專(zhuān)利名稱(chēng)：一種大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，特別是一種具有外部高頻調(diào)制信號(hào)控制的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，涉及到電子及光電子等領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核心技術(shù)。由于半導(dǎo)體激光器的體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、轉(zhuǎn)換效率高、壽命長(zhǎng)、易于調(diào)制以及價(jià)格較低廉等優(yōu)點(diǎn)，使得它目前在光電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛，包括工業(yè)、軍事、醫(yī)療、通信等眾多領(lǐng)域。目前大功率半導(dǎo)體激光器以及大功率半導(dǎo)體激光器泵浦固體激光器在材料加工、激光打標(biāo)、激光打印、激光掃描、激光測(cè)距、激光存儲(chǔ)、激光顯示，照明、激光醫(yī)療等民用領(lǐng)域，以及激光打靶、激光制導(dǎo)、激光夜視、激光武器等多方面均得到廣泛應(yīng)用。大功率半導(dǎo)體激光器是一種高功率密度光電轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體器件，但器件本身對(duì)于電壓電流浪涌沖擊的能力很差，微小的電壓及電流變化都會(huì)導(dǎo)致激光器功功率輸出的極大變化，這種變化直接危機(jī)器件的穩(wěn)定性及其使用壽命，因此在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源的電壓電流紋波有極高的要求。穩(wěn)定性、可靠性、安全性是大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)的關(guān)鍵。穩(wěn)定性決定了激光器輸出功率的穩(wěn)定和光譜的純度；可靠性決定了激光器長(zhǎng)期有效運(yùn)行；安全性決定激光器在各種意外情況下不被破壞。而現(xiàn)有的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)器雖然都能實(shí)現(xiàn)電流在幾十安培的恒流控制，但是很難完全滿足更大電流的恒流控制，特別是存在高頻調(diào)制的情況下
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有外部高頻調(diào)制的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，采用兩路電流閉環(huán)控制電路方式輸出穩(wěn)定電流，確保激光器長(zhǎng)期的安全、穩(wěn)定、可靠的運(yùn)行；具有驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器陣列的能力，驅(qū)動(dòng)電流可高達(dá)上百安培以上，并且具有很高的可靠性與安全性；可以精確的設(shè)定半導(dǎo)體激光器的工作電流及過(guò)流保護(hù)閾值，對(duì)半導(dǎo)體激光器提供進(jìn)一步的保護(hù)；采用MOSFET多管并聯(lián)的鋁基板布線方式，提高了功率體的散熱面積與散熱效率，提升了半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)器的穩(wěn)定性；采用MOSFET多管并聯(lián)的均流技術(shù)，增強(qiáng)多管并聯(lián)的電流均衡性。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)以上目的所采取的技術(shù)方案是:
一種大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路包括:激光電流控制電路(11)、激光電流反饋電路(13 )、半導(dǎo)體激光器(14)、激光電流控制MOSFET (15)、激光電流采樣電阻(16 )、補(bǔ)償電流采樣電阻(17)、補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)、補(bǔ)償回路負(fù)載(19)、補(bǔ)償電流控制電路(21)、及補(bǔ)償電流反饋電路(23);所述半導(dǎo)體激光器(14)分別與電源和激光電流控制MOSFET (15)的漏極連接，激光電流控制MOSFET (15)的源極串接激光電流采樣電阻(16)連接到地端。所述補(bǔ)償回路負(fù)載(19)分別接在電源和補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)的漏極之間，補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)的源極經(jīng)補(bǔ)償電流采樣電阻(17)連接到地端；補(bǔ)償電流采樣電阻(17)兩端的差分信號(hào)通過(guò)補(bǔ)償電流反饋電路(23)放大并反饋到補(bǔ)償電流控制電路(21)，與外部調(diào)制信號(hào)(20)通過(guò)差分放大進(jìn)行比較，產(chǎn)生的誤差信號(hào)送到補(bǔ)償電流控制MOSFET (28)的柵極對(duì)補(bǔ)償電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償電流的控制。所述補(bǔ)償電流采樣電阻
