的間隔可以基本上相同。第二掩模層25可以通過蝕刻上掩模圖案33而暴露。第二掩模層25可以被限定在初始平行溝槽31與初始交叉溝槽39之間。初始交叉溝槽39之間的間隔可以大于初始平行溝槽31之間的間隔。[0079]參考圖9、圖14Α和圖14Β，初始平行溝槽31和在初始交叉溝槽39的底部上被暴露的第一掩模層23可以利用第二掩模層25作為蝕刻掩模被去除。各向異性刻蝕工藝可以應(yīng)用于第一掩模層23的去除。在初始平行溝槽31和初始交叉溝槽39的底部的半導(dǎo)體基板21可以被暴露。第一掩模層23可以保留在第二掩模層25與半導(dǎo)體基板21之間。圖14Β示出沿圖14Α的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖。[0080]參考圖9、圖15Α、圖15Β和圖15C，平行溝槽41和交叉溝槽49可以利用第二掩模層25和第一掩模層23作為蝕刻掩模而形成。圖15C示出沿圖15Β的線Ι-I'和ΙΙ-ΙI'截取的截面圖。多個有源區(qū)45可以利用平行溝槽41和交叉溝槽49而被限定在半導(dǎo)體基板21內(nèi)（S40)。[0081]各向異性刻蝕工藝可以應(yīng)用于平行溝槽41和交叉溝槽49的形成。第二掩模層25可以在形成平行溝槽41和交叉溝槽49時被去除。平行溝槽41和交叉溝槽49的每個可以對準(zhǔn)初始平行溝槽31和初始交叉溝槽39的底部。每個有源區(qū)45的水平長度可以大于水平寬度。[0082]參考圖1、圖2和圖9，可以形成器件隔離層63、多條字線67、多條位線75和多個數(shù)據(jù)存儲元件85(S50)。[0083]器件隔離層63可以填充平行溝槽41和交叉溝槽49?？梢孕纬山徊嬗性磪^(qū)45和器件隔離層63的多條字線67。柵介電層63可以形成在字線67與有源區(qū)45之間。蓋層69可以形成在字線67上?？梢匀コ谝谎谀?3。源/漏區(qū)70可以形成在與字線67的兩側(cè)相鄰的有源區(qū)45中。[0084]可以形成覆蓋半導(dǎo)體基板21的第一層間絕緣層71。可以形成穿過第一層間絕緣層71且連接到源/漏區(qū)70的位插塞73。連接到位插塞73的多條位線75可以形成在第一層間絕緣層71上。位覆蓋圖案77可以形成在位線75上。位間隔體78可以形成在位線75和位覆蓋圖案77的側(cè)壁上。[0085]可以形成覆蓋半導(dǎo)體基板21的第二層間絕緣層81?？梢孕纬纱┻^第二層間絕緣層81和第一層間絕緣層71且連接到源/漏區(qū)70的掩埋接觸插塞83。連接到掩埋接觸插塞83的多個數(shù)據(jù)存儲元件85可以形成在第二層間絕緣層81上。數(shù)據(jù)存儲元件85可以包括存儲節(jié)點或下電極。[0086]雖然平行溝槽41和交叉溝槽49的每個可以形成為具有大于或小于下寬度的上寬度，但是為了簡化描述，該上寬度將被示為與下寬度相同。器件隔離層63可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物或其組合。例如，器件隔離層63可以包括覆蓋平行溝槽41和交叉溝槽49的側(cè)壁的硅氧化物層、形成在硅氧化物層上的硅氮化物層、和形成在硅氮化物層上的硅氧化物層。[0087]柵介電層63可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、高K介電材料或其組合。字線67可以包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、金屬硅化物、多晶硅或其組合。字線67可以形成在低于有源區(qū)45的頂部的水平處。字線67可以部分地覆蓋有源區(qū)45的側(cè)表面。蓋層69可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。源/漏區(qū)70可以通過摻雜雜質(zhì)到有源區(qū)45中而形成。[0088]第一層間絕緣層71可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。位插塞73和位線75可以包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、金屬硅化物、多晶硅或其組合。位覆蓋圖案77可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。位間隔體78可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。[0089]第二層間絕緣層81可以包括絕緣材料，諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物或其組合。掩埋接觸插塞83可以包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、金屬硅化物、多晶硅或其組合。數(shù)據(jù)存儲元件85可以包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、金屬硅化物、多晶硅或其組合。[0090]參考圖1?和圖15E,在另一實施方式中，第二掩模層25可以保留在第一掩模層23上。平行溝槽41和交叉溝槽49的每個可以沿初始平行溝槽31和初始交叉溝槽39的底部對準(zhǔn)。