一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法及其電沉積裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法及其電沉積裝置，其方法包括：在玻璃基底上沉積透明導(dǎo)電層；在所述透明導(dǎo)電層上成形窗口層；在所述窗口層上電沉積吸收層；移除所述接觸電極，在原所述接觸電極處產(chǎn)生接觸電極空缺；劃第一溝槽步驟；填充所述第一溝槽和剩余的接觸電極空缺；劃第二溝槽步驟；沉積背接觸層和背電極；劃第三溝槽步驟；所述接觸電極空缺的位置與所述第一溝槽和/或第二溝槽和/或第三溝槽所在的位置部分或全部重疊?，F(xiàn)有技術(shù)中的生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的裝置和方法中太陽(yáng)能電池的單位面積里參與光電轉(zhuǎn)換的有效面積小，進(jìn)而提供一種單位面積里參與光電轉(zhuǎn)換的有效面積更大的薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法及其電沉積裝置。
【專利說(shuō)明】一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法及其電沉積裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電解裝置及方法，具體涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法及其 電沉積裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的器件。
[0003] -般，薄膜太陽(yáng)能電池從下往上依次主要包括下封裝層、基底層、背接觸層、吸收 層、窗口層、上接觸層和上封裝層等。其中，背接觸層、吸收層和窗口層可以通過(guò)電沉積來(lái)實(shí) 現(xiàn)的；電沉積時(shí)，需將待電沉積的基板放置于電解液中，將基板的透明導(dǎo)電層接上負(fù)極，和 電解液中的正極連接，通過(guò)正負(fù)極通電即可將半導(dǎo)體化合物沉積到基板上。
[0004] 對(duì)于碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池，隨著所沉積吸收層厚度的增加，正負(fù)電極之間電場(chǎng) 強(qiáng)度將隨之減小，導(dǎo)致半導(dǎo)體化合物沉積速度的降低，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0005] 增加電場(chǎng)強(qiáng)度可以加快沉積速度，然而，為了保證光透過(guò)率，透明導(dǎo)電層通常很 薄，具有較高的阻抗，導(dǎo)致基板與正電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度隨著基板上與外接電極距離的增 加而減小，因此沉積后的吸收層容易形成距離外接電極近的地方膜層厚，而遠(yuǎn)離外接電 極處的膜層薄的不均勻膜層，從而影響光電轉(zhuǎn)換效率，這種現(xiàn)象在大面積基板上尤為明 顯。為了解決上述技術(shù)問題，美國(guó)專利文獻(xiàn)US2011/0290641A1公開了一種快速化學(xué)電沉 積法生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的裝置和方法，包括具有很多接觸頂針的支撐結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述接觸頂 針都與基底層表面電接觸，形成多個(gè)分布式電極，給所述基底提供用于電沉積的電位（An apparatus for electrodeposition,comprising a support structure including a plurality of contact pins,each contact pin of said plurality of contact pins configure to establish electrical con tact with a substrate surface and thereby supply plating potential to the substrate)。將電流通過(guò)接觸頂針均勻地分布到待電 沉積平板上，有效的提高待電沉積基板和電解液中正極之間電場(chǎng)強(qiáng)度的均勻性，使沉積后 的吸收層厚度得于均勻分布。