(17)的差分信號(hào)被送到激光電流反饋電路(13)，與激光電流采樣電阻(6)所采集的激光電流信號(hào)相加，再反饋到激光電流控制電路(11)，與激光電流預(yù)置信號(hào)(10)通過(guò)差分放大進(jìn)行比較，產(chǎn)生的誤差信號(hào)用來(lái)控制激光電流控制MOSFET (15)的柵極以調(diào)節(jié)激光電流，實(shí)現(xiàn)外部高頻調(diào)制信號(hào)控制模式下的恒流驅(qū)動(dòng)。所述的激光電流控制MOSFET (15)與補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)采用大功率金屬膜氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
所述的激光電流控制MOSFET (15)與補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)采用多管并聯(lián)模式； 所述的補(bǔ)償回路負(fù)載可以是功率電阻，阻值為0-10 Ω，或是電子制冷片；
所述電流采樣電阻R15與R35為Ιι Ω 50mΩ ；
M0SFET柵極延時(shí)補(bǔ)償電阻R11、R16、R32、R36等電阻為10 Ω 20 Ω ;R6與Cl、C7與R25構(gòu)成MOSFET柵極控制信號(hào)濾波電路，R6、R25的阻值為4.7ΚΩ 12ΚΩ ;C1、C7的容值為 IOnF 330nF ；
補(bǔ)償電流采樣電阻(17)的采樣信號(hào)同時(shí)反饋到補(bǔ)償電流反饋電路(23)激光電流反饋電路(13)中；
激光電流反饋電路(13)與補(bǔ)償電流反饋電路(23)中的反饋電路為差分放大電路； 激光電流回路與補(bǔ)償電流回路形成電流互補(bǔ)并聯(lián)模式。激光電流MOSFET (15)與補(bǔ)償電流MOSFET (18)中的MOSFET為鋁基板布線方式。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
采用兩路電流閉環(huán)互補(bǔ)控制電路方式，實(shí)現(xiàn)當(dāng)激光器的輸出光功率與外部高頻控制信號(hào)同步時(shí)，電源負(fù)載保持恒流模式；
采用MOSFET多管并聯(lián)的鋁基板布線方式，極大的增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)器的輸出電流及MOSFET的散熱效率，具有很高的可靠性與安全性；
采用MOSFET多管并聯(lián)的均流技術(shù)，每組的MOSFET都要經(jīng)過(guò)MOSFET分選儀進(jìn)行分選，參數(shù)相近的放到同一陣列進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且每一個(gè)MOSFET的柵極前串聯(lián)一 10Ω 20Ω的控制信號(hào)延時(shí)補(bǔ)償電阻，可以有效的控制MOSFET陣列的同時(shí)開(kāi)關(guān)，進(jìn)一步增強(qiáng)多管并聯(lián)的電流均衡性；
電流反饋控制電路采用差分放大電路，增強(qiáng)了電流采樣的共模信號(hào)抑制比，極大的提高了電流采樣的精度，進(jìn)一步提高了驅(qū)動(dòng)器輸出電流的穩(wěn)定性；
具有大功率半導(dǎo)體激光器陣列的驅(qū)動(dòng)能力，驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)上百安培以上，并且具有很高的可靠性與安全性；
可以精確的設(shè)定半導(dǎo)體激光器的工作電流以及過(guò)流保護(hù)電流，對(duì)半導(dǎo)體激光器進(jìn)一步的保護(hù)。

圖1為本發(fā)明大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路的原理框 圖2為本發(fā)明激光電 流反饋電路原理圖。圖3為本發(fā)明補(bǔ)償電流反饋電路原理4為本發(fā)明激光電流反饋基準(zhǔn)電壓電路原理圖 圖5為本發(fā)明激光電流保護(hù)電路及控制信號(hào)D/A轉(zhuǎn)換原理 圖6為本發(fā)明補(bǔ)償電流保護(hù)電路及控制信號(hào)D/A轉(zhuǎn)換原理 圖7為本發(fā)明外部調(diào)制信號(hào)控制電路原理 圖8為本發(fā)明激光電流控制電路原理 圖9為本發(fā)明補(bǔ)償電流控制電路原理 圖10為本發(fā)明激光電流回路原理 圖11為本發(fā)明采用功率電阻作為補(bǔ)償回路負(fù)載的補(bǔ)償電流回路。圖12為本發(fā)明采用TEC作為補(bǔ)償回路負(fù)載的補(bǔ)償電流回路。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1:
如圖1所示，本發(fā)明大功·率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路包括:
激光電流控制電路(11 )、激光電流反饋電路(13)、半導(dǎo)體激光器(14)、激光電流控制M0SFET( 15)、激光電流采樣(16)、補(bǔ)償電流采樣(17)、補(bǔ)償電流控制MOSFET(18)、補(bǔ)償回路負(fù)載(19)、補(bǔ)償電流控制電路(21)、及補(bǔ)償電流反饋電路(23);所述半導(dǎo)體激光器(14)分別與電源和激光電流控制MOSFET (15)的漏極連接，激光電流控制MOSFET (15)的源極串接激光電流采樣電阻(16)到地端；所述補(bǔ)償回路負(fù)載(19)分別接在電源和補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)的漏極之間，補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)的源極經(jīng)補(bǔ)償電流采樣電阻(17)連接到地端；補(bǔ)償電流采樣電阻(17)兩端的差分信號(hào)通過(guò)補(bǔ)償電流反饋電路(23)放大并反饋到補(bǔ)償電流控制電路(21 )，與外部調(diào)制信號(hào)(20)通過(guò)差分放大進(jìn)行比較，產(chǎn)生的誤差電壓信號(hào)反饋到補(bǔ)償電流控制MOSFET (28)的柵極對(duì)補(bǔ)償電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償電流的控制。所述補(bǔ)償電流采樣電阻(17)的采樣信號(hào)被送到激光電流反饋電路(13)，與激光電流采樣電阻(6)所采集的激光電流信號(hào)相加，并反饋到激光電流控制電路(11)，與激光電流預(yù)置信號(hào)(10)通過(guò)差分放大進(jìn)行比較，產(chǎn)生的誤差電壓信號(hào)用來(lái)控制激光電流控制MOSFET的柵極對(duì)激光電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)外部高頻調(diào)制信號(hào)控制模式下的恒流驅(qū)動(dòng)。實(shí)施例2
如圖2所示，激光電流反饋電路是由運(yùn)算放大器U2B、電阻R20、R27、R26、R21、R28、R33，電容C8、Cll構(gòu)成的差分放大電路。LD40A_SHUNT+連接到激光電流采樣電阻R15的正端、LD40A_SHUNT-連接到激光電流采樣電阻R15的地端；電阻R21、R28與電容Cll構(gòu)成一階低通濾波器；電阻R33與電容Cll構(gòu)成二階低通濾波器；此電路實(shí)現(xiàn)激光電流的高精度采樣放大。實(shí)施例3
如圖3所示，補(bǔ)償電流反饋電路是由運(yùn)算放大器U2C、電阻R22、R30、R29、R23、R31、R34，電容C9、C12構(gòu)成的差分放大電路。LD30A_SHUNT+連接到補(bǔ)償電流采樣電阻R35的正端、LD30A_SHUNT-連接到補(bǔ)償電流采樣電阻R35的地端；電阻R23、R31與電容C12構(gòu)成一階低通濾波器；電阻R34與電容C12構(gòu)成二階低通濾波器；此電路實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償電流的高精度采樣放大。
實(shí)施例4
如圖4所示，激光電流反饋基準(zhǔn)電壓電路是由運(yùn)算放大器U2A、電阻R18、R17、R19、R24以及電源濾波電容ClO組成的求和放大電路，其中激光電流采樣反饋信號(hào)VREF_CUR40A與補(bǔ)償電流采樣反饋信號(hào)VREF_CUR30A分別通過(guò)電阻R18與R17連接在U2A的同相端，該電路實(shí)現(xiàn)將激光電流采樣反饋信號(hào)VREF_CUR40A與補(bǔ)償電流采樣反饋信號(hào)VREF_CUR30A求和放大形成新的激光器電流反饋控制信號(hào)VREF_40A。實(shí)施例5
如圖5所示，激光電流保護(hù)電路及控制信號(hào)D/A轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)由電阻R14與電容C5組成的D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，用于將PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬電壓信號(hào)，以及一個(gè)由比較器U1A、電阻R3、R5、R9以及電源濾波電容C3構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路。其中VREF_CUR40A為激光電流采樣電路反饋電壓信號(hào)，PWM_D40A為激光器額定電流對(duì)應(yīng)的特定頻率占空比的PWM控制信號(hào)，PWM_D40A可以由DSP產(chǎn)生也可以由硬件電路產(chǎn)生；PWM_A40A為PWM控制信號(hào)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換之后的模擬電壓信號(hào)。實(shí)施例6
如圖6所示，補(bǔ)償電流保護(hù)電路及控制信號(hào)D/A轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)由電阻R13與電容C4組成的D/A數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，以及一個(gè)由比較器U1B、電阻R2、R4、R8以及電源濾波電容C2構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路。其中VREF_CUR30A為補(bǔ)償電流采樣電路反饋電壓信號(hào)，PWM_D30A為補(bǔ)償電流額定電流對(duì)應(yīng)的特定頻率占空比的PWM控制信號(hào)，PWM_D30A可以由DSP產(chǎn)生也可以由硬件電路產(chǎn)生；PWM_A30A為PWM控制信號(hào)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換之后的模擬電壓信號(hào)。

實(shí)施例7