圖15E示出沿圖15D的線1-1’和11-11’截取的截面圖。[0091]參考圖15F和圖15G，在另一實施方式中，有源區(qū)45可以通過去除第二掩模層25和第一掩模層23而暴露。有源區(qū)45可以通過平行溝槽41和交叉溝槽49被限定。圖15G示出沿圖15F的線Ι-T和ΙΙ-ΙT截取的截面圖。[0092]參考圖15H，可以提供第一平行溝槽41A和平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A和平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B。第一有源區(qū)45可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。[0093]有源區(qū)45可以包括第一至第四側(cè)表面S1、S2、S3和S4。第一側(cè)表面SI可以由第一平行溝槽41A限定。第二側(cè)表面S2可以由第二平行溝槽41B限定。第三側(cè)表面S3可以由第一交叉溝槽49A限定。第四側(cè)表面S4可以由第二交叉溝槽49B限定。第二側(cè)表面S2可以平行于第一側(cè)表面SI，第四側(cè)表面S4可以平行于第三側(cè)表面S3。第一側(cè)表面SI可以長于第三側(cè)表面S3。例如，第一側(cè)表面SI的水平長度可以是第三側(cè)表面S3的水平長度的兩倍或更多倍。有源區(qū)45的第一端45E1可以被定義在第二側(cè)表面S2與第三側(cè)表面S3相接的區(qū)域，有源區(qū)45的第二端45E2可以被定義在第一側(cè)表面SI與第四側(cè)表面S4相接的區(qū)域。第二端45E2可以被理解為與第一端45E1是點對稱關(guān)系。[0094]第二平行溝槽41B和第一交叉溝槽49A可以形成第二銳角Θ2。例如，第二銳角Θ2可以大約為28°。如圖15H所示，第二銳角Θ2可以被理解為第二側(cè)表面S2與第三側(cè)表面S3之間的交叉角。[0095]參考圖151，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A、平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B和平行于第二交叉溝槽49B的第三交叉溝槽49C。第一有源區(qū)45A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第二有源區(qū)45B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第三有源區(qū)45C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第四有源區(qū)4?可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。[0096]參考圖15J，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?9A、平行于第一交叉溝槽49A的第二交叉溝槽49B、平行于第二交叉溝槽49B的第三交叉溝槽49C和平行于第三交叉溝槽49C的第四交叉溝槽49D。[0097]第一有源區(qū)45A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第二有源區(qū)45B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。第三有源區(qū)45C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。第四有源區(qū)4?可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第三交叉溝槽49C和第四交叉溝槽49D限定。第五有源區(qū)45E可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽49B和第三交叉溝槽49C限定。[0098]參考圖15K，第一有源區(qū)45F可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽49A和第二交叉溝槽49B限定。有源區(qū)45F的側(cè)表面可以是阿米巴(amoeba)狀的形狀，例如可以由于工藝偏差而具有彎曲和/或波狀形狀。[0099]圖16A、圖17、圖18A、圖18C和圖19A是透視圖，用于繪示在根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置的形成方法中的多個階段，圖16B和圖18B是布局圖。圖19B和圖19C是放大視圖，其詳細(xì)示出圖18B的部分。[0100]參考圖16A和圖16B,第一掩模層23和第二掩模層25可以形成在半導(dǎo)體基板21上?？梢酝ㄟ^圖案化第二掩模層25而形成彼此平行的多個初始平行溝槽31和彼此平行的多個初始交叉溝槽139。初始交叉溝槽139可以交叉初始平行溝槽31。[0101]參考圖17，例如，在初始平行溝槽31和初始交叉溝槽139的底部上的第一掩模層23可以通過使用第二掩模層25作為蝕刻掩模而被去除?？