專利名稱：Led顯示屏及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED顯示屏及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED,Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件,其利用半導(dǎo)體PN結(jié)作為發(fā)光材料，可以將電轉(zhuǎn)換為光。當(dāng)半導(dǎo)體PN結(jié)的兩端加上正向電壓后，注入PN結(jié)中的電子和空穴發(fā)生復(fù)合，將過剩的能量以光子的形式釋放出來。LED具有壽命長，功耗低的優(yōu)點，隨著技術(shù)的日漸成熟，LED的運用領(lǐng)域也越來越多元化，其中，LED顯示屏領(lǐng)域的制造工藝也在越來越成熟，從最初的由LED珠粒列陣組成單基色顯示屏到由LED芯片粒矩陣塊組成的多彩及全彩的顯示屏，LED顯示屏已經(jīng)廣泛用于多媒體廣告和公共告示顯示。由于LED顯示屏通常由多個單獨封裝后LED芯片集成封裝而成，由于本身結(jié)構(gòu)以及封裝工藝的限制，LED芯片之間不可避免的存在較大的間隙，對顯示屏的像素密度和清晰度造成極大的影響，阻礙LED顯示屏向高清顯示領(lǐng)域的發(fā)展。并且，目前常常用到的倒裝芯片技術(shù)過程通常包括兩個步驟:先分別完成LED管芯部分的制造和基板端導(dǎo)線焊點等部分的制造，然后將兩部分通過焊球或其它方式連接貼裝。這樣的制造方法，一方面增加了工藝步驟和難度，另一方面，限制了 LED顯示屏在厚度和尺寸上的進一步發(fā)展。同時，芯片尺寸的增加同時也增加了電流擴展的難度，為了使電流均勻分布需要特殊設(shè)計電極結(jié)構(gòu)，目前常用到的電極結(jié)構(gòu)只能一定程度上解決這一問題，無法滿足芯片尺寸更進一步增加的需求。 ·

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種LED顯示屏及其制作方法，以解決LED顯示屏像素密度和清晰度無法實現(xiàn)較高清晰度的顯示問題。本發(fā)明的另一目的在于提供優(yōu)化倒裝工藝減少LED顯示屏厚度的方法。本發(fā)明的又一目的在于解決LED顯示屏的芯片內(nèi)電流分布不均勻的問題。為解決以上問題，本發(fā)明提供一種LED顯示屏的制造方法，包括:提供襯底，在襯底上形成管芯，在所述管芯上形成第一隔離溝道隔離出像素單元;在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層；在第一絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第一孔槽群；在第一絕緣層上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層；在第一電極層對應(yīng)區(qū)域開出絕緣孔槽群；在第一電極層上形成第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層；在第二絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第二孔槽群；
在第二絕緣層上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層，在第二電極層中按像素單元形成第二隔離溝道，在第二隔離溝道中填充有絕緣物質(zhì)；在第二電極層表面形成薄膜晶體管層；在薄膜晶體管層上貼裝基板?？蛇x的，在所述LED顯示屏的制造方法中，所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心，所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。 可選的，在所述LED顯示屏的制造方法中，所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層?？蛇x的，在所述LED顯示屏的制造方法中，所述第一電極群形成在電流擴散層上，所述第二電極群形成在N型半導(dǎo)體層上?？蛇x的，在所述LED顯示屏的制造方法中，所述第一電極群形成在N型半導(dǎo)體層上，所述第二電極群形成在電 流擴散層上?？蛇x的，在所述LED顯示屏的制造方法中，所述襯底為藍寶石襯底。本發(fā)明還提供了一種LED顯示屏，包括:基板，封裝在基板上的像素模塊，所述像素模塊為單個LED芯片，所述LED芯片包括:襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設(shè)置于管芯上并與管芯對應(yīng)區(qū)域接觸的電極，所述管芯上形成有第一隔離溝道隔離出像素單元，所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開第二電極層中形成有按像素單元形成第二隔離溝道，第二電極層表面形成有薄膜晶體管層，薄膜晶體管層與基板貼裝?？蛇x的，在所述LED顯示屏中，所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心，所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。可選的，在所述LED顯示屏中，所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層?？蛇x的，在所述LED顯示屏中，所述第一電極群與所述電流擴散層接觸，所述第二電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸?？蛇x的，在所述LED顯示屏中，所述第一電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸，所述第二電極群與所述電流擴散層接觸。本發(fā)明提供一種LED顯示屏及其制作方法，所述LED顯示屏的像素模塊為單個LED芯片，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了 LED顯示屏的清晰度；同時，本發(fā)明將倒裝芯片工藝進行優(yōu)化，在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，使得芯片的厚度得到有效的控制。進一步的，并且將電極分隔為第一電極群和第二電極群，分布在管芯對應(yīng)區(qū)域上，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿足芯片尺寸更進一步增加的需求。