實(shí)施例7如圖7所示，外部調(diào)制信號(hào)控制電路包括一個(gè)NPN三極管Q1、PNP三極管Q2、電阻R1、R7、R10、R12組成的外部調(diào)制信號(hào)的控制電路，本電路的目的是將電流補(bǔ)償控制模擬電壓信號(hào)PWM_A30A轉(zhuǎn)換成與外部調(diào)制信號(hào)Modulation的頻率同步。實(shí)施例8
如圖8所示，激光電流控制電路是由運(yùn)算放大器U3C、U2D、NPN三極管Q3、PNP三極管Q5、電阻 R48、R49、R50、R55、R38、R37、R41、R46、R51、R54、R57 以及電容 C14、C15 構(gòu)成。此電路對(duì)激光電流預(yù)設(shè)控制信號(hào)PWM_40A與電流采樣反饋信號(hào)VREF_40A進(jìn)行差分放大，再通過(guò)電阻R38連接到U2D的同相端作為基準(zhǔn)電壓，電阻R37、R41構(gòu)成分壓電路，實(shí)現(xiàn)激光電流控制電壓信號(hào)的電流放大，用以對(duì)激光電流控制MOSFET陣列進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。其中電阻R50、R55與電容C14構(gòu)成二階濾波器。實(shí)施例9
如圖9所示，補(bǔ)償電流控制電路是由運(yùn)算放大器U3B、U3A、NPN三極管Q4、PNP三極管Q6、電阻 R39、R40、R42、R43、R44、R45、R47、R52、R53、R56、R58 以及電容 C13、C16 構(gòu)成。此電路對(duì)補(bǔ)償電流控制信號(hào)PWM_30A與電流采樣反饋信號(hào)VREF_CUR30A進(jìn)行差分放大，誤差信號(hào)再通過(guò)電阻R40連接到U3A的同相端作為基準(zhǔn)電壓，電阻R39、R42構(gòu)成分壓電路，實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償電流控制電壓信號(hào)的電流放大，用以對(duì)補(bǔ)償電流控制MOSFET陣列進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。其中電阻R45、R53與電容C13構(gòu)成二階濾波器。實(shí)施例10
如圖10所示，激光電流回路是由半導(dǎo)體激光器LD1、二極管D1、功率MOSFET Vl Vn、電阻R6、R11、R16、R15以及電容C6、C1構(gòu)成。其中二極管Dl與電容C6并聯(lián)在半導(dǎo)體激光器LDl兩端形成保護(hù)電路；R15為電流采樣電阻；電阻R6與電容Cl構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)的噪聲濾波電路，對(duì)功率MOSFET Vl Vn進(jìn)行保護(hù)，防止功率MOSFET Vl Vn因?yàn)樵肼暤脑驅(qū)е碌恼`導(dǎo)通；電阻Rll、R16為功率MOSFET Vl Vn的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)限流以及延時(shí)控制匹配電阻，保證功率MOSFET Vl Vn陣列能夠同時(shí)開(kāi)關(guān)。實(shí)例11
如圖11所示，功率電阻式電流補(bǔ)償回路是由功率電阻R59、功率MOSFET Ml Mn、電阻R25、R32、R36、R35以及電容C7構(gòu)成。R35為電流采樣電阻；功率電阻的阻值一般在0_10歐姆之間；電阻25與電容C7構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)的噪聲濾波電路，對(duì)功率MOSFET Ml Mn進(jìn)行保護(hù)，防止功率MOSFET Ml Mn因?yàn)樵肼暤脑驅(qū)е碌恼`導(dǎo)通；電阻R32、R36為功率MOSFET Ml Mn的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)限流以及延時(shí)控制匹配電阻，保證功率MOSFET Ml Mn陣列能夠同時(shí)開(kāi)關(guān)。此電路的缺點(diǎn)為電路工作時(shí)，功率全部消耗在功率電阻R59上面，沒(méi)有得到有效的利用。為提升電源的利用率，改進(jìn)電路如實(shí)例14所示。實(shí)例12
如圖12所示，TEC作為補(bǔ)償回路負(fù)載的電路是由電子制冷片TEC，功率MOSFET Ml Mn、電阻R25、R32、R36、R35以及電容C7構(gòu)成。R35為電流采樣電阻；電阻25與電容C7構(gòu)成驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)的噪聲濾波電路，對(duì)功率MOSFET Ml Mn進(jìn)行保護(hù)，防止功率MOSFET Ml Mn因?yàn)樵肼暤脑驅(qū)е碌恼`導(dǎo)通；電阻R32、R36為功率MOSFET Ml Mn的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)限流以及延時(shí)控制匹配電阻，保證功率MOSFET Ml Mn陣列能夠同時(shí)開(kāi)關(guān)。此電路的優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)為電路工作時(shí)，功 率大部分消耗在電子制冷片TEC上面，而TEC可以用于激光器的主動(dòng)散熱，從而提升電源的利用率。
權(quán)利要求