梢圆捎酶飨虍愋钥涛g工藝去除第一掩模層23。在初始平行溝槽31和初始交叉溝槽139的底部上的半導(dǎo)體基板21可以被暴露。第一掩模層23可以保留在第二掩模層25與半導(dǎo)體基板21之間。[0102]參考圖18A和圖18B，平行溝槽41和交叉溝槽149可以通過利用第二掩模層25和第一掩模層23作為蝕刻掩模蝕刻半導(dǎo)體基板21而形成。多個有源區(qū)145可以由平行溝槽41和交叉溝槽149限定。[0103]可以采用各向異性刻蝕工藝來形成平行溝槽41和交叉溝槽149。第二掩模層25也可以在形成平行溝槽41和交叉溝槽149時被蝕刻。平行溝槽41和交叉溝槽149可以分別對準(zhǔn)初始平行溝槽31和初始交叉溝槽139的底部。每個有源區(qū)145可以具有比水平寬度長的水平長度。[0104]再次參考圖6，可以形成跨過有源區(qū)145的多條字線67?？梢孕纬煽缭接性磪^(qū)145和字線67的多條位線75。多個數(shù)據(jù)存儲元件85可以形成在半導(dǎo)體基板21上。交叉溝槽149可以平行于位線75。[0105]參考圖18C,在另一實施方式中，第二掩模層25可以保留在第一掩模層23上。平行溝槽41和交叉溝槽149的每個可以對準(zhǔn)初始平行溝槽31和初始交叉溝槽139的底部。[0106]參考圖19A，在另一實施方式中，有源區(qū)145可以通過去除第二掩模層25和第一掩模層23而被暴露。有源區(qū)145可以由平行溝槽41和交叉溝槽149限定。[0107]參考圖19B，可以提供第一平行溝槽41A和平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?49A和平行于第一交叉溝槽149A的第二交叉溝槽149B。第一有源區(qū)145可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。[0108]有源區(qū)145可以包括第一至第四側(cè)表面S11、S12、S13和S14。第一側(cè)表面Sll可以由第一平行溝槽41A限定。第二側(cè)表面S12可以由第二平行溝槽41B限定。第三側(cè)表面S13可以由第一交叉溝槽149A限定。第四側(cè)表面S14可以由第二交叉溝槽149B限定。第二側(cè)表面S12可以平行于第一側(cè)表面S11，第四側(cè)表面S14可以平行于第三側(cè)表面S13。第一側(cè)表面Sll可以長于第三側(cè)表面S13。有源區(qū)145的第一端145E1可以被定義在第一側(cè)表面Sll與第四側(cè)表面S14相接的區(qū)域處，有源區(qū)145的第二端145E2可以被定義在第二側(cè)表面S12與第三側(cè)表面S13相接的區(qū)域處。第二端145E2可以被理解為與第一端145E1為點對稱關(guān)系。[0109]第一平行溝槽41A和第二交叉溝槽149B可以形成第二銳角Θ2。例如，第二銳角Θ2可以為大約21°。如圖19B所示，第二銳角Θ2可以被理解為第一側(cè)表面Sll與第四側(cè)表面S14之間的交叉角。[0110]參考圖19C，可以提供第一平行溝槽41A、平行于第一平行溝槽41A的第二平行溝槽41B、平行于第二平行溝槽41B的第三平行溝槽41C和平行于第三平行溝槽41C的第四平行溝槽41D?？梢蕴峁┑谝唤徊鏈喜?49A、平行于第一交叉溝槽149A的第二交叉溝槽149B和平行于第二交叉溝槽149B的第三交叉溝槽149C。第一有源區(qū)145A可以由第一平行溝槽41A、第二平行溝槽41B、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。第二有源區(qū)145B可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第二交叉溝槽149B和第三交叉溝槽149C限定。第三有源區(qū)145C可以由第二平行溝槽41B、第三平行溝槽41C、第一交叉溝槽149A和第二交叉溝槽149B限定。第四有源區(qū)14?可以由第三平行溝槽41C、第四平行溝槽41D、第二交叉溝槽149B和第三交叉溝槽149C限定。[0111]圖20是布局圖，用于描述根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體模塊。[0112]參考圖20，根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體模塊可以包括模塊基板201、兩個或更多個半導(dǎo)體封裝207、和控制芯片封裝203。輸入/輸出端子205可以形成在模塊基板201上。半導(dǎo)體封裝207和控制芯片封裝203的至少一個可以具有與參考圖1至圖19C描述的實施方式類似的構(gòu)造。例如，有源區(qū)(圖1中的附圖標(biāo)記45)和位線(圖1中的附圖標(biāo)記75)可以形成在半導(dǎo)體封裝207和/或控制芯片封裝203中，并電連接到輸入/輸出端子205。例如，由于有源區(qū)(圖1中的附圖標(biāo)記45)和位線(圖1中的附圖標(biāo)記75)的構(gòu)造，半導(dǎo)體模塊可以具有出色的電性能。[0113]半導(dǎo)體封裝207和控制芯片封裝203可以安裝在模塊基板201中。