[0006] 但是，待電沉積完畢、移除接觸頂針后，放置接觸頂針的地方就會(huì)產(chǎn)生接觸頂針孔 洞，如果不對(duì)該接觸頂針孔洞進(jìn)行填補(bǔ)，隨后沉積的背電極將和透明導(dǎo)電極連接，使太陽(yáng)能 電池在使用時(shí)產(chǎn)生斷路，因此，需要在移除接觸頂針后在接觸頂針孔中填充電絕緣物質(zhì)，此 電絕緣物質(zhì)不參與光電轉(zhuǎn)換，因而影響了電池的整體轉(zhuǎn)換效率。
[0007] 在實(shí)際碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，后續(xù)工序之一是對(duì)太陽(yáng)能板進(jìn)行劃溝槽， 填充溝槽，沉積背電極，以及刻劃背電極，從而將太陽(yáng)能板劃分多個(gè)太陽(yáng)能電池并將它們連 接成組件。溝槽中的填充物也不參與光電轉(zhuǎn)換過(guò)程，即接觸頂針?biāo)嫉拿娣e和溝槽所占的 面積都不參與光電轉(zhuǎn)換，相應(yīng)的使太陽(yáng)能電池單位面積內(nèi)參與光電轉(zhuǎn)換的有效面積減小， 影響了光吸收轉(zhuǎn)換的效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中的快速化學(xué)電沉積法生產(chǎn)太陽(yáng) 能電池的裝置和方法中太陽(yáng)能電池的單位面積里參與光電轉(zhuǎn)換的有效面積小，影響了太陽(yáng) 能電池的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提供一種單位面積里參與光電轉(zhuǎn)換的有效面積更大的薄膜太陽(yáng)能 電池的生產(chǎn)方法及其電沉積裝置。
[0009] 本發(fā)明的一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，包括如下步驟：
[0010] (a)在玻璃基底上沉積透明導(dǎo)電層；
[0011] (b)在所述透明導(dǎo)電層上成形窗口層；
[0012] (c)接觸電極穿透所述窗口層與所述透明導(dǎo)電層歐姆接觸，將上述半成品置于電 沉積槽內(nèi)，對(duì)所述接觸電極和對(duì)電極進(jìn)行通電，在所述窗口層上電沉積吸收層；
[0013] (d)移除所述接觸電極，在原所述接觸電極處產(chǎn)生接觸電極空缺；
[0014] (e)在步驟（d)獲得的半成品的透明導(dǎo)電層上，貫通所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行劃溝槽工 序得到第一溝槽；
[0015] (f)填充步驟（e)中所述第一溝槽和剩余的接觸電極空缺；
[0016] (g)在步驟（f)中獲得的半成品的所述透明導(dǎo)電層上，貫通所述吸收層進(jìn)行劃溝槽 工序得到第二溝槽；所述第二溝槽與所述第一溝槽平行且錯(cuò)位設(shè)置；
[0017] (h)在步驟（g)中獲得的半成品的吸收層一側(cè)沉積背接觸層和背電極；
[0018] (i)在步驟（h)中獲得的半成品的所述背接觸層及背電極上，貫通背接觸層及背電 極進(jìn)行劃溝槽工序得到第三溝槽，所述第三溝槽與所述第二溝槽平行且錯(cuò)位設(shè)置；
[0019] 所述接觸電極空缺的位置與所述第一溝槽和/或第二溝槽和/或第三溝槽所在的 位置部分或全部重疊；
[0020] (j)在步驟（i)中獲得的半成品進(jìn)行器件封裝。
[0021] 所述窗口層為硫化鎘，所述吸收層為碲化鎘，填充所述第一溝槽和剩余的接觸電 極空缺的物質(zhì)為電絕緣物質(zhì)。
[0022] 平行于所述玻璃基底的所述接觸電極的橫截面為圓形、正方形、長(zhǎng)方形和曲面形 中的一種。
[0023] 所述第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽為直線槽或曲線槽。
[0024] 一種用于上述薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法的電沉積裝置，包括
[0025] 電沉積槽，其中充滿電解液；
[0026] 接觸電極，沉積與待電沉積表面電連接；
[0027] 對(duì)電極，與所述接觸電極形成電連通；
[0028] 所述接觸電極與所述待電沉積表面歐姆接觸且為面接觸，所述接觸電極與所述待 電沉積表面的接觸面為長(zhǎng)條形。
[0029] 所述長(zhǎng)條形為直線長(zhǎng)條形或曲線長(zhǎng)條形。
[0030] 所述長(zhǎng)條形的有效長(zhǎng)度大于或等于與其接觸的待電沉積表面的長(zhǎng)度。
[0031] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)，