圖1為本發(fā)明實施例的LED顯示屏的電極分布示意圖；圖2為本發(fā)明實施例的LED顯示屏的制造方法的流程圖；圖3A 3K為本發(fā)明實施例的LED顯示屏的制造方法的各步驟在沿AA’剖面上的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，由于現(xiàn)有LED顯示屏的像素模塊是由很多個像素點單元集成封裝而成，像素點單元之間不可避免的有較大的間隙，對顯示屏的像素密度和清晰度造成極大的影響。同時，傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝制造方法增加了工藝步驟和難度，并且限制了LED顯示屏在厚度和尺寸上的進一步發(fā)展。為此，本發(fā)明提供一種LED顯示屏及其制作方法，所述LED顯示的像素模塊為單個LED芯片，所述LED芯片包括:襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設(shè)置于管芯上并與管芯對應(yīng)區(qū)域接觸的電極，所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開，第二電極層表面形成有薄膜晶體管層，薄膜晶體管層與基板貼裝。由于LED顯示屏的像素模塊為單個LED芯片，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了 LED顯示屏的清晰度。并且這樣的電極結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且對電極群的密度和電極數(shù)目按工藝需求做相應(yīng)擴展就能滿足芯片尺寸更進一步增加的需求。下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖1和圖3K，圖1為本發(fā)明實施例的LED顯示屏的電極分布示意；圖31為本發(fā)明實施例的LED顯示屏沿AA’的剖面示意圖。所述LED顯示屏包括:基板413和封裝在基板上的像素模塊，所述像素模塊為單個LED芯片。所述LED芯片包括:襯底401、形成于所述襯底上的管芯415、設(shè)置于管芯415對應(yīng)區(qū)域上的電極。所述管芯415上形成有第一隔離溝道414隔離出像素單元，所述電極包括第一電極群402和第二電極群403。所述第一電極群402上生成有第一電極層410，所述第二電極群403上生成有第二電極層412。所述第一電極層410、第二電極層412、第一電極群402和第二電極群403之間由第一絕緣層421和第二絕緣層422共同隔開，第二電極層412中形成有按像素單元形成第二隔離溝道417，第二電極層412表面形成有薄膜晶體管層416。基板413貼裝在薄膜晶體管層416上。其中，薄膜晶體管層416用以根據(jù)外部信號來驅(qū)動LED顯示屏顯示對應(yīng)信息。由于LED顯示屏的像素模塊為單個LED芯片，這樣，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了 LED顯示屏的清晰度。并且在管芯415上形成有第一隔離溝道414，隔離出像素單元。這樣可以避免像素點之間工作時相互影響，進一步提高了 LED顯示屏的清晰度。本實施例優(yōu)選將所述第一電極群402的電極分排均勻分布在像素單元的中心，第二電極群403的電極分布在像素單元的四個角上。這樣，在器件工作時載流子可以通過第一電極群402和第二電極群403均勻擴散到像素單元中，提高器件的發(fā)光效率，并且，芯片的尺寸增加時，可以對電極群的密度和電極數(shù)目按工藝需求做相應(yīng)擴展，即，可適用于任意尺寸的LED顯示屏。本領(lǐng)域的研究人員可根據(jù)器件需求和工藝目的對電極群的數(shù)目和密度做適應(yīng)性調(diào)整。繼續(xù)參考圖3K，管芯415 —般包括依次形成于襯底401上的N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406和電流擴散層407。所述N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405和P型半導(dǎo)體層406形成用以發(fā)光的PN結(jié)，所述電流擴散層407起到擴展電流的作用。所述多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406和電流擴散層407部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404，用以在N型半導(dǎo)體層上形成電極。本實施例中所述第一電極群402所述電流擴散層407接觸，所述第二電極群403與所述N型半導(dǎo)體層404接觸。當(dāng)然也可以將所述第一電極群402與所述N型半導(dǎo)體層404接觸，所述第二電極群與所述電流擴散層407接觸。請參考圖2，其為本發(fā)明實施例提供的LED顯示屏制作方法的流程圖，所述方法包括如下步驟:步驟S31，提供襯底，在襯底上形成管芯，在所述管芯上形成第一隔離溝道隔離出像素單元；步驟S32，在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層；步驟S33，在第一絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第一孔槽群；步驟S34，在第一絕緣層上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層；步驟S35，在第一電極層對應(yīng)區(qū)域開出絕緣孔槽群；步驟S36，在第一電極層上形成第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層；步驟S37，在第二絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第二孔槽群；步驟S38，在第二絕緣層上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層，在第二電極層中按像素單元形成第二隔離溝道，在第二隔離溝道中填充絕緣物質(zhì)；步驟S39，在第二電極層表面形成薄膜晶體管層；步驟S40，在薄膜晶體管層上貼裝基板。