1.一種大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路包括:并聯(lián)連接在電源和地端之間的激光電流回路和補(bǔ)償電流回路，所述激光電流回路包括串聯(lián)連接的半導(dǎo)體激光器(14)、激光電流MOSFET (15)、及激光電流采樣電阻(16 )，所述補(bǔ)償電流回路包括串聯(lián)連接的補(bǔ)償回路負(fù)載(19)、補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)、及補(bǔ)償電流采樣電阻(17);其特征為，所述補(bǔ)償電流采樣電阻(17)的采樣信號(hào)連接到補(bǔ)償電流控制電路(21)，與外部調(diào)制信號(hào)(20)經(jīng)差分放大器比較產(chǎn)生補(bǔ)償電路控制信號(hào)，用來(lái)調(diào)節(jié)補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)，形成一個(gè)閉環(huán)恒流控制電路；所述補(bǔ)償電流反饋電路(23)將所述補(bǔ)償電流采樣電阻(17)的采樣信號(hào)反饋到所述激光反饋電路(13)，與所述激光電流采樣電阻(16)的采樣信號(hào)求和，再進(jìn)一步反饋到激光電流控制電路(11)，與激光電流預(yù)置信號(hào)(10 )經(jīng)差分放大得到激光電流控制信號(hào)，并用來(lái)調(diào)節(jié)所述激光電流控制MOSFET (15)，形成一個(gè)閉環(huán)恒流控制電路。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:補(bǔ)償電流采樣電阻(17)的采樣信號(hào)同步反饋到補(bǔ)償電流反饋電路(23)和激光電流反饋電路(13)。
3.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:激光電流回路與補(bǔ)償電流回路形成電流互補(bǔ)模式，使得激光電流和補(bǔ)償電流之和保持恒定。
4.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:所述補(bǔ)償回路負(fù)載(19)為功率電阻，阻值為0-10歐姆。
5.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:所述補(bǔ)償回路負(fù)載(19)為電子制冷片。
6.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:所述的激光電流控制MOSFE T (15)與補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)為多個(gè)MOSFET管并聯(lián)模式。
7.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:激光電流控制MOSFET (15)與補(bǔ)償電流控制MOSFET (18)采用鋁基板布線方式。
8.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:所述MOSFET柵極延時(shí)補(bǔ)償電阻R11、R16、R32、R36等的電阻值為10 Ω 20 Ω ;R6與C1、C7與R25構(gòu)成MOSFET柵極控制信號(hào)濾波電路，R6、R25的阻值為4.7ΚΩ 12ΚΩ ;C1、C7的容值為 IOnF 330nF。
9.如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)控制電路，其特征在于:電流采樣電阻R15與R35為Ιι Ω 50ι Ω。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大功率半導(dǎo)體激光器恒流互補(bǔ)電流驅(qū)動(dòng)控制電路,可以用于大功率半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)控制,屬于電子及光電子行業(yè)領(lǐng)域。本發(fā)明包括激光電流控制電路、激光電流反饋電路、激光電流采樣、激光電流MOSFET、半導(dǎo)體激光器、外部調(diào)制信號(hào)電路、補(bǔ)償電流控制電路、補(bǔ)償電流反饋電路、補(bǔ)償電流采樣、補(bǔ)償電流MOSFET、補(bǔ)償回路負(fù)載等功能電路。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:大幅增強(qiáng)了大功率、大電流半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)器的輸出電流的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)在有外部高頻調(diào)制信號(hào)下，半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)器的總輸出電流處于恒流狀態(tài),降低了電源總電流的波動(dòng),從而提升整個(gè)激光器驅(qū)動(dòng)器的穩(wěn)定性及可靠性。
文檔編號(hào)H01S5/042GK103227412SQ20131012726
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月12日
發(fā)明者張未, 陳力, 王迅, 李曉麗, 張存林, 馮立春 申請(qǐng)人:南京諾威爾光電系統(tǒng)有限公司, 北京維泰凱信新技術(shù)有限公司, 首都師范大學(xué)