[0032] (1)在本發(fā)明所述薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法中，所述接觸電極產(chǎn)生的接觸電極空 缺與第一、二和三溝槽（即薄膜太陽(yáng)能電池的死區(qū)）重合，不增加任何死區(qū)面積，因此不會(huì)降 低太陽(yáng)能電池的效率。
[0033] (2)在本發(fā)明所述薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法中，在不增加死區(qū)面積的前提下，采用 長(zhǎng)條形接觸電極，即增加電極接觸面積，又降低接觸電阻，從而提高電沉積效率。
[0034] (3)在本發(fā)明所述薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法中，可制成各種形狀的接觸電極以及 與其形狀相應(yīng)的溝槽，形成各種圖案，在建筑一體化太陽(yáng)能組件中，產(chǎn)生美化的效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合 附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中
[0036] 圖la是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（b)中半成品的俯視圖；
[0037] 圖lb是圖la的A-A剖面圖；
[0038] 圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一中接觸電極為圓形且穿透所述窗口層與所述透明導(dǎo)電層 歐姆接觸的示意圖；
[0039] 圖2b是圖2a的B-B剖面圖；
[0040] 圖2c是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（c)中半成品的俯視圖；
[0041] 圖2d是圖2c的C-C剖面圖；
[0042] 圖2e是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（d)中半成品的俯視圖；
[0043] 圖2f是圖2e的D-D剖面圖；
[0044] 圖2g是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（e)中半成品的俯視圖；
[0045] 圖2h是圖2g的E-E剖面圖；
[0046] 圖2i是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（f)中半成品的俯視圖；
[0047] 圖2j是圖2i的F-F剖面圖；
[0048] 圖2k是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（g)中半成品的俯視圖；
[0049] 圖21是圖2k的G-G剖面圖；
[0050] 圖2m是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（h)中半成品的俯視圖；
[0051] 圖2n是圖2m的H-H剖面圖；
[0052] 圖2〇是本發(fā)明實(shí)施例一中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（i)中半成品的俯視圖；
[0053] 圖2p是圖2〇的I-Ι剖面圖；
[0054] 圖3a是本發(fā)明另一實(shí)施例中接觸電極為長(zhǎng)條形且穿透所述窗口層與所述透明導(dǎo) 電層歐姆接觸的示意圖
[0055] 圖3b是圖3a的J-J剖面圖；
[0056] 圖3c是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（c)中半成品的俯視 圖；
[0057] 圖3d是圖3c的K-K剖面圖；
[0058] 圖3e是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（d)中半成品的俯視 圖；
[0059] 圖3f是圖3e的L-L剖面圖；
[0060] 圖3g是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（e)中半成品的俯視 圖；
[0061] 圖3h是圖3g的M-M剖面圖；
[0062] 圖3i是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（f)中半成品的俯視 圖；
[0063] 圖3j是圖3i的N-N剖面圖；
[0064] 圖3k是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（g)中半成品的俯視 圖；
[0065] 圖31是圖3k的0-0剖面圖；
[0066] 圖3m是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（h)中半成品的俯視 圖；
[0067] 圖3n是圖3m的P-P剖面圖；