半導(dǎo)體封裝207和控制芯片封裝203可以串聯(lián)/并聯(lián)地電連接到輸入/輸出端子205。[0114]控制芯片封裝203可以省略。半導(dǎo)體封裝207可以包括諸如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的易失性存儲器芯片、諸如快閃存儲器、相變存儲器、磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)和電阻隨機(jī)存取存儲器(RRAM)的非易失性存儲器芯片、或者其組合。根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體模塊可以是存儲器模塊。[0115]圖21是示意圖，其示出包括根據(jù)各種實施方式的半導(dǎo)體裝置的至少之一的存儲卡2200。[0116]參考圖21，根據(jù)實施方式的存儲卡2200可以包括安裝在存儲卡板2210上的微處理器2220和兩個或更多個半導(dǎo)體封裝2230。微處理器2220和半導(dǎo)體封裝2230的至少之一可以包括參考圖1到圖19C描述的構(gòu)造。例如，有源區(qū)(圖1中的附圖標(biāo)記45)和位線(圖1中的附圖標(biāo)記75)可以形成在半導(dǎo)體封裝2230和/或微處理器2220中。輸入/輸出端子2240可以布置在存儲卡板2210的至少一側(cè)。[0117]圖22是透視圖，示出根據(jù)實施方式的電設(shè)備。[0118]參考圖22，參考圖1到圖19C描述的半導(dǎo)體裝置可以有效地應(yīng)用于電子系統(tǒng)，諸如移動式電話1900、上網(wǎng)本、筆記本電腦或者平板電腦(tabletPC)。例如，參考圖1到圖19C描述的半導(dǎo)體裝置可以安裝在移動式電話1900中的主板上。此外，參考圖1到圖19C描述的半導(dǎo)體封裝可以設(shè)置在擴(kuò)展裝置諸如外部存儲卡中從而與移動式電話1900結(jié)合。[0119]移動式電話1900可以被理解為平板電腦。此外，根據(jù)實施方式的至少一種半導(dǎo)體裝置可以用于便攜式計算機(jī)諸如筆記本電腦、動態(tài)圖像專家組(MPEG)-1壓縮標(biāo)準(zhǔn)音頻層面3(MP3)播放器、MP4播放器、導(dǎo)航裝置、固態(tài)盤(SSD)、臺式計算機(jī)、汽車、或家用電器，以及平板電腦。[0120]圖23是系統(tǒng)框圖，示出根據(jù)實施方式的電子設(shè)備。[0121]參考圖23，參考圖1到圖19C描述的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)2100。電子系統(tǒng)2100可以包括主體2110、微處理器2120、電源2130、功能單元2140和顯示控制器2150。主體2110可以是具有印刷電路板(PCB)的母板。微處理器2120、電源2130、功能單元2140和顯示控制器2150可以安裝在主體2110上。顯示器2160可以安裝在主體2110內(nèi)部或外部。例如，顯示器2160可以設(shè)置在主體2110的表面上以顯示由顯示控制器2150處理的圖像。[0122]電源2130可以從外部電池等接收恒定電壓、將該電壓劃分成需要的電平、以及將那些電壓提供到微處理器2120、功能單元2140和顯示控制器2150。微處理器2120可以從電源2130接收電壓以控制功能單元2140和顯示器2160。功能單元2140可以執(zhí)行各種電子系統(tǒng)2100的功能。例如，如果電子系統(tǒng)2100是蜂窩電話，則功能單元2140可以具有能夠執(zhí)行蜂窩電話的功能(諸如撥號、通過與外部裝置2170通信而輸出視頻到顯示器2160、和輸出聲音到揚聲器)的幾個組件，如果安裝了照相裝置，則功能單元2140可以起到照相機(jī)圖像處理器的作用。[0123]當(dāng)電子系統(tǒng)2100連接到存儲卡等以擴(kuò)展容量時，功能單元2140可以是存儲卡控制器。功能單元2140可以通過有線或無線通信單元2180與外部裝置2170交換信號。此夕卜，當(dāng)電子系統(tǒng)2100需要通用串行總線(USB)等以擴(kuò)展功能時，功能單元2140可以起到接口控制器的作用。功能單元2140可以包括大容量存儲裝置。[0124]參考圖1到圖19C描述的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于微處理器2120或功能單元2140。例如，功能單元2140可以包括有源區(qū)(圖1中的附圖標(biāo)記45)和位線(圖1中的附圖標(biāo)記75)。由于有源區(qū)和位線的構(gòu)造，功能單元2140例如可以具有出色的電性能。[0125]圖24是系統(tǒng)框圖，其示意地示出包括根據(jù)實施方式的至少一個半導(dǎo)體裝置的另一電子系統(tǒng)2400。[0126]參考圖24，電子系統(tǒng)2400可以包括根據(jù)各種實施方式的至少一個半導(dǎo)體裝置。電子系統(tǒng)2400可以用于制造移動裝置或計算機(jī)。例如，電子系統(tǒng)2400可以包括存儲系統(tǒng)2412、微處理器2414、隨機(jī)存取存儲器(RAM)2416、和利用總線2420執(zhí)行數(shù)據(jù)通信的用戶接口2418。