參照圖3A，執(zhí)行步驟S31，提供襯底401，在襯底上形成管芯415，本實例中，所述襯底401為藍寶石(Al2O3)襯底。 當(dāng)然，根據(jù)工藝，也可以選用其他適用于LED顯示屏制造的襯底，例如是尖晶石(MgAl204)、SiC、ZnS, ZnO或GaAs襯底。所述管芯415包括在襯底401上依次形成的N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406、電流擴散層407，所述多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406、電流擴散層407部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。其中，根據(jù)第一電極群402和第二電極群403的設(shè)計的分布利用掩膜板在對應(yīng)區(qū)域選擇性開口，以部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。形成所述管芯415的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，在此不再贅述。優(yōu)選的，在形成管芯后在管芯上形成第一隔離溝道414，隔離出像素單元。這樣可以避免像素點之間工作時相互影響，進一步提高了 LED顯示屏的清晰度。參照圖3B，執(zhí)行步驟S32，在 管芯表面形成第一絕緣層421，并平坦化所述第一絕緣層421。第一絕緣層421材質(zhì)使用絕緣材質(zhì)，比如氧化硅、氮化硅或其他適用于LED制造的絕緣材料。參照圖3C，執(zhí)行步驟S33，在第一絕緣層421對應(yīng)區(qū)域開出第一孔槽群402’。具體的，所述第一孔槽群402’開口的位置是對應(yīng)于第一電極群402設(shè)計的位置來決定，在本實施例中由于第一電極群402的位置設(shè)置在電流擴散層407上，因此第一孔槽群402’開口貫穿在電流擴散層407上的第一絕緣層421，即，所述第一孔槽群402’暴露所述電流擴散層407的表面。。若第一電極群402的位置設(shè)置在N型半導(dǎo)體層404上，則第一孔槽群402’開口貫穿在N型半導(dǎo)體層404上的第一絕緣層421，即，所述第一孔槽群402 ’暴露所述N型半導(dǎo)體層404的表面。參照圖3D，執(zhí)行步驟S34，在第一絕緣層421上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群402，第一絕緣層421表面的金屬層組成第一電極層408。形成所述第一金屬層的方法可以是電鍍，也可以是本領(lǐng)域常用的方法，比如物理氣象沉積等。參照圖3E，執(zhí)行步驟S35，在第一電極層408對應(yīng)區(qū)域開出絕緣孔槽群。同樣的，絕緣孔槽群的開口位置根據(jù)第二電極群403設(shè)計的位置來調(diào)整。本實施例中，所述絕緣孔槽群的位置對應(yīng)步驟S31中部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。參照圖3F，執(zhí)行步驟S36，在第一電極層408上沉積第二絕緣層422，并平坦化所述第二絕緣層422。第二絕緣層422材質(zhì)使用絕緣材質(zhì)，比如氧化硅、氮化硅或其他適用于LED制造的絕緣材料。參照圖3G，執(zhí)行步驟S37，在第二絕緣層422對應(yīng)區(qū)域開出第二孔槽群403’。具體的，所述第二孔槽群403’開口的位置是對應(yīng)于第二電極群403設(shè)計的位置來決定，在本實施例中由于第二電極群402的位置設(shè)置在N型半導(dǎo)體層404上，因此第二孔槽群403’開口貫穿在N型半導(dǎo)體層404上的第一絕緣層421和第二絕緣層422，即，所述第二孔槽群403’暴露部分所述N型半導(dǎo)體層404的表面。參照圖3H和圖31，執(zhí)行步驟S38，在第二絕緣層422上沉積第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群403’內(nèi)的金屬組成第二電極群403，第二絕緣層422表面的金屬層形成第二電極層412，然后在第二電極層412中按像素單元形成第二隔離溝道417，在第二隔離溝道417中填充有絕緣物質(zhì)，比如氧化硅、氮化硅或其他適用于LED制造的絕緣材料。在溝道中填充絕緣材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段，在此不再贅述。更優(yōu)選的，參照圖1，第一電極群402的電極位于所述像素單元的中心，第二電極群403分布在像素單元的四個角上。
參照圖31，執(zhí)行步驟S39，在第二電極層412表面形成薄膜晶體管層416。利用薄膜晶體管來驅(qū)動每個像素單元，薄膜晶體管層416中的每個晶體管通過第二電極層412分別與每個像素單元的第二電極電連接，像素單元的第一電極根據(jù)第一電極群402和第二電極群403接觸的具體區(qū)域(N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層)連接在對應(yīng)的電位上，薄膜晶體管層416根據(jù)外部信號來改變第二電極的電位，控制每個像素單元的導(dǎo)通與否，達到驅(qū)動LED顯示屏顯示對應(yīng)信息的目的。形成薄膜晶體管的方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知常識，且本發(fā)明對生成薄膜晶體管的方法并無改進，在此不再贅述薄膜晶體管層的制造方法。參照圖3J，執(zhí)行步驟S40，在薄膜晶體管層416上貼裝基板413。由這樣的方法制造而成的LED顯示屏，無須將LED芯片裂片成單個LED發(fā)光單元進行單獨封裝后再集成封裝成為像素模塊，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了 LED顯示屏的清晰度。并且與傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝相比，優(yōu)化了工藝步驟，使得LED顯示屏厚度的可控程度提高。