[0068] 圖3〇是本發(fā)明另一實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方法步驟（i)中半成品的俯視 圖；
[0069] 圖3p是圖3〇的Q-Q剖面圖。
[0070] 圖中附圖標(biāo)記表示為：1-薄膜太陽(yáng)能電池，11-玻璃基底，12-透明導(dǎo)電層，13-窗 口層，14-吸收層，15-接觸電極空缺，16-電絕緣物質(zhì)，17-背電極，P1-第一溝槽，P2-第二 溝槽，P3-第三溝槽，2-接觸電極。

【具體實(shí)施方式】
[0071] 定義：
[0072] "貫通"表示穿透一層到達(dá)另一層上表面。
[0073] "重疊"表示該溝槽在玻璃基底11上的投影落在所述接觸電極空缺15在玻璃基底 11上投影的寬度范圍內(nèi)。
[0074] "有效長(zhǎng)度"表示沿其延伸方向相同的直線長(zhǎng)度。
[0075] 實(shí)施例1
[0076] 圖la_2p所示為本實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能電池1的生產(chǎn)方法，包括如下步驟：
[0077] (a)在玻璃基底11上沉積透明導(dǎo)電層12 (Transparent conductive oxide,簡(jiǎn)稱 TCO)；
[0078] (b)在所述透明導(dǎo)電層12上成形窗口層13,本實(shí)施例中所述窗口層13為硫化鎘 (CdS)，所述窗口層13通過(guò)電沉積成形在所述透明導(dǎo)電層12上；
[0079] (c )接觸電極2穿透所述窗口層13與所述透明導(dǎo)電層12歐姆接觸，將上述半成品 置于電沉積槽內(nèi)，對(duì)所述接觸電極2和對(duì)電極進(jìn)行通電，在所述窗口層13上電沉積吸收層 14,所述吸收層14為碲化鎘（CdTe)，本實(shí)施例中平行于所述玻璃基底11的所述接觸電極2 的橫截面為圓形；
[0080] (d)移除所述接觸電極2,在原所述接觸電極2處產(chǎn)生接觸電極空缺15,因?yàn)槠叫?于所述玻璃基底11的所述接觸電極2的橫截面為圓形，所以移除所述接觸電極2后在該半 成品上成形有圓形的所述接觸電極空缺15 ;
[0081] (e)在步驟（d)獲得的半成品的透明導(dǎo)電層12上，貫通所述透明導(dǎo)電層12進(jìn)行劃 溝槽工序得到第一溝槽P1 ;
[0082] (f)填充步驟（e)中所述第一溝槽P1和剩余的接觸電極空缺15,填充所述第一溝 槽P1和剩余的接觸電極空缺15的物質(zhì)為電絕緣物質(zhì)16 ;
[0083] (g)在步驟（f)中獲得的半成品的所述透明導(dǎo)電層12上，貫通所述吸收層14進(jìn)行 劃溝槽工序得到第二溝槽P2 ;所述第二溝槽P2與所述第一溝槽P1平行且錯(cuò)位設(shè)置；
[0084] (h)在步驟（g)中獲得的半成品的吸收層14 一側(cè)沉積背接觸層（圖中未示出）和 背電極17;
[0085] (i)在步驟（h)中獲得的半成品的所述背接觸層及背電極17上，貫通背接觸層及 背電極17進(jìn)行劃溝槽工序得到第三溝槽P3，所述第三溝槽P3與所述第二溝槽P2平行且錯(cuò) 位設(shè)置；
[0086] 所述接觸電極空缺15的位置與所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和第三溝槽P3所在 的位置重疊，即所述第一溝槽P1、所述第二溝槽P2和第三溝槽P3都在所述接觸電極空缺 15在玻璃基底11投影寬度的范圍內(nèi)，解決了引入頂針孔洞產(chǎn)生的效率下降，本發(fā)明將接觸 頂針?biāo)嫉奈恢煤蜏喜鬯嫉奈恢弥睾?，從而消除了頂針填充物?duì)電池轉(zhuǎn)換效率的影響； 本實(shí)施例中設(shè)置所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和第三溝槽P3為直線槽。本實(shí)施例中所述 第一溝槽P1、所述第二溝槽P2和所述第三溝槽P3通過(guò)激光移除；
[0087] (j)將步驟（i)中獲得的半成品進(jìn)行器件封裝。
[0088] 作為可變換的實(shí)施例，所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和第三溝槽P3為曲線槽，所 述曲線槽穿過(guò)所述接觸電極空缺15。
[0089] 作為可變換的實(shí)施例，本實(shí)施例中平行于所述玻璃基底11的所述接觸電極2的橫 截面為正方形，所述第三溝槽P3與所述接觸電極2的位置重疊，所述第一溝槽P1和第二溝 槽P2沒有與所述接觸電極2的位置重疊，因?yàn)橛胁糠种丿B，因此，仍能減少不參與光電轉(zhuǎn)換 的面積，所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和第三溝槽P3通過(guò)激光移除。