微處理器2414可以對電子系統(tǒng)2400編程和控制電子系統(tǒng)2400。RAM2416可以用作微處理器2414的操作存儲器。例如，微處理器2414或RAM2416可以包括根據(jù)實施方式的至少一個半導(dǎo)體裝置。微處理器2414、RAM2416和/或其他組件可以被組裝在單個封裝中。用戶接口2418可以用于輸入數(shù)據(jù)到電子系統(tǒng)2400或從電子系統(tǒng)2400輸出數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)2412可以存儲用于操作微處理器2414的代碼、由微處理器2414處理的數(shù)據(jù)、或外部輸入數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)2412可以包括控制器和存儲器。[0127]作為總結(jié)和回顧，多個有源區(qū)可以布置在存儲單元中，例如在DRAM單元陣列區(qū)中。有源區(qū)的尺寸和形狀可以直接影響所得的半導(dǎo)體裝置的高集成度。[0128]已經(jīng)嘗試這樣的方法，其中該方法包括在半導(dǎo)體基板上形成線型初始掩模圖案、通過將線型初始掩模圖案修整為孔形狀而形成多個掩模圖案、以及通過利用該掩模圖案作為蝕刻掩膜蝕刻半導(dǎo)體基板而形成有源區(qū)。可以形成跨越有源區(qū)的位線?？梢圆贾眠B接到有源區(qū)之一而不接觸位線的掩埋接觸插塞。在這種情況下，在掩埋接觸插塞與有源區(qū)之間的接觸區(qū)域會非常小。因此，難以減小掩埋接觸插塞與有源區(qū)之間的接觸電阻。[0129]此外，將線型初始掩模圖案修整為孔形狀的技術(shù)是相對困難的，有源區(qū)之間的尺寸偏差會相對大。此外，根據(jù)圖案的高集成度，在將線型初始掩模圖案修整為孔形狀的技術(shù)中需要兩個或更多個光刻工藝。因此，將線型初始掩模圖案修整為孔形狀的技術(shù)會相對困難。[0130]相反，實施方式涉及具有有源區(qū)的半導(dǎo)體裝置及其改善的形成方法。例如，實施方式涉及具有高集成度并具有有源區(qū)(該有源區(qū)獲得與接觸插塞的足夠的接觸區(qū)域)的半導(dǎo)體裝置及其形成方法。此外，根據(jù)實施方式，可以提供由平行溝槽和交叉溝槽限定的多個有源區(qū)。平行溝槽和交叉溝槽的每個可以是直線形。[0131]與包括形成孔型溝道的方法相比，形成交叉溝槽的技術(shù)可以有效地簡化工藝和減小工藝偏差。實施方式可以實現(xiàn)一種半導(dǎo)體裝置，其實現(xiàn)高集成度并獲得接觸插塞與有源區(qū)之間的足夠的接觸區(qū)域。[0132]在此已經(jīng)公開了示例實施方式，雖然采用了特定術(shù)語，但它們僅被使用來且將以一般的和描述的意義上來理解它們而不是為了限制。在有些情況下，對于提交本申請時的本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，將明顯的是，結(jié)合特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可以單獨地使用，或者可以與結(jié)合其他實施方式描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非明確地另外指示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)方面進(jìn)行各種變化而不背離由權(quán)利要求闡述的本發(fā)明的精神和范圍?！緳?quán)利要求】1.一種半導(dǎo)體裝置，包括:在半導(dǎo)體基板上彼此平行的多個平行溝槽；在所述半導(dǎo)體基板上彼此平行的多個交叉溝槽；在所述半導(dǎo)體基板上由所述平行溝槽和所述交叉溝槽限定的多個有源區(qū)；跨過所述有源區(qū)的多條下導(dǎo)線；彼此平行的多條上導(dǎo)線，所述上導(dǎo)線交叉所述下導(dǎo)線并跨過所述有源區(qū)；以及連接到所述有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件，其中:所述平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形，所述平行溝槽交叉所述上導(dǎo)線并與所述上導(dǎo)線形成第一銳角，以及所述交叉溝槽交叉所述平行溝槽并與所述平行溝槽形成第二銳角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述交叉溝槽交叉所述上導(dǎo)線，以及所述第二銳角大于所述第一銳角。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述交叉溝槽與所述上導(dǎo)線形成大于所述第二銳角的第三銳角。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述交叉溝槽平行于所述上導(dǎo)線，以及所述第二銳角基本上與所述第一銳角相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述下導(dǎo)線和上導(dǎo)線的每個是直線形，所述上導(dǎo)線與所述下導(dǎo)線基本上形成直角。