綜上所述，本發(fā)明所提供的LED顯示屏的結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述LED顯示屏的像素模塊為單個LED芯片，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了 LED顯示屏的清晰度。同時，本發(fā)明將傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝優(yōu)化為在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，使得芯片的厚度得到有效的控制，并且將傳統(tǒng)的設(shè)置一對電極分隔為分布在管芯對應(yīng)區(qū)域的第一電極群和第二電極群，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿足芯片尺寸更進一步增加的需求。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包 含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED顯示屏的制造方法，包括: 提供襯底，在襯底上形成管芯，在所述管芯上形成第一隔離溝道隔離出像素單元； 在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層； 在第一絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第一孔槽群； 在第一絕緣層上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層； 在第一電極層對應(yīng)區(qū)域開出絕緣孔槽群； 在第一電極層上形成第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層； 在第二絕緣層對應(yīng)區(qū)域開出第二孔槽群； 在第二絕緣層上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層，在第二電極層中按像素單元形成第二隔離溝道，在第二隔離溝道中填充有絕緣物質(zhì)； 在第二電極層表面形成薄膜晶體管層； 在薄膜晶體管層上貼裝基板。
2.如權(quán)利要求1所述的LED顯示屏的制造方法，其特征在于:所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心，所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。
3.如權(quán)利要求1所述的LED顯示屏的制造方法，其特征在于:所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求3所述的LED顯示屏的制造方法，其特征在于:所述第一電極群形成在電流擴散層上，所述第二電極群形成在N型半導(dǎo)體層上。
5.如權(quán)利要求3所述的LED顯示屏的制造方法，其特征在于:所述第一電極群形成在N型半導(dǎo)體層上，所述第二電極群形成在電流擴散層上。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的LED顯示屏的制造方法，其特征在于:所述襯底為藍寶石襯底。
7.如權(quán)利要求1所述的方法制造出的LED顯示屏，包括:基板，封裝在基板上的像素模塊，其特征在于:所述像素模塊為單個LED芯片，所述LED芯片包括:襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設(shè)置于管芯上并與管芯對應(yīng)區(qū)域接觸的電極，所述管芯上形成有第一隔離溝道隔離出像素單元，所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開，第二電極層中形成有按像素單元形成第二隔離溝道，第二電極層表面形成有薄膜晶體管層，薄膜晶體管層與基板貼裝。
8.如權(quán)利要求7所述的LED顯示屏，其特征在于:所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心，所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。
9.如權(quán)利要求8所述的LED顯示屏，其特征在于:所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求9所述的LED顯示屏，其特征在于:所述第一電極群與所述電流擴散層接觸，所述第二電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸。
11.如權(quán)利要求9所 述的LED顯示屏，其特征在于:所述第一電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸，所述第二電極群與所述電流擴散層接觸。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種LED顯示屏及其制造方法，所述LED顯示屏的像素模塊為單個LED芯片，每個像素之間的間隙可以得到有效的控制，從而提高了LED顯示屏的清晰度。同時，將傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝優(yōu)化為在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，使得芯片的厚度得到有效的控制，并且將傳統(tǒng)的設(shè)置一對電極分隔為分布在管芯對應(yīng)區(qū)域的第一電極群和第二電極群，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿足芯片尺寸更進一步增加的需求。
文檔編號H01L33/38GK103219286SQ20131010319
公開日2013年7月24日 申請日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者畢少強 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司