[0090] 作為可變換的實(shí)施例，本實(shí)施例中設(shè)置第二溝槽P2和第三溝槽P3與所述接觸電 極2的位置重疊，所述第一溝槽P1沒有與所述接觸電極2的位置重疊。
[0091] 當(dāng)然，也可以設(shè)置第一溝槽P1和第二溝槽P2與所述接觸電極2的位置重疊，所述 第三溝槽P3與所述接觸電極2的位置部分重疊。
[0092] 實(shí)施例2
[0093] 圖3a_3p所示為本實(shí)施例中所述一種薄膜太陽(yáng)能電池1的生產(chǎn)方法，包括如下步 驟：
[0094] (a)在玻璃基底11上沉積透明導(dǎo)電層12 (Transparent conductive oxide,簡(jiǎn)稱 TCO)；
[0095] (b)在所述透明導(dǎo)電層12上成形窗口層13,本實(shí)施例中所述窗口層13為硫化鎘 (CdS)；
[0096] (c )接觸電極2穿透所述窗口層13與所述透明導(dǎo)電層12歐姆接觸，將上述半成品 放置于電沉積槽內(nèi)，對(duì)所述接觸電極2和對(duì)電極進(jìn)行通電，在所述窗口層13上電沉積吸收 層14,本實(shí)施例中平行于所述玻璃基底11的所述接觸電極2的橫截面為長(zhǎng)方形；
[0097] (d)移除接觸電極2,在原所述接觸電極2處產(chǎn)生接觸電極空缺15,所述接觸電極 空缺15的形狀為長(zhǎng)方形，所以移除所述接觸電極2后在該半成品上成形有長(zhǎng)方形的所述接 觸電極空缺15 ;
[0098] (e)在步驟（d)獲得的半成品的透明導(dǎo)電層12上，所述接觸電極2設(shè)置在第一溝 槽P1所在的位置上；所述第一溝槽P1的長(zhǎng)邊穿過(guò)所述接觸電極空缺15 ;
[0099] (f)填充步驟（e)中所述第一溝槽P1和剩余的接觸電極空缺15,填充所述第一溝 槽P1和剩余的接觸電極空缺15的物質(zhì)為電絕緣物質(zhì)16;本實(shí)施例中設(shè)置所述電絕緣物質(zhì) 16是通過(guò)光刻工藝填充；
[0100] (g)在步驟（f)中獲得的半成品的所述透明導(dǎo)電層12上，貫通所述吸收層14進(jìn)行 劃溝槽工序得到第二溝槽P2 ;所述第二溝槽P2與所述第一溝槽P1平行且錯(cuò)位設(shè)置；
[0101] (h)在步驟（g)中獲得的半成品的吸收層14 一側(cè)沉積背接觸層和背電極17 ;
[0102] (i)在步驟（h)中獲得的半成品的所述背接觸層及背電極17上，貫通背接觸層及 背電極17進(jìn)行劃溝槽工序得到第三溝槽P3，所述第三溝槽P3與所述第二溝槽P2平行且錯(cuò) 位設(shè)置；所述第三溝槽P3與所述接觸電極空缺15處對(duì)應(yīng)且所述第三溝槽P3的長(zhǎng)邊穿過(guò)所 述接觸電極空缺15,本實(shí)施例中設(shè)置所述接觸電極2的位置與所述第一溝槽P1、第二溝槽 P2和第三溝槽P3所在的位置重疊。本實(shí)施例中所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和第三溝槽 P3為直線槽。由于消除了分布式接觸電極2留下的空缺對(duì)轉(zhuǎn)換效率的影響，接觸電極2也 選擇為長(zhǎng)條形狀，從而加大了接觸面積，進(jìn)一步降低接觸電阻；
[0103] (j)將步驟（i)中獲得的半成品進(jìn)行器件封裝。
[0104] 本實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能電池1生產(chǎn)方法中所用的電沉積裝置，包括電沉積 槽，其中充滿電解液；
[0105] 接觸電極2,設(shè)置在所述電沉積槽內(nèi)與待電沉積表面電連接；
[0106] 對(duì)電極，與所述接觸電極2形成電連通；
[0107] 所述接觸電極2與所述待電沉積表面歐姆接觸且為面接觸，所述接觸電極2與所 述待電沉積表面的接觸面為長(zhǎng)條形，本實(shí)施例中為長(zhǎng)方形，對(duì)應(yīng)的平行于所述玻璃基底11 的所述接觸電極2的橫截面為長(zhǎng)方形；所述長(zhǎng)條形的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度等于與其接觸的待電沉積表 面的長(zhǎng)度，即接觸電極2與電沉積表面形成的接觸電極空缺15為長(zhǎng)方形，且長(zhǎng)度與要?jiǎng)澘?的溝槽長(zhǎng)度相等。
[0108] 作為可變換的實(shí)施例，本實(shí)施例中平行于所述玻璃基底11的所述接觸電極2的橫 截面為曲面形。所述接觸電極2的橫截面為曲面形的對(duì)應(yīng)所述第一溝槽P1、第二溝槽P2和 第三溝槽P3為曲線槽。