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述交叉溝槽之間的間隔大于所述平行溝槽之間的間隔。7.一種半導(dǎo)體裝置，包括:在半導(dǎo)體基板上彼此平行的第一平行溝槽和第二平行溝槽；在所述半導(dǎo)體基板上彼此平行的第一交叉溝槽和第二交叉溝槽；有源區(qū)，在所述半導(dǎo)體基板上由所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽以及所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽限定；一對字線，跨過所述有源區(qū)并彼此平行；位線，跨越所述有源區(qū)并與所述一對字線基本上形成直角；掩埋接觸插塞，與所述位線間隔開并連接到所述有源區(qū)；和在所述掩埋接觸插塞上的存儲節(jié)點，其中:所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽以及所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽的每個是直線形，所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽交叉所述位線并與所述位線形成第一銳角，以及所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽交叉所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽，并與所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽形成第二銳角。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中:所述有源區(qū)包括第一側(cè)表面、第二側(cè)表面、第三側(cè)表面和第四側(cè)表面，所述第一側(cè)表面由所述第一平行溝槽限定，所述第二側(cè)表面由所述第二平行溝槽限定，所述第三側(cè)表面由所述第一交叉溝槽限定，所述第四側(cè)表面由所述第二交叉溝槽限定，所述第二側(cè)表面平行于所述第一側(cè)表面，所述第四側(cè)表面平行于所述第三側(cè)表面。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一側(cè)表面長于所述第三側(cè)表面。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一側(cè)表面是所述第三側(cè)表面的至少兩倍長。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中:所述有源區(qū)包括遠(yuǎn)離所述位線突出的第一端和第二端，所述第二側(cè)表面和所述第三側(cè)表面在所述第一端相接，所述第一側(cè)表面和所述第四側(cè)表面在所述第二端相接。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二端與所述第一端是點對稱關(guān)系O13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述掩埋接觸插塞連接到所述第一端或所述第二端。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽交叉所述位線，所述第二銳角大于所述第一銳角。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二銳角約為28度。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽與所述位線形成大于第二銳角的第三銳角。17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中:所述有源區(qū)包括遠(yuǎn)離所述位線突出的第一端和第二端，所述第一側(cè)表面和所述第四側(cè)表面在所述第一端相接，所述第二側(cè)表面和所述第三側(cè)表面在所述第二端相接。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽平行于所述位線，所述第二銳角基本上與所述第一銳角相同。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二銳角約為21度。20.