[0109] 相應(yīng)的本實(shí)施例中所述薄膜太陽(yáng)能電池1生產(chǎn)方法中所用的電沉積裝置中，所述 接觸電極2與所述待電沉積表面的接觸面為曲面形，也即平行于所述玻璃基底11的所述接 觸電極2的橫截面為曲面形，本實(shí)施例中所述電沉積裝置中所述橫截面的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度大于與 其接觸的待電沉積表面的長(zhǎng)度。
[〇11〇] 顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì) 于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或 變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或 變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，包括如下步驟： (a) 在玻璃基底（11)上沉積透明導(dǎo)電層（12); (b) 在所述透明導(dǎo)電層（12)上成形窗口層（13); (c )接觸電極（2 )穿透所述窗口層（13 )與所述透明導(dǎo)電層（12 )歐姆接觸，將上述半成 品置于電沉積槽內(nèi)，對(duì)所述接觸電極（2)和對(duì)電極進(jìn)行通電，在所述窗口層（13)上電沉積 吸收層（14); (d) 移除所述接觸電極（2)，在原所述接觸電極（2)處產(chǎn)生接觸電極空缺（15); (e) 在步驟（d)獲得的半成品的透明導(dǎo)電層（12)上，貫通所述透明導(dǎo)電層（12)進(jìn)行劃 溝槽工序得到第一溝槽（P1); (f) 填充步驟（e)中所述第一溝槽（P1)和剩余的接觸電極空缺（15); (g) 在步驟（f)中獲得的半成品的所述透明導(dǎo)電層（12)上，貫通所述吸收層（14)進(jìn) 行劃溝槽工序得到第二溝槽（P2);所述第二溝槽（P2)與所述第一溝槽（P1)平行且錯(cuò)位設(shè) 置； (h) 在步驟（g)中獲得的半成品的吸收層（14) 一側(cè)沉積背接觸層和背電極（17); (i) 在步驟（h)中獲得的半成品的所述背接觸層及背電極（17)上，貫通背接觸層及背 電極（17)進(jìn)行劃溝槽工序得到第三溝槽（P3)，所述第三溝槽（P3)與所述第二溝槽（P2)平 行且錯(cuò)位設(shè)置； 所述接觸電極空缺（15)的位置與所述第一溝槽（P1)和/或第二溝槽（P2)和/或第 三溝槽（P3)所在的位置部分或全部重疊； (j )在步驟（i )中獲得的半成品進(jìn)行器件封裝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述窗口層（13)為 硫化鎘，所述吸收層（14)為碲化鎘，填充所述第一溝槽（P1)和剩余的接觸電極空缺（15)的 物質(zhì)為電絕緣物質(zhì)（16)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，平行于所述玻璃 基底（11)的所述接觸電極（2)的橫截面為圓形、正方形、長(zhǎng)方形和曲面形中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述第一溝 槽（P1)、第二溝槽（P2)和第三溝槽（P3)為直線槽或曲線槽。
5. -種用于權(quán)利要求1-4任一所述薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法的電沉積裝置，包括 電沉積槽，其中充滿電解液； 接觸電極（2)，與待電沉積表面電連接； 對(duì)電極，與所述接觸電極（2)形成電連通； 其特征在于，所述接觸電極（2 )與所述待電沉積表面歐姆接觸且為面接觸，所述接觸電 極（2)與所述待電沉積表面的接觸面為長(zhǎng)條形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電沉積裝置，其特征在于，所述長(zhǎng)條形為直線長(zhǎng)條形或曲線 長(zhǎng)條形。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電沉積裝置，其特征在于，所述長(zhǎng)條形的有效長(zhǎng)度大于或 等于與其接觸的待電沉積表面的長(zhǎng)度。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104091854SQ201310110497
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月1日
【發(fā)明者】張征宇, 李偉中 申請(qǐng)人:北京恒基偉業(yè)投資發(fā)展有限公司