—種半導(dǎo)體裝置，包括:在半導(dǎo)體基板上的平行溝槽，包括彼此平行的第一平行溝槽、第二平行溝槽、第三平行溝槽和第四平行溝槽；在所述半導(dǎo)體基板上的交叉溝槽，包括彼此平行的第一交叉溝槽、第二交叉溝槽和第三交叉溝槽；在所述半導(dǎo)體基板上的有源區(qū)，包括由所述平行溝槽和所述交叉溝槽限定的第一有源區(qū)、第二有源區(qū)、第三有源區(qū)和第四有源區(qū)；字線，包括跨過所述有源區(qū)并彼此平行的第一字線、第二字線、第三字線、第四字線和第五字線；位線，包括跨越所述有源區(qū)并與所述字線基本上形成直角的第一位線和第二位線；掩埋接觸插塞，與所述位線間隔開并連接到所述有源區(qū)；和在所述掩埋接觸插塞上的存儲節(jié)點，其中:所述平行溝槽和交叉溝槽的每個是直線形，所述平行溝槽與所述位線形成第一銳角，所述交叉溝槽交叉所述平行溝槽并與所述平行溝槽形成第二銳角，所述第一有源區(qū)由所述第一平行溝槽、所述第二平行溝槽、所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽限定，所述第二有源區(qū)由所述第二平行溝槽、所述第三平行溝槽、所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽限定，所述第三有源區(qū)由所述第二平行溝槽、所述第三平行溝槽、所述第二交叉溝槽和所述第三交叉溝槽限定，所述第四有源區(qū)由所述第三平行溝槽、所述第四平行溝槽、所述第二交叉溝槽和所述第三交叉溝槽限定，所述第一位線跨過所述第一有源區(qū)和所述第三有源區(qū)，所述第二位線跨過所述第二有源區(qū)和所述第四有源區(qū)，且所述第一字線跨過所述第二有源區(qū)，所述第二字線交叉跨過第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)，所述第三字線跨過所述第一有源區(qū)和所述第四有源區(qū)，所述第四字線跨過所述第三有源區(qū)和所述第四有源區(qū)，所述第五字線跨過所述第三有源區(qū)。21.—種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括:在半導(dǎo)體基板上形成由多個平行的平行溝槽和多個平行的交叉溝槽限定的多個有源區(qū)；形成跨過所述有源區(qū)的多條下導(dǎo)線；形成多條上導(dǎo)線，所述上導(dǎo)線交叉所述下導(dǎo)線、跨越所述有源區(qū)且彼此平行；以及形成連接到所述有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件，其中:所述平行溝槽和所述交叉溝槽的每個是直線形，所述平行溝槽交叉所述上導(dǎo)線并與所述上導(dǎo)線形成第一銳角，以及所述交叉溝槽交叉所述平行溝槽并與所述平行溝槽形成第二銳角。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述有源區(qū)包括:在所述半導(dǎo)體基板上形成掩模層；通過圖案化所述掩模層而形成多個初始平行溝槽；通過圖案化所述掩模層而形成多個初始交叉溝槽；以及蝕刻在所述初始平行溝槽和所述初始交叉溝槽下面的所述半導(dǎo)體基板。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述初始交叉溝槽之間的間隔大于所述初始平行溝槽之間的間隔。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述交叉溝槽交叉所述上導(dǎo)線，所述第二銳角大于所述第一銳角。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述交叉溝槽平行于所述上導(dǎo)線，所述第二銳角基本上與所述第一銳角相同。26.一種半導(dǎo)體裝置，包括:基板；彼此處于非交叉關(guān)系的平行溝槽，每個平行溝槽布置為相對于所述基板的側(cè)部傾斜且在其中包括隔離層；彼此處于非交叉關(guān)系的交叉溝槽，所述交叉溝槽具有與所述平行溝槽的交叉區(qū)并在其中包括所述隔離層；有源區(qū)，所述有源區(qū)的端部由所述交叉區(qū)限定；以及下導(dǎo)線和上導(dǎo)線，分別沿第一方向和第二方向延伸跨過所述有源區(qū)，所述第一方向不同于所述第二方向，所述平行溝槽以第一銳角與所述上導(dǎo)線交叉，所述平行溝槽以第二銳角與所述交叉溝槽交叉，所述交叉溝槽以第三銳角交叉所述上導(dǎo)線。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第三銳角大于所述第一銳角和所述第二銳角，所述第二銳角大于所述第一銳角。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述平行溝槽彼此間隔開第一距離，所述交叉溝槽彼此間隔開第二距離，所述第二距離大于所述第一距離。29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述平行溝槽和所述交叉溝槽平行于所述有源區(qū)的側(cè)面而不延伸跨過所述有源區(qū)，從而在所述有源區(qū)之間限定隔離區(qū)。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述有源區(qū)的每個端部鄰近所述交叉溝槽之一，使得相鄰的有源區(qū)的端部通過所述交叉溝槽彼此間隔開?！疚臋n編號】H01L21/77GK103794605SQ201310188874【公開日】2014年5月14日申請日期:2013年5月21日優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日【發(fā)明者】崔宰福,李圭現(xiàn),張美貞,崔榮振,許宙永申請人